G11C — Запоминающие устройства статического типа
Способ изготовления запол1инающей матрицы
Номер патента: 397968
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Боровских, Бушнн, Вител, Панев
МПК: G11C 11/14
Метки: запол1инающей, матрицы
...Одну стороцу получсццой матрицы покрывают слоемэпоксидцой смолы, который полцмсрцзуют цполучсшпп слой металла методом фотолцто 15 Графии рдздел 51 ют ца дд 1 зссцыс проводццкц,цдправлсццыс вдоль осц легкого цдмагццчцвания магцитцых слоев, а фольгу с магнитными слоями - ца разрядныс проводники,направленные вдоль осц трудного цдздгцип 120 вация,Матрицу изготавливают с, щх образом.На тонкую фольгу с двух сторон одновременно наносят слоц дццзотропцого мапп 1 тцого25 материала с прямоугольной петлсц гистерезиса по Осц Леоо цакагццчцвдцця ц лцнсйцоцоси трудного цамагццчцвация. Магнитныеслои по обеим сторонам заготовки растравлцвают с помощью метода фотолитографии цдЗ 0 совмещсццыс друг с другом полосы, цаправ.397968 о Предмет изобретения...
Способ обработки оптической инфорлации в аддитивно окрашенном ш, елочно-галоидном
Номер патента: 397969
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Бандере, Кристапсон, Шварц, Экманис
МПК: G11C 13/04
Метки: аддитивно, елочно-галоидном, инфорлации, окрашенном, оптической
...нельзя использовать свст для стирания записанной информации.Цель изобретения - разработка способастирания оптической информации, запцсашой в аддцтцвцо окрашенном щелочно-галоцдном 25 кристалле при температурах до 350 С, обеспечивающего восстановление исходного для записи состояния кристалла.Предлагаемый способ отличается тем, чтодля стирания записанной информации кри сталл цдгрсвдют в темноте до 200 - 400 С сКорректор О. Тюрина Редок;ор Б. Федотов Заказ 26/19 Издй 9 Тираж 576 11 одписное Ц 11 ИИПИ Государственного ко;нитета Совета Министров СССР по дедам изобретений и открытий Москва, Ж-З 5, Раушская нао., д. 4/5Тнпзс 1 а(1)нп, пр. Сапунова, 2 превышением температуры стирания над температурой записи по меныпей мере на 30 - 50 С.Для...
Буферное запоминающее устройство с ассоциативной адресацией
Номер патента: 397970
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Андреев, Жиров, Командровский, Ли, Смирнов, Шнитман
МПК: G11C 15/00
Метки: адресацией, ассоциативной, буферное, запоминающее
...относительно этого младшего в порядке их очередности. После приема нового слова из ЗУ 20 в блок 1 содержимое соответствующей команды из регистра выдается,под управлением блока 12, указание, которому о номере нужного РК выдает блок 11, получающий информацию о номере РК от блока 8, управляющего приемом в данный РК. Из блока 1 информация через блок 12 поступает на регистр 19, с которого информация поступает на обработку, т, е. дешифрацию кода операции, образование исполнительного адреса и т, д, Код операции может определить наличие команды передачи управления (уголовной или безусловной), что фиксируется триггером 15, В этом случае блок И образует исполнительный адрес этой, команды, который должен быть передан в счетчик 3. При передаче...
В пт5. fiij; qt-nr ыш -j »»
Номер патента: 397971
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Пенников, Темкин, Цишкевич
МПК: G11C 17/00, G11C 5/02
...на штыри 10. На осях 9 платы 12 закреплены гайками. Для выдерживания заданного расстояния между платами имеются разделительные,втулки 13, К колодкам 11 двумя винтами прикреплена печатная плата 14 с радиоэлементами и вилкой 15 разъема,На каждой плате 12 распаяно шестнадцать информационных карт 1 б (по восемь с какЛой стороны платы). Набор карт каждой платы скреплен двумя планками 17,Весь набор карт надет с помощью тцмеюШихся на них металлизированных отверстий на направляющие штыри 10, которые обеспечивают совпадение отверстий карт.Сверху и снизу набора установлены металлические рамкц 18, облегчающие установку и снятие карт со штырей 10. В места где проводнапти карт касаются друг друга и рамок 18 расположены изолирующие прокладки...
Запоминающее устройство
Номер патента: 397972
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 19/00
Метки: запоминающее
...того, устройство содержит счетчик10, вход которого подключении к выходу, схемыИЛИ 11, подсоединенной ко входам информационных разрядов 5 второго регистра 1, авыходы - ко входам схемы ИЛИ 12, схемузапрета 13, один вход которой подключен квыходу схемы ИЛИ 12 другой вход 14 - кблоку управления (на чертеже не,показан),а выход - к управляющим входам 15 и 1 бкоммутаторов 3 и 4. Дополнительные выходы17 коммутатора 3 соединены,с дополнительными входами 18 коммутатора 4. Один извыходов 19 коммутатора 4 подсоединен к переключателю 9.Устройство работает следующим образом.При перезаписи каждого слова из первогорегистра 1 во второй схема ИЛИ 11 формирует сигнал признака данного слова (код1, если слово несет информацию и код 0,если информация в...
Матрица
Номер патента: 399004
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Сдатчиков
Метки: матрица
...Г. О ная У-шиа 2; огласу)ощис рзнсгоры 3,вопомога) ельнь)транзиторы 4; оа)овны транзисторы 5; дио;)ы 6; нагрузка 7; общая шина 8; резисторы 9, шина источника скщения 1 О.5 ТраианТОрэ 5 Мс)трнцЫ ОЪСЛИН 1)Ь Построкам,-шинами 1, по столоцам У-шинам 2, Коорлина) ныЛ-)н)иы моглаонаны помощью рзс)о)033 9, которыно.(ключш)ы к шине 10, 3)от)м)ц;)ал (э), которой нр Лотвра. О щает чсзмрноОГ)ртнв. )Н(ни). нрсход399004 еяактор Л. Цветкова ЕХРЕЛ Л. ГРаЧЕВс Корректор Т. Дооровольска И зд 1(с955 и) а )к,576 Подписпо аказ 12 о иография, пр. Сапунова,база - эмиттер иевыбрянных транзисторов 5. Коордииатиьс У-шины 2 согласованы с помощью резисторов 3. Нагрузки 7 подключсиы К К 0 Л Л С К Т 0 Р Я )Т Р с И 3 И С Т 0 Р 0 В О И 1( О О И 1 С Й П 1 ИИС 8 С...
Двухступенчатый дешифратор
Номер патента: 399005
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Авторы, Баранов, Вигдорчик, Гуревкч, Малофеев, Мандич, Самарин
МПК: G11C 11/36, G11C 8/10
Метки: двухступенчатый, дешифратор
...с иаОпитс;см, что при)одиг к усложнению схемы упр Я 3;сиия ВЪ, к ведсник) схем стро. бирования, стабилизации тока считывания, фораПру 0 цгх элементов, 20Целью изобретения является повышснис на. дсжности рабопя двухступенчатого дсшиф)1- тора, построенного ня мачшпых псрсклочятелях тока, Зто достигастся тем, что дешифратор содержит во второй ступени, н ы)ходов 2 б которой разбиты на т груни, дополнитсльныс диоды и уиралясмые дроссели с обмоткачи управгсн 51, усгановки и запирающими обмотками; начала запирающих Омоток )прав:1 ясмых дроссс;сй через допогпштельныс диоды ЗО подклочсны к соответсгвующим группам ыходов 13 тОрОЙ с унсн и дсии фр ят 01) я, а кон -- иИнс гНт;ния:снн)р;1 К)1)1; Об)зотк у и р я51 с н 15н ) 1 н51 с а 1х д ) О с с с,1...
Дешифратор адреса для запоминающих устройств
Номер патента: 399006
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 8/10
Метки: адреса, дешифратор, запоминающих, устройств
...втоРОО КДСКс 1 ЛЯфОРИРО 3 с 1 ТСЛ 53 ( ШУЦТИРУ 10- щсго тока. Псрвый кдскдл 7 формирователя Г сослипси со вкодом второю кдскдляи истоц ИКО)1 и;1 ир 51 ксии 51 ), (1 клОчи 1 и 8 иол 1 слючспы к и;ц)ссиым шипам н;ксптсля 9.Рдботдст лсшифратор слслуюпим обр(зом.При иостуилсиии сигидлд ид в.;ол олиого из клочси 1 и Олио 0 из 1 лючси с 5 3 вьордипои дрес 30 й шипс накопитсля 9 иротскдст ялрес- ИЫЙ ТОК, Д)1 ИЛИТМДЯ КООР 01 О ОГРДИИСИ 1 РС- зистором 2. При ГОвьисииЯир 5 жсиия точиисд иит;пи,) Возря(таст то, ИротскяО- ипй цсрсз псрвьш кдскдл 7 формирователя шуитирующсго тока, д тшжс 1 озр(стает ток, протсканицпй чсрсз рсзистор ). При этом возрастает сигцял, поступающий ид вкод второго каскаля, формпровдтсля шуитирующсго тоКд. ТРЯИЗИСТОР КЯСКЯЛс...
Многоуровневое запоминающее устройство
Номер патента: 399007
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Лапшин
МПК: G11C 15/00
Метки: запоминающее, многоуровневое
...4 подаются импульсы тока, полярность которьк здьчсит от записываемой информации. Эти импульсы последовательно записывдот соответствующчо информацию в элементы 1, принадлежащие выбранному числу. После окоичдция цикла записи в запоминающие ЭЛСМЕГ(ТЫ аДОО разряда, ПРИЦЯДЛЕжс)ЩИС Выбрдццому числу. записывается информация, СООТВЕТСТВУОцсЯ (ЮДЯЦИОй )ШфОРМаЦИИ Ня разрядные клочи 7 В моменты прокождеция(.си )и 1 ехрел Л озеиталь" ) " ( ув ьи рректор Л. Орлозэ. с, ;) ) ).с 11 с ,л,сеи)ии) и:) л е, и )и ;)Ц,К 1) Р 1 ир;)к 576иге; Сивсп М 1 иисси)и 1 ткр 1 ГВЙи ски я ив 5., л, 1,5, и, и )л) Гельс 1), и);и)1,и и к искиЙ Г числового тока через соответствующий элемент 1.1(дк известно, в зависимости от нулевой или единичной информации, пленочный...
Способ обращения к магнитному запоминающему
Номер патента: 399008
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/06
Метки: запоминающему, магнитному, обращения
...ЭЛСМСПД ЛЛ и/гг-сратцого ОбраЦсция с /г//гг-кратцм сц ГВ 1. 35Вацис В еаждом ци 1 лс. 1:сли ца;3 ЯПО.1 ццдю 1 ций элсмст за цикл оордцсцця полают и /ггСИГЦЯЛ 013 СИТЫВЯЦИЯ, ТО ОЦ 1 ООС.СПСИ 3 ДН)1/и и/Гп-ю и,и )сцьиуО деть и.мецсци 51индукции запомицгОпего элсмсцтя. 40В момент врсмсци, когда ца започицаюцийэлемент подают сигнал считывания, с започцнающсго элемента получдют счцпВаемыцсигнал, обеспечиваемый измс цен исм ицлуеции на величину це более //г. Полученные зд 45ци 1.л Обрящсция считдццыс сиГцдлы сс,сети -руют ц преобразуют в достоверный сипал,характеризующий ицформаПоццос Лвоич;оссостояние зацомицаощего элсмсцта.После завсршсция первого цикла ордш - 50ция в определенный мочсцт врсмсш по:анСИПЯЛЫ СЧИТЫВ 21151 .ЛСДУЮЦСГО...
Способ перемещения цилиндрических магнитнб1х доменов
Номер патента: 399010
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Авторы
МПК: G11C 11/16
Метки: доменов, магнитнб1х, перемещения, цилиндрических
...зквищ)ле)пнд снижению коэрци 1 игн)ости; О. Синоп стенки, б,2; Од: р 5 ч. у и нроискоди снижение электри)секи); потерь при упрзвлец 5)и нереме)пением доменов и уве. личецч)е быс; роейсвия системы.11 редме Изооретени 5 Способ пнитнык домромдгцетик.поля сме)цсремен)ц)гопластины,снижени зродействия,;стон Прсдложенн)25 сносоо о)носи)с; к Об:2;)сти вычислительной гекники и может бьыь нспользовдц приостросции логи )ескц; и з 2)номиндюшик устройств нд цилиндрически) магии)ных домсндк (ЦМД).5Известны способы перемещения 112 ЧД в пластине одцоосцого ферромдгне)икд ну)ем приложсни пос;ояц)юго ноля смещения нор.мдльно к нлдс)ине и переменного упр)г)люшего в плоское)и плдс)ины. 111 едост дтком извес гцы.; способовв.есик зцдчительнд; энергоемкость и...
Элемент памяти12
Номер патента: 399011
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/34, G11C 11/39
...иолярностц. При иостуилешш импульсов адрссцдя шина 5 иолключдстс к минусу источника п)тдцц);. Вкодцые шформдционные 1-, шины ) ц 4 имеют низкий уровень сигцдла,Чс)СТОТУ СЛСЛО)3 сцц)51 ВОССТсИ 1 Д 13 ЛИВс 1 Ю 1 ЦИК Ц)1 пульсов ц)пания выоцрают такой, чтобы пауза МссжДУ ИМИУЛЬСДМЦ бЫЛД МЕНЬШЕ ВРСМСЦИ ВЫ- ключецця з;шоминдющсго тиристора. Блягодстз ) ря цмцульсиому иитдццо средняя мощность,ЦОТРСОГ 15)СМс)51 ЭЛЕ)СИТО) ИДЗ)ЯТЦ ОКс)311 ВДСТС 51 тСЦЬ МДЛОй.(.И)ТЬЦ)с) ЦЦС Ц Нф 01) М ДШЦ 1 ИРОИЗВОДЦТСЯ ВЦс) т За а т)СКЛ 130 ССТДНс 1 В,ЦВсИОЩИ)1 И ЦМИУЛЬСД зз ми иитдция иолдчсй на адресную шину 5 импульсов,;шдлогичиык восстаидвливающим.Если здиомицаюццй тиристор включен в эле)тситс памяти здгшсаид 1), то при подаче длрссюго импульса...
Однофазный триггер
Номер патента: 399012
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Гор, Климашин, Мансуров, Мартыненко, Талибов, Филиппов, Якушев
МПК: G11C 11/40
Метки: однофазный, триггер
...(ЧЭТ) 1, в результате чего тряпзпстор 2 з;крывдетс 5. Трдцзисто) 1 якк,5- крывается по базе уровпем О=-О.Таким образом, ток трдпзистордч,рзбазя-ко;Лектор пос, паст па )ХО;1 тря(з 1- сторцого усилителя 5 и открывает его, т. с.Я=О. По окопчации тактвого импульса(Т= 1) трап:3 стор 1 Остястс Открьты)1 пц и(.- реходу база-эмитер, тЯк к 3 щ. Г) =О Я т)дпзпстор 5 остается закрытым. Трдпзисторзяе)ыт, сост 05 ппс Г == 0 хряци51 КОв ТГцдпцдолго,Г)1 ким ццг(з( РО 1(.х(.т 1)51)1(5 .3:кода ) = О.1-слп т(.1 срь измсппть сиГНЯГ я 3 Хцд)(В= ), Г( прц пост) плспип гдктовогц импульса ( = - 0) открывается траизпстор дзабирает ток от транзисторы -1. ТряпзисторЦЫй СИЛИТСЛЬ д ЗДКРЫТ, фоР)ИРМСТС 51 СОСТЦ 5(- цие триггера Г) = . 1 ц окопчяпии такта(Т= 1)...
Матрица для оптопрограмлдируемого полупостоянного запоминающего устройства
Номер патента: 399013
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Басалыга
МПК: G11C 11/42
Метки: запоминающего, матрица, оптопрограмлдируемого, полупостоянного, устройства
...От)с.)П)иьХ электронов из подложки через пзолпруюш,ю ТОПКУ 0 ПЛСПЕМ ОЕПСП )СТЯЛЛД ПО;ЛО 1:П 13 2.3 СЛОИ ОЕПС 1 )1 сзПП 51 ЗЛСКТ)ОПЬ 1 П 01 ииБПС (; Г 0)КК СКО)51 ОТС 51 ПОЛСХ П, СТЗ;ЕП 31:СЬ С чс 1 стпцз ми:, п)п движепип В пор с 1 х), Быбп 210 т ВТОРПЧ)ЫС ЭЛСКТР 01)Ь 1. ОКИСЬ )сГНИЯ ОДПТС 5 Л 5 ЭТОГО ЕЗТОЯ 1 с) ЬЕО ПОТО ТО ,С( б)0 ц шои )(Оэффп цп ъп 3 Борпгцои эмп( (11То)П Пь(. Э.1(Е 1 Р 0 Ы ЯисЛОГсПО 13 ЫО 13 сОТ слсдуощис элсетроцы 1 т, д, В слое окиси мдгПП 51 П)ОПСХОДПТ;сБИПНОЕ УМПОЖСППС ЭЛСЕТГ)0- ЦО, ООЛ ЬШ 2 и Ч с)СТЬ КОТО)ЫХХОДПТ ЦсО;, с )спьш 51;)око)биип)уст с положптсгБпы)и попси. В коппс КОНИОБ мстдпс;и 3 Стс 5 ПОСТ 05 ПЦ 15 ЭПС.П 5 ЭЛСЕТООПО 3 С ЕЯТО.с 1. П и 7)- 1 ссс поддсржБдстся уже без псшпсго освсПСЦП 5.ВО Брсхя )х...
Способ изготовления диодной матрицы
Номер патента: 399914
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Чубов
МПК: G11C 11/36, G11C 5/02
...ацалогичцо указаццому ыше. При этом образуется устройство, показанное ца чертеже.На чертеже приняты следующие обозцачеция: титацовые полоски 1 - 4 и оксцдироац.цые медные полоски 5, 6.Полученное устройство скрепляют л к) бы ч цзизвестцых способов ц формуот поочсрсдцым 5 пропусканием постоянного токацротцоположных иаиралециях, Напряжеццс формо ки 10 - -15 в; оптимальная плогцость г)11 0,8 - 1 а/см, продолжительность 10 )2 чиц.Образоваццыеказанным спосооом тзл;1 х О решетки ве 11 гильцые элемс 1)гылад 1)р зковыраженной асимметрией вольт-ампсрцоц .арактерис ики. Кратцость прямых и обрг) гцгх т 01 ОВ при цеоольцПх гапр 51 жеццях д)сПг 11 десятков тысяч.5 Оригинальным свойством узлового эг Псаявляется способность резко увеличиаь )-...
Устройство памяти
Номер патента: 399915
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 17/00, G11C 5/02
Метки: памяти
...операцию замены карт при смене информации. является повышение пав работе.М, ЧТО В УСТРойСТВО 13 ВС. ных разъемных П-образбмотками, подключенными к блок 1 з Выборки, 11 пс"12 тн ка)кдой карь Вьполнснь 1 зазк рез дополнительный сердечник н ко один печатный проводник.5 На чертеже схлЯтпчсскн нзо ройство пам)пн на 1 пб)кнх кар) двснадца гпразр 51:Пых слова. Пос 05)нное:Яном)Паюнсс устройство нагнб:,3 х к:)ртх 000 ОП Из па,Ста гиокх Ярт 1, на коорые ннесси,1. псчатньс проьч)дшки 2. В ) 11)срстн 51, нроб 13 тыс в пакете гибких карт, Встя 1)лены разряди)ц 8 н доп)1 Ппгсл- ныс 4 разъемные П-образныс фсрр)попые ссрдечн 31, Печатнын провод ПЯ г 13 б 1.Он 1,арте ООХВЯ ГЫВЯСГ ТОЛЬКО ОДНИ ДОПОЛНПТС,1 ЬНЫЙ СЕР ДСЧННК, СООТ 1)ЕГСГ 13 УОП 1 НЙ Д 2 ННОМУ...
Интегральная ячсика для гшс1и51иниги запол1и н ающего ус i poiici ва
Номер патента: 399916
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/40, G11C 17/00
Метки: poiici, ающего, гшс1и51иниги, запол1и, интегральная, ячсика
...фОца сос)о 1 и., 1 ДП-)рдизис 1 оров, выполцеццых ца плдсгипс 1 кремния ц-типа с кдр манами 2 р-тица. Обд трдцзистора имеют общий плавающий затвор 3, выполцециый, например, из поликрисгаллического крсмция и отделенный от плдс)ицы кремил диэлектрическим слоем 4 двуокиси кремния толщиной 500 -000 Л. Плдва)ощий затвор закрыт сверху илекот 5 диэлектрик), цапример пиролитическо) двуокисью кремиия.На шш(у 6 поддс)с: сигнал здписи и считы вдция. Сток ) кдиальцого )рдц.)ис)ора 7 сосдицеи с исо)(о 1 Ь г-кдц альогордзис Орд.Рассмотрим рдбо)у здпомццдющсй ячейкив схеме включен, и 1)сдстдвлеццой ца фиг. 2.В исходцом сос)о,)ции при нулевом заряде О ца плавд)огцем за)воре 3 обд трдзисгорд закрыты, по)еццпал ца выходе ячейки цсопределен, При подаче...
Ahajloroboi: ; запоминающее устройство
Номер патента: 399917
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Авторы
МПК: G11C 11/08, G11C 27/00
Метки: ahajloroboi, запоминающее
...сердечников 4 и 5,Перед записью новой информации импульс сброса, поступающий с формирователя 21, устанавливает все сердечцики и трансфлюксоры в исходные состояния, например, состояния отрицательного насыщения.На фиг. 2 а, б, в, г и д показаны петли гистерезиса в координатах УУ, Ф зрацсфлюксоров (а, б), входных сердечников (в, г) и формирующего сердечника (д). В качестве сердечников 4, 5 и 3 можно использовать такие ьке трансфлюксоры, как и в элемецте памяти. При этом малые отверстия це используются. После поступления импульса сброса оба трацсфлюксора оказываются заблокированными и напряжение УУв,х на выходном устройсьве 23 равно нульо. Затем поступает команда записи, запускающая формирователь 22, Под действием импульса напряжеция...
Способ запоминания интервалов времени
Номер патента: 399918
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 27/00
Метки: времени, запоминания, интервалов
...интервалов времени являются весьма жесп.це требования, предъявляемые к устройс 1 ву вычптацця пцлообразцыхьапряжеццй / ц С/ и устройству сравцеццяразцосп Ь - 11 ц Уа.20 Целью цзобретецця является повышениеточности запом 1 шацця и 1 г 1 ервалов времецц.Величина воспроизведенного ц 1 г 1 ервала це зависит от д.иггельцости импульсов, формирующих задеря;ку, это позволяет существеццо25 упросп 1 ть ус 1 ройства, реализующие способ,Од 1 ювремеццо повысить точцость ц стаоцльНОСТЬ.По предложенному способу по окоцчацццстопового импульса повторно формируют30 стартовый. 3 атем в м Омеца ы, соотве 1 ствую(орректор Е. Хмелев Подписно аказ 203/14ЦНИИПИ Изд, Мсударствпо делМосква,49 Тирагк 576нного комитета Совета Министров СС м изобретений и...
Удк 681. 325. 65 (088. 8)
Номер патента: 400914
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Изобретени, Ильичева, Канавина, Шишков, Экономов
МПК: G11C 11/16
...Н. Г. Канавина иономовена Трудового Красного Знаменитет им. М. В. Ломоносова ляризованного света и регпстрир) ют проходя.щий,пучок света под углом днфракцпи.Сущнос предложенного сособа заключается в следующем.При прохождении плоскополяризованногосвета через пленку с полосовой доменной структурой вследствие магнитооптического эффекта Фарадея плоскость поляризации свео та поворачивается на угол а в ту или другу 1 осторону в зависимости от направления намагниченности в полосовьтх доменах, т. е. в проходящем свете появляются компоненты с плоскостью поляризации, ортогональной пло скости поляризации падающего сзета. Этикомпоненты имеют одипаковую амплитуду, но разность фаз колебаний электрического вектора составляет 80". Для этих...
401997
Номер патента: 401997
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G06F 13/00, G11C 8/12
Метки: 401997
...1.Входы регистров 1 - 4 и счетчика 5 подключены к выходу схемы ИЛИ 9, входы которой соединены с выходами и накопитель 20 ных блоков 10. Выходы схем И 7 и 8, относящихся к соответствующему накопительномублоку 10, подсоединены ко входам дополнительно введенных и схем ИЛИ 11, выходыкоторых подключены ко входам блоков 10.25 Адресное устройство работает следующимобразом,Информация о накопительных блокахчисел и команд 10, с которыми предстоитработа, предварительно записывается в этих30 блоках. Во время операции переключения ин401997 логике, единой для томатически, по счетнойсчетчика 5 и регистра 3,Составитель В. Рудаков Техред Л. Грачева Корректор М. Лейзерман Редактор Т. Орловская Заказ 27/7 Изд. М6 Тираж 647 Подписное ЦНИИПИ...
402057
Номер патента: 402057
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 7/12
Метки: 402057
...8, 9 в цепях шин У, дополнительные ключи 10, 11 в цепях шин Х, управляющие входы ключей и формирователей 12 - 19, выходы адресной сетки 20 - 23.При отпирании ключей 4, 6 ток от источника напряжения Е 1 протекает через резистор 3 и диод 1 в соответствующей ячейке, При этом в диоде 1 накапливается заряд. Диоды 2 во всех ячейках заперты, если на шинах запоминающих матриц, соединенных с выходами сетки 20 - 23, поддерживается нулевой потенциал, так как напряжение смещения - Е, может быть выбрано так, что аноды диодов 2 окажутся под отрицательным напряжением, напряжение Е, может быть выбрано близким к нулю. Если после запирания ключей 4, 6 открыть ключ-формировательи ключи 10, 11, напряжение на соответствующей вертикальной шине повышается...
402058
Номер патента: 402058
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/00, G11C 29/00
Метки: 402058
...дешифраторов 2 и 3 и формирователя 10 дополнительной шины У. Выходы элементов 9 соединены через формирователи 4 с шинами Х.Блок 5 включает 18 ЗЭ, из которых два ЗЭ - резервные. Резервные ЗЭ расположены на пересечениях дополнительной шины У и двух шпн Х, управляемых элементами ИЛИ 9 В поле 4 х 4, согласно числу выходовдсшифраторов 2 и 3, неисправных ЗЭ могуг быть расположены нроизг 1 ольно. 1 игло выходов402058 10 Составитель Б. Гласно Редактор Л. Утехина Техред Т, КурилкоКорректор М, Лейзерман Изд. М 12 Подписно го комитета по делам ры ии наб., д, 415Заказ 318/5Тираж 576ЦНИИПИ ГоСовета МикиизобретМосква, Ж.35 ударственно стров СССР пий и отк РаушскаяТипография, пр. Сапунова 3блока 6 соответствует числу неисправных ЗЭ и равняется двум....
402059
Номер патента: 402059
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/02
Метки: 402059
...три фсрритовых слоя. На внешний ферритовый слой 1 нанесена система проводников 2. Второй внешний фсрритовый слой 3 содержит систему проводников 4, ортогональную проводникам 2. Слои 1 и 3 выполнены из низкокоэрцитивного материала и отделены один от другого средним фсрритовым слоем - пластиной 5 из высококоэрцитивного материала, коэрцитивная сила рого больше, например, на порядок, а остаточная индукция ниже, чем у материала слоев 1 и 3. При сборке матрицы слой 1 помещают первым снизу, средний слой - пластину 5 вторым, а слой 3 - третьим. Общая структура отожженной матрицы монолитна. После прессовки отжига слои 1, 3 и 5 имеют прямоугольную петлю гистсрсзиса. Изготовление внешних фсрритовых слоев 1 и 3 из низкокоэрпитивного феррита, а...
402060
Номер патента: 402060
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/02
Метки: 402060
...(ПЗУ), накопители которых при емкости Ж и-разрядных двоичных чисел содержат Ж числовых шин и и-разрядных шин. В узлах пересечения шин включены элементы связи, соответствующие наличию единицы в данных разрядах чисел. Наиболее часто в качестве элементов связи между числовыми и разрядными шинами применяют резисторы, конденсаторы, диоды, биполярные и МОП-транзисторы, ферритовые сердечники и др.Однако известные накопители для ПЗУ содержат сравнительно большое число элементов связи. С увеличением емкости устройства увеличивается коэффициент ослабления (отношения выходного сигнала дешифратора к сигналу единицы на разрядной шине), т. е. ухудшается соотношение сигнал-помеха.Это ограничивает емкость устройства и снижает его...
402061
Номер патента: 402061
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/02
Метки: 402061
...тцр:1 сторпыс ддрссцыс ключи 4. Лцодцым пита:цсм тцрцсторов служит положител 1 Н 1 ос цдпряжсццс импульсов считывания и записи.Лдреспые шпцы 3 сосдц 11 сы чсрс.; рдздсл;1- тельные диоды 5 с НП 1:дмц с;ц 1 ыддццц 6 и чсрез раздслигсльцыс диоды 2 с разрядными шинами 7. К гпп 11 д 7 подкл 10 чспы формцрователи импульсов записи 8 форацвющцс тоКОВьге импульсы НОложцегы 01 полярпосги, Сигналы усилцваюгся усцлцтелямц 9. С адресного блока 10 и; Упрдвл 5 Оццс электроды ключей 4 поступают импульсы выоорд ц адреса, длителыОсть 0 цс мецес полного цикла считывание здццсь. Цикл счпы:дццс - запись ОН 11 едслсгс 1 двммн г 1 кт 11 ц, С.сдующцмц одц 1. з; другцм. В гдк счцтывд 1 Пя формцровдгсль цмул сов с 1 цтьВ;ц 11, когорый подклО:1 сц ко Все:, П 1...
402062
Номер патента: 402062
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/06
Метки: 402062
...такта записи в определенный моментвремени выбирается шина 1, и по ней подает- ЗО ся ток, списывающий информацию с сердеч402062 30 Изд.108 Заказ 799,б Тираж 57 б Подписное Тппограф:я, пр. Сапунова, 2 Н 11 КП 1 1 СРСЗО.11 Ц 1 С О 1 СО(ОИ 1 нрп этом нг БыходпОй шпнс 7 воз 1 И 1 сСт вь. ходной сигнал. Сердечник 5 выбирают малых размеров и с низкой 1 соэрцитивпой сг.1 О 1, чтобы импульсы по ветви 1 были малой длительности и амплитуды,Кас известно, основное потребление мощности (до 90%) происходит в разрядных цепях, оно растет пропорционально числу разрядов. Предложенная ячейка отличается очень малым потреблением мощности в разрядных цепях, так как запиранием диода управляет напряжение, а величина разрядного тока очень мала. Оборудование...
402063
Номер патента: 402063
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/06, G11C 7/00
Метки: 402063
...записи 5. Согласующее сопротивление 3 состоит из двух15 последовательно соединенных сопротивленийб и 7, а согласующее сопротивление 4 - издвух последовательно соединенных сопротивлений 8 и 9. Одни разноименные концы двухпервичных обмоток 10 ц 11 входного транс 20 форматора 12 усилителя воспроизведения 13подключены к сопротивлецшо 7 через режсктор 14, а другие разноименные концы подсоединены непосредственно к сопротивлению 9,Числовая линия 15 служит для подачи ад 25 ресного тока считывания.При протекании разрядного тока записи цзза искусственного дебалацса мостовой схемы,достигнуто за счет разбиения согласующихсопротивлений 3 и 4 на составные части б, 7З 0 и 8, 9 на концах цепей первичных обмоток 10Составитель Е, Ив Техред Л....
402064
Номер патента: 402064
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 11/38
Метки: 402064
...трдцзистора; диод, вкл 1 очеццый между базой записывающего транзистора и корпусом.Схема устройства изображена ца чертеже, где обозначено: 1 - 7 - диоды, 8, 9 - обрдщеццые диоды, 10 - трдцзисаоры записи, 11 - транзистор считывания, 12, 13 - резисторы и 14, 15 - конденсаторы.Предлдгдемое устройство содержит трдцзистор записи; развязывающую цепь; трц последовательцо включенных диода в цспц записи; двд последовательно включеццых диода в цепи считывания; пару Гото и последовдтельцо включеццьш с цей диод; диод в базовой цепи записывающего трап зистора; транзистор считывация; резистор в базовой цепи транзистора считывания; дпффереццирующую цепь в базе транзистора записи.402064 С оста вн тель Р. Я вор овс к ехред Л, Гра рректор Л. Царькова...
402065
Номер патента: 402065
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G11C 17/02
Метки: 402065
...каркаса в плоскости, параллельной плоскости окна сердечника.1-1 а запоминающих элементах трансформаторного типа можно создать постоянное запоминающее устройство, в котором общий жгут кодовых проводов можно разделить на отдельные группы с уменьшенной емкостцой связью, с повышеннои плотностью за ия окна сердечника, с минимальным шаг жду запоминающими элементами ц уд М замены кодовых проводов.5 На фиг. 1 изображен описываемый запоминающий элемент; на фиг. 2 - сердечник трансформатора с надетыми каркасами.Запоминающий элемент содержит каркас 1,перегородку 2, группу кодовых проводов 3, 10 сердечник 4 трансформатора. Каркас выполнен из изоляционного пластичного материала, имеет разделительные перегородки, которые удерживают кодовые провода...