Номер патента: 936727

Авторы: Колосанов, Синица

Описание

Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в противоположном слое которой расположены истоковые и стоковые области второго типа проводимости, плавающий и управляющий затворы, изолированные друг от друга и от полупроводниковой подложки диэлектрическими слоями и перекрывающие края истоковых и стоковых областей, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит высокоомный слой полупроводника, отделяющий стоковую область от полупроводниковой подложки.

Заявка

2911716/24, 11.04.1980

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Колосанов В. А, Синица С. П

МПК / Метки

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

Опубликовано: 20.06.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-936727-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>

Похожие патенты