Кимарский

Номер патента: 1410105

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Березин, Кимарский, Кузовлев, Онищенко, Сушко, Черняк

МПК: G11C 29/00

Метки: декодирования, запоминающее, коррекцией, мажоритарного, методу, оперативное, ошибок

...вход 10 выбора режима, перый 11 и второй 12 блоки свертки по моду,1 ку два, мультиплексор 13 и тестовый вы Од 14. Устройство работает следующим обраОм.Устройство использует для коррекции ушибок низкоплотностной (10 - 6) код с мажоритарным декодированием.В режиме записи в блок 1 данные посту ают непосредственно с информационных Входов 7 устройства - сигналыЮ - О, а в лок 2 - с выходов блока 3 кодирования - игналы С 1 - Ся (адресные входы блоков 12 на фиг. 1 не показаны). Проверка праильности кодирования входных сигналов Основана на том свойстве кодирующей мат)ицы (фиг. 2), применяемом при мажоритарНом декодировании выходных сигналов, что сумма по модулю два контрольных разрядов Всегда должна быть равна нулю, Поэтому появление в режиме...

Номер патента: 1378049

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Березин, Кимарский, Кузовлев, Онищенко, Сушко, Черняк

МПК: H03K 19/086, H03K 19/23

Метки: мажоритарный, элемент

...соответственно с базами четвертого 4 и пятого 5транзисторов, шина опорного напряжения 11 подключена к базам третьего3 и шестого 6 транзисторов, а коллектор шестого транзистора б соединен с шиной питания 21.Устройство работает следующим образом.Мажоритарный элемент построен напереключателях тока и предполагается,что он будет использоваться совместно с элементами ЗСЛ типа. Поэтомувеличина перепада уровней его входных сигналов равна Б ;% - напряжение на открытом р-и-переходе) а1 оконкретно И = Е- Б ,= Е- 2 ц,. Номиналы резисторов 7и 8 выбраны таким образом, что падение напряжения, создаваемое на каждом из них током источника тока 17, равно 0,5 О , Ток источника 19 вдвое превосходит ток источника 18, который создает на резисторах 9 и...

Номер патента: 1377917

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Березин, Кимарский, Кузовлев, Онищенко, Сушко, Черняк

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, коррекцией, оперативное, ошибок

...иходнофазный выход, т.е, в мажоритарномЭСЛ-элементе, принимающем сигналыс выходов двух элементов ИСКЛЮЧАЮЩЕЕИЛИ, необходимым является использо-вание переключателя тока, преобразующего однофазные сигналы в парафазные,что снижает быстродействие мажоритарно.ного элемента и блока коррекции в целом. Поэтому для исключения подобнойзадержки блоки 8, и 88 мажоритарного декодирования строятся на элементах нечеткости 9, четности 10,реализованных на переключателях тока,а вместо мажоритарного элемента используется трехвходовый лоГическийэлемент 22, условно названный элементом коррекции ошибки.Когда логические уровни сигналовна выходах элементов 9 и 10 одногоиз блоков 8 мажоритарного декодирования равны, т.е. при восстановленииинформационного...

Номер патента: 1317485

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Березин, Еремин, Кимарский, Кузовлев, Онищенко, Сушко, Черняк

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, оперативное, самоконтролем

...питания обеспечивается при переключении триггера-защелки 15 в состояние 1 (состояние О 20 25 30 35 40 45 50 55 2на инверсном выходе). Такая организация отключения питания обеспечивает в режиме внешних обращений прохождение через элементы ИЛИ 12 и 13 и первый коммутатор 8 сигналов с внешних входов устройства,Отключение питания от схем самоконтроля происходит не только по завершению самоконтроля (сигнал с выхода генератора тактовой последовательности). Если накопитель полностью исправен, то при присоединении выхода 22 к шине питания также происходит отключение схем самоконтроля, и самоконтроль вообще не производится (такое отключение целесообразно проводить и при неисправности блоков самоконтроля). Оперативное запоминающее устройство с...

Номер патента: 1300569

Опубликовано: 30.03.1987

Авторы: Березин, Еремин, Кимарский, Кузовлев, Онищенко, Сушко, Черняк

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, оперативное, самоконтролем

...что означает полное использование резервных столбцов первого дополнительного адресного накопителя 2.Тактовым сигналом сдвигового регистра 20, на входе которого постоянно поддерживается состояние1 является сигнал с выхода блока 2 1 сравнения уровня " 1", означающий несовпадение считанной информации с ранее записанной.После установки на втором выходе сдвигового регистра 20 (выход (К+1)-го разряда, если К - число резервных столбцов) состояния " 1 для всех обнаруживаемых дефектнь:х элементов памяти производится их строчная замена. Появление состояния " 1" на первом выходе 28 сдвигового регистра 20 означает превышение числа дефектных элементов памяти над воэможностями их замены, что приводит к отбраковке устройства,Формула из...

Номер патента: 1226532

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Бохан, Дербунович, Кимарский, Кузовлев, Либерг, Черняк

МПК: G11C 29/00

Метки: интегральных, микросхем, памяти

...микросхемы",поступающих на его тактовый вход с.выхода формирователя 4 и после каждых К импульсов выдает импульс переноса, который (если задан режим измерения напряжений питания в процессе прохождения проверяющего теста)поступает через элементы И-ИЛИ 17на вход третьей группы счетчиков 9и изменяет их содержимое. С выхода генератора 23 напряжение помехи в виде белого шума поступает на пороговый элемент 24, который осуществляет формирование прямоугольных импульсов. Наличие импульса соответствует тому случаю, когда действующее напряжение суммы гармоник, образующих в совокупности белый шум, превышает значение порогового напряжения, Таким образом, на вход сброса в нуль третьего счетчика 21 через элемент И 25, если на его втором входе...

Номер патента: 1144154

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Бохан, Дербунович, Кимарский, Кузовлев, Либерг, Черняк

МПК: G11C 29/00

Метки: интегральных, микросхем, памяти

...с выходами генераторовимпульсов и одним из выходов пер-.вого блока управления, выход второ- З 0го формирователя управляющих сигналов является первым выходом устройства, первым входом которогоявляется вход одного из генераторовимпульсов, программируемый блок 35питания и датчик температуры, выходы которых являются соответственно вторым и третьим выходами устройства, триггер, выход которогоподключен к входу третьего формирователя управляющих сигналов,пульт управления, соединенный с первым и вторым блоками управления,первый счетчик и группы счетчиков,одни из выходов которых подключены соответственно к управляющимвходам первого и второго формирователей управляющих сигналов, программируемого блока питания и датчикатемпературы и к...

Номер патента: 991508

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Черняк

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...сегментов созданы коллекторные области Пф-типа проводимОсти 14 и 15 а Скрытый слОЙ Являсфф" 3 р ется общим для двух сегментов и соединенадресной шиной 18. База одного . сегмента соединена с коллекторной областью другого и наоборот. Инжекторы соединены с разрядными шинами 17 и 18. 5 На коллекторных областях каждого сегмента сформированы высоколегированные поликремниевые области р -типа проводимости 19 и 20, причем поликремниевая область одного сегмента соединенас инжектором противоположного и наоборот. Области 19, 14, 12 и 20, 15, 13 образуют "паразитныеф р -М -р тран-ф эисторы .21 и 22 соответственно.Элемент памяти работает следующим образом. 45В режиме считывания информации равные токи считывания 10 вытекают иэ разрядных шин 17 и 18 в...

Номер патента: 955202

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Орликовский, Черняк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, полупроводникового, устройства

...для полупроводникового запоминающего устройства.Поставленная цель достигаетсявведениемшунтирующих элементов, выполненных на диодах, аноды которых 5подключены к соответствующим разрядным шинам, а катодыявляются дополнительным управляющим входом наКопителя.На чертеже представлена блок-схема 0накопителя для полупроводникового запоминающего устройства.Накопитель содержит массив элемен.тов 1 памяти, соединенных адресными2 и разрядными 3 шинами, генераторы4 тока, управляющие элементы 5, вы. -полненные на транзисторах, шунтирующие элементы 6, выполненные на диодах,Схема работает следующим образом,В режиме хранения ток, задаваемыйгенераторами тока 4, равномерно распределяется между инжекторами всехэлементов памяти. В режиме считываниявыбор...

Номер патента: 942150

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Орликовский, Черняк

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: памяти, полупроводниковый, элемент

...которых соединены с эмиттерами транзисторов 4 и5, а катоды - с коллекторами.35Элемент памяти работает следующим образом.В режиме считывания информации равные токи считываниявтекают из разрядных шин б и 7 в элемент па 40 мяти. Предположим, что элемент памяти находится в состоянии, когда транзистор 5 насыщен и коллекторным током насыщает транзистор 1, Тогда транзистор 2 работает в нормальном45 активном режиме, но ток через него практически отсутствует, так как напряжение на-И-переходе эмиттербаза этого транзистора равно напряжению между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора 1. Транзистор 4 также работает в нормапьном активном режиме. Ток через диод 9 практически отсутствует, так как напряжение на диоде равно напряжению между...

Номер патента: 790319

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Берглезов, Горохов, Кимарский, Левашов, Решетаров, Рыбаков, Шевьев

МПК: H03K 17/567, H03K 17/72

Метки: коммутирующее, многоканальное

...с общей линой 13 соединена коммутируемая ".лна 27Таким образом, поступление одного импульса на сигнальную шину 17 вызывает переключение устройства в следующее устойчивое состояние и, соответственно, подключение следующей коммутируемой шины 27 к общей шине 11.Далее работа устройства осуществляется аналогичным образом. Цепь запуска при этом бездействует, поскольку напряжение на,шине 2 не достигает уровня, достаточного для прохождения тока через транзисторы 22 и 23. При поступлении н -го импульса на сигнальную шину 17 прибор с многослойной р-н-р-н структурой 1 выключается2.ни включается прибор с многослойной р-н-р-и структурой 1 . При этом ток резистора 24 начинает проходить через прибор с многослойной р-н-р-н структурой 1 и...

Номер патента: 744724

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Березин, Кимарский, Кузовлев, Онищенко, Федонин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, матричное

...эмиттеры первого и второго транзисторов соединены с шиной нулевого потенциала и базами четвертого и. пятого транзисторов, эмиттер третьего транэистора соединен с первой разрядной шиной; эмиттер четвертого транзистора подключен к адресной шине, эмиттер пятого транзистора подсоединен ко второй разрядной шине, усилители считывания, каждый из которых " выполнен на четырех транзисторах, базышестого и седьмого из которых подключены к шине нулевого потенциала и эмиттеру восьмого транзистора. эмиттер девятого транзистора соединен с базой шестого транзистора, информационную шину, шину питания, шину разрешения считывания и шину счить 1 вания, в нем вторые коллекторы первых транзисторов каждой группы ячеек памяти подключены к...

Номер патента: 715362

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Кауфман, Кимарский, Сергиенко

МПК: B41M 3/08

Метки: фотошаблон

...Изображение требу.емой функциональной схемы выполнено вмаскирующем слое 3, например, их хрома,нанесенном на защитный слой 2,Защитный слой 2 наносится на поверхностьстеклянной подложки 1 после подготовкипоследней известными методами механическойи химической обработки.В процессе химической и механической обработки стеклянной подложки 1 в ее поверх.Составитель В. ЮсковГехред Н.Бабурка Корректор М. Шароши Редактор Н. Козлов Подписное 4 Заказ 9426/15ЦНИИПИ Г го комитета СССР й и открьпийуюская наб д. 4/5 ударственим изобрете , Ж - 35, Р 113035, Мос ал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектн 3 71ностйом Слое образуются дефекты (выколки,бугорки, царапины), являющиеся практическиединственной причиной выхбда из строя фотошаблонов во время...

Номер патента: 618786

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Выдревич, Ильин, Кимарский, Кудриченко, Смирнов

МПК: G11B 5/48

Метки: головок, магнитных, перемещения

...состоит изхрапового колеса 6, жестко соединенного сдиском 1, и из собачки 7, связанной с электромагнитом 5.оПредлагаемое устройство содержит также регулируемые цилиндрические стойки разной высоты 8, смонтированные на диске 1посредством резьбовых пар с возможностьюпоочередного сопряжения их торцов с щупом 9, которым снабжен держатель магниных головок 10. Держатель магнитных г618786 Фор,иула изобретения Составгителп 1;. Роааноехрсд О.г 1 гговаяпраж 717 1 е.,иктор 1 Самедовзпкаа -146843 орректор А. ВласенкоПодписное ов СС 1 НИИПИ Государсгвеш по делам 113035, Москва, та Миниткрытийнаб., д го комитета Соизобретений и аугнска иал ППГ 1 Патент, г. Ужгород, ул. Проектная ловок 10 смонтирован в корпусе 3 посредством направляюшей оси 11 с...

Номер патента: 613382

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Выдревич, Ильин, Кимарский, Кудриченко, Смирнов

МПК: G11B 5/48

Метки: головок, магнитных, перемещения

...голоьок установлен ь корпусе 3 посредством направляющего элемента 11 с возможностью перемещения поперек магнитной ленты, не изображенной на чертеже. Направляющий элемент 11 выполнен в виде оси с фланцем, на которой установлена цилиндрическая витая пружина сжатия 12, обеспечивающая прижим щупа 9 держателя магнитных головок 10 к ступенчатой кулачковой поверхности 8 диска 1.Предлагаемое устройство содержит также дополнительный приводной механизм, укрепленный на корпусе 3 и сопряженный с направляющим элементом 11 с возможностью отведения щупа 9 от ступенчатой кулачковой поверхности 8 диска 1. В варианте устройства, изображенном на фиг. 1, дополнительный приводной механизм выполнен в виде электромагнита 13 и соединен с клеммами 14,...

Номер патента: 604032

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Борухович, Кимарский, Петухов, Раисов

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: запоминающее

...тиристоров 27 и резисторов 28 и 29. Аноды тиристоров 27 через резистор 28 соединены с адресной шиной 5, первые катоды через резистор 29 соединены с виной питания, а вторые катоды тиристоров 27 соединены с соответствующими разрядными шинами 1 и 12. Х и Р базы тиристоров 27 соединены перекрестными связями. В ЗУ могут применяться и другие известные запоминающие элементы, например триггеры, выполненные на двухэмиттерных транзисторах.ЗУ работает следующим образом.В режиме хранения информации запоминаю 5 30 Ток 1, выбирают приблизитмьно на порядок меньше рабочего выходного тока блока считывания 13, коэффициент передачи К также приблизительно на порядок меньше Ф. ПоэтоЭ 5 му ток 1;на два порядка меньше рабочеговыходного тока блока считывания...

Номер патента: 526951

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Березин, Кимарский, Кузовлев, Онищенко, Федонин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, инжекционный, элемент

...14. Коллекторный ток транзисторов 7 и 8 является базовым током соответственно транзисторов 2 и 1. Благодаря наличию перекрестных связей между транзисторами 1 и 2 и при условии, что инверсный коэффициент усиления этих транзисторов больше 1, в открытом состоянии может находиться только один из них, например транзистор 1, в то время как база транзистора 2 шунтирована низким сопротивлением насыщенного транзистора 1, работающего в инверсном режиме,Так как базы транзисторов 3 и 4 соединены соответственно с базами транзисторов 1 и 2, то транзистор 3 также включен, а транзистор 4 выключен.При считывании информации на адресной 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 шине 11 повышается потенциал и через запоминающий элемент претакет ток, в несколько раз...

Номер патента: 525160

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Березин, Ботвинник, Кимарский, Онищенко

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...чем на резисторе 14 (тоанзисторы 1 и 5 открыты), и транзисторы 6 и 7 будут практически закрыты, т. е, через нихбудутпротекать много меньшие токи, Для того, чтобы % предотвратить заметное насыщение транзистора 1 необходимо выбрать коэффициент усиленияпары транзисторов 1 и 5 (6 и 7) таким, чтобы перепад узловых потенциалов в Обоих состояниях составлял 0,15 - 0,3 В. В этому случае инжекция носителей через переходколлектор-база транзистора очень незначительна, и транзистор можно считать ненасыщенным.Для записи информации на адресную шинуподается отрицательный импульс напряжения,а на одну из разрядных шин - положительныйимпульс, чтО приводит к о"гкрываиию соответствующего диода, например, 8, через которыйпротекает ток, величина которого...

Номер патента: 513391

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Березин, Кимарский, Онищенко, Федонин

МПК: G11C 11/40

Метки: инжекционный, памяти, элемент

...элемента, поскольку инверсный коэффициент усиления Э+и транзиоторов не превышает обычно 3-5.При считывании информации сдновремен ио с импульсом тока на адресной щине необходимо повысить доодного уровня потенциалы на обеих шинах записи, При этом коллекторные токи -йф транзисторов 1 и 8 равны и много больше, чем коллекторный ток тЖ транзистора 5. Потенциал на: шине считывания 12 в зависимости от хранимой в элементе информации возрастает до разных ураваей,. что фиксируется усилителем считыванна.5133 В режиме хранения информации на первой шине записи 2 поддерживается положи 5тельный потенциал, превышающий не менеечем на 2 в потенциал на второй шине записи 8, К адресной шине 3 подключен нагрузочный элемент с большим...

Номер патента: 434481

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Кимарский, Сердюк, Синеокий

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: матричный, накопитель

...являются диод 14 и резистор 15.Матричный накопитель работает следующим образом.В режиме хранения записанной информации на словарных шинах записи и считывания поддерживают напряжение уровня логического О, на разрядных шинах - логической 1.При записи на выбранную шину словарной записи подают напряяение уровня логической 1, чем обеспечивают возможность отпирания тиристора 2 (запись 1) током через согласующий резистор 5 при условии, что переход база - эмиттер транзистора 4 закрыт напряжением уровня логической 1 со стороны разрядной шины,При наличии на разрядной шине напряжения уровня логического О транзистор 4 насыщается и шунтирует переход Р - база - катод тиристора 2, закрывая последний, что соответствует записи О в ячейку памяти...

Номер патента: 424449

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Завь, Кауфман, Кимарский, Петрик, Фалькевич, Шварцман, Школьников

МПК: C23C 14/34, H01J 23/04

Метки: катод, кремния, распыления, реактивного

...цзобрстеция нцякремдичеи грточи100 -2,промтолц 1 ро Изобретение относится к области техцолоии полупроводниковых материалов и прибоов. Кремниевые катоды используются в,уставовках реактивного распыления для получе- Ь ция тонких слоев двуокиси кремния, ццтрида кремния, легированных поликристаллцческих кремниевых слоев и пассивации поверхности полупроводниковых приборов.Известен катод для реактивного распыления, представляющий собой графитовую основу, покрытую слоем кремния. Однако вследствие различных коэффициентов линейного расширения кремция и графита, а также различия температурной зависимости этих коэффициецтог такие катоды имеют трещины на поверхности и малый срок службы.С целью увеличения срока службы катодапредлагают...

Номер патента: 377881

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Зинченк, Кимарский, Раисов, Шаламов

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: бсесонэзная, гнд, патетй1мш

...шинам б и 7 соответственно. Аноды обоих тиристоров соединены вместе и подключены к резистору 2 нагрузки, п-база каждого тиристора соединяется с р-базой другого тиристора, образуя перекрестную обра гную связь.Ячейка работает следующим образом.В режиме хранения информацци адресная шина 5 имеет низгсий потенциал (подключена к земле), Коммутирующий транзистор 1 заперт, и ток через ячейку определяется величиной сопротивления резистора 2. Один из тиристоров включен, другой - выключен, причем и-р-и и р-и-р транзисторы, входящие в состав включенного тиристора, шунтируют оба базовых перехода другого тпристора, Это придает схеме более высокую помехоустойчивость по сравнению с транзисторным сим377881 Ссотавитель Р. Яворовская Техред Г. Дворина...

Номер патента: 369720

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Кимарский, Кузоелев, Рыбаков, Щедрин

МПК: H03K 17/567, H03K 23/40

Метки: переключатель, шаговый

...диоды 17 и 48 соответственно.Схема работает следующим образом.В исходном положении структура 1 открыта, а остальные закрыты, тогда р - а-переходы 32, 33 и 34 смещаются в прямом направлении за счет избыточных носителей, инжектированных переходом 43 и дошедших до переходов 32, 33 и 34 благодаря диффузии. Таким образом, выходная цепь, состоящая из анодов б и 7, оказывается замкнутой через прямо смещенные переходы 32 и 33. Выходная цепь, включающая в себя аноды 10 - 11, разомкнута, так как она подсоединена к двум встречно включенным р - п-переходам 38 и 39, один из которых, например переход 38, смещается в обратном направлении выходным источником с подключенным к нему анодами 10 и 11,Тактовый импульс, поступая на вход 30, открывает ключ 29...

Номер патента: 409292

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кимарский, Пригула, Раисов

МПК: G11C 11/40

Метки: вптб, ш14ш11жу1

...и олнении.В режиме хранения информации входные разрядные шины 9 и 10 имегот низкий уровень сигнала, адресная шина 7 имеет потенциал больший, чем напряжение У,р. Напряжение на выходной разрядной шине 6 равно С 0 п,т,. Предположим, что 1 информации соответствует включенное состояние тир истора, а О - выключенное. Если в ячейке записана 1, то через тиристор 1, резистор 2 протекает ток. Транзисторы 3 и 4 заперты. Диод 5 также заперт, так как его анод и катод имеют одинаковые потенциалы. В режиме считывания информации на адресную шину 7 подается низкий потенциал, Напряжение на катоде тиристора понижается до потенциала земли, диод 5 отпирается, и на выходной шине 6 напряжение понижается до уровня прямого падения напряжения на диоде. При этом...

Номер патента: 391738

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Горохов, Кимарский, Нижегородов

МПК: H03K 17/725

Метки: коммутатор, переменного, цепи

...чертеже изображена принципиальная схема коммутатора цепи переменного тока.Четырехслойная структура 1, включенная в схему, имеет анодные слои (аноды) - основной 2 и дополнительные 3 и 4, последующие слои 5, б, 7 с чередующимися типами проводимости, управляющий электрод 8 и катод 9. Четырехслойная структура 1 через ограничительное сопротивление 10 подсоединена к источнику 11 постоянного тока. Коммутируемая цепь переменного тока, состоящая из нагрузки 12 и источника 13 питания, подсоединена ,к дополнительным анодам 3 и 4 структуры 1.Пусть в исходном состоянии четырехслойная структура 1, образуемая слоями 2, 5, б, 7 находится в закрытом состоянии, В этом случае сопротивление трехслойной структуры, образуемой слоями 3, 5, 4 велико,...

Номер патента: 354471

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кимарский, Раисов

МПК: G11C 11/40

Метки: 354471

...лительных машин и дискретных томатики. Известна тиристорно-транзист памяти, содержащая тиристор,записи и считывания, диод и рези Однако известная ячейка пав много времени для включения,быстродействие, и отличается сл мы управления. Цель изобретения - повышен ствия и помехоустойчивости ячеиктору транзистора инена с шиной 8 ной разрядной шис адресной шиной итывания - с вы. Коллектор тран нен с катодом тиезистором б, база - с анодом диода 4юго резистора б.оставитель Г, Челей пография, и р. Сапунова, 2 при этом уменьшения нагрузки приближенноравныа а где: Я, - величина сопротивления резистора б,Я 2 - величина сопротивления резистора 7, а - коэффициент усиления по току транзистора 3 в схеме с общей базой.При записи в ячейку...