Запоминающее устройство

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСоциалистическикРеспублик ри 911621(23) Приоритет но делан нзобретеннй н открытнй.66(088.8) Дата опубликования описания 070382(54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации на цилиндрических магнитных домнах (ЦМД),Известно запоминающее устройство(ЗУ), содержаще: магнитооднооснуюпленку, на которой расположены управляющие аппликации и токовые шины,разделенные слоемдиэлектрика, и постоянные магниты для создания полясмещения 1,Недостатками такой конструкцииЗУ являются ее сложность, наличиемногочисленных деталей из разнородных материалов, которые необходимоточно расположить между собой и зафиксировать, значительные габаритыи масса, В совокупности все это приводит к снижению надежности работыустройства и обуславливает низкуютехнологичность его изготовления,Наиболее близким к изобретениюявляется ЗУ, которое содержит магнитоодноосную пленку с нанесеннымина нее первым слоем диэлектрика, управляющими токовыми шинами, вторымслоем диэлектрика, доменопродвигающими аппликациями и пленочный постоянный магнит 2).Недостатком этого устройства является невозможность получения больших полей смещения. Кроме того, принепосредственном контакте пленочного постоянного магнита с магнитоодноосным слоем оказывается неоднородным по величине и направлению опорное магнитное поле в локальных областях всей площади, что являетсядополнительным недостатком, препят.ствующим созданию ЗУ и ЦМД такогоконструктивного исполнения.Цель. изобретения - повышение надежности запоминающего устройства.Поставленная цель достигаетсяпутем того, что запоминающее устройство содержит разделительный немагнитный слой, расположенный между3 91доменопродвигающими аппликациями ипленочным постоянным магнитом.Пленочный постоянный магнит выполняется из материала составаЬа(Со, Ге)1 т с магнитной энергиейболее 10 МГс.Э,На чертеже изображена конструкцияпредлагаемого запоминающего устройства.Запоминающее устройство содержитмагнитоодноосную пленку 1, на которую последовательно нанесены первыйслой 2 диэлектрика, управляющиетоковые шины 3, второй слой 4 диэлектрика, доменопродвигающие аппли-,кации 5, немагнитный разделительныйслой 6 и пленочный постоянный маг-,нитУстройство работает следующим образом.Пленоцный постоянный магнит 7 состава Зв(Со, Ре), нанесенный наразделительный немагнитный слой б,например, методом вакуумного испарения, намагничивается во внешнем поле до уровня, обеспечивающего приприменяемой толщине слоя .6 величинуопорного поля в магнитооднооснойпленке 1, соответствующего примерносередине области существования ЦМД,Этим создается условия для функционирования устройства в режиме хранения информации: при наличии вращающегося планарного магнитного поля путем подачи импульсов тока в управляющие шины 3 производится запись ивыборка информации в виде ЦМД, перемещение и хранение которых обеспечи"вается с помощью доменопередвигающих аппликаций 5. При этом надежностьработы устройства повышается вследствие создания опорного магнитного поля однородного по величине и направ-.лению в пределах всей площади устрой 1621 Формула изобретения 1, Запоминающее устройство, содержащее магнитоодноосную пленку снанесенными на нее первым слоем диэлектрика, управляющими токовымишинами, вторым слоем диэлектрика, щ доменопродвигающими аппликациями ипленочный постоянный магнит, о тл и ч а ю щ е е с я тем,. цто, сцелью повышения надежности устройства, оно содержит разделительный незв магнитицй слой, расположенный междудоменопродвигающими аппликациями ипленочным постоянным магнитом.1 2. Устройство по и. 1, о т л и -ц а ю щ е е с я тем, что пленочныйпостоянный магнит выполнен из материала состава За(Со, Ре)7 с магнитной энергией более 10 МГс Э.Источники информации,принятые во внимание,при экспертизе, Патент США М 4096581,кл, 340- 174, опублик, 1978.2, 3 опг. Арр 1. Роуз., 1971, ч.42,Ю 4, р. 1360 (прототип),фства. Одновременно реализуется более высокая степень технологичности устройства, т.е. применение на всех стадиях его изготовления микроэлектронных методов означает увеличение экономичности .технологии производства.Применение предлагаемого ЗУ наЦМД позволяет получить полностью твердотельнреустройство, изготовляе мое .микроэлектроннь 1 ми технологическими приемами. Получаемое в предлагаемом ЗУ повышение надежности работы итехнологичности достигается без существенного усложнения его изготов ления.911621 Составитель Ю. РозентаРедактор С; Тараненко Техред Ж.Кастелевич орректор М.Шароши писн Патент роектная Филиа ород, ул каз 1138/45 ТиражВНИИПИ Государственпо делам изобрете113035, Москва, Жго комитета СССРй и открытийРаушская наб., д,