Магнитный накопитель

ОПИСАНИЕИЗОВРЕТЕН ИЯк мтовскомю свидетельств Сетез СоеетсинкСфцтталистичесиикРесттубее щ 858096(51)М. Кл. С 11 С 11/02 ЬЮйаратаевЫт квинтет сир аф елзи кзебрвтвккй я еткрцткя(71) Заявитель 154) МАГНИТНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к устройствам хранения дискретной информации,и может быть использовано при проектированиифмагнитных оперативных запоминающих устройств на интегральных фмагнитных носителях инФормации.Известны магнитные накопители,выполненные на многоотверстных ферритовых пластинах, состоящие иэ кассет,образующих модули, в середине каждойиэ которых размещена коммутационнаяплата, к выводам которой присоединеныконцы разрядных обмоток 1 ,Однако аанное устройство уменьшаетвзаимное влияние только двух рядомрасположенных обмоток, но не обеспечивает устранения взаимного влиянияобмоток, расположенных в различныхгруппах, т.е. не обладает высокойпомехоустойчивостью.Наиболее близким к предлагаемомуявляется магнитный накопитель, содержащий И модулей магнитных запоминающих элементов с адресными обмотками и с группами последовательно соединенных разрядных обмоток, в каждойиз которых и/2 разрядных обмотоксоединены согласно друг с другом ивстречно по отношению к другим и/2разрядным обмоткам 21,Данное техническое решение позволяет уменьшить взаимное влияние четырех разрядных обмоток, принадлежащихк одной группе, но не устраняеу взаимного влияния разрядных обмоток,принадлежащих к различным группам,что снижает помехоустойчивость устройства.Цель изобретения - повышение помехоустойчивости магнитного накопителя.Поставленная цель достиается тем,что в магнитном накопителе, содержащем И запойинающих модулей, где И кратно 4, с адреснъщи обмотками и с птразрядными обмотками, где Щ 3 2, И/2разрядных обмоток накопителя соединены согласно друг с другом и встреч858096 где Ь и 6- двоичные значенияпозиций ортогональной матрицы;Е + 1 - номер строки;5 номер столбца;для любых двух разРядных обмотокзапоминающих модулей количество париндуктивно связанных участков,направленных согласно друг другу рав 10 но количеству пар участков, направленных друг другу навстречу, что,естественно, позволяет уменьшить взаимное влияние между ними,Применение изобретения позволяетувеличить информационную емкостьзапоминающего устройства эа счетнаращивания числа разрядных обмоток,что в итоге приводит к снижениюудельной стоимости запоминающей20 ячейки. Формула изобретения 35 40 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 50 1, Авторское свидетельство СССР Мф 251003, кл. 6 11 С 11/02, 1968,2. Авторское свидетельство СССР В 266852,кл. 6 11 С 11/02, 1969(прототип), но по отношению к другим разрядным обмоткам,для любых двух разрядных обмоток накопителя и/4 разрядных обмоток запоминающих модулей соединены согласно друг другу и однонаправлено, другие и/4 разрядных обмоток запоминающих модулей соединены согласно друг другу и встречно по отношению к первым и/4 разрядным обмоткам запоминающих модулей, третьи и/4 разрядных обмоток запоминающих модулей соединены встречно друг другу и встречно по отношению к четвертым и/4 разрядным обмоткам запоминающих модулей.На фиг.1 представлена структурная схема магнитного накопителя;на фиг,2 ортогональная матрица для в=7 и н = 8.Устройство содержит и запоминаюших модулей 1 с адресной обмоткой 2, ш разрядными обмотками 3, каждая из которых прошивает соответствующие запоминающие модули. 1 и разделена на и участков. Номеру каждого запоми 25 нающего модуля 1 соответствует опоеделенный (и-ый) столбец ортогональной двоичной матрицы (фиг.2) , а номеру каждой разрядной обмотки соответствует номер строки ортогональной матрицы, Свободные одноименные30 выводы 1, начала 4, концы 5 ) двух соседних участков разрядных обмоток, кажцо. му из которых соответствуют противоположные значения их позиций в ортогональной матрице, соединены между собой, а свободные разноименные выводы двух соседних участков, каждому из которых соответствуют одинаковые значения их позиций в ортогональной матрице, также соединены между собой. Причем это правило соединения распространяется как на отдельные участки (модули) , так и на группу последовательно соединенных запоминающих модулей, которая в этом слу чае рассматривается как один участок,Как следует из схемы соединения разрядных обмоток запоминающих модулей (фиг,1) , выполненной по правилу ортогональной матрицы (фиг.2), для которой справедливо соотношение лМагнитный накопитель, содержащий и запоминающих модулей, где и кратно 4, с адресными обмотками и с щ разрядными обмотками, где щ ф 2, и/2 разрядных обмоток накопителя соединены согласно друг с другом и встречно по отношению к другим разрядным обмоткам, о т л и,ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения помехоустойчивости накопителя,в нем для любых двух разрядных обмоток накопителя и/4 разрядных обмоток запоминающих модулей соединены согласно друг другу и однонаправленно, другие и /4 разрядных обмоток запоминающих модулей соединены согласно доуг другу и встоечно по отношению к первым и /4 разрядным обмоткам запоминающих модулей, третьи и/4 разрядных обмоток запоминающих модулей соединены встречно друг другу и встречно по отношению к четвертым и/4 разрядным обмоткам запоминающих модулеи,Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 фи стипл Тираж 645 твенного к изобретени Ж, Рауш ар аи ва Подписноемитета СССРи открытийская наб., д. 4/