G11C 16/04 — с использованием транзисторов с переменным порогом, например лавинно-инжекционного моп-транзистора с плавающим затвором

Номер патента: 565327

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Свердлов, Соскин

МПК: G11C 11/34, G11C 16/04

Метки: памяти, ячейка

...ячейке ограничение величины записывающего напряжения О отрицательно сказывается на надежностиячейки.Целью изобретения является повышение надежности за счет увеличения допустимого напряжения записи, В описываемой ячейке это 5 достигается тем, что в ней между затвором истоком запоминающего транзистора с плава юшим затвором включен конденсатор.На чертеже показана описываемая ячейка, Опа содержит запоминающий транзистор 1 О с плавающим затвором, последовательно сое/з - (/с +п)Сзс Формула изобретения Составитель И. Малкис Тюрина Текред 3. Тараненко Корректоепанова едактор каз 1654/18 Изд.609 Тираж 738 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подпнсно...

Номер патента: 680051

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Коломийцев, Мурашев

МПК: G11C 16/04

Метки: запоминающий, инжекционный, элемент

...Составитель Ю. Ушаков Редактор НКаменская Техред 0 Андрейко Корректор В. БутягаТираж 681 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 480 г 48 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 других аналогичных элементов окислом7 и расположен в подложке 8. (Следуетотметить, что наличие окисных областей 7 является несущественным приз -наком) .Запись, хранение и ситывание операгивной информации в предлагаемыйинжекционный элемент осуществляется по известной методике. При этом,емкость, образованная дополнительнымэлементом - электродом 6, слоем диэлектрики 5 и областью 3, включенапараллельн о ( з апомин ающей ) емкостибазо-коллекторного перехода запоминающего...

Номер патента: 680053

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Вавилов, Клейман, Коломийцев, Миллер, Мурашев

МПК: G11C 16/04

Метки: долговременный, запоминающий, элемент

...транзистора, сток которого соединен с затвором управляющего транзистора и подключен к разрядной шине.На фиг. 1 показана схема предлагаемого запоминающего элемента; на фиг. 2 - структура запоминающего элемента. Запоминающий элемент содержит программируемый с помощью ионизирующего излучения запоминающий МДП- транзистор 1, управляющий МДП-тран680053 формула изобретения Составитель Ю,. Ушаковая Техред О.Андрейко Корректор В. Бутяг Редактор Н. Ка Тираж 681 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/ Заказ 4802 тент, г. Ужгород,ектная, 4 лиал П.гГ Д 1 ГФФэистор 2,", друрэбваюбай диод 3 числовуюшййу.4 и разрядную шину 5.Запись оперативной информацииосуществляется следуюшим...

Номер патента: 680054

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Вавилов, Гаврилов, Коломийцев, Миллер, Мурашев, Щетинин

МПК: G11C 16/04

Метки: долговременный, запоминающий, элемент

...которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, база которого подключена к числовой шине записи.На фиг. 1 показана схема запоминающего элемента; на фиг. 2 - структура запоминающего элемента,который содержит программируемый с помощью ионизирующего излучения МДП-транзистор 1, биполярный транзистор 2, диод 3, разрядную шину 4, числовые шину записи 5 и шину считывания бЗапись оперативной информации в запоминающий элемент происходит следующим образом: на шину записи б680054 г Составитель Ю. УшаковТехред О, Андрейко Корректор В. Бутяга едактор Н. Каменск Тираж 681 ЦНИИПИ Государственного по делам изобретений 113035, Москва, Ж, РаушЗаказ 4802/ Подписноеомитета СССРоткрытийкая наб., д. 4/ илиал ППП Патент, г. Ужгород, Ул. Проектная, 4...

Номер патента: 763968

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Козырь, Петросян

МПК: G11C 16/04

Метки: запоминающее, полупроводниковое, постоянное

...причем инжекторы 21 подключены к шине 15 источника питания.Полупроводниковое постоянное запоминающее устройство работает следующим образом,На входы 8 устройства (базы 6 адресных первых транзисторов 1 с инжектором 7 р-типа и базу 5 управляющего транзистора 3 с инжектором 4 р-типа) подается код адреса (комбинация сигналов низкого и высокого уровня напряжения на базы 6 адресных первых транзисторов 1 с инжектором 7 р-типа и низкий уровень напряжения на базу 5 управляющего транзистора 3 с инжектором 4 р-типа), При этом накатодах 18 базовых диодов 19 Шотткивыбранного запоминающего транзистора 20 с инжектором 21 р-типа устанавливаются высокие уровни напряжения. В результате. из выбранного з апоминающего транзистора 20 с инжектором 21...

Номер патента: 851495

Опубликовано: 30.07.1981

Автор: Фойда

МПК: G11C 16/04, G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...1 - 5, шину 6 нулевого потенциала, тактовые шины 7 и 8, информационные входы 9 и 10 ячейки памяти, выходы 11 и 12, инжекторы 13 - 17.Работу ячейки памяти рассмотрим на примере регистра сдвига.Предложим, что в момент времени Т 1 (фиг. 2) регистр находится в следующем 4 О состоянии: низкий потенциал на базах транзисторов 2, 3 и 5 первой и второй ячеек памяти и базах транзисторов 1 и 3 третьей ячейки памяти, а высокий потенциал - на базах транзисторов 1 и 4 первой и второй ячеек памяти и базах транзисторов 2, 5 45 и 3 третьей ячейки памяти.В момент Т 2 на тактовую шину 7 приходит первый отрицательный импульс, который поступает на базы транзисторов 2 ячеек памяти и вызывает на базе транзистора 1 третьей ячейки памяти в момент...

Номер патента: 1136217

Опубликовано: 23.01.1985

Автор: Бычков

МПК: G11C 16/04, G11C 19/28

Метки: регистр, сдвига

...между собой, а их базы че - реэ дополнительные инжекторы 7 и 8 соответственно - с шиной 17 питания, причем база установочного и-р-и-транзистора 12 соединена с шиной "Установка в О". Эмиттеры20 р - и-р-транзисторов 9 и 1 О связи подключены к соответствующим базамдвухколлекторных и-р - и - транзисто -ров второго триггера 4 и 3, а коллекторы - к базам соответствующих двухколлекторных и-р в и в транзист первого триггера 1 и 2.Вторые коллекторы двухколлектор -ных и-р - и-транэисторов 3 и 4 второготриггера являются выходами 15 и 16 30регистра сдвига,Регистр сдвига функционируетследующим образом,Шина 17 подключена к положительно -му потенциалу источника питания, ашина 18 в ,к нулевому потенциалу источника питания. Перед началом работы...

Номер патента: 1243038

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Каперко, Караханьян

МПК: G11C 11/35, G11C 16/04, G11C 7/00 ...

Метки: записи, зарядовой, информации, прибор, связью

...при изменении поверхностного потенциала под ним. На входной диффузионной области ПЗС Формируется низкий уровень напряжения Ц 4 ы, которое меньше, чем на 0,1 В опорного напряжения Усп, подаваемого с генератора опорного напряжения на входной затвор ПЗС, При -том обеспечивается инжекция заряда из входной диффузионной области под плавающий затвор. Количество заряда, попавшего в потенциальную яму под плавающим затвором, изменяет величину поверхностного потенциала (фиг.2) от величины напряжения питания Бли до Уп , Изменяемое напряжение с плавающего затвора ПЗС подается на второй вход схемы сравнения, а напряжение входного сигнала подается на первый вход схемы сравнения и в случае равенства этих напряжений 10 5 20 25 30 35 ч 0 45 50 на выходе...

Номер патента: 1432609

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Вешняков, Гавриленко, Мороз-Подворчан, Сергеев

МПК: G11C 16/04, G11C 19/28

Метки: буферного, запоминающего, регистр, сдвига, устройства

...4регистра закрыты, поскольку инжектируемый в их базы по импульсам Ф, иФ заряд не накапливается, а отводится через один из двух (который открыт) и-р-и-транзистор. Из базы транзистора 4 1-го разряда инжектируемыйзаряд отводится через элемент 12.При записи нового слова в буферное50ЗУ инжектируемый поимпульсу Ф зарядбазы транзистора 4 1-го разряда неотводится, а накапливается в нем,вследствие чего транзистор открывается,1-й триггер переключается в 1пи 55на 1-м выходе регистра действуетимпульс, по которому входное слово записывается в первую числовую линейку(ЧЛ) накопителя буферного ЗУ. Затем по импульсу Ф инжектируемый заряд накапливается в базе транзистора 4 2-го разряда, транзистор открывается, переключая в " 1" 2-й триггер и...

Номер патента: 1532977

Опубликовано: 30.12.1989

Авторы: Варшавский, Кондратьев, Мараховский, Цирлин

МПК: G11C 16/04, G11C 8/04

Метки: запоминающее, очереди, типа

...потенциал откроет МОП-транзистор 44.2 (фиг,Э) и низкий потенциалс инверсного выхода элемента 31,2блока 7 через открытые МОП-транзис 45 торы 44,2 и 46.2 поступит на инверсный вход - выход элемента 31,3 блока .7, что вызовет переключение последнего в единичное состояние, которое вьгзовет срабатывание элемента 42,2, и50 на адресной шине 2,2 записи появится высокий потенциал. Лалее происходит запись информации во,второй элемент 31.2 памяти блока 1, и переходный процесс в устройстве завершается55 появлением высокого потенциала навыходе 30 (фиг,1),После этого на входе 26 вновь восстанавливается низкий потенциал иустройство опять возвращается в со 1532977с тояние, аналогичное исходному, однако теперь информация записана уже впервой и втором...