Способ формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке

(56) 1. Лисовский Ф.В. Физика цилинд 11 рических магнитных доменов.М., Советское радио", 1979, с. 128-129.2. Л. Арр 1. РЬуз., ч. 51, У 10, 1980, р.р. 5568-70 (прототип). (54)(57) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПАРАЛЛЕЛЬНОЙ ПОЛОСОВОЙ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В МАГНИТООДНООСНОЙ ПЛЕНКЕ, основанный на воздействии на пленку переменным магнитным нолем, направленнымперпендикулярно плоскости пленки,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повышения быстродействияспособа, после воздействия на пленкупеременным магии ным полем, направленным перпендикулярно плоскостипленки, плоскость пленки поворачивают параллельно направлению магнитного поляи уменьшают амплитуду переменного магнитного поля до нуля.Изобретение относится к автомати; ке и вычислительной технике и может быть использовано, в частности, при контроле параметров одноосных пленол в процессе производства запоминающих 5 устройств на цилиндрических магнитных доменах(ЦИД)Наиболее точные и производительные измерения ширины полосового домена, периода страйп-структуры и ха О рактеристической длины материала получают путем измерения предварительно сформированной параллельной доменной структуры с шириной полосы, равной ширине полосы лабиринтной, 15 доменной структуры полностью размагниченной пленки.Известен способ формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке, ко" 20 торый заключается в том, что образец пленки нагревают до температуры, больше температуры Кюри или Нееля, и затем охлаждают до нормальной тем- пературы. В результате получают пленку со структурой в виде прямых параллельных полос 11.Однако при этом способе образование параллельных полосовых доменов обусловлено дефектностью пленки. Кро" З 0 ме того, формирование структуры этим способом малопроизводительно 1 из-за значительного времени нагрева и последующего охлаждения пленки.Наиболее близким техническим ре эением к изобретению является способ формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке, который заключается в том, что пленку помещают в магнитное 40 поле постоянного тока, направление которого параллельно плоскости пленки, и одновременно прикладывают перпендикулярно плоскости пленки магнитное поле переменного тока, амплиту да которого убывает до нуля, убирают постоянное магнитное поле, затем прикладывают перпендикулярно плоскости пленки дополнительное магнитное -поле переменного тока, амплитуду и 50 продолжительность действия которого соответствующим образом подбирают 23.Однако, известный способ имеет низкое быстродействие формирования параллельной полосовой доменной струк 55 туры. Это объясняется тем, что в результате воздействия на пленку постоянным параллельным полем и перпендикупярным полем переменного тока субывающей до нуля амплитудой, ширина прямых полосовых доменов отличается от ширины доменов в полностьюразмагниченной пленке. Для получениядостоверных данных о параметрах пленки необходимо приложить дополнительное магнитное поле, величину и продолжительность действия которого необходимо подбирать экспериментальнымпутем."Цель изобретения - повьппениебыстродействия способа формированияпараллельной полосовой доменнойструктуры в магнитоодноосной пленке.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу формированияпараллельной полосовой доменнойструктуры в магнитоодноосной пленке,основанному на воздействии на пленкупеременным магнитным полем, направленным перпендикулярно плоскостипленки, после воздействия на пленкупеременным магнитным полем плоскостьпленки поворачивают параллельно направлению магнитного поля и уменьша-.ют амплитуду переменного магнитногополя до нуля,На чертеже изображено устройстводля реализации предлагаемого способа.Устройство для формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке содержит соленоид 1, вставку 2, держатель 3 с кассетой 4, задающий гене 1 ратор 5 тока, образец б.В соответствии с предлагаемымспособом формирование параллельнойполосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке осуществляютследующим образом.Пленку помещают в переменное магнитное поле, направление которого перпендикулярно к плоскости пленки. Под воздействием этого поля происходит перемагничивание доменной структуры. Затем пленку поворачивают доФтех Йор, аока ее плоскость не будет параллельна направлению переменного магнитного ноля. Во время поворота пленки на нее действуют две составляющие поля - нормальная и тангенциальная. Причем во время поворота значение амплитуды нормальной составляющей изменяется от максимального до нуля, а значение тангенциальной - наоборот.Заказ 8147/41 Тираж 574 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г.Ужгород,.ул. Проектная, 4 3 11230После поворота пленки она оказывается под действием параллельного плоскости переменного магнитного поля, амплитуда которого с этого момента начинает убывать до нуля. Воздействие планарного магнитного поля позволяет ориентировать доменную сгруктуру вдоль этого поля, а убывание амплитуды поля полностью размагничивает пленку. 10В результате этих операций в пленке образуется параллельная полосовая доменная структура с шириной полосы, равной ширине полосы лабиринтной структуры в полностью размагниченной 15 пленке.Устройство для формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке, предназначенное для реализации предлагаемого способа, работает следующим образом.Образец 6 магнитоодноосной пленки помещается в кассету 4, которая в свою очередь размещается в держате ле 3. Держатель 3 по направляющим подается внутрь соленоида 1. Благодаря тому, что кассета с образцом может поворачиваться относительно оси держателя 3 и наличию внутри соленои-З 0 да вставки, кассета с образцом пленки располагается перпендикулярно оси соленоида. С помощью генератора 5 тока в соленоиде создается переменное магнитное поле с амплитудой большей, чем намагниченность насыщения 60 4магнитоодноосных пленок. Затем держатель частично выводится из соленоида, чтобы кассета расположилась параллель. но оси соленоида, после чего с помощью генератора 5 уменьшается амплитуда переменного магнитного поля до 1 нуляС помощью данного устройства бып реализован предлагаемый способ формирования доменной структуры. При частоте переменного магнитного поля 50 Гц предлагаемый способ позволяет повысить быстродействие формирования параллельной структуры в 60-120 раз по сравнению с способом 1 и в 8-10 раз по сравнению с известным способом Г 2 1. Эффективность предлагаемого способа выражается в повышении быстродействия формирования параллельной доменной структуры, так как отпадает необходимость в трудоемкой операции подбора экспериментальным путем значений амплитуды и времени действия дополнительного переменного магнитного поля. Кроме того, предлагаемый способ исключает применение постоянного магнитного поля, что упрощает устройство формированияПредлагаемый способ позволяет повысить точность и быстродействие контроля размеров доменной структуры и может быть эффективно использован при формировании дифракционной решетки в магнитоодноосных пленках.