Элемент памяти

. (61) Дополнительное к авт. сеид-ву- (22) Заявлено 130781(2) 3317157/18-24 И) М.Кд.з 6 11 С 11/34 с присоединением заявки Нов Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий,б(088.8) Датаопубликования описания 150283 С,Д. Савранский г "(72) Авторизобретения я и 1) Заявител 54) ЭЛЕМЕНТ И 1.РИзобретеНие относится к вычисли= :тельной технике, в частности к постоянным запоминающим устройствам.Известен элемент памяти, представ . ляющий собой подложку с нанесенным на нее слоем стеклообразного полупроводника, чувствительного к электрическому полю и расположенного между . двумя электродами, к.которым прикла, ииваек ся вяеккрическсе напряжение 11)Эти элементы памяти, выполняемые в виде фсэндвич" .или планарной структуры, характеризуются наличием двух устойчивых состояний - высокоомного и низкоомного, которые сохраняются без затраты энергии, Переход из высокоомного в низкоомное состояние совершается при достижении на элементе. памяти порогового напряжения ОП, Низ коомное состояние запоминается сколь угодно долго. Элемент памяти может быть возвращен в высокоомное состояние подачей на электроды электрического импульса. Подобные. элементы 25 памяти обладают симметричной вольтаМПЕРНОй ХаРаКтЕРИСтИКОй (Вс 1 Х) И ПОЭ тому способны запомнить прохождение электрического импульса произвольной цлярности. . 30 Недостатком в работе элементовпамяти является их чувствительностьк изменениям температуры.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является эле.мент памяти, содержащий изолируквгуюподложку с электродами, между которыми расположен слой из стеклообразного полупроводника ) 2 ) .Недостатком известноГо элементапамяти является резкая зависимостьпорогового напряжения от температуры окружающей среды, что приводитк неустойчивости в работе элемента ик появлению ложных срабатываний.Цель изобретения - повышения надежности элемента памяти.Цель достигается тем, что известный элемент памяти содержит резистивный слой, выполненный, напрймер,из аооо Ра одет т 10, расположенныймеждуэлектродами параллельно слоюиз стеклообразного полупроводника сдвух его сторон,На фиг, 1 представлена конструкция предложенного элементапамяти,выполненного в виде "сэндвич" структуры; на фиг. 2 - предложенный элемент памяти.в виде планарной структурыр на фиг. 3 - температурные за 997099висимости порогового напряжения ОВпри введении в структуру резистивного слоя (кривая 1) и без него(кривая 2); на фиг. 4 - динамическая ВАХ предложенного элемента памяти; на фиг. 5 - температурныезависимости удельных сопротивленийслоя с резистинными свойствами,(кривая 1) и слоя стеклообразного полупроводника (кривая 2),Элемент памяти (фиг, 1 и 2) содержит изолирующую подложку 1, элек-,троды 2 и 3, резистивный слой 4, слойиз стеклообразного полупроводника 5.Изолируюцая подложка 1 может выполняться из ситалла, стекла и другихматериалов. Электроды 2 и 3 могут 15быть выполнены из молибдена, тантала и др, В качестве стеклообразногополупроводника 5 возможно использование различных халькогенидных и ванадиено-фосфатных полупроводниковых 20стекол. Резистивный слой 4, расположенный параллельно слою стеклообразного полупроводника 5, ныполняетсяиз материалов на основе ВаТ 10 или(ВФ 5 г) Т 10, например аОо эВа 09 Т(ОВ, 25Элемент памяти работает следующимобразом.На электроды 2 и 3 подается синусоидальное напряжение, которое создает падение напряжения на слое стеклообразного полупроводника 5 и,резистивном слое 4. Когда при температуреокружаюцей среды Т, (фиг. 3) наслое стеклообразного полупроводника 5падение напряжения равно пороговому 35напряжению ОВ, то элемент памятипереходит из нысокоомного состоянияв низкоомное (фиг. 4), При изменениитемпературы окружаюцей среды, например при ее увеличении, элемент памяти, в котором отсутствует резистивный слой 4, переходит в низкоомноесостояние при меньшей амплитуде напряжения йа электродах 2 и 3, чем вслучае более низкой температуры окружающей среды (фиг. 3, кривая 2),При изменении температуры окружаюцей среды удельные сопротивлениярезистинного слоя 4 и слоя из стеклообразного полупроводника 5 изменяются. Причем, н .случае роста температуры окружающей среды, удельное сопротивление резистивного слоя 4 возрастает, а слоя из стеклообразногополупроводника 5 уменьшается (фиг, 5),Поэтому соотношение падений напряжений между слоями 4 и 5 при изменении температуры среды также изменяется. Так при возрастании температуры окружаюшей среды на резистивномслое 4 падает большее напряжение Щ и при постоянной амплитуде напряжения, подаваемого на электроды 2 и 3, на слое стеклообразного полупроводника 5 падение напряжения остается равным пороговому О при данной температуре, а следовательно, элемент памяти переходит н низкоомное состояние. Снятие избыточного перенапряжения со .слоя стеклообразного полупроводника 5 при увеличении температуры окружающей среды повышает устойчивость работы элемента памяти (фиг. 3 ), При снижении температуры окружающей среды по сравнению с первоначальной на электродах 2 и 3 элемента памяти, н котором отсутствует резистинный слой 4, окажется напряжение О(О3 при ТТнц и элемент памяти не перейдет в низкоомное состояние. В элементе памяти, имеющем резистивный слой 4, из-за разного изменения удельных сопротивлений слоев 4 и 5 соотношение падений напряжений между слоями 4 и 5 также изменяется. Поэтому при уменьшении температуры окружающей среды элемент памяти перейдет в низкоомное состояние, когда на электродах 3 и 2 поддерживается напряжение постоянной амплитуды (фиг. 3). Низкоомное состояние запоминается сколь угодно долго, а в высокоомное состояние элемент памяти может быть возвращен подачей на электроды 2 и 3 сигнала, равного критическому напряжению,Данное предложение позволяет повысить надежность работы элемента памяти, сделав ее независимой от окружающей среды.Формула изобретенияЭлемент памяти, содержащий изолирующую подложку с. электродами,между которыми расположен слой изстеклообразного полупроводника, о тл и ч а ю ц и й с я тем, что, сцелью повышения надежности элементапамяти, он содержит резистивныйслой, выполненный, например, изаоООЬВа 0,997 Т 03, расположенный между электродамй параллельно слою изстеклообразного полупроводника, сдвух его сторон.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Калыгин В,М. и др. Элементыпамяти на основе тонких пленок нанадиево-фосфатного стекла. "ИзвестияВУЗов . Физика, 1978, Р 8, с. 80-85,2. Авторское свидетельство СССРР 483709, кл. 6 11 С 11/34, 1975(прототип).акто каэ 942 ая Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4/70 Тираж 592ВНИИПИ Государственного кпо делам изобретений и .1.13035, Москва, Ж, Рауис Подписноета СССРытийаб., д. 4/5