Способ изготовления элемента памяти

Номер патента: 1492178

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Москаленко, Островский, Пащенко, Рагутский, Солод

МПК: F16N 15/00

Метки: пар, поверхностях, предохранительного, преимущественно, скольжения, слоя, создания, трения

...интернап 1.- 1. (эксперимепзом установлено 50-150 мкм) с частотой осцилплцип (м до л (-20 - 500 Гц), При этом режим обждтий, рдзгрузок и сдвиговых деформаций легко автоматизировать по числовому :рограммному управ. е пю илп пс наперед заданной диаграмме со срднпндемдй и автоматически управляемой виднолисью всего режима, Б этом с:учде дппжешя и нагрузки упрянляотся пс нсех дпрдвпе ниях, что позволяет зоны с первоначальной то:ечнсй ил пи.ейной концентрацией расширять н регулируемом режиме. Образованные ювенильные поверхности с кндзидморфным строением связи обладают высокими здщитнымп свойствами от изнашивания, коррозии и химически активных сред, а введе - нпе нд них медной ссстдвпьчощей из металпоплакирующпх добавок создает практически...

Номер патента: 1123467

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Георгобиани, Грузинцев, Дону, Спицын, Тигиняну

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводникового, слоев, соединения, тройного

...слоя образующегося тройного соединения СЙСа,Б 4, ПриТ ( 693 К процесс "залечивания" радиационных дефектов идет крайне медленно, и .и-этому требуется время отжига1800 с, Если проводить отжигменее 600. с, то решетка нового соеинения не успевает упорядочиться.,.ля высоких температур отжига Т753из подложки СЙБ начинается улетучивание кадмия и серы, а внедренный галлий диффундирует по всемуобъему подложки,. так что в поверхностном слое его становится недостаточно для образования СИСа Б 4.При дозах внедрения, меньших 10 " смв любой точке подложки СЙБ галлиянедостаточно для образования новоготройного соединения, а при дозах,больших 10 см 2, на поверхностиподложки образуется слой галлия,ухудшающий оптичеСкое свойствасистемы СЙСаБ-...

Номер патента: 1639341

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Русак

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, кремния, поверхности

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, включающий очистку поверхности кремния с ориентацией (100) и травление в составе, содержащем хромовый ангидрид, плавиковую кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения выявляемых типов микродефектов в тонких приповерхностных слоях, травление проводят в составе, дополнительно содержащем азотную кислоту, при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хромовый ангидрид 15 - 32Плавиковая кислота (45%-ная) 4 - 25Азотная кислота (72%-ная) 8 - 50Вода 10 - 36время травления составляет 5 - 15 мин, при этом количество хромового ангидрида в зависимости от толщины обрабатываемого слоя составляет, мкм:Более 10 15 - 4010 - 2 40 - 50

Номер патента: 1701064

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Василевич, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, микрорисунка, поверхности, создания

Способ создания микрорисунка на поверхности кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности кремния, обработку поверхности кремния и фоторезиста в кислородсодержащей плазме ВЧ-разряда при давлении 2,0-13,3 Па и локальное травление кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости создания микрорисунка в кремнии, кислородсодержащая плазма, в которой проводят обработку поверхности кремния и фоторезиста, дополнительно содержит 40-50 об.% гексафторида серы, плотность мощности разряда на обрабатываемой поверхности создают в диапазоне 0,7-0,9 Вт/см 2 и обработку проводят до удаления слоя кремния толщиной 0,04-0,12 мкм.

Номер патента: 93736

Опубликовано: 01.01.1952

Авторы: Квасов, Кобзев, Лесохин, Пружинер, Чижов

МПК: E21D 11/38

Метки: гидроизоляционного, нанесения, наружную, обделки, поверхность, слоя, туннелей, тюбинговой

...и формования гидроизоляциопного слоя заданной толщины.На чертеже показан продольный разрез щита с приспособлениями для ввода горячего битума в строительный представляет собой кольцевое пространство между наружной поверхностью туннельной обделки и внутренней поверхностью оболочки 5 щита. Введенная в строительный зазор масса при остывании принимает форму трубы с толщиной стенки, равной высоте строительного зазора, а так как она через вновь уложенное тюбинговое кольцо поступает при значительной температуре, то и соединяется (сливается) с ранее введенной массой 6; таким образом, на всем протяжении чугугшая туннельная обделка по наружной поверхности будет покрыта сплошным слоем асфальтобитумной массы, а толщшга этого защитного изоляционного...