Способ генерации цилиндрических магнитных доменов и устройство для его осуществления

17211 Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 260580 (21) 2930364/18-24 с присоединением заявки Мо(23) Приоритет 11 С 11/14 Государственный номитет СССР по делам изобретений и отнрытийта опубликования описания 300382 72) Авторы изобретен осов, В.И.Нецветов, и Ю:В Мел Е.Ф.(54) СПОСОБ ГЕНЕРАЦИИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНО И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЦЕСТВЛЕНИЯ5 ха.Цель изобретения - г с простой блоховской ст данным направлением вра ра намагниченности стенПоставленная цель до что в способе генерации ия ЦМДс завекто" ера кой ени Ие тигцил ется тем,лричесИзобретение относится к вычислительной технике и предназначено для применения в системах обработки дискретной информации, использующих цилиндрические магнитные домены (ЦМД).Известен способ генерации ЦМД и устройство для его реализации, основанные на подаче импульсов тока в петлевой проводник, расположенный на поверхности магнитоодноосной пленки 111.Недостатком этого способа является невозможность генерации ЦМД с простой блоховской стенкой.Наиболее близким техническим ре- , 1 шением к предлагаемому изббретению является. способ генерации ЦМД основанный на репликации доменов при при" ложении магнитного поля в плоскости магнитной пленки, В доменосодержабей пленке генерируют цилиндрический маг нитный домен и управляют положением в нем вертикальных линий Блоха; растягивают указанный домен для получения домена, имеюцего форму полосы 25 изменяют направление вектора намагничивания стенки вытянутого домена так, чтобы он принял направление; перпендикулярное к стенке домена в месте разделения; разделяют вытянутый 30 домен на два круговых цилиндрических домена, причем положение линий Блоха и топология стенок Формируюцихся доменов зависят от направления магнитного поля в плоскости магнитной пленки в период разделения вытянутого домена на два ЦМД,при этом возможна генерация доменов не только с парой линий Блоха, но и с болыаим числом этих линий, что достигается повторным расцеплением доменов нужное число раэ, Такие домены могут быть использованы для многоуровневого кодирования информации 123.Недостатком предлагаемого способа является то, что он не обеспечива ет одноэтапного получения домена без вертикальных линий с простой блоковской стенкой с левым илиправым направлением вращения вектора намагничивания стенки домена, магнитное состояние которого значительно более устойчиво, чем у ЦМД с линиями Блоких магнитных доменов, основанном на воздействии на магнитоодноосную пленку локальным магнитным полем, одновременно с воздействием локальным магнитным полем воздействуют на маг. нитоодноосную пленку импульсным вихфревЫм магнитным полем заданного направления.Для генерации ЦНД предлагаемым способом может быть использовано устройство для генерации Щ 1 Д, содержа цее немагнитную подложку с магнитоодноосной пленкой, на которой расположен петдевой проводник, которое содержит также расположенный над петлевым проводником изолирующий слой 15 и конденсатор, одна иэ круговых обкладок которого расположена на изолирующем слое, а другая - на обратной стороне немагнитной подложки, причем круговые обкладки конденсатора рас . положены параллельно плоскости магнитоодноосной пленки, а центры круговых обкладок конденсатора и петлевого проводника лежат на оси, перпендикулярной плоскости магнитоодноос 5 ,ной пленки. аНа чертеже изображена конструк- ция устройства для генерации ЦМД, используемого для осуществления предлагаемого способа. 30устройство для генерации ЦМД содержит немагнитную подложку 1, иа которой размещена эпитаксиально выращенная магиитоодноосная пленка 2, содержащая домены. На укаэанной пленке 2 расположен петлевой проводник 3любой известной конструкции, позволяющей генерировать цилиндрический магнитный домен в месте расположения петли, и изолирующий слой 4, на котором сформирована круговая обклад- ка 5 конденсатора, Вторая обкладка 6 конденсатора расположена на обратной стороне немагнитной подложки 1. Центры обкладок 5 и 6 конденсатора и петлевого проводника 3 лежат на одной оси, перпендикулярной плоскости пленки 2.В соответствии с предлагаемым способом устройство для генерации ЦИД работает следующим образом.На петлевой проводник 3 подают ;импульсы тока для зарождения цилиндрического магнитного домена в магнитоодноосиой пленке 2. Топология доменной стенки зарождающегося ЦМД в ,данном случае,непредсказуема. С целью зарождения ЦИД с простой блоховской стенкой одновременно с подачей импульса тока в нуклеационный ,проводник, на обкладки 5 и 6 конден сатора подают импульс напряжения треугольной формы, длительность от генератора импульсов напряжения переднего фронта которого равна длительности импульса тока генератора импульсов тока, а длительность заднего Фронта импульса напряжения безразлична. При этом посредством конденсато,ра в пло"кости пленки 2 образуется вихревое магнитное поле, которое йредопределяет направление вектора на магничивания стенки зарождающегося цилиндрического домена. В зависимости от полярности импульсов напряжения на обкладках 5 и 6 конденсатора вихревое магнитное поле будет иметь левое или правое направление вращения, и зарождающийся домен будет соответственно иметь левое или правое направление вращения вектора намагниченности доменной стенки.Предлагаемый способ генерации ЦИД и устройство для его осуществления позволяют генерировать цИд с простой блоховской стенкой с заданным направлением вращения вектора намагничен-ности стенки.Формула изобретения1. Способ генера.ии цилиндрических магнитных доменов, о.нованный на воздействии на магнитоодноосную пленку локальным магнитным полем, о т л и - ч а ю щ и й с я тем, что, с целью генерации цилиндрических магнитных доменов с простой блоковской стенкой с заданным направлением вращения вектора намагниченности стенки, одновременно с воздействием локальным магнитным полем воздействуют иа магнитоодноосную пленку импульсным вихревым магнитным полем заданного направления.2. Устройство для генерации цилиндрических магнитных доменов, содержащее немагнитную подложку с магнитоодноосной пленкой, на которой расположен петлевой проводник, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что оно со держит расположенный над нетлевым проводником изолирующий слой и конденсатор, одна из круговйх обкладок которого расположена на изолирующем слое, а другая - на обратной стороне немагнитной подложки, причем круговые обкладки конденсатора расположены параллельно плоскости магнитоодноосиой плевки, а центры круговых обкладок конденсатора и петлевого проводника лежат на оси, перпендикулярной плоскости магнитоодноосной пленки.Источники инФормации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент СЩ Р 3996577,кл. 340-174, опублик. 1978.2. Патент С 1% У 4001794,кл, 340-174, опублик, 1978 (прототип) .917211 Генера пару мюрей%СОставитель Ю.Розенталь Редактор А.Власенко Техред М. Тепер Корректор В.Синицкая Заказ 1894/70 е Тираж 624 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий 113035, Москва, 3-35, Раушская наб , д, 4/5 филиал ППП "Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4