Патенты с меткой «цилиндрическихмагнитных»

Номер патента: 796910

Опубликовано: 15.01.1981

Автор: Белкин

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155

Метки: доменов, регистрации, цилиндрическихмагнитных

...перпендикулярная плоскости пленки, не определена,что следует из соотношения неопределен-ностей Гейзенберга. Поэтому энергияэлектрона в пленке, так же как и любойдругой квазичастицы, определяется продольными проекциями кваэиимпульса (вплоскости) и дискретным квантовым числом по нормали. В полупроводниковыхпленках кваэидискретность спектра носителей тока проявляется в осциллирующейзависимости термодинамических, оптиче -ЭЮских и кинетических характеристик оттолщины пленки, причем размерные зависимости удельного сопротивления, магнитосопротивления, постоянной Холла и халовской подвижности претерпевают аномально большой скачок при определенныхзначениях толщины пленки. Аномальное(квантованное) изменение магнитосопротивления и постоянной Холла...

Номер патента: 801099

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, компрессор, цилиндрическихмагнитных

...ДЛ ЦМД под угломо(90 по отношению к основоным связующим 1-образным ферромагнитным аппликациям и между смежными ДЛ ЦМД параллельно основным связующим 1-образным ферромагнитным аппликациям.ЦМД, поступающий на вход Х, отслеживая полюса аппликаций, возникающие под действием магнитного поля управления Н, в момент времени, соответствующий фазе Ф, деформируется в растянутый магнитный .домен на аппликациях 6 и вызывает смещение резидентного ЦМД 2 иэ первой ДЛ 3 и его одновременное растяжение на концах аппликаций 5 и 6 между первой и второй ДЛ. Это в свою очередь вызывает выталки" вание резидентного ЦМД иэ второй ДЛ 3 и его растягивание на концах аппликаций 5 и б между второй и третьей ДЛ и т.д. Резидентный ЦМД последней ДЛ 3 появляется на...

Номер патента: 803011

Опубликовано: 07.02.1981

Авторы: Прохоров, Сергеев, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, переключатель, цилиндрическихмагнитных

...занимает позицию внутритоковой петли (см.фиг.4). Пропусканием импульсного тока через шину(см.фиг.5) этот конец домена уничтожается магнитным полем проводникас током, а та часть домена, котораяоказывается при указанном на фиг.4направлении н-вектора, управляющегомагнитного поля за пределами петли,приобретает в магнитном поле смеще"ния цилиндрическую форму и переходитпри дальнейшем вращении вектора управляющего поля в канал связи 3.фиг. 2-5 иллюстрируют переключениеинформационных потоков ЦМД из регистра хранения в канал связи (разрушающее считывание или стирание информации из накопителя) .Если импульсный ток не пропускается по управляющей шине в моментвремени, когда растянутый домензанимает позиции, соответствующиенаправлению вектора,...

Номер патента: 809373

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Ломов, Скобелин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, продвижения, цилиндрическихмагнитных

...б) притягивающий полюс образуется на узком конце аппликации 2 , а также на вершине аппликации 3, н ЦИД 5 растягивается, захватывая аппликации 2 и 3. Когда вектор Н займет положение, показанное на Фиг. 2 в, на аппликации 2 образуется отталкиаающий ЦМД полюс, а на аппликации 3 притягиваищий полюс сместйтся 15 на левую среднюю часть и ЦМД 5 переместится вслед. эа притягивающим полюсом. При положении вектора Н показанном на Фиг, 2 г, притягивающий полюс образуется на нижней части аппли кации 3 и ЦМД 5 переместится вслед за перемеСтившимся полюсом. При положении вектора Но,показанном на фиг. 2 д притягивающий полюс образуется на правой средней части аппликации 3, ку- . да соответственно переместится ЦМД. При положении вектора Н ,...

Номер патента: 830558

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Гогин, Кадкин, Чистополова

МПК: G11C 5/00

Метки: доменах, источник, магнитного, накопителя, поля, смещениядля, цилиндрическихмагнитных

...СССР Ж 577562, кл. (3 11 С 5/00, 1977. 2. Патент США Ж 4027298 кл. 340-174, опублик. 1977 (прототип).3 8308достижения заданной напряженности магнитного поля намагничивание и частичное размагничивание необходимо проводить несколько раз, чтобы подобрать ин-,дукцию магнитов, обеспечивакщую необходимую напряженность магнитного поля,. а так как при работе с различными образцами источников одного типа наблюдается определенный разброс геометрических и магнитных параметров, достижение заданной напряженности еще болееусложняется и требует многократногонамагничивания и многократного частич,ного размагничивания образцов.Цель изобретения - повышение точности установки напряженности магнитногополя смещения.Поставленная цель достигается тем,что...

Номер патента: 830564

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Жучков, Коростелев, Мочалов, Набокин, Шмелева

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменах, записи, информации, оперативноезапоминающее, цилиндрическихмагнитных

...смещения до величины,соответствующей существованию вмагнитоодноосной пленке устойчивыхЦМД, и снимают планарное магнитноеполе.Магнитоодноосная пленка 1 с расположенной на ней ферромагнитной аппликацией 2 (фиг. 1 а) помещается в магнитное поле 3 смещения, направленное перпендикулярно поверхности пленки 1. Величина поля 3 смещения такова, что пленка 1 намагничена до насыщения, После этого к пленке 1 с аппликацией 2 (фиг, 1 б) прикладывают планарное магнитное поле 4 и намагничивают аппликацию 2 до насыщения, после чего уменьшают поле 3 смещения до величины поддержания стабильных ЦМД, При этом вертикальная компонента поля рассеивания аппликации 2 зарождает ЦМД 5, поскольку направление этой компо кенты противоположно полю 3 смещения. Если...

Номер патента: 830571

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Иванов, Миляев, Спиваков, Сурина, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающихустройств, цилиндрическихмагнитных

...слоем хрома),выполняет непосредственно рельеф поверхности пленки. При этом глубинаудаленного приповерхностного слояоблученных участков пленки определя20 г (калий бромистый) 5-7 мл (бром жидкий) 100 мл (вода дистиллированная) КВг Вг Н ,. и травителя для Сг-НС (солянаякислота) при комнатной температуре,сопровождающееся одновременным травлением облучением слоя пленки, приводит к возникновению рельефа ееповерхности, остающегося при полномудалении маскирующего покрытия ипозволяющего осуществить ориентациюуправляющих элементов относительнодоменопродвигающей структуры придальнейшем их формировании методамистандартной фотолитографии Формула изобретения 1, Способ изготовления запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах,...

Номер патента: 841041

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Маркелис, Пранявичюс

МПК: G11C 11/14

Метки: дляподавления, дозы, доменов, жестких, ионов, цилиндрическихмагнитных

...схема эксперимента и распрелеление дозы в образце,Образец облучался сканирующим ионным пучком относительно оси У, угол сканирования - 6. Имплантировались иоцы аргона, с энергией 50 кэВ, дозой Оц см ф и плотностью ионного тока в пучке 1 О мкА/смф На расстоянии 1 - 3 мм от имплацтируемой пленки 1 находился экран 2, которым закрывалась часть образца. Вследствие условий, в пленке феррит-граната после имплантации получены 3 различные области: не- облученная - 1, облученнаая с максимальной дозой Фо - 1 и цеолнородно облученная 11. Область 11 вследствие неоднородного облучения: при сканировании ионного пучка относительно оси У формируют с линейно изменяющейся дозой (фиг. 1 б)Ф(У) = Фсм (1) гдс д - ширина области 11, Фо - максимум дозы...

Номер патента: 842958

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Прохоров, Раев, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, переключатель, управляемый, цилиндрическихмагнитных

...растянутого домена на два ЦМД (фиг. 5 и 6). Домены,продвигающиеся по каналу 4 - 5 (фиг. 4 - 5 а или по каналу 6 - 7 (фиг. 6 а), растягиваются в полосовые домены, захватывающие своими концами оба канала (фиг. 5 б и фиг. 6 б), При следующих поворотах вектора управляющего поля эти концы полосовых доменов занимают соответствующие направлению управляющего поля позиции ЦМД каналов продвижения последних (фиг. 5 в, г и фиг. 6 в, г). При пропускании импульсного тока через шину управления каждый из полосовых доменов делится на два ЦМД, один из которых при дальнейшем вращении вектора управляющего поля продвигается по каналу 4 - 5, а другой - по каналу 6 - 7 (фиг. 5 д и фиг. 6 д).Управляемый переключатель ЦМД может работать в режиме выборочного...

Номер патента: 851489

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Ильяшенко, Паринов

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, считывания, цилиндрическихмагнитных

...магнитоодноосную пленку 1, на которой расположен магниторезисторный датчик 2 с токоподводящими шинами 3, магнитосвязанный с расширителем 4 ЦМД на ферроф магнитных аппликациях 5, и дополнительные ферромагнитные аппликации 6, например, шевронной формы.851489 Формула изобретения нопро 3 пеяое Ицаеноя деоенеЕ 111 Ю. Розенйкас СоставительТехред А. Бо ТиражХ 45 дарственного изобретений Ж - 35, Рау нт, г. Ужго альКорректор Н. ШвыдкаПодписноеСССРтийб д, 4/5Проектная, 4 дактор Е. Дичинскаяказ 6368/73ВНИИПпо113035, МФилиал ППП И Госуделамосква,Пате комитет и откры шская на ул. Устройство работает следующим образом,В соответствии с движением управляющего магнитного поля домены перемещаются по расширителю 4 и датчику 2 в направлении справа налево....