Способ изготовления магнитопленочной матрицы

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз .СоветсиикСоциалистичесииаРеслублии и 911620(22) Заявлено 100380 (21) 2911443/18-24с присоединением заявки РЙ(23) ПриоритетОпубликовано 070382. Бюллетень Юе ЭДата опубликования описания 070382(51)М. Кд. С 1.1 С 11/14 Геаударртввнный квмнтет СССР аю делам нэвбрвтеннй н открытий72) Авторы изобретения ейник, В.А. Грабенко и М. Р. Ка 1 инович Л.И 71) Заявитель рдена Ленина институт кибернетики АН краийской,2 Изобретение от .тельной технике и зовано при изгото Цель изо осит к вычисли ощение спопленочных ия У и соб жет быть исполь зготовления ма ии магнитоп атр достигаетсявления магни Ц. ставленная цел способе изгот чвой матрицы,слоя магнитноночных матриц, Известны сп ы и товленияй поля анинанесении что триц с низкои в тропии, основан личи ые н включающем нанего материала натермопластичного ен ени сло гнитного мате ла на подло агнитном по ем подлсжкуматериалаподложки д термопласт с отжигом пле11 и ,21Недостатком и к им нагревание послед темпер звестных способов надежность, обусловием дисперсии анизоного является низка ленная увеличе временном воздеист агнитыоготвия магн оля, ного опии пле к. близк о технической Наиболе ущности к пособ, ос мпе екл подложки до температуры тичного мат изобрет ованный ению являетсяна нанесении слола на подложкутичного материалаеванием и термообс нанесенными сло иала магнитного со слоем т иал тари нитного вляющих шин, охлаждени ществляют перед прекра йствия на подложку маг рмопл слоев и упрподложки ос с последую работкой и ми в магни Недоста является см н длож ением возд итного пол атериапа н ально,",опу а слой магнитног ном 31тного олщинои от мини ля данного магом изв носят тимой посо ения ожнос изготов 54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОПЛЕНОЧНОМАТРИЦЫ туры размягчения териала при одноии на подложку екращение воздейля, охлаждение туры, меньшей ания термопласнанесение на слой а изоляционныхнитного материала до начала стабилизации поля аниэотропии.На фиг, 1 показана магнитопленочная матрица, продольное сечение, на фиг, 2 - основные этапы формирования поля анизотропии; на фиг, 3 - зависимость поля анизотропии от толщины пленки.В первом слое АВС 1. (фиг. 1), прилегающем к подложке, константа магнитострикции зависит от упругости подложки, а константа второго, вышележащего, слоя ВСМА независима от упругих свойств подложки вследствие экранирования этого участка от подложки участком АВС, 8 первом слое происходит торможение подложкой магнитострикционной деформации пленки в магнитном поле. Вызванное подложкой изменение магнитострикционной константы в направлении магнитного ,поля вызывает в участке АВС 1 одноосное напряжение, а также обусловленный им магнитострикционный. компонент наведенной анизотропии, пропорциональные изменениям магнитострикционной константы, Толщинапленки, при которой эти параметры становятся равными нулю, является границей раздела двух участков пленки.Вследствие того, что участок пленки АВС 1 имеет конечную. толщину, доля его вклада в усредненную величину поля анизотропии с. возрастанием толщизз ны второго участка (т.е. с возрастанием общей толщины) пленки уменьшается, стремясь к нулю., В результате с ростом толщины пленки уменьшается поле анизотропии.В пленках на жестких упругих подложках зависимость поля анизотропии от толщины пленки практически отсутствует. На термопластичных полимерных подслоях в связи с их малой упру 43 гостью, особенно при нагревании выше температуры .стеклования полимера, эта зависимость существенна, Полимерный подслой используется в состоянии с фиксированной минимальной упругостью, достигаемой нагреванием до размягчения, Регулировка же величины поля анизотропии осуществляется путем изменения толщины пленки.На .фиг. 2 показана часть матрицы: магнитная пленка 1 толщиной О,термопластичное покрытие 2 подложки,подложка 3, при выключенном магнитном поле, комнатной температуре и несфор.1 мированной аниэотропии. Через Р 1 обозначена минимальная толщина, воз/ можная для данного носителя информации.формирование анизотропии происходит следующим образом.На размягченном слое не происходит торможения деформации пленки в магнитном поле (фиг, 25, направление поля показано стрелкой). В результате беспрепятственно изменяются размеры магнитной. пленки, увлекая прилегающую прослойку полимера,йагнитострикционное напряжение в пленке при этом не создается, а .формирующееся под действием магнитного поля в пленке поле анизотропии минимально при любой толщине пленки и обусловлено немагнитострикционными механизмами (упорядочение пар атомов и .др.), Если охладить подложку в магнитном поле ниже минимальной границы темпеРатурной области стеклования, происходит затаердевание подслоя в позиции, показанной на фиг. 25, Выключение магнитного поля при затвердевшем подслое (фиг. 28) приводит к упругому взаимодействию подслоя и магнитной пленки, а следовательно, к возникновению деформации, напряжения в участке АВС 1. (фиг.1) пленки и магнитострикционного компонента, увеличивающего суммарную константу наведенной анизотропии и поле анизотропии. Величина поля анизотропии в этом случае зависит от толщины пленки. При малой толщине наблюдается максимальное поле анизотропии, величина которого зависит от сил упругости взаимодействия подслоя,и магнитной пленки. При увеличении толщины силы упругого взаимодействия с подложкой ослабевают, и максимальное поле анизотропии начинает уменьшаться, стремясь к минимальному значению, Практически нижним пределом диапазона толщин, в котором происходит изменение величины поля анизотропии,. является толщина, минимально допустимая для данного носителя информации. Толщина, при которой достигается минимальное значение поля аниэотропии, является верхним пределом диапазона толщин.Результаты измерения поляанизотропии для выполненных данным способом матриц показаны на фиг. 3, кривая 1. Для сравнения показана такжеФормула изобретения 15 5 91162 зависимость (прямая 2) для матриц на жестких стеклянных подложках, Из фиг. 3 видно, что в пределах используемых толщин слоя магнитного материала матриц.600-3500 А .достигнуто изменение поля анизотропии в пределах 6-3,5 Э. Угловая дисперсия анизотропии остается при этом в допустимых пределах.Изобретение позволяет существен-. 0 но упростить способ изготовления маг.- нитопленочных матриц. Способ изготовления магнитопленочной матрицы, включающий нанесение слоя магнитного материала на подложку со слоем термопластичного мате риала с последующим нагреванием подложки до температуры размягчения термопластичного материала при одновременном воздействии на подложку магнитного поля, прекращение воздей 0 бствия магнитного поля, охлаждениеподложки до температуры, меньшей температуры стеклования термопластично"го материала, и нанесение на споймагнитного материала изоляционныхслоев и управляющих шин, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюупрощения способа изготовления, охлаждение подложки осуществляют передпрекращением воздействия на подложку магнитного поля, а слой магнитногоматериала наносят толщиной от минимально допустимой для данного магнитного материала до начала стабилизации поля анизотропии.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Тонкие магнитные пленки в вычислительной технике. Киев, "Техника", 1968,2 Патент Японии У 50 526,кл. 97(7), опублин. 1972;3. Авторское свидетельство СССРМ 673017, кл. О 11 С 11/1 Й, 1979,/45 Тираж 624 Подписно ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д.4/5