Способ изготовления элемента памяти

АНИЕ ИЗОБРЕТЕН ния является повышение надежностиэлемента. На поверхностях первогои второго проводящих слоев или формируют слой полупроводникового стекла, а на поверхности слоя полупроводникового стекла - проводящую областьили формируют проводящую область, ана поверхности проводящей областислой полупроводникового стекла и после формирования контактов пропускают Чф 1 ети К,Максимов 8) лектроника,ая ради 85-86 свидетльство СССРЕ 45/00, 1983 рез ни ции участка стекла. Рез яется повыш элемент распрос ния по а ПАМЯТИ(57) Изобрет ениепроводниковой эл ния тносится к полу тронной технике объекла,у слоя полупр окалиэации эт о с льзовано при изг может быть исп овлении элемент еделах мод памяти для репроц. Целью изобрете емых мат водящая область 5, слой полу никового стекла 6, отверстия слое диэлектрика и во втором дящем слое, модифицированный ток 8 слоя полупроводниково ла, первый и второй контактыСпособ изготовления состо следующей последовательности ровод 7 в олу тсяй те обретение отно ковой электрон нике и мо.изготовводнижетленимиру пользовано и ть эл асепрограментов памяти о сте9.т из атриц.зобрет я является ловы ь памяти.сечения элемента риведены ерай а памяти.ведены следующи ес кую подложк я слой 2 из м мкм и слой ди си кремни ол На диэлектри ситалла наносит на толщиной 0,3 либде лектщиной слоя упроводникова подложка 1и или вый я т фии двуок етода каЗи 4 мкм. лектрий 4, про слои ддящий с и лито второ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Зарубежн1976, Мф 9, с,АвторскоеВ 1087016, кл. Н 01 54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТА шение надежностиНа фиг,1 и 2 структур элементНа фиг.1, 2 в обозначения: пол диэлектрическая проводящий слой пульс тока для модификаслоя полулроводниковогольтатом модификации явение надежности работыяти за счет исключения асти переключе- Сй оводниково ой области рованного участка.2, 3 формируются отверстия 7 с размерами 20 х 20 мкм, После формирования отверстий 7 наносится слой полупроводникового стекла 6 состава8 дсСе о "з заТе и проводящая область 5 никеля,Для исключения деградации полупроводниковых свойств участка 8 слоя полупроводникового стекла 6, расположенного между проводящими слоями 2,4, проводят его модификацию, т.е.диффузию атомов проводящего слоя 5 вучасток 8, Иодификацию проводят, например, на зондовой установке (на 15фиг,1, 2 не показана), на контакты 9которой прикладывают импульсное напряжение амплитудой 60 В, длительность импульсов 5 мкс, частота ихследования 5 кГц. За время действия 20импульсного напряжения 15-20 с междупроводящими слоями 3, 4 образуетсяпроводящий участок слоя 6, сопротивление которого равно 200 Ом.На фиг.2 приведен элемент памяти, 25изготовленный по альтернативному варианту. Этот вариант отличается тем,что проводящая область 5 формируеТсяна поверхностях первого и второгопроводящих слоев. Режим модифи- Зпкацин участка полупроводниковогостекла 6 аналогичен варианту изготовления элемента памяти, приведенного на фиг.1.35Результатом модификации явпяется повышение надежности работы элемента памяти за счет исключения распространения области переключения по объему слоя полупроводникового стекла, лока лизации этой области в пределах модифицированного участка 8,Способ найдет широкое применениев запоминающих и переключающих устройствах повышенной надежности,Формула изобретения Способ изготовления элемента памяти, включающий нанесение на диэлектрическую или полупроводниковую подложку первого проводящего слоя, формирование слоя диэлектрика и второго проводящего слоя с отверстиями, расположенными соответственно на поверхности первого проводящего слоя и поверхности слоя диэлектрика, формирование слоя полупроводникового стекла, формирование первого и второго контактов к первому и второму проводящим слоям, формовку слоя полупроводникового стекла, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, на поверхностях первого и второго проводящих слоев или формируют слой полупроводникового стекла, а на поверхности слоя полупроводникового стекла формируют проводящую область, или фррмируют проводящую область, а на поверхности проводящей обЛасти формируют слой полупроводникового стекла и после формирования первого и второго контактов проводят модификацию в проводящее состояние участка слоя полупроводникового стекла, расположенного между первым и вторым проводящими слоями, пропусканием импульсов тока через первый и второй контакты.Эакаэ 758 Тираж 348 Подписное ВЯИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушекая наб., д, 4/5