Канал для продвижения цилиндри-ческих магнитных доменов

ОП ИСАНИЕИЗЬБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ853674 Союз СоветскикСоциалистическихРеспубликОпубликовано 07.08.81. Бюллетень29Дата опубликования описания 17.08.81 по делан изобретеиий и открнтий(71) Заявит 54) КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ Х ЦМД. Устройгающих струкмощность.Наиболееслучае, когдакации на друтрансляционнов структу).преодоление дкациями являпродвижения,работоспособнния. тва на таких дометурах потребляют продви ольви ю ярко это проя переход ЦМД гую осуществ го движения ( Кроме того, в оменом зазора ется критичесограничиваю ости канала п вляетс с одно ляется наприм таких между ким м щим о полю я в том и апплиза счет ер, Т - 1 каналахапплиоментом область смещеИзобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих и логических устройствах, в которых носителями информации являются цилиндрические магнитные домены (ЦМД).Известен канал для продвижения ЦМД, содержащий токопроводящие аппликации, наносимые на поверхность пленки-носителя ЦМД 1. Недостатками такого канала являются большое потребление мощности, невысокая плотность компоновки доменных интегральных схем.Наиболее близким техническим решением к изобретению является канал для продвижения ЦМД, который содержит, как и предложенный, магнитоодноосную пленку, на которой последовательно расположен слой диэлектрика и ферромагнитные аппликации 2.Недостатком известного канала для продвижения ЦМД является большая величина энергетического барьера в местах расположения зазоров между соседними по направлению движения доменов аппликациями, а следовательно, большая величина магнитного поля, необходимого для продвижения Целью изобретения является уменьшение потребляемой мощности и повышение надежности канала для продвижения ЦМД.Поставленная цель достигается путем того, что в канале в слое диэлектрика выполнены углубления, расположенные между ферромагнитными аппликациями.На чертеже изображена принципиальная схема предложенного канала для продвижения ЦМД.Канал для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой последовательно расположены слой диэлект8536744ребляемая мощность и повышается надежность канала для продвижения ЦМД,Формула изобретения 3рика 2 с углублениями 3 и ферромагнитные аппликации 4.Как известно, домен стремится занять положение, соответствующее минимуму его энергии. Ферромагнитные аппликации канала, взаимодействуя с ЦМД, уменьшают его магнитостатическую энергию, т.е, действуют как потенциальные энергетические ямы. В местах расположения зазоров между соседними аппликациями 4 имеют место энергетические барьеры. Для продвижения домена по каналу требуется перемещение потенциальных ям, что достигается приложением к каналу плоского вращающегося магнитного поля. Максимальное значение напряженности плоского поля, при котором домен будет продвигаться по каналу, определяется величиной энергетического барьера. Благодаря углублениям 3 в слое диэлектрика 2 между смежными аппликациями 4 увеличивается составляющая поля рассеяния аппликации, взаимодействующая с полем рассеяния домена. В результате уменьшается энергетический барьер в местах расположения зазоров, а следовательно, уменьшается пот- а 5Канал для продвижения цилиндрическихмагнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой последовательно расположены слой диэлектрика и ферромагнитные аппликации, отличающийся тем 1 О что, с целью уменьшения потребляемой мощности и повышения надежности канала для продвижения цилиндрических магнитных доменов, в слое диэлектрика выполнены углубления, расположенные между ферромагнитными аппликациями. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Боярченков М. А. и др. Магнитныедоменные логические и запоминающие уст 20 ройства, М., Энергия, 1974.2. Патент США3895364,кл. 340 в 1, опублик. 1978 (прототип).ароши 1130илиал Редактор Л. УтехинЗаказ 5681/27В Составитель Ю. РТехред А. БойкасТираж 645ИИПИ Государственногопо делам изобретений5, Москва, Ж - 35, РаушППП Патент, г. Ужгоро озентальКорректор МПодписноекомитета СССРи открытийская наб., д. 4/5д, ул. Проектная,