Запоминающая матрица

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Сафз Советских Социалстичвскик Респубпим(61) Дополнительное к авт. свид-ву122) Заявлено 10.07.79 (21) 2794475/18-24с присоединением заявки йо(51)М. Кл з 6 11 С 11/22 Государственный комитет СССР по делам изобретений н открытий(72) Авторы изобретения К,Г. Самофалов, Я.В. Мартынюк, Ю.И. Шлак,С.И. Сидоренко, В.Н. Мурзаханов, Л.П. Гермаш,Е.И. Кудренко, В.И. Кит и А.А. Верба Киевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции(54) ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА Изобретение относится к запоминающим устройствам.Известна запоминающая матрица,содержащая плату возбуждения, запоминающую плату и демпфирующие платы, на которые нанесены системы шин, и которые объединены в монолитную конструкцию путем теплового вплавления 113Недостатком такой конструкции является низкая амплитуда выходных сигналов обусловленная тем, что каждый запоминающий элемент механически зажат по периметру, так как конструкция матриць 1 является монолитной. Кроме 15 того, эта матрица имеет высокий уровень помех на выходе.Наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминанйщая матрица, содержащая группы 20 сегнетопьеэоэлектрических пластин, соединенных по экранирующим электродам и имеющих разрядные и общие элек;троды 2)Недостатком этой запоминающей мат рицы является низкая амплитуда выходных сигналов, снижающая помехоус" тойчивость матрицы и определяемая жесткостью закрепления запоминающих .ячеек памяти в матрице. Кроме того, 3 О эта запоминающая матрица обладает невысокой технологичностью, обусловленной тем, что одноименные разрядные электроды необходимо объединятьв разрядные шины.Цель изобретения - повышение помехоустойчивости и технологичности матрицы,Поставленная цель достигается тем,что в запоминающей матрице, содержащей группы сегнетопьезоэлектрическихпластин, соединенных экранирующимиэлектродами, разрядные электроды,причем на сегнетопьезоэлектрическиепластины второй группы параллельноэкранирующим электродам, расположенным на одной стороне сегнетопьезоэлектрических пластин, нанесены общиеэлектроды, расположенные на другойстороне сегнетопьезоэлектрическихпластин, разрядные электроды расположены на одной из сторон сегнетопьезоэлектрических пластин первойгруппы перпендикулярно экранирующимэлектродам.На фиг. 1 изображена конструкциязапоминающей матрицы; на Фиг. 2 и.3 - варианты конструкции запоминающейматрицы 1 когда одна из групп пластинзаменена одной пластиной). Устройст 855731во содержит запоминающую матрицу(см.фиг.1), состоящую из первой 1 ивторой 2 группы сегнетопьезоэлектрических пластин, соединенных экранирующими электродами 3. На пластиныпервой группы 1 нанесены разрядныеэлектроды 4, пластины второй группы2 - общие электроды 5. Разрядныеэлектроды 4 расположены на одной изсторон пластин 1 перпендикулярноэкранирующим электродам 3. Такая конструкция позволяет акустически развязать как входные, так и выходныецепи.Если необходимо развязать тольксвходные или только выходные цепи,то предпочтительными являются варианты конструкции, запоминающей матрицы, изображенные соответственнона фиг. 2 и 3,Матрица работает следующим образом.Магнитопьезоэлектрические пластины 2 между общим 5 и экранирующими3 электродами жестко заполяризованы при изготовлении матрицы. За-пись информации осуществляется в сегнетопьезокерамических пластинахприложением напряжений поляризациитребуемой ампЛитуды, полярности идлительности между разрядными 4 иэкранирующими 4 электродами.Направление и величина поляризации этих участков определяет записанную информацию.При считывании информации всеэкранирующие электроды 3 подключаютк шине нулевого потенциала (не показана), Напряжение считывания можноподавать либо на разрядные электрофды 4, тогда считанную информациюснимают с общих электродов 5, либона общий электрод 5, тогда считаннуюинформацию снимают с разрядных электродов 4.Описанные выше конструкции сегнетопьезоэлектрических запоминающихматриц позволяют объединить положительные особенности монолитных матриц и матриц из числовых линеек,которым присущи высокие выходные сигналы и развязка от акустических помех. У монолитных матриц каждый запоминающий элемент со всех сторонзажат, отсюда выходные сигналы невысокие и, кроме того, есть пути распространения акустических волн, азначит и помех. Однако матрицы из 5 числовых линеек имеют невысокую технологичность, так как необходимо единичные разрядные электроды объединять в разрядные шины. От этого недостатка свободны монолитные матри цы, поскольку разрядные электродысразу объединены в разрядные шины.Сохранив полосовые электроды иразделив монолитные пластины на аоелосы,т.е. образовав группу пластин 15 представляется возможность сохранитьтехнологичность монолитных конструкций (разрезы можно выполнять травле"нием), а также получить более мощныевыходные сигналы и акустические,раз О вязать входные или выходные цепи.формула изобретенияЗапоминающая матрица, содержащаягруппы сегнетопьезоэлектрическихпластин, соединенных экранирующимиэлектродами, разрядные электроды,причем на сегнетопьезозлектрическиепластины второй группы параллельно ЗО экранирующим электродам, расположенным на одной стороне сегнетопьеэоэлектрических пластин, нанесены общиеэлектроды, расположенные на другойстороне сегнетопьезоэлектрических 35 пластин, от л и ч а ю щ а я с ятем, что, с целью повышения помехоустойчивости и технологичности матрицы, в ней разрядные электроды расположены на одной из сторон сегнетопье,д зоэлектрических пластин первой группы перпендикулярно экранирующим электродам.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент США М 3401377,4 ф кл. 340-173.2, опублик. 1967.2Авторское свидетельство СССР9 674099, кл. 6 11 С 11/22, 1975855731 Составитель В. РудаковТехред Л. Пекарь Корректор С. Юекмар Редактор М. Погориляк Тираж 645 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам иэобретений н открытий 113035, Москва, Ж, Раумская наб., д. 4/5