Колосанов
Элемент памяти
Номер патента: 936727
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Колосанов, Синица
МПК: G11C 11/40
Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в противоположном слое которой расположены истоковые и стоковые области второго типа проводимости, плавающий и управляющий затворы, изолированные друг от друга и от полупроводниковой подложки диэлектрическими слоями и перекрывающие края истоковых и стоковых областей, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит высокоомный слой полупроводника, отделяющий стоковую область от полупроводниковой подложки.
Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 974924
Опубликовано: 20.06.1999
Авторы: Ерков, Колосанов
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства
Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные шины второго типа проводимости; на поверхности полупроводниковой подложки и диффузионных шин расположен первый диэлектрический слой, адресные поликремниевые шины, расположенные перпендикулярно разрядным поликремниевым и диффузионным шинам, поликремниевые электроды, второй, третий и четвертый диэлектрические слои, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции, на первом диэлектрическом слое расположены поликремниевые электроды, на поверхности которых размещен второй диэлектрический слой, на...
Устройство для измерения коэффициента отражения поверхностей
Номер патента: 1562794
Опубликовано: 07.05.1990
Авторы: Колосанов, Марков
МПК: G01N 21/55
Метки: коэффициента, отражения, поверхностей
...приэтом свет эффективно рассеивается ичерез прорези в светонепроницаемыхэкранах 8 и 9 попадает внутрь образцов, Велицины световых потоков ЙР иЫ с участков прорези 61 вблизи торцов со стороны истоцника излученияи на расстоянии 1 от этих торцов связаны с величинами световых потоковГ входящих в торцы, и Р, прошедших расстояние 1 вдоль световодов,соотношениями- линейный коэффициент ослабления излучения в ма 5териале световодов;ДБ 6 Б- площади окон прорези вблизи торцов световодов состороны источника излучения и на расстоянии 1 отэтого торца соответственно,Из этих соотношений следует, что в предположении неизменности величины светового потока, выходящего внутрь образцов, по длине световодов имеет место равенство где К ДБе ДБю где Н, и Н...
Электростатическое реле
Номер патента: 452877
Опубликовано: 05.12.1974
Авторы: Воронин, Колосанов, Черепов
МПК: H01H 59/00
Метки: реле, электростатическое
Электростатическое релессесоюзнаяихггятма яхннчкйд_бцблиотена
Номер патента: 327534
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Воронин, Институт, Колосанов, Савченко, Стерелюхин, Фомин, Черепов
МПК: H01H 59/00
Метки: релессесоюзнаяихггятма, электростатическое, яхннчкйд_бцблиотена
...в.полнена в виде подвижной гибкой мембраны.Такое выполнение реле позволяет уменьшить его,напряжение срабатывания.На чертеже дана схема описываемого реле.Мембрана 1 закреплена с предварительным натяжением на опорных столбиках 2, расположенных на подложке 3 из изолирующего материала. Под мембраной 1 установлена тянущая пластина 4, выполненная также в виде подвижной гибкой мембраны, закрепленной на опорных столбиках б. На верхней стороне тянущей пластины закреплен контакт б, изолированный от нее слоем 7 диэлектрика. При приложении разности потенциалов кмембране 1 и тянущей пластине 4 происходит их взаимное сближение и замыкание мембраны 1 на контакт б. Каждая из подвижных пла стин перемещается на величину, составляю щую часть...
312383
Номер патента: 312383
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Воронин, Институт, Колосанов, Савченко, Стерелюхин, Фомин, Черепов
МПК: H03K 17/52
Метки: 312383
...нескольких микрон и менее) пленки.15 Электростатическое реле содержит подвижные пластины 1 и 2, покрытые изоляционными слоями 3 и 4, ца которых закреплены контакты соответственно 5 ц б. Пластины 1 и 2 укреплены с предварительным натяжением 20 обоих концов на пластинах изолированногооснования соответственно 7 и 8.На пластине 7 расположен неподвижныйэлектрод 9, покрытый изоляционным слоем 10. На пластине 8 расположен неподвижный 25 электрод 11, покрытый изоляционным слоем12. Пластины 7 и 8 жестко скрепляются между собой таким образом, что контакты 5 и б соприкасаются друг с другом, и за счет упру.гих свойств подвижных пластин 1 и 2 соз- ЗО дается необходимое контактное усилие, прц312383 Предмет изобретения У 1,Составитель В, Г,...