Способ измерения гиромагнитного отношения в доменосодержащей пленке

Номер патента: 966631

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Подлесный, Службин, Темерти

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитной, магнитных, пленок, поля, тонких

...вектора намагниченности с оптической осью и определяют поле магнитной аннзотропии из соотноше 1 ния 5Н (СЯд чиК соР "где Н - напряженность внешнегомагнитного поля09 - напряженность насыщения;- угол между осью легкогонамагничивания и направлением магнитного поля,- угол между осью легкогонамагничивания и оптической осью.На чертеже представлена функциональная схема устройства, реализующего предлагаемый способ.Устройство содержит образец 1 (тонкую магнитную пленку), распо ложенную между полюсами электромаг- нита 2 с возможностью вращения, По одну сторону образца 1 размещен. источник 3 поляризованного света, по другую сторону вдоль оптической 25 оси - анализатор 4 и фотоприемник 5, соединенный с регистрирующим приборсм б...

Номер патента: 265936

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G11B 13/04

Метки: записи, изображений, магнитной, пленке, полутоновых

...на пленку; одновременно посредством катушек к пленке под углом р (р - угол отклонения вращающего поля от нормали к направлению ориентирующего поля), отли 2 з чающимся от 90 по отношению к направлению ориентирования, прикладывается магнитное поле записи Н 3 (озяп - вращающее импульсное магнитное поле), Во избежание неоднозначности направления вращения намаг ниченности в различных участках пленки265936 Составитель Э. Гилинская Редактор Т. И. МорозоваКорректор Л. И. Гаврилова Типография, пр. Сапунова, 2 угол Р (по величине около 2) выбирается,несколько (на 40 - 60) большим угла дисперсии намагниченности в пленке. Величина импульсного магнитного поля превышает стартовое значение поля, момент его вкл 1 очения синхро низируется...

Номер патента: 903976

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, доменосодержащей, каналов, магнитных, образования, пленке, продвижения, цилиндрических

...импульсного магнитного поля большей величины, чем напряжен ность поля насыщения, Затем амплитуда импульсного магнитного поля уменьшается до нуля так, чтобы вся заданная область магнитной пленки пе ремагничивалась в решетку с ЦИД, 55 полярность которых противоположна полярности ЦИД в первоначально сфор" мированной решетке. фТаким образом, формируется. магнитная структура в виде двух областей с противоположной намагниченными ЦИД, причем доменная граница раздела параллельна проводнику., а ее положение в магнитной пленке ( расстояние от проводника) однозначно определяется амплитудой импульсов, подаваемых в проводник.Подавая в проводник импульсы тока, полярность которых опять противоположна полярности первоначально подаваемых...

Номер патента: 1198568

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Куделькин, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: визуализации, доменных, доменосодержащей, имплантированном, ионно, пленки, слое, стенок

...наб., д, 4/5Филиал ПЛП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле продвижения заряженных стенок в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД ) с ионноимйлантировацной структурой продвижения, а также при контроле состояний ЦМД в ионно-имплантированных доменосодержащих пленках.Цель изобретенйя - повышение временного разрешения и точности визуализации доменных стенок за счет регистрации микродоменов с обратной намагниченностью, зарождающихся вблизи доменных стенок в ионно-имплантированном слое при импульсном перемагничивании доменосодержащей пленки.Способ осуществляется следующим образом.На доменосодержащую пленку воздействуют...

Номер патента: 1341681

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Мамалуй, Сирюк, Ярош

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, магнитоодноосной, пленке, решетки, формирования, цилиндрических

...формирование решетки импульсныммагнитным полем н поле смещения,Как видно из фиг.1, с ростом положительного.поля смещения диаметр домена с 1 уменьшается, с ростом отрицательного поля смещения диаметр домена увеличиваетсяПериод решетки аот поля смещения не зависит. Зависимость температуры распада решетки отполя смещения показана кривой 2 нафиг.3. При таком формировании решетки температурный интервал устойчивости решетки можно только увеличивать;плотность увеличивается при Н0уменьшается при Н, ) 0 (фиг,1,таблица),На фиг,2 показано влияние полясмещения на. параметры решетки ЦМДпленки (УБпй.цба) (Ребе)О, ,сформированной при воздействии суйерйоэицииполей, С ростом величины приложенного при формировании решетки гголожительного поля...