Формирователь импульсов

(56) 1, Патент США Яф 4025801кл. С 11 С 7/00, опублик. 1980 2. Патент Великобритании У 2028044, кл. С 11 С 7/О опублик. 1980 (прототип).(54)(57) фОРИИРОВАТЕЛЬ ИИПУЛЬСОВ,содержащий первый и второй ИДП-транзисторы и-типа проводимости, третийИДП-транзистор р-типа проводимости,шину питания и шину нулевого потенциала, причем исток первого ИДПтранзистора п.-типа проводимости соединен со стоком второгб ИДП.-транзистора п-типа проводимости, затвор которого соединен со стоком третьегоИДП-транзистора р-типа проводимости,затвор первого ИДП-транзистора п-тнпа проводимости является первым управляющим входом устройства, и стоксоединен с шиной питания, о т л и -ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюснижения потребляемой мощности, внего введены четвертый и пятый ИДПтранзисторы п-типа проводимости, нрнчем исток третьего ИДП-транзисторар-тнпа проводимости соединен с шиной питания, а затвор - с затворомпервого ИДП-транзистора о-типа проводимости, истоки четвертого и пятого ИДП-транзисторов и-типа проводимости подключены к шине нулевого потенциала, затвор четвертого ИДП-транзистора и-типа проводимости являетсявторым управляющим входом устройства, сток четвертого ИДП-транзисторап-типа проводимости соединен с истоком второго ИДП-транзистора и-типапроводимости и с затвором пятогоИДП-транзистора и -типа проводимости,сток которого соединен со стокомтретьего ИДП-транзистора р-типа проводимостн.1123 Изобретение относится к вычислительной технике и электронике и может быть использовано при построении устройств для считывания информации из накопителей запоминающих устройств в качестве элемента, осуществляющего подэаряд емкостей, образуемых шинами данных.Известен формирователь импульсов для подзаряда емкостей, содержащий 10 пару последовательно включенных КЦП- транзисторов, причем затвор и сток одного из транзисторов объединены В 1 Недостатком данного устройства является непроизводительное потребление мощности источника питания за счет протекания сквозного тока через пару транзисторов в режиме формирования уровня предварительного заряда.Наиболее близким по технической сущности к изобретению является фор- . мирователь импульсов, содержащий последовательно включенные межцу шиной питания и общей шиной первый, второй МДП-транзисторы р-типа проводимости и третий, четвертый МДП- транзисторы й -типа проводимости, причем затворы первого и четвертого МДП-транзисторов соединены со стока" ми второго и третьего МДП-транзисто 30 ров, затворы которых являются соот- . ветственно инверсным и прямым управляющими входами 1 2 1. Недостатком известного устройства является рассеяние мощности истояника питания в течение времени дейст-,вия управляющего импульса обусловленное сквозным током через открытые транзисторы.Целью изобретения является снижение потребляемой мощности формирователя импульсов.Поставленная цель достигается . тем,что .в формирователь импульсов, содержаний первый и второй МДП-транзисторы и -тина проводимости, третий МДП-транзистор р-типа проводимости.шину питания и шину нулевого потен 056 2тый и пятый МДП-транзисторы И -типа проводимости, причем исток третьего МДП"транзистора р -типа проводимости соединен с шиной питания,а, затвор - с затвором первого МДП-транзистора П-типа проводимости, истоки четвертого и пятого МДП-транзисторов и -типа проводимости подключены к шине нулевого потенциала, затвор четвертого МДП-транзистора и-типа проводимости является вторым управлякпцим входом устройства, сток четвертого. МДП- транзистора и-типа проводимости соединен с истоком второго МДП-транзистора и - типа проводимости и с затвором пягого МДП-транзистора и -,типа проводимости, сток которого соединен .со стоком третьего.МДП-транзистора р-,типа проводимости. На фиг. 1 представлена схема предлагаемого устройства; на .фиг, 2- кривые переходных процессов.Формирователь ймпульсов содержит первый 1 и второй 2 МДП-транзисторы й-типа проводимости, третий 3 МДП- транзистор 1 -тина проводимости, четвертый 4 и пятый 5 МЦП-транзисторы д-тина проводимости, шину.б нулевого потенциала, шину 7 литания, шины 8 и 9 управления (входа).Устройство работает в .режиме начальной установки и в режиме нодзаряда. В режиме. начальной установки на управляющих входах 8 и 9 установлены противоположные логические уровни "О" и "1", открывающие транзисторы 3 и 4.Открытые траэисторы обеспечивают в точках 4 и 6 формирование уровней, соответствующих потенциалам шин б и 7 (низкий и высокий). соответственно. Потенциал узла А (низкий) является запирающим по отношенщо к .Ф транзистору 5, поэтому схема представляет комплементарную структуру; величина потребляемого от источника питания тока определяется только гаками утечки.зистора -типа проводимости, затвор первого МДП-транзистора п -типа проводимости является первым управляющим входом устройства, а сток соединен с шиной питания, введены четвер 55 циала, причем исток первого МДП-транзистора о-типа проводимости соединен 5 Осо стоком второго МДП-транзистораИ-типа проводимости. затвор которогосоединен со стоком третьего МДП-транВ режиме подзаряда на управляющих входах 8 и 9 установлены соответственно противоположные логические уровни "1" и "О", закрывающие транзисторы 3 и 4. Открывающийся при этом первый 1 трайзистор и открытый пятый 5 транзистор обеспечивают изменение потенциала узла А, Напряжение между узлом А и шиной 6 нулевого по-. 1 оО=1+5 где Е - разность потенциалов йежжу шиной 7 питания и шиной 6 нулевого потенциала;0Оо.,г - пороговое напряжение, ко-,эффициент влияния подложки транзисторов 1 и 2, .Эта величина достигается при выполнении условия5Е-ОоОо 1+В результате этого транзисторы 1 и 2 закрываются по подложке. Потребляемый ток определяется утечкой ,20 через обратносмещенные р-п-переходы. при достижении напряжения 0 величины порогового напряжения бо открывается транзистор 5, обеспечивая формирование низкого уровня в узле 8 ,тем самым способствуя запиранию позатвору транзистора 2, Мощность, потребляемая в этом случае, также минимальна. Таким образом, схема рассеивает мощность только в течение переходного процесса при переключениисхемы из одного состояния в другое.%Технико-экономическое преимущество предлагаемого формирователя импульсов заключается в снижении потребляемой от источника питания мощности.