Патенты с меткой «программируемых»

Номер патента: 911613

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Данилин, Пашкова, Попель, Хомутов

МПК: G11C 29/00, G11C 7/00

Метки: блоков, записи, памяти, постоянной, программируемых

...дешифратором 15 в позиционный код и вызывает считывание соответствующегослова в виде двоичного кода из блока 16,Отличия режима программирования от режима входного контроля следующие: добавление единицы в регистр 2 проводится по команде из блока 1, а, не из задающего генератора 5; один из каналов синхронизации выбирается для организации паузы после программирования, так как,например, биполярные схемы программируемых постоянных блоков памяти требуют значительную паузу после программирования каждого бита в режиме программирования в течение паузы проводится контроль правильности программирования в зависимости от типа схемы программируемого блока 12 после каждого бита или всего слова 1 задающий генератор необходим только для...

Номер патента: 1236486

Опубликовано: 07.06.1986

Авторы: Бабич, Гуляев

МПК: G06F 11/26

Метки: логических, матриц, программируемых

...егоуниверсальным тест-набором наблюдаютследующие последовательности значений сигналов на выходах устройства.На выходе 13: при подаче Т 1 наблюдают последовательность 101101, приподаче Т 2 - последовательность111111111 при подаче ТЗ - последовательность из 80 нулей (для каждоготеста В из тест-набора Т 2 подаетсявесь тест-набор ТЗ - 10 тестов).На выходах 20 (1). при подаче Т 1наблюдают последовательность 111000,при подаче Т 2 - последовательность110101 О при подаче ТЗ для В, изТ 2 (обозначим ТЗ В) - последовательность 0101011111 при подачеТЗ В - последовательность 0111100111при подаче ТЗ Б - 0000000000, приподаче ТЗ Б - последовательность0110111110; при подаче ТЗ Б 0000000000 при подаче ТЗ Б11110 11110; при подаче ТЗ В0110111011, при...

Номер патента: 1587587

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Беккер, Заколдаев, Щетинин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающих, микросхем, отбраковки, постоянных, программируемых, устройств

...со скоростьк:заряженных частиц из зоны разрушения перемычки; д - заряд частиц.Вектор скорости движения заряженных частиц совпадает с направлением электрического поля. В результате перемещения заряженных частиц возможно образование электропроводящего мостика в разрушенной области перемычки и электроды замыкаются, т. е. запоминающий элемент восстанавливается.В предлагаемом способе отбраковки микросхем путем их электромагнитной тренировки в поле постоянного магнитного поля на движущиеся между электродами пере.мычки заряженные частицы действует сина Лоренца, выводящая эти частицы из зоны разрушения перемычки. Следовательно, в зоне разрушения перемычки исключается возможность создания проводящего мостика из заряженных частиц материала...

Номер патента: 1631606

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Груданов, Сидоренко, Хоружий

МПК: G11C 17/00, G11C 7/00

Метки: авторегулируемый, записи, запоминающих, кмоп-транзисторах, постоянных, программируемых, устройств, формирователь, электрически

...5 модуляции стокового напряжения записи уменьшается до величины, при которой через транзистор 5 на сток транзистора 8 с плавающим затвором передается напряжение, равное напрякению лавинного пробоя р-и-перехода стоковой области, Одновременно напряжение с коллектора транзистора 11 подается на шину 14 выходного сигнала, которая соединена с затвором соответствующих ключевых транзисторов (идентичных транзистору модуляции стокового напряжения записи), которые обеспечивают передачу через последующие цепи дешифрации столбцовых шин на сток выбранных ячеек памяти накопителя напряжения записи, равного по величине напряжению, воздействующему на сток транзистора 8 с плавающим затвором. Таким образом, стоковое напряжение записи ячеек памяти...

Номер патента: 1695385

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Беккер, Заколдаев, Маслов, Фомин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающих, микросхем, отработки, постоянных, программируемых, устройств

...этого в кристалле 3 возникает градиент температуры.Под действием градиента температуры в кристалле. 3 (фиг,1) возникает поле термомеханических напряжений.В поле термомеханических напряжений деградационные процессы развиваются более интенсивно: происходит локальное перераспределение ионов примеси, образуются группы вакансий, что приводит к появлению микропор, развиваются локальные термомеханические взаимодействия, Кроме того, изменяется ширина запрещенной зоны кремния, сме1695385 Ф,1-Фие. г Составитель С.КоролевРедактор А.Лежнина Техред М,Моргентал Корректор О,Кравцо оеытиям при ГКНТ СССР аз 416 ВНИИ 1 ираж Подпи нного комитета по изобретениям и о 3035, Москва, Ж, Раушская наб 4 осударс Производственно-издательский комбинат "Патент", г....

Номер патента: 1735808

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Кабзюк, Майстренко

МПК: G05B 19/02, H03K 17/08

Метки: вывода, дискретных, контроллеров, модуль, программируемых, сигналов

..."1", то при наличии логической "1" на втором входе второй схемы И результирующий сигнал с выхода второй схемы И включит первый канал блока силовых ключей, Аналогично, если записать логическую "1" во второй разряд регистра данных, то вклю 1735808чится второй канал блока силовых ключей, При записи логического "0" в первый разряд регистра данных, выключится первый канал блока силовых ключей, Аналогично выключается второй канал. Таким образом, можно включать/выключать любой канал блока силовых ключей. Информация о включении некоторого числа каналов блока силовых ключей представляет собой многоразрядное двоичное слово, которое поступает из канала ЭВМ через блок связи с ЭВМ на вход регистра данных. Первый разряд этого слова проходит и...