Патенты с меткой «доменосодержащей»
Способ образования каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов в доменосодержащей пленке
Номер патента: 903976
Опубликовано: 07.02.1982
Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов
МПК: G11C 11/14
Метки: доменов, доменосодержащей, каналов, магнитных, образования, пленке, продвижения, цилиндрических
...импульсного магнитного поля большей величины, чем напряжен ность поля насыщения, Затем амплитуда импульсного магнитного поля уменьшается до нуля так, чтобы вся заданная область магнитной пленки пе ремагничивалась в решетку с ЦИД, 55 полярность которых противоположна полярности ЦИД в первоначально сфор" мированной решетке. фТаким образом, формируется. магнитная структура в виде двух областей с противоположной намагниченными ЦИД, причем доменная граница раздела параллельна проводнику., а ее положение в магнитной пленке ( расстояние от проводника) однозначно определяется амплитудой импульсов, подаваемых в проводник.Подавая в проводник импульсы тока, полярность которых опять противоположна полярности первоначально подаваемых...
Способ образования магнитной структуры в тонкой доменосодержащей пленке
Номер патента: 920837
Опубликовано: 15.04.1982
Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов
МПК: G11C 11/14
Метки: доменосодержащей, магнитной, образования, пленке, структуры, тонкой
...стеклянную пластинку, прикладыва 15 емую к пленке, подаются прямоугольные . импульсы тока. Если необходимо создать доменную структуру в области 3, находящейся на .расстоянии ы от проводника 2, то полярность импульсов должна быть такой, чтобы 2 О импульсное магнитное поле Ним, создаваемое проводником 2 в области 3, было анти- параллельно полю смещения Н, Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника 2 импульсного магнитного поля Нимп ) Ню25 где Н- поле зародышеобразования данной пленки. Затем поле смещения снижается до величины НюНН, гдеНк - поле коллапса ЦМД в данной пленке. зоПри этом в области 3 формируется регулярная решетка ЦМД. После этого поле смещения и амплитуда импульсного магнитного...
Способ визуализации доменных стенок в ионно имплантированном слое доменосодержащей пленки
Номер патента: 1198568
Опубликовано: 15.12.1985
МПК: G11C 11/14
Метки: визуализации, доменных, доменосодержащей, имплантированном, ионно, пленки, слое, стенок
...наб., д, 4/5Филиал ПЛП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле продвижения заряженных стенок в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД ) с ионноимйлантировацной структурой продвижения, а также при контроле состояний ЦМД в ионно-имплантированных доменосодержащих пленках.Цель изобретенйя - повышение временного разрешения и точности визуализации доменных стенок за счет регистрации микродоменов с обратной намагниченностью, зарождающихся вблизи доменных стенок в ионно-имплантированном слое при импульсном перемагничивании доменосодержащей пленки.Способ осуществляется следующим образом.На доменосодержащую пленку воздействуют...
Способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке
Номер патента: 1198569
Опубликовано: 15.12.1985
Авторы: Куделькин, Набокин, Рандошкин
МПК: G11C 11/14
Метки: доменосодержащей, ионно-имплантированного, однородности, пленке, слоя
...повысить чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке, если регистрировать не поле коллапса ЦМД Но, а напряженность импульсного поля Ни, при котором начинается процесс вращения намагниченности.Предложенный способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке осуществляют следующим образом.На намагниченную до насыщения доменосодержащую пленку воздействуют импульсным магнитным полем.Регистрация вращения намагниченности обеспечивается использованием магнитооптического эффекта Фарадея для визуализации областей с обратной намагниченностью и применением импульсного лазера в качестве источника света для подсветки пленки в некоторый момент времени через 20 в 2...
Способ определения числа слоев в доменосодержащей пленке
Номер патента: 1300560
Опубликовано: 30.03.1987
Авторы: Дудоров, Логунов, Рандошкин
МПК: G11C 11/14
Метки: доменосодержащей, пленке, слоев, числа
...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к микроэлектронике и вычислительной технике и может быть использовано.для неразрушаюшего контроля качества материалов с цилиндрическими магнитными доменами.Цель изобретения - повышение чувствительности и точности определения числа слоев в доменосодержащей пленке. Способ осушествляют следующим образом.На доменосодержашую пленку, намагниченную до насыщения постоянным магнитным полем, воздействуют импульсным однородным полем обратной полярности и, увеличивая амплитуду импульсного магнитного поля Н до величины, превышающей эффективное поле анизотропии доменосодержашей пленки Нкэ, регистрируют (например, фотоэлектрическим способом) зависимость обратной величины...
Способ продвижения цилиндрических магнитных доменов в доменосодержащей пленке
Номер патента: 1494039
Опубликовано: 15.07.1989
МПК: G11C 11/14
Метки: доменов, доменосодержащей, магнитных, пленке, продвижения, цилиндрических
...акустическиеволны небольшой амплитуды, достаточной лишь для того, чтобы вызнатьвысокочастотные радиальные колебаниядоменных границ ЦГЦ не сдвигая самЦГ 1 Д. Таким образом, амплитуда упругих колебаний выбирается меньшей, чемта, при которой начинается поступательное движение ЦИД в поле акустической волны (амплитуда поля стартаЦГЩ), Для создания таких колебанийиспользуется маломощный генераторупругих акустических волн, расположецный, например, ца поверхности доме цосодержащей пленки либе на торцекристалла с доменосодержащей пленкойлибо ца кристалле со стороны подложки.Малые колебания доменной границыобуславливают существенное сциыешевеличины коэрцитпшсой силы, тормозящей продвижение ЦМД, Так, при Создании высокочастотных...
Способ измерения неоднородности доменосодержащей пленки
Номер патента: 1513515
Опубликовано: 07.10.1989
Автор: Рандошкин
МПК: G11C 11/14
Метки: доменосодержащей, неоднородности, пленки
...фарадеевское вращение 6 практически не изменяется, Как следствие, изменяется эффективное поле 15 одноосной анизотропии Н=2 К/М. Поскольку диффузионный отжиг является локальным, то распределение намагниченности является неоднородным как по толщине пленки, так и по диа метру ячейки. Как показывает опыт, при импульсном перемагничивании пленок феррит- гранатов из насьпценного состояния при превышении действующим полем Н=Н,-Н, эффективного поля одноосной анизотропии реализуется механизм перемагничивания вращением намагниченности, причем этот механизм явля ется наиболее "быстрым". Перемагничиваются области в доменосодержащей пленке, для которых Н к (Н, а области с Н 7 Н остаются неперемагниченными, Следовательно, местоположение границы...
Способ определения пригодности доменосодержащей пленки феррит-граната для магнитооптического управляемого транспаранта
Номер патента: 1531161
Опубликовано: 23.12.1989
МПК: G11C 11/14
Метки: доменосодержащей, магнитооптического, пленки, пригодности, транспаранта, управляемого, феррит-граната
...получить в пленках с разным соотношением намагниченностей подрешеток в структуре граната. Обычно используют пленки, у которых М 1) М ,+ М , где М -М, и МД-намагниченности тетра-, окта- и додекаэдрической подрешеток граната соответственно. Однако высоким быстродействием обладают пленки с повышенным гиромагнитным соотношением, для которых М,сМ + МДля случаев М,1 ) М+ М и М,сМ+М знаки фарадеевского вращения в одинаково намагниченных пленках противоположны. Таким образом, при одновременном наблюдении в поляриэационном микроскопе доменной структуры в пленках, отвечающих этим двум случаям, действие внешнего магнитного поля Н приводит к затемнению или осветлению доменной картины в зависимости от того, к какой группе принадлежат аттестуемые...
Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферримагнитной пленки
Номер патента: 1538189
Опубликовано: 23.01.1990
Авторы: Рандошкин, Сигачев, Чани
МПК: G11C 11/14
Метки: доменосодержащей, намагниченности, пленки, подрешеток, ферримагнитной, эпитаксиальной
...подреш одержащей лючается Суть изобретения затом, что обычно в запоройствах используютсявы которых не обеспечицию намагниченностей п минающих устленки, состанаучных иссл ают компенсадрешеток, т.е,рической подй намагниченелью из сть тетра ше суммар намагниченрешетки бо с декаэдричесающих устройррит-гранатов м отношением ой скоростью ескоии д В запоми ости октаэдричой подрешеток твах на основе ено б ышенным гиромагни ос,и ледствие о ся обратная менных стен аксии на ситуация,л ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЩРЫТИПРИ 1 КНТ СССР ОПИСАНИ) СПОСОб ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИ ПОДРЕШЕТОК ЗПИТАК ОСОДЕРЖАЩЕЙ ФЕРРИМАГ ) Изобретение относи ельной технике и мож ьзовано при контроле мации для быстродейс Изобретение относится к области вычислительной...
Способ определения намагниченности подрешеток эпитаксиальной доменосодержащей ферромагнитной пленки
Номер патента: 1550584
Опубликовано: 15.03.1990
МПК: G11C 11/14
Метки: доменосодержащей, намагниченности, пленки, подрешеток, ферромагнитной, эпитаксиальной
...эпитаксиальной структуры (на расстоянии 20-500 мкм) имеет место заметное увеличение толщины пленки, что связано с повышенной скоростью эпитаксиального наращивания пленки на таком участке за счет б.пее интенсивного пере1550584 Формула изобретения Составитель В.РозентальРедактор Е.Копча Техред МеХоданич Корректор М е Максимишинец Заказ 277 Тираж 483 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,01 медивания раствора-расплава на. периферии подложки, которая при эпитакси приводится во вращение со скоростью 100-200 об/мин. Увепичение скорости роста пленки феррит-граната всегда сопровождается...
Способ определения ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в доменосодержащей пленке
Номер патента: 1569900
Опубликовано: 07.06.1990
Авторы: Дудоров, Куделькин, Рандошкин
МПК: G11C 11/14
Метки: анизотропии, доменосодержащей, кристаллографической, кубической, ориентации, осей, пленке
...ОО йгй Составйитель й,Аьйийкееь8;"Ред Гй:"й 10)Геьг; ал ОР 1амОРСК.Я Реда кт.Шандор ПОдпи"ное008 тениям и Открытигйм ГОи ,йййй(: йй й 1 й/5 ж 408ОМИТ 8 ТЯ ПО .30Осква, )й(-", Ра Тира ТВ 8 НЧОГО К 1 1:Р)й) Ч аказ 1453 ВНИИ Осуда Производственно-издательскич комбинат йПй)теьйт", й, Ужгород, ул, Гай арийча,векторов намагниченности в ионно-имплантированном слое, в результате которого они выстраиваются вдоль трех эквивалентных направлений, составляющих друг с другом углы 120 О, При этом в окрестности пеоесечения осью симметрии пространственно- неоднородного магнитного поля доменосадержащей пленки,в, ирнно-имплантирован. ном слое образуются три домена, разделенные дОменньйми стенками, Зт(1 , стенки ориентированы под улом 12 О другк другу...
Способ измерения гиромагнитного отношения в доменосодержащей пленке
Номер патента: 1635209
Опубликовано: 15.03.1991
МПК: G11C 11/14
Метки: гиромагнитного, доменосодержащей, отношения, пленке
...Цел ние олас ных участко инеи ения применедиапазо магнитн ия пособа путе а измеренных зн го отношения, Дл увелчений ения гир аходят з и я эт о на к вычислиыть исполь В соответствииобом измерение г предлагаемым сомагнитного отн зовано при изгот ных носителей ин и нко ночния оменос одержаще ществ 1, рмации лед ую м образом.т до насыщения доЦелью изобр ение области ем увеличения тения явл амагничива сшименососмещеникулярн менения спосо ку м женн нитным перпе олем диапазон ннь пленки в про сное м гннтногориведенысм для чепленок фтапа (Тв,тношения. ависимост ивопо н гнитное поаправл еНп ри это ыс об н рех и по сти ротивопол ррит-гр СИВ 1)з,ютс е- ор ожцнич е в пленкеатной нам остью,ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ...
Способ рандошкина в. в. измерения скорости доменных стенок в магнитоодноосной доменосодержащей пленке
Номер патента: 1788523
Опубликовано: 15.01.1993
Автор: Рандошкин
МПК: G11C 11/14
Метки: доменных, доменосодержащей, магнитоодноосной, пленке, рандошкина, скорости, стенок
...на расстояние, большее характерного размера локальной неоднородности в пленке внаправлении перемещения ДС,Локальную неоднородность в доменосодержащей пленке формируют локальнымуменьшением толщины пленки, с помощьюлокальной ионной имплантации, путем воздействия на пленку сфокусированным импульсным лазерным излучением с длинойволны в области поглощения доменосодержащей пленки, путем пропускания импульса тока через токопроводящий резистивныйэлемент, находящийся в контакте с доменосодержащей пленкой, или путем импульсного акустического воздействия на пленку.Сущность изобретения заключается вследующем. Экспериментально установле.но, что при импульсном перемагничиваниимагнитоодноосных пленок, в частности, монокристаллических пленок...