G11C — Запоминающие устройства статического типа
Твердотельная матрица для запоминающегося устройства
Номер патента: 441591
Опубликовано: 30.08.1974
Авторы: Мальцев, Поспелов, Трутнев, Чунихин
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающегося, матрица, твердотельная, устройства
...может быть использовано в вычислительной технике и устройствах автоматики.Известна матрица для запоминающего устройства, содержащая МДП-транзисторы с изменяемым порогом включения, которые по строкам затворами подключены к управляющим шинам, а по столбцам объединены между собой двумя или более шинами. Последнее обстоятельство приводит к усложнению кон струкции матрицы и требует для ее управления источников положительных и отрицательных сигналов.Цель изобретения - упрощение конструкции матрицы. 1Это достигается тем, что в каждом столбце сток предыдущего транзистора соединен с истоком последующего, при этом исток первого транзистора каждого столбца подключен к шине питания, а сток последнего - к шине 2 считывания. На фиг. 1 показана...
Ассоциативный запоминающий элемент на моп-транзисторах
Номер патента: 441592
Опубликовано: 30.08.1974
Автор: Зосимова
МПК: G11C 15/00
Метки: ассоциативный, запоминающий, моп-транзисторах, элемент
...осуществляется подачей высокого логического уровня напряжения на шину 1 Ф, что приводит к отпиранию по затвору транзистора 7, разреОающаго запись, и к подаче напряжения питания ка стоки транзисторов 8 и 9 при считывании. В 15 20 зо г 41 2Фзависимости от состояния триггера, транзистор 8 или 9 находится в открытом состоянии по затвору. При считывании ток течет из числовой шины 14 через открытый транзистор 8 или 9 в одну из разрядных шин 12 ДЗ, находящихся под низким потайциалом, фиксируя на выходе состояние элемента. В режиме сравнения внешняя информация подается в пароФазной Форме на разрядные шины 42 и 13 так, что в случае несовпадения хранящейся в триггере и внешней информации из соответствующей раз.ридной шины 12 или 15 через юран....
Полупостоянное запоминающее устройство
Номер патента: 441593
Опубликовано: 30.08.1974
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее, полупостоянное
...т.е. металл затвора находится на уйравляющвм электроде б. Транзисторы заперты, на них записаны нули. 15Устройство работает следующим обрзом,Для записи кодов подаются однополярныв положительные импульсы п.раллельно на входные шины 1 к управляющим электродам б тех ионотронов строки, .в которых необходимо записать единицу и импульсы отрицатвльноИ полярности источника тока на одну из адресных входных шин 2. В выбранноИ строке ионотронов металл от управляющих электродов переходит на подложку электрода, образуя рабочив затворы в твх полевых транзисторах, в которых записываются единицы. Остальные .: ионотроны полевых транзисторов строки Остаются в исходном состоянии "нульф так как они нв подучили однополярного полжитвльного импульса,...
Аналоговое запоминающее устройство для двухполярных напряжений
Номер патента: 441594
Опубликовано: 30.08.1974
Автор: Демидов
МПК: G11C 27/00
Метки: аналоговое, двухполярных, запоминающее, напряжений
...10 ключ 5 открывается, ключи Ф,1,8 закрываются, конденсатор 2 заряжается до входного напряжения Ж . При снятии сигнала Йу схема переходит в режим хранения: ключ 5 закрывается, а ключи 4,6,8 йачинают периодйчески открйваться с частотой уВ момент времени (интервал 2, фиг.2) через ключи Ф и б к входу усилителя 1 подключается конденсатор 2, а к выходу его- конденсатор 5, который заряжается до напряжения="ф, где 6 - напряжение на кондейсаторе 2; Ы- коэффициент усиления. Пока ключи 4 и б открыты (интервал 2-5 на фиг.2) происходит частичный разряд входного конденсатора 2 через входное сопротивление усилителя 1. В интервале времени 5-Ф (фиг.2) все ключи закрыты и разряд конденсатора 2 определяется сопротивлением закрытых ключей, а...
Автомат для разбраковки ферритовых сердечников
Номер патента: 442474
Опубликовано: 05.09.1974
Автор: Пащенко
МПК: G11C 29/00, H01F 41/00
Метки: автомат, разбраковки, сердечников, ферритовых
...4 соединен с источником питания б через ионтаьтыреле б, катушка которого подсоедикена и генератору импульсов напряжения 7.й Автомат работает следувцим обраЗОМЙз работающего элеитровибробункера 4 испытуемые сердечники поступают в,контактную систему, где ихо параметры измеряются с помощью измерительной системы 2, управляющейэлектромагнитным сортйрователем 3,в котором накапливаются разбраиованные 4 ерритовые сердечники.о16 нератор импульсов напрЯжеРИЯСоставитель В. В ЗК ЬрРедакторЛ,ЗТЕХИН ТекредЛ.ЧаВуШЬяН Корректоры: Заказ Йс 2/ Изд. ж 715 тираж О 24 Подписное ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб., 4 Предприятие Патента, Москва, Г, Бережковская...
Логическое запоминающее устройство
Номер патента: 442512
Опубликовано: 05.09.1974
МПК: G11C 11/06
Метки: запоминающее, логическое
...числа 5. При этом в выбранной ячейке памяти производится перемагничивание сердечников из нулевого состояния в единичное в тех разрядах, где в регистре числа 5 записана единица, а в ячейке памяти накопителя 1 хранится нуль, Следовательно, на выходах усилителей считывания 2 возникают единичные сигналы, соответствующие поразрядной логической функции запрет от У, а на выходах схем НЕ 3 - сигналы, соответствующие функции импликация от Х к У, На входы схем И 14 подается синхросигпал по шине 1 б, а на их выходах появляется сигнал, соответствующий поразрядной конъюпкции двух слов: хранимого в ячейке памяти и записанного в регистр числа 5, Код с выходов схем И 14 записывается в регистр числа 5.В следующем такте осуществляется коррекция...
Магнитный накопитель информации
Номер патента: 442513
Опубликовано: 05.09.1974
МПК: G11C 11/14
Метки: информации, магнитный, накопитель
...напряжения от генера тора импульсов 4, подается через электрод ввода 9 на начальный участок 7 пленки 5. Халькогеиидпос стекло, расположенное под этим участком, переходит в проводящее состояние с (см. фиг. 2), а по окончании им. 10 пульса напряжения от генератора импульсов 4 - снова в иепроводящее состояние а.Ясно, что в этой области магпитпого накопителя выделится импульс тока, который формирует вокруг себя магнитное поле. Та кое дополпительь 1 ое манинос поле слевОт проводящего участка складывается с полем импульсов тока от генератора импульсов 4, , справа вычитается (см. фиг. 4). Следовательно, магпитая ипдукция В в ферромагнитной 20 пленке скачкообразно изменяется только справа от проводящего участка и участок ферромагнитной пленки,...
Запоминающее устройство
Номер патента: 442514
Опубликовано: 05.09.1974
Авторы: Завадский, Манжело, Самофалов
МПК: G11C 11/22
Метки: запоминающее
...сульфида кадмия и-типа). Шины записи 13 и 14 охватывают пленки 12 и отделены от шины 10 пленкой 15 из электро- изоляционного материала.20Шины для считывания на противоположных гранях пластины 1 расположены таким образом, что нормальные проекции элементов 2, 3, 4, 7 и 8 на противоположную грань совпадают соответственно с элементами 9, 12, 10, 25 11 и 15; а нормальные проекции шин 5 и 6 на противоположную грань пластины 1 накладываются на все шины 13 и 14 на этой прани, Шины 2 подключены к дешифратору адреса 16, а соответствующие им шины 9 - к шине 30 нулевого потенциала (заземлены). Шины 4 и 10 соединены и подключены к усилителю считывания 17 и через резисторы 18 к источнику напряжения смещения 19. Шины 5 и 6 соединены с формирователями...
Устройство для нанизывания ферритовых сердечников с диаметральными отверстиями на монтажный проводник
Номер патента: 443408
Опубликовано: 15.09.1974
МПК: G11C 5/06
Метки: диаметральными, монтажный, нанизывания, отверстиями, проводник, сердечников, ферритовых
...производительности устройства.Достигается это тем, что предлагаемое устройство снабжено насаженным на лоток кольцеобразным замкнутым магнитопроводом с выступами к центру и коммутатором, к которому подключены обмотки, размещенные между выступами магнитопровода.На фиг. 1 изображено предлагаемое уст ство, общий вид; на фиг. 2 - сечение ло на фиг. 3 - ферритовый сердечник.Устройство содержит вибробункер 1, в который засыпаются ферритовые сердечники 2, лоток 3 с пазом, высота которого равна высоте ферритового сердечника, предназначенный для доставки сердечников с диаметральными отверстиями а и б в кольцеобразный замкнутый магнитопровод 4 с выступами 5, между которыми размещены обмотки 6, игла 7 и коммутатор 8, с выводами 9, 10.Феррптовые...
Ячейка памяти
Номер патента: 443409
Опубликовано: 15.09.1974
Авторы: Игнатенко, Кобыляцкая, Кузовлев, Либерман, Чернихов
МПК: G11C 11/34, G11C 11/39
...Фазе С трехфазного источника питания прачляацие электроды тиристора записи 1 итиристора сброса б соединены443409 3ответственно с входной шиной записи ы входной шиной сброса.Такое подключение Фаз А,В,С к схеме обеспечивает приложение к аноду тиристора 1 положительного напряжения в течение всего периода одной фазы питающего напряжения, в то время как к аноду тиристора ь напряжение питания приклапывается в течение времея, равного 1/2 периода Фазы С. В этом состоянии ячейки памяти тиристоры 1 и 5 выключены и на выходе 10 ячейки имеется положительное напряжение.При подаче положительного напряжения на управляющий электрод 11 тиристора 1 он включается и остается в этом состоянии после снятия информационного сигнала. Для возврата ячейки...
Запоминающая ячейка на криотронах
Номер патента: 443410
Опубликовано: 15.09.1974
МПК: G11C 11/44
Метки: запоминающая, криотронах, ячейка
...изменивнаправление, если же оц был в ветви 3, то онтам и останется, но изменит направление, таккак в этом случае ветвь 2 заперта вентилемкриотрона 4. В момент 4 снимается им.пульс а и в ячейке окажется записанной 1независимо от того, в каком состоянии онадо этого находилась.Запись О выполняется следующим образом,Сначала подается импульс тока в число.вую шину, распределение тока в ячейке неменяется, как ц при считывании, Затем вмо)ент . подается импульс в, ток в ячейкеменяет направление на обратное и оказыва.ется в ветви 3, так как если он был до этогов ветви 2, то он просто перейдет в ветвь 3,изменив направление, если же он был в вет.ви 3, то он в ней и останется, переменив направление, так как ветвь 2 заперта вентилем крио.трона 4. В...
Логическое запоминающее устройство
Номер патента: 443411
Опубликовано: 15.09.1974
Авторы: Колосов, Мелехин, Омаров
МПК: G11C 15/00
Метки: запоминающее, логическое
...записи логичесо" м и регистра 6 регенерации, а э,д.с.,2. Между анодами диодов 17 в д Раведенная на шине 18, включеннойнальную цепь моста включена кооРди- в разрядную цепь с -го разряданатнатная шина 3 воспРоизведен 25 ,(фиг,2), не поступает на вход соотматрицы 2, соединенная со входом ветствуйщего Усилителя 5 воспроизУсилителя 5 воспроизведения ведения, так как в цепи действияпредлагаемом устройстве воэ.д.с. ,меются два встречно вклювремя передачи инормации из нако ченных диода 17.пителя 1 (фиг. 1) в логическую матрицу 2 и обратно производится . зоВ четвертом такте производитсясдвиг двоичного слова Х на "-Разря- считывание формирователеи б регистдов влево или вправо при условии, ра регенерации (.ьиг.1) и формировачто К м, где м -...
Полупостоянное запоминающее устройство
Номер патента: 443412
Опубликовано: 15.09.1974
Авторы: Бяльский, Гехт, Тихвинский
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее, полупостоянное
...адрвсных трансформаторов 4 в простзИшзм случаз равно количзству чисвл, хранимых в ППЗУ. На чзртзжз прздставлзны двз кодовыз дины 5 с соотвзтствующими им адресными трансформаторами Ф.5При считывании информации из запоминающзго устройства по выбран ному адрзсу чзрзз входную обмотку 5 соотв:тствующзго адрзсного трансформатора 4 пропусказтся импульс тока, Ы кодовоИ шина 5, проходящоИ чзрзз выбранный адроснйй трансформатор, наводится ток, вызванны из мзнзнйом потока сордзчника этого 1;нс;орматора. Этот ток, в свою оч:;рог,1:, наводйт дДС в вйходных ооцоткох 2 разрядных трансформаторов 1, чорзз которыо прошита выбранная кодовая шина 5.20Ы связи с тзм 1 что носколько кодовых шин могут проходить чзрзз одни и тз жз разрядныз...
Запоминающее устройство с автономным контролем
Номер патента: 443413
Опубликовано: 15.09.1974
Авторы: Городний, Корнейчук, Небукин
МПК: G11C 29/00
Метки: автономным, запоминающее, контролем
...слово иззан с одним входом схемы 22 сравне- накопителя поступает в регистр 5, ания, с дргим входом котоРой соеди- с его выхода через блок 7 - в блокнен другой управляющий выход блока 10, С целью повышения быстродействия10, а выход схемы 22 связан с бло- мрто же слово поступает из накопитеком 11. Выход схемы 21 соединен так- ля 1 в блоки 10 и 7, минуя регистрже с одним входом дополнительной 5, Елок 10 определяет наличие ошибсхемы 23 сравнения, с другим входом кй в считанном слове,которой, а также с управляющими вхо Если сигнал ошибки из блока 10дами блоков 10 и 17, связан выход 5 оотсутствует, информационное слово срегистра 24 силы коруектирующего его выхода через блок 14 выдаетсякода, а выход схемы 23 соединен с на выход 15.блоком 11...
Устройство для контроля оперативного накопителя информации
Номер патента: 443414
Опубликовано: 15.09.1974
Автор: Шаманаев
МПК: G11C 29/00
Метки: информации, накопителя, оперативного
...14 устройства, связанной с проверяемым накопителем 15, а выход - к одному входу схемы И 16, другой вход которой подсоединен к выходу дешифратора циклов 6, а выход - к одному из входов счетчика 9, другой вход которого связан со схемой останова 12.Устройство работает следующим образом.Схема пуска 1 совместно с накопителем 15, регистром числа 2, счетчиком адресов 3 обеспечивает получение теста дождь.Переполнение счетчика адресов 3 означает прохождение одного малого цикла, Импульсы переполнения счетчика адресов подсчитываются счетчиком циклов 4. Переполнение счетРедактор Б, Нанкина Заказ 938/6 Тираж 760 Изд. Ме 1171 Типография, пр. Сапунова, 2 чика циклов означает прохождение одного большого цикла. Импульсы переполнения счетчика циклов 4...
Развертывающий регистр для аналого-цифрового преобразователя поразрядного уравновешивания
Номер патента: 443483
Опубликовано: 15.09.1974
Автор: Дубильер
МПК: G11C 8/06
Метки: аналого-цифрового, поразрядного, преобразователя, развертывающий, регистр, уравновешивания
...и 7 при выходе из насыщения в режим отсечки не бесконечно мало, процесс закрытия элементов 1, 4 и 7 будет растянут во времени.Возрастающий потенциал логической 1 с выхода элемента 7 в какой-то момент прекращает процесс закрытия элемента 1 и начинает его открывать. Бремя, в течение которого проходит этот процесс, зависит от индивидуальных свойств транзисторов элементов 1 и 7 и не является определяющим. К концу этих переходных процессов элемент 1 открывается, его транзистор входит в режим насьпцения и на его выходе будет логический О, При этом элемент И 13 старшего разряда открывается от поступления двух логических нулей па выходах открытого элемента 2 и открыьшегося элемента 1.Конец прохождения импульса пуск создает условие для закрытия...
Способ выполнения магнитной структуры на тонких пленках
Номер патента: 444381
Опубликовано: 25.09.1974
МПК: G11C 11/14
Метки: выполнения, магнитной, пленках, структуры, тонких
...Такой диапазон температуры может, например, быть в пределах 100 в 2 С в указанных условиях изготовления комбинированного слоя антиферромагнитного слоя. Величина поля связи от спина к спину обоих материалов комбинированного слоя возрастает в зависимости от времени диффундирования марганца в жело-никелевый сплав, что становится очевидным при последовательных обжигах. Независимо от времени диффундирования граничные значения температур разупорядочения практи 5 1 О 15 20 25 зо 35 4 о 45 чески не изменяются, так как профиль внутренней диффузии между сплавом железо-никеля и марганца значителен и связь между материалами из железо-никеля и железо-никеля-марганца заключается в обмене между соседними спинами, и, следовательно, определяется...
Устройство для монтажа накруткой
Номер патента: 444238
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Грекович, Коробко, Рубенчик
МПК: G11C 5/00
...механизма считывания поступает на схему б перезаписи адреса начала связи, по команде которой происходит перепись информации из регистра 3 в буферный регистр 5. Дешифратор 8 конструктивного адреса контакта преобразует код адреса начала связи в конструктивные координаты контакта (номер разъема и номер контакта внутри разъема), и эта информация, высвечивается схемой 9 индикации, указывая монтажнику положение контакта, на который надо накрутить провод. Сигнал с выхода дешифратора 8 поступает также на соответствующие входы схемы 11 защиты от монтажных ошибок, представляющей совокупность схем совпадения на три входа по числу контактов монтируемого блока. На два из этих входов поступают сигналы с выходом дешифратора конструктивного адреса...
Запоминающее устройство
Номер патента: 444239
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Белов, Белоус, Маркизов, Семин
МПК: G11C 11/02
Метки: запоминающее
...7, адресный Формирователь 8 считывания и числовая линейка 9.Адресные формирователи записи 1 управляются младшими разрядами регистра адреса 2 через основной дешифратор 3, Выход каждого адресного формирователя записи подключен через диоды к ьходным концам двух шин записи, прошивающих сердечники в кубе памяти 4. Выходные концы шин записи объединены в две группы и соединены с корпусом через ключи 5 и б. Эти ключи управляются старшими разрядами регистра адреса через дополнительный дешифратор 7. Аналогично выполнены и цеи считывания, которые соединены с адресными формирователями считывания 8.Б соответствии с состоянием регистра адреса 2 Основным Дешифратором 3 выбирается один из адресных формирователей записи 1 и соответствующий...
Буферное запоминающее устройство
Номер патента: 444240
Опубликовано: 25.09.1974
МПК: G11C 11/00
Метки: буферное, запоминающее
...выбор ячейки памяти в накопителе 1.Информация содержащаяся в ячейках памяти того же адреса накопителя 2 перезаписывается по цепи регенерации (на чертеже не показана).По выбранному адресу осуществляется запись информационных символов в накопитель 1 и контрольных символов в накопитель 2 (один раз за п тактов обращения к первому накопителю, где а - количество информационных символов, преходящееся на один контрольный). Каждый такт обращения по частоте Рсопровождается тактом обращения по частоте Р, который не поступает на вход датчика адреса 5 накопителя 2, а поступает через делитель 7 на вход датчика адреса 5 накопителя 1 и производит в нем схему кода адреса, по которому запись информации в накопитель 1 не производится,Таким образом, в...
Запоминающее устройство
Номер патента: 444241
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Веселовский, Гриц
МПК: G11C 11/06
Метки: запоминающее
...полноточного феррит-диодного ЗУ за один такт возможна за счет одновременного формирования тока считывания в тех разрядах, где необходимо записать нуль, и тока записи в разрядах, где необходимо записать единицу. При этом н 1 ц й п У, О+ 2,У,0+Х,нО+У, дХПредлагаемое устройство отличается от известных тем, что в каждом разряде содержится сумматор по модулю два, один из входов которого соединен с выходом усилителя воспроизведения, а второй - с выходом соответствующего триггера регистра числа.Структурная схема предлагаемого ЗУ приведена на чертеже,Устройство состоит из полноточного феррит-диодного накопителя 1, выходные шины которого соединены с усилителями 2 воспроизведения, а разрядные шины подключены к выходам двухполярных формирователей 3...
Запоминающий элемент”
Номер патента: 444242
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Балашов, Тимофеев, Шумилов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, элемент
...5 тока 1 а переводит его в состояние 1. Далеена элемент действуют числовым током считывания 1, на фоне разрядного тока 1 а. На выходной обмотке 4 наводится напряжение неразрушенного О и 1, или неразрушенной 0 1 и 1 ь различающиеся по амплитуде,ого счи Изобретение может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных и управляющих машин.Известен запоминающий элемент, содержащий разветвленный магнитопровод с равными по сечению горизонтальными перемычками и двумя одинаковыми симметрично расположенными отверстиями, через одно из которых проходят числовая обмотка считывания и разрядная выходная обмотка, а через другое - числовая и разрядная обмотки записи. Известный элемент перемагничивается полными тоями и поэтому надежно...
Запоминающий элемент
Номер патента: 444243
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Сапельников, Старосельский
МПК: G11C 11/36
Метки: запоминающий, элемент
...элемент, содержащ анна и конденсаторы. Однако этосвойственны малый диапазон ус т боты, жесткие допуски на напряж ия и плохая помехозащищенность.В предлагаемом запоминающем элементе последовательно с диодом Ганна включен дополнительный диод Ганна, шунтированный 10 конденсатором, что позволяет расширить область устойчивой работы.На фиг. 1 изображена схема запоминающего элемента; на фиг. 2 - вольтамперная характеристика домена сильного поля. 15Описываемый запоминающий элемент состоит из двух одинаковых последовательно соединенных диодов 1 и 2 Ганна, один из которых зашунтирован конденсатором 3. Диоды подключены к источнику 4 постоянного на пряжения К величина которого превышает удвоенное значение порогового напряжения /, каждого...
Ячейка памяти
Номер патента: 444244
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Аракчеева, Прушинский, Пуппинь, Савлук, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 11/40
...хранения информации. Переключающие транзисторы р - и - р типа 5 и 6 в этом режиме закрыты и 15 не влияют на работу схемы.Пусть перед считыванием информации двухэмиттерный транзистор 1 был насыщен. При подаче положительного импульса считывания - записи на числовую шину 7 открывает ся транзистор 5, так как база его оказывается подключенной к насыщенному транзистору 1, Эмиттерный ток насыщенного транзистора 1 резко увеличивается, что обеспечивает резкое повышение напряжения на разрядной 25 шине 8 и быстрое включение усилителя считывания 12. При этом за счет коллекторного тока транзистора 5 обеспечивается увеличение тока базы транзистора 1, необходимое для поддержания его в насыщенном состоянии, ЗО так как коллектор ного тока нагруз очного...
Ячейка памяти
Номер патента: 444245
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Аракчеева, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 11/40
...3, так как на разрядный эмиттер 5 этого транзистора подается низкий уровень потенциала. Транзистор 3 насыщается и током эмиттера обратной связи 9 закрывает транзистор 4. Схема переключалась в другое состояние, После записи информации напряжение на шине питания уменьшается, ток насыщенного транзистора 3 переключает. ся в эмиттер 7 хранения и в резистор 11 а ячейка переходит в режим хранения информации уже в новом состоянии.Ток в режиме хранения информации может быть на несколько порядков меньше тока, включающего усилитель считывания информации и тока, переключающего ячейку в другое состояние в момент записи информации, чем обеспечивается малая потребляемая мощность. В то же время в схеме предусмотрен высокий уровень токов в режимах...
Постоянное запоминающее устройство
Номер патента: 444246
Опубликовано: 25.09.1974
Автор: Свердлов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее, постоянное
...запоминающип транзистор (в данном случае р-канальный) имеет по два затвора. Один из них, плавающий, выполнен из поликристаллического кремния или молибдена и изолирован от подложки слоем ЯО 2. Поверх плавающего затвора нанесен еще один слой 510 на котором расположен дополнительный затвор.Схема работает следующим образом, Прп записи информации включаются транзисторы 5 и б тех разрядов, где должна быть записана 1. Этп транзисторы подают напряжение - Ьпп, на стоки запоминающих транзисторов, объединенных разрядной шиной 1. На одну нз числовых шин подается отрицательное напряжение /зап Напряжение Сзап уменьшает величину пробивного напряжения транзисторов. Под действием напряжения Упп, в транзисторе 8 происходит пробой стокового диода и...
-разрядный регистр сдвига
Номер патента: 444247
Опубликовано: 25.09.1974
Автор: Свердлов
МПК: G11C 19/28
Метки: разрядный, регистр, сдвига
...15 несен слои диэлектрика 2/йО /,внутри которого находятся электроды 5, выполненные из молибденаили поликрйсталл,На поверхности диэлектрика рас 2 о положены металлические электроды 4обьединенные шинами в двухфазнуюсистему, В кристалле 1 вблизиэлектродов 3 проходит диКузионная шина 5/р-область/. На шину 525 подается отрицательное напряжение,Составитель ИМИЛКИСЗОВЗТехред А, ЗбарСНИЙ Редактор АМ аказ ф Изд.592 Тиражза Подписно ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская наб 4/5Предприятие сПатент, Москва, Г.59, Бережковская наб., 24 3вызывающее пробои -рп- перехода, в результате чего электронны 5 заряжаются. На них возникает от: рицательный потенциал, приводящий к...
Сдвигающий регистр на криотронах
Номер патента: 444248
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Кан, Рахубовский
МПК: G11C 19/00
Метки: криотронах, регистр, сдвигающий
...первого контца вкаждом разряде в состояние "ц , Поокончании ипульса 3 информа; 50ция автоматически передается впервый контур следующего разряда,Следующий затем второй управляющий импульс 32 возвращает второй криотронный контр каждого 55разряда в состояние о". Такая организация схемы приводит к тому,что каждый разряд сдвигающего регистра содержит всего лишь четыре однообмоточных криотрона. Зтоупрощает устройство.Сдвигающий регистр на криотронах работает следующим образом. 8 4ИнФоРмация передается слева направо: Р исходном состоянии постоянный ток 3 пи 7 протекает через вентиль криотрона 1 первого разряда, вентиль криотрона 2 втоого разряда и вентиль криотронатретьего разряда регистра сдвига. При записи "1" в регистр на вход...
-разрядный сдвигающий регистр
Номер патента: 444249
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Белопольский, Иванов, Мамута, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 19/28
Метки: разрядный, регистр, сдвигающий
...7 и 8. Передача информации происходит с помощью управляющих тактовых импульсов р, и р которые подаются соответст венно по шинам 9 и 10. Изменение величин токов при переходе из режима хранения в режим передачи информации осуществляется путем использования тактовых импульсов питания ср, и ср 4, приложенных соответственно к 25 шинам 11 и 12.Сдвигающий регистр работает следующимобразом.Пусть к шине управляющих тактовых импульсов 9 приложен низкий уровень потенциа- ЗО ла (ячейка 1 работает в режиме хранения ин.формации) и двухэмиттерный транзистор 3 ячейки насыщен, а транзистор 4 закрыт. В момент времени 1, на шине 9 потенциал увеличивается, а на шине 10 уменьшается, Ток насыщенного транзистора 3 переключается во второй эмиттер этого...
Запоминающее устройство с автономным контролем
Номер патента: 444250
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Городний, Корнейчук, Небукин, Самофалов
МПК: G11C 29/00
Метки: автономным, запоминающее, контролем
...на код, мощность которого равна О, а сила - з, где з-кратность возникающего отказа (имеющие весто в яечейках накопителя 1 отказы являются результатом накопления в этих ячейках возникающих в разные моменты времени отказов кратности з, равной, например, 1). При обнаружении в какой-ниоудь ячейке накопителя 1 отказа кратности 1 блоки 11 и 25 с помощью регистров 23 и 24 настраиваются на код, мощность которого равна 1, а сила - 2; в случае обнаружения отказа кратности 2, что возможно, когда в ячейке, содержащей одиночный отказ, произойдет еще один одиночный отказ, блоки 11 и 25 настраиваются на код с той же мощностью, равной 1, но с силой - 3 и так далее,В исходном состоянии триггер 16 сигналом с блока 13 устанавливается в состояше ", . На...