Аналоговое запоминающее устройство

(71) Заявитель ационный институт им. Орджоникидзе фимский 54) АНАЛОГОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и можетбыть использовано в различных аналого-цифровых измерительных систе-,мах для исследования параметров быст-.ропротекающих процессов,Известно аналоговое запоминающееустройство (ЗУ), содержащее два нако.пительных элемента, например конденсатора, согласующий усилитель,блок управления и блок заряда 1Недостатком данного устройстваявляется ограниченная область применения, так как использование его вмногоканальных аналоговых ЗУ связанос большими аппаратурными затратами.Наиболее близким по техническойсущности является аналоговое запоминающее устройство, содержащееячейки памяти, каждая из которыхсодержит элемент заряда, элементсчитывания и накопительный элемент,например конденсатор, одна из обкла.док которого подключена к шине ну 2левого потенциала, другая - к элементу заряда и к входу элемента считывания, управляющий генератор, входкоторого является выходом устройства, генератор фонового тока, переключатель тока, один из входов которого подключен к выходу генератора.-,фонового тока, другие - к выходам та.ктового генератора, и выходной накопительный элемент, например конденсатор, одна из обкладок которогоподключена к шике нулевого потенциала, другая - к выходу переключате.ля тока и к входу выходного согласующего элемента 2.15Сигналы, поступающие на вход многоканального аналогового запоминаз.щего устройства во многих случаяхсодержат медленномейяющуюся паразит".20ную составляющую (фон), на которуюнакладываются полезные сигналы. Приэтом величина фоновой составляющейможет превышать полезный сигнал внесколько раз. Существенным явля873279 1 О 15 20 25 50 55 ется также то, что величина этой составляющей не одинакова в различ-,. ных каналах. Поэтому получаемое на выходе устройства амплитудное распределение входных сигналов содержит помеху, пропорциональную неоднородноСти фоновой составляющей по каналам. Для повьппения помехоустойчивости устройства необходимо устранить медленно меняющуюся составляющую Сигнала. Известным способом решения этой задачи является использование разделительного конденсатора. Однако введение разделительного конденсатора в многоканальное аналоговое запоминающее устройство не представляется возможным. Это объясняется сйедующим.В данном устройстве датчиками входных сигналов являются генераторы тока, имеющие высокое выходное сопротивление (1 О Ом и выше),.например, фотоумножители, фотодиоды, трансформаторы тока и т.д. Поэтому при введении на входе устройства разделительного конденсатора необхддимо включить параллельно выходу датчика. достаточно малое сопротивле",. ние - порядка 10 Ом- для обеспечения3режима работы датчика по постоянному току. Это превращает датчик в источник напряжения и приводит к резкому повышению инерционности входной цепи устройства, так как при заряде накопительного конденсатора от генератора тока скорость заряда опреде" ляется только величиной выходного тока датчика, а при заряде от генератора напряжения - постоянной времени(Й 1+ Й)С, где Й- входное сопротивление".генератора напряжения; Й - входное сопротивление устройства; С - емкость накопительного конденсатора. Повышение инерционности входной цепи устрбйства приводит в свою очередь к появлению эффекта недозаряда накопительного конденсатора и увеличению погрешности преобразования сигнапов. Таким образом данное техническое решение не может обеспечить устранение медленно меняющейся паразитной составляющейсигнала при сохранении высокой точности работы устройства.Целью изобретения является повьппение помехоустойчивости аналогового запоминающего устройства.Поставленная цель достигается тем, что в аналоговое запоминающее 4устройство, содержащее накопитель, первые входы ячеек памяти которого соединены со входами устройства, вторые входы ячеек памяти накопителя подключены к первому выходу первого генератора управляющих сигналов, ге" нератор тактовых сигналов, выходы которого соединены с одними из входов переключателя тока, другой вход переключателя тока подсоединен к выходу ге. нератора фонового тока, первый выходпереключателя тока соединен с шинойнулевого потенциала и с накопительным элементом, йапример, с оДной изобкладок конденсатора, другая обкладка которого подключена ко второму выходу переключателя тока и ко входу согласующего элемента выход согласующего элемента соединен с выходом уст,.ройства, шину синхронизации, соединенную со входом первого генератора управляющих сигналов, введены регистрсдвига, второй генератор управляющихсигналов, элемент ИЛИ и вычитающийблок, входы которого соединены с выходами ячеек памяти накопителя, выходвычитающего блока подключен к другой обкладке конденсатора, третьи входы ячеек памяти накопителя соединены с выходом элемента ИЛИ, четвертые входы ячеек памяти накопителя подключены к выходам регистра сдвига, вход которого соединен с одним из выходов генератора тактовых сигналов, входы элемента ИЛИ подключены ко второму выходу первого генератора управляющих сигналов и к первому выходу второго генератора управляющих сигналов, второй вход которого подключен к пятым входам ячеек памяти накопителя, вход второго генератора управляющих сигналов соединен с шиной синхронизации, а также тем, что каждая ячейка памяти накопителя содержит первый и второй накопительные элементы, например, конденсаторы, элементы заряда и элементы считывания, выходы которых соединены с выходами ячейки памяти, первые входы элементов считывания подключены к первому входу ячейки памяти, вторые входыэлементов считывания соединены с первыми обкладками соответствующих конденсатсров, вторые обкладки которыхсоединены с шиной нулевого потенциала, входы элементов заряда подключены соответственно ко второму, .третьему, четвертому и пятому входамячейки памяти, выход первого элемен787 зитной составляющей повышает помехо-устойчивость аналогового запоминающего устройства и позволяет испольэовать его для обработки однократных сигналов наносекундного диапазона в условиях, когда неоднородная по каналам фоновая составляющая превышает информационный сигнал в де. сятки раз. формула изобретения1. Аналоговое запоминающее устройство, содержащее накопитель, пер 4. вые входы ячеек памяти которого соединены с входами устройства, вторые входы ячеек памяти накопителя подключены к первому выходу первого генера-. тора управляющих сигналов, генератор тактовых сигналов, выходы которого соединены с одними из входов переключателя тока, другой вход переключате ля тока подсоединен к выходу генера - тора фонового тока; первый выход переключателя тока соединен с шиной ну.- левого йотенциала и с накопительным элементом, например, с одной из обкдадок конденсатора, другая обкладка которого подключена ко второму выхо; ду переключателя тока и ко входу согласующего элемента, выход согласующего элемента соединен с выходом устройства, шину синхронизации, соединенную со входом первого генератора управляющих сигналов, о т л и ч а " ю щ е е с я тем, что, с целью повышения помехоустойчивости устройства, в него введены регистр сдвига, второй генератор управляющих сигналов, элемент ИЛИ и вычитающий блок, входы которого соединены с выходами ячеек памяти накопителя, выход вычитающего блока подключен . к другой обкладке конденсатора, третьи входы ячеек памяти накопителя соединены с выходом 32798элемента ИЛИ, четвертые входы ячеек памяти накопителя подключены квыходам регистра сдвига, вход которого соединен с одним из выходов генератора тактовых сигналов, входыэлемента ИЛИ подключены к второмувыходу первого генератора управляющих сигналов и к первому вы"ходу второго генератора управляющих 1 О сигналов, второй выход которогоподключен к пятым входам ячеек памя 4 Вти накопителя,. вход второго генерато.",ра управляющих сигналов соединен сшиной синхронизации.2. Устройство по .и. 1, о т л и -ч а ю щ е е с я тем, что каждаяячейка памяти накопителя содержитпервый и второй накопительные элементы; например, конденсаторы, элементы заряда и элементы считывания, выходы которых соединены с выхо-",дами ячейки памяти , первые входыэлементов считывания подключены к,первому входу ячейки памяти; вторые д 5 входы элементов считывания соединеныс первыми обкладками соответствующих конденсаторов, вторые обкладкикоторых соединены с шиной нулевогопотенциала, входы элементов зарядаподключены соответственно к второ -му, третьему, четвертому и пятомувходам ячейки памяти, выход первогоэлемента заряда соединен с шинойнулевого потенциала, выходы второгои третьего. элементов заряда подключены к первым обкладкам соответствующих конденсаторов.Источники инфорамции,принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР В 562867, кл, 6 11 С 27/00, 1977,2. Авторское свидетельство ГССР йо заявке В 2699727/18-24,45 кл. 6 11 С 27/00, 1978( прототип).873279 Составитель А. Ворониннко Техред А,Савка Корректор У. Пономаренко. актор Е. Доро ираж 648 Зака одписн Филиал ППП "Патент 1, г. Уагород, ул. Проектй 055/77 ВНИИПИ Государс по делам изо 13035, Москва, енного комитетаетений и открыти