Способ изготовления магнитного носителя информации

Номер патента: 789613

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Бадьялов, Буткарев, Власихин, Дегодя, Дюльдин, Еремин, Кузнецов, Майзель, Худорожков, Шаврин

МПК: C22B 1/14

Метки: окатышей, слоя, структуры, формирования

...должно быть не менее 92- 98. Меньшее содержание окатышей данного класса обусловливает попадание значительного количества окатышей мелких Фракций в просветы между крупными и, как следствие. пороэность слоя уменьшается. Это приводит к увеличению выхода класса 1 мм при барабанном испытании готовой продукции на истирание до 9-10%, а также к увеличению аэродинамического сопротивления обжиговых тележек и поэтому является недопустимым. Получение ока тыщей класса 0,040-0,052 мм/мм высот слоя свыше 98 на современных окомко вателях невозможно.При высоте слоя до 0,3 м/м его поперечного сечения крупность 92-98 окатьыей должна быть не менее0,040 мм/мм высоты слоя, Повышение высоты слоя свьые 0,3 м/м.сопровох- дается существенным увеличением его...

Номер патента: 1045313

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Шабанов, Шенгуров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, проводимости, слоев, структур, типа

...цншии компоцецтцв, мсГ.(Г:П.)явиковая к 31 слОтс 2,0-;Вода Остальцое а тип проводимости ццредслякт из соотццшеия линейных размеров образовавшихся ямок, причем меньшие размеры ямок соотвлствуют слоям р-типы, ы большие п-типа.На фиг. 1 приведена диаграммы, цокызыБаюшд 51 ОГряничеци 51 15)смени т")ЯБ 1 ец 3)я. П,101 НОСТИ ТЦКЯ И КЦЦЦ(сЦТРЯЦИИ 1)пасЗИКОВЦИ кислоты цри рса,тизации изобрстеция; цы фи 2 х 3 крсс)цтц рафия ск(кы эпитыксиалыкй л руктуры р-и-п тица Ны фи. 3 м и к р О ф ц т 0 Г 1) я ф и и я м ц к т р а Б, ) с ц и я д Г 1 я п,1 ы стин с рызг)ичный т)Г 1 цм прцвц,ихО(ти рызц удсльцым сспрц)3 Гзг)сиисм.На фиг. 1 осизцачсно: область 1 фцрми- Г)овация коричневой пленки цы ццвсрхцост; скоса, которая це позволяет цаблкдать ях)к 1,...

Номер патента: 1447390

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Альжанов, Капбасов, Койлыбаев, Максимов, Талжанов

МПК: B01F 13/02

Метки: слоя, структуры, формирования

...скоростью потока, В то же время при послойной загрузке производят последовательную выгрузку сыпучих материалов из аппаратов отключением или по-. дачей газа в нижнюю часть плотного слоя.П р и м е р. Работоспособность предлагаемого устройства для Формирования структуры слоя проверена на лабораторной модели. Вертикальные аппараты высотой 400 мм выполнены в виде усеченных пирамид прямоугольного сечения и спарены. В нижней части задней стенки каждого аппарата, параллельно к плоскости днища, установлены по три сопла. Расстояние от среза сопла до отбойника равно длине зоны циркуляции 1, образующей при подаче максимального количества газа и определяется по зависимости1 = 0,92 тЧрЙ 4в,ц где шЧ - количество движения газа,р -...

Номер патента: 201541

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Павлюченко, Петров, Спивак

МПК: G01N 23/02, H01J 3/26

Метки: доменной, наблюдения, пленок, структуры, тонких, ферромагнитных

...быстрого перемагничивания в просвечивающем электронном микроскопе 1 синусоидальное 5 напряжение генератора 2 усиливается резонансным усилителем 8, в контур которого наряду с высокодобротной катушкой 4 включены находящиеся в колонне микроскопа перемагничивающие катушки б, чем достигается 10 необходимая амплитуда переменного магнитного поля на образце б, которая регулируется изменением усиления усилителя 3 или расстройкой колебательного контура 7. Параллельно синусоидальное напряжение с генератора 15 2 через фазовращатель-усилитель 8 запускает в генератор 9 прямоугольные строб-импульсы, которые через импульсный трансформатор 10 поступают на модулятор 11 и отпирают электронную пушку 12, запертую напряжени ем батареи И, приложенным между...

Номер патента: 348644

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Антонов, Ассоров, Гаврилов, Лукин, Матюша, Сымон

МПК: C23C 16/54

Метки: газовой, нанесения, подложки, покрытий, стекловидные, фазы

...Это достигается тем, что каждая секция снабжена конвейерным механизмом с индивидуальным приводом.На фиг. 1 представлена установка, общий вид; на фиг. 2 - разрезы по А - А и Б - Б на фиг. 1; на фиг, 3 - подвеска с изделиями.Установка состоит из туннельной печи секционного типа, секции 1 подогрева, секции 2 напыления и секции 3 охлаждения. Каждая секция снабжена конвейерным механизмом 4 с индивидуальным приводом б.Полозки б с подвесками 7 и изделиями 8 продвигаются роликами 9, вращающимися за счет цепей 10 конвейерного механизма от привода 5. Время нахождения подвески в секции может за счет скорости продвижения изменяться в заданном диапазоне, кроме изменения режима работы нагревателей 11, т, е. температурного режима. В секции 2 на...