Патенты с меткой «магнитоодноосной»

Номер патента: 525155

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Розенталь, Романовский

МПК: G11C 11/155, G11C 7/00

Метки: доменами, информации, магнитными, магнитоодноосной, пленки, считывания, цилиндрическими

...упростить схему уст чертеже показана блок-схема предлого устройства,о содержит магнитоодноосную пленку МД 2, 3, на которой расположены и Холла 4, 5, токовые выводы котоключены последовательно и соединены чником питания 6, а потенциальныевыводы подключены по дифференциальной схеме к усилителю считывания 7, соединенному с узлом стробирования 8. Датчики Холла расположены под противоположными концами 9, 10 одноименных ферромагнитных аппликаций 11, 12 в рабочих каналах 13, 14 продвижения ЦМД. Противоположные концы 9, 10 указанных аппликаций играют поочередно роль источника компенсационного сигнала. 10Работа предложенного устройства основана на том, что ЦМД 2, 3 при движении по рабочим каналам 13, 14 не могут находиться под...

Номер патента: 1093995

Опубликовано: 23.05.1984

Автор: Силантьев

МПК: G01R 33/02

Метки: анизотропии, доменосодержащих, магнитоодноосной, напряженности, пленках, поля

...преобразователя подключен к второму входу второго регистра, выход усилителя подключен к .второму входу усилителя мощности, второй выход второго аналого-цифрового преобразователя соединен с вторым входом четвертого регистра, выход формирователя импульсов подключен к вторым входам первого и второ-. го блоков И, первый и второй выходы блока управления - соответственно к входу генератора пилообразного напряжения и к входу генератора тока, первый и второй входы блока индикации соединены с выходаьы соответственно первого и второго блоков И, а первый и второй входи регистратора соответственно с выходом усилителя н выходом нормирующего усилителя,На чертеже приведена структурная схема, поясняющая работу устройстга.Устройство для...

Номер патента: 1123060

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Епанчинцев, Катсон, Силантьев, Шелухин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, магнитоодноосной, параллельной, пленке, полосовой, структуры, формирования

...цель достигается тем,что согласно способу формированияпараллельной полосовой доменнойструктуры в магнитоодноосной пленке,основанному на воздействии на пленкупеременным магнитным полем, направленным перпендикулярно плоскостипленки, после воздействия на пленкупеременным магнитным полем плоскостьпленки поворачивают параллельно направлению магнитного поля и уменьша-.ют амплитуду переменного магнитногополя до нуля,На чертеже изображено устройстводля реализации предлагаемого способа.Устройство для формирования параллельной полосовой доменной структуры в магнитоодноосной пленке содержит соленоид 1, вставку 2, держатель 3 с кассетой 4, задающий гене 1 ратор 5 тока, образец б.В соответствии с предлагаемымспособом формирование...

Номер патента: 1341681

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Мамалуй, Сирюк, Ярош

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, магнитоодноосной, пленке, решетки, формирования, цилиндрических

...формирование решетки импульсныммагнитным полем н поле смещения,Как видно из фиг.1, с ростом положительного.поля смещения диаметр домена с 1 уменьшается, с ростом отрицательного поля смещения диаметр домена увеличиваетсяПериод решетки аот поля смещения не зависит. Зависимость температуры распада решетки отполя смещения показана кривой 2 нафиг.3. При таком формировании решетки температурный интервал устойчивости решетки можно только увеличивать;плотность увеличивается при Н0уменьшается при Н, ) 0 (фиг,1,таблица),На фиг,2 показано влияние полясмещения на. параметры решетки ЦМДпленки (УБпй.цба) (Ребе)О, ,сформированной при воздействии суйерйоэицииполей, С ростом величины приложенного при формировании решетки гголожительного поля...

Номер патента: 1788523

Опубликовано: 15.01.1993

Автор: Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменных, доменосодержащей, магнитоодноосной, пленке, рандошкина, скорости, стенок

...на расстояние, большее характерного размера локальной неоднородности в пленке внаправлении перемещения ДС,Локальную неоднородность в доменосодержащей пленке формируют локальнымуменьшением толщины пленки, с помощьюлокальной ионной имплантации, путем воздействия на пленку сфокусированным импульсным лазерным излучением с длинойволны в области поглощения доменосодержащей пленки, путем пропускания импульса тока через токопроводящий резистивныйэлемент, находящийся в контакте с доменосодержащей пленкой, или путем импульсного акустического воздействия на пленку.Сущность изобретения заключается вследующем. Экспериментально установле.но, что при импульсном перемагничиваниимагнитоодноосных пленок, в частности, монокристаллических пленок...