Узел памяти

Номер патента: 585548

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Губский, Малевич, Постоянов

МПК: G11C 21/02

Метки: многоустойчивый, памяти, элемент

...формирователя 3, при.срабатывании которого цикл повторяется, На выходе вы. ходного усилителя 1 О прн этом регламентируется начальное устойчивое состояние многоусФойчивого элемента.Переход из одного устойчивого состояния в другое происходит при изменении (относительно начального - при увеличении) частоты входного сигнала. Прн этом закрывается (на время, равное одному периоду начального устойчивого состояния) ключ 4, в результате чего осуществляется подавление (срыв) колебаний предыдущего устойчивого. состояния и вслед за этим: ключ открывается и производится фиксация (установление очередного устойчивого состояния, соответСтвующего новому значению входного сигнала, Для этого, как и при фиксации основного начальйого устойчивого...

Номер патента: 706880

Опубликовано: 30.12.1979

Авторы: Зуб, Семенович

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, элемент

...дей- ьр ствия высокого потенциала тактового сигнала на шине 4 открываются транзисторы 1 и 2 и происходит заряд узловых емкостей в точках 6 и 7. По достижении в точке 8 нап ряжения логической 1 открывается транзистор 3 и начинается разряд узловой емкости входа на шину 5, которая в это время находится под потенциалом шины нулевого потенциала. Транзистор 1 закрывается, а на узловой емкости в точке 8 сохраняется напряжение логической 1. По окончании действия высокого потенциала тактового сигнала на шине 4 закрывается транзистор 2, а на выходе элемента памяти (первого) запоминается логическая 1. да первого элемента передается дополнительное напряжение, достаточное для отпирания транзистора 1. При этом происходит разряд емкости точки 8 на...

Номер патента: 983754

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Адилов, Азимходжаев

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, элемент

...- 8-10 мкм) изолирующим слоем 5 из слюдяной пластинки,перпендикулярно расположенный относительно электродов 2, полученныйкатодным распылением платины на поверхность слюдяной пластины 5 (фиг.1).На однороднополупрозрачную металлическую пластину, которая являетсятретьим электродом 4, над электродом. сток 2 наклеивают специальным клеемсветонепропускающую диэлектрическуюпластину - полоску из непрозрачнойслюды шириной 1 500 мкм, котораяявляется дополнительным изолирующимслоем б,Аналогичные результаты дает и дру"гой вариант исполнения, заключающийсяв образовании более толстого светонепропускающего слоя из платины (ширинойЙ500 мкм),30Принцип-работы предлагаемого элемента памяти заключается в следующем.На входы 11 и 12 элемента памяти,равномерно...

Номер патента: 1275544

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Лушников, Минков, Соломоненко

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...1Изобретение относится к областимикроэлектроники и предназначено дляиспользования в больших интегральныхсхемах (БИС) динамических запоминающих устройств с произвольной выборкой (ЗУПВ),На чертеже представлено предлагаемое устройство.Элемент памяти содержит ключевойтранзистор 1, сток которого являетсявходом 2 элемента памяти, накопительный конденсатор 3, дополнительный ключевой транзистор 4, сток которого является выходом 5 элементапамяти, затворы транзисторов 1 и 4 являются входом 6 выборки элементапамяти. Пунктиром обозначены паразитные емкости шин записи - считывания (не указаны), к которым элементпамяти подключен через вход и выход.Так как элемент памяти подключендифференциально к двум шинам записисчитывания, то это дает...

Номер патента: 1361626

Опубликовано: 23.12.1987

Авторы: Братов, Кравченко, Старосельский, Суэтинов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...1 являются нормально открытыми, а транзисторы 11 и 12 - нормально закрытыми, транзисторы блоков 2 и 3 выбор- ки - нормально закрытыми, транзистор 13 узла 4 смещений - нормально открытым.Шина 5 выборки элемента памяти одновременно является шиной питания для триггера 1, что позволяет не подключать выводы элемента памяти к двум различным шинам выборки и питания. В результате разрядные шины 7 и 8 пересекаются с меньшим количеством строчных шин. Емкости разрядных шип уменьшаются, и, следовательно, уменьшается время их перезаряда в режиме выборки.Элемент памяти работает следующим образом.В режиме хранения на шине 6 поддерживается нулевой потенциал, на " шине 5 - потенциал БрЦ - ц+, где Б - напряжение отпирания барьерного перехода П -...