C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1604873

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Криштопов, Куличенко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

...увеличения предела текуче- сти в 3 - 5 раз. 2 табл. сти электрического поля Е. Определяют по ней, что пороговая величина Епор электрического поля, при которой эта зависимость начинает отклоняться от линейности, равна 25 кВ/см. Измеряют по дислокационным ямкам травления скорости перемещения краевых дислокационных диполей Ч при напряженности электрического поля 140 кВ/см и устанавливают, что она равна 1 мм/с. Берут кристалл КС в виде пластины толщиной Ь, равной 2 мм. Определяют для него минимальную 1 мин и максимальную 1 макс длительность воздействия электрическим полем напряженностью 140 КВ/СМ, раВНуЮ СООтВЕтСтВЕННО тмин ==,23 с.Воздействуют на кристалл постоянным электрическим полем напряженностью 140 кВ/см в течение 5 с. Для...

Номер патента: 1606540

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Кицюк, Маткова

МПК: C30B 13/22

Метки: кремниевых, пластин, рекристаллизации

...нижний блоки снабжены электроприводами, обеспечивающими их вращение в противоположных направлениях. Равномерность распределения температуры по пластине составляет 5 С. Количество ламп сокращено в 2 раза. 2 ил. Устройство работаетследующим образом, В механизм 3 загрузки и выгрузки закладывают пластину 4 и вводят в камеру 1, Температуру отжига пластины 4 доводят до температуры, установленной технологией, например 1100 С. В момент ввода пластины 4 в кварцевую камеру 1 начинают вращать навстречу друг к другу блоки 5 со скоростью, например, 10 об/мин, выравниваятемпературу нагрева, что и обеспечивает равномерный нагрев пластины 4, Для того, чтобы не перегревались блоки 5 и кварцевая камера 1 и для поддержания в камере 1 нужной температуры,...

Номер патента: 1606541

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Галстян, Долуханян, Кузьмина, Никитенко, Регель, Скуратов, Стоюхин

МПК: C30B 29/16, C30B 31/22

Метки: монокристаллов, оксида, цинка

...с энергией 110 МэВ и дозой 1,3 10 4 ион/см, Затем образец отжигают на воздухе при 850 ОС в течение 6 ч с последующим охлаждением со скоростью 100 град/ч.Заказ 3529 Тираж 348 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Основные параметры высокоомного слоя соответствуют примеу 1,.П р и м е р 3, Монокристалл оксида цинка, выращенный гидротермальным методом сз концентрацией примеси лития б 10 см,имллантируютионамикислоро. дасэнергиейот 00 кэВдо 110 мэвидоэой 1,3 10 ион/см . Затем образец отиигают на воздухе при 850 С в течение 6 ч с последующим охлаждением со скоростью 100 град/ч....

Номер патента: 1611999

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Гавалешко, Жовнир, Сочинский, Фрасуняк

МПК: C30B 13/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, монокристаллов

...изотермиат. долио,оо Твердый раствор не образуетсв Качество хорошее Оптимальный вариант То же Качества хорошее Качество паховМонокристалл без пор и включений Та же. Манокристалл бвэ пар и включений То жеКачество хорошее То же Качества плохое То же20 20 16 2 0,22 0,14 0,26 945 900 9 БО 956 бо 400 420 200 975 9 БО 993 958 0,10,050.150,05 8 9 10 11 ДендритныйпаликристаллРастрескиваниеманок исталла 25 993 923 200 0,15 12 ческой выдержкой в.течение 10 - 50 ч при температуре, превышающей на 20-30 К его температуру ликвидуса. Охлаждая ампулу с гомогенным расплавом до комнатной температуры, получают поликристаллический 5 слиток НдТ-хМпхТе.Для проведения направленной пере- кристаллизации поликристаллический слиток Нд 1-хМпхТе целиком...

Номер патента: 1612000

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Иванцов, Николаев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: монокристаллов, натрия, нитрита, травитель

...1 - 2 с и высушиваются в потоке теплого воздуха от тепловентилятора, Поверхности обработанных образцов исследуют в оптическом микроскопе МБИУ 4,2 и электронном просвечивающе. микроскопе УЭМ, Исследования показали, что дислокационные ямки травления выявляются после обработки травителем лишь на поверхностях 301). При лроведении нескольких поочередных травлений основания призматических образцов шлифуются на мелкой наждачной бумаге и полируются на слегка влажной фильтровальной бумаге.Глубина ямок травления, оцененная поневому контрасту в электронном микроопе, составляет в среднем 2,5-3,0 мкм.Кристаллографическая ориентация поверхностикристалла Результаты обработки Состав т авителя,мас,Этиловый спирт15 Эффективное травление выходов...

Номер патента: 1515795

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Бабичев, Назарова, Страшинский

МПК: C30B 23/02, C30B 29/06

Метки: кремния

...до давления10 арпа. При установке реактора напротив его отФормула изобретения Преимущества предлагаемого способа по сравнению со способом-прототипом, заключается в том, что предлагаемый способ позволяет получить цэ элементарного кремния мишени, фильтСоставитель Б, БезбородоваРедактор 11.Самерхацова Техред Л.Олийнык Корректор Т.Палиц Заказ 673 Тираж 254 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета ло иэобретениям и открытиям при ГЕНГ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., и. 4/5 Производственно-иэдательсний комбинат Патент", г.ужгорол, ул. Гагарина, 10 3 1)1579верстия располагают подложку для чистого кремния,Реактор цэготавливают иэ тацталас толщиной стецок 50 мкм. Применяют5токовый нагрев. Подложку изготавливают из тантала. Помещенную...

Номер патента: 1620510

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Жариков, Приходько, Сторожев

МПК: C30B 11/00, C30B 30/06

Метки: «и—или», веществ, кристаллизации, плавления

...250 мм и размерах пластин по50 мм частота колебаний пластины 12выбрана равной 157 Гц, а пластины13 - 168 Гц,что меньше предельнойвеличины 7000 Гц, а значения амплитуд заданы равными 3,25 и 3,15 ммдля пластин 12 и 13 соответственно,что обеспечивает создание структурыконвекции с циркуляционным потоком18, Созданная структура конвекпииобеспечивает пятикратное ускорениепроцесса,П р и м е р 3. На Фиг. 3 предлагаемый способ использован для оптимизации процессов плавления исходного вещества и перемешивания расплава 21 в прямоугольном контейнере 22, при движении которого вниз относительно нагревателя 23 происходит рост кристаллов 24, В исходном процессе тепломассоперенос в расплаве характеризуется наличием циркуляционного потока...

Номер патента: 1622429

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...и может 5 ыть использовано в биохимии, кристаллографии и кристаллохимии при выращивании кристаллов в условиях невесомости,Цель изобретения - повышение надежности устройства, а также уменьшение его массы и габаритных размеров.На фиг.1 показано устройство для выращивания кристаллов белка в рабочем положении, продольный разрез; на фиг,2 - сечение Л - Л на фиг,1,Устройство состоит из двух выполненных в форме дисков неподвижных блоков 1 с соосными цилиндрическими камерами, заполненными белковыми и солевыми растворами, расположенного между ними и имеющего форму диска подвижного блока 2 с каналами буферного раствора, в которых установлены мембраны 3 ерметично уплотненные резиновыми кольцами 4 и гайками 5, двух запирающих прозрачных дисков 6,...

Номер патента: 1624062

Опубликовано: 30.01.1991

Автор: Ракин

МПК: C30B 29/56, C30B 5/00

Метки: выращивания, геле, монокристаллов

...геля в обоих сосудах поверх геля заливают дистиллированную воду, Спустя 14 ч из пробирки раствор сливаюти добавляют поверх еля расгвор хлористого кальция концентрацией 10 вес.%, Зародыши образуются спус я сутки на расстоянии 1,3.лм с плотностью 8,8 см, Коэффициенты, рассчитанные на основе этих данных, составляют К 1=. 14,9, К 2 0,12. Прогнозируя плотность ээродышей-кристаллов в основном кристаллизаторс равную 1 см или около 5 кристаллов2в обьеме, рассчитывают время промывки ТК 1/К 2 й - 123 ч, что составляет около 5 сут. В течение всего этого времени в христаплиэаторе промывают гель. Затем ;. з;рх геля заливают раствор хлористо.с кальция концентрацией 10 весь и че, ез 8 сут в геле на расстоянии 4 лм образуются первые зародыши...

Номер патента: 1624063

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Багдасаров, Кеворков, Сытин

МПК: C30B 11/00

Метки: веществ, выращивания, кристаллов, тугоплавких

...с возможностью осевого перемещения. Под нагревателем расположены система горизонтальных экранов и гистел 1 а до- -,О, НитЕЛЬНЫХ ЭКраНОВ, ВЫПОЛНг.ННя В форме усеченных конусов с углол 1 раскрытия 9 - 11, установленных на вепем горизонтальном экране раструбами вверх, Получены кристаллы иттрий-алюминиевого Я граната и его модификации. 1 ил,Контеинер 4 с исходным материдгом пол 1 ещают в рабочее пространство коаксиально нагревателю 2 В камере роста 1 создают необходимые температурные условия и давление Выращивание кг)исталлов осуществляют опусканием контейнера 4 через температурный градиент, создаваемый диафрагмой (не указано) нагревателя 2. Часть энергии, излучаемой нагревателем 2, попадает нд внугреннюю повеохносгь конусов 7 и...

Номер патента: 1624064

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Абдуллаев, Азизов, Алексеев, Алиев, Петрова

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов

...канала.Получают соединение ТйпЯе 2. Готовые образцы размером 1 х 1 х 5 мм получают раскалыванием монокристаллического слитка по двум взаимноперпендикулярным естественным плоскостям кристалла, выращенно. го методом зонной плавки.Данный способ позволяет получать готовые образцы с минимаЛьной степенью де1624064 Составитель Н. ПономарегэТехред М,Моргентал Корректор С. Шекма Сеглян Редак Заказ 171 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыт 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5и ГКНТ ССС зводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород арина, 10 формации и с воспроизводимой заданной кристаллографической ориентацией 110). При этом время, в течение которого инертный газ прогоняется через систему при Р 1 = 0,2...

Номер патента: 1624065

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Борисов, Косенко, Маслов, Федоров

МПК: C30B 13/28, C30B 35/00

Метки: исследования, кристаллизации, направленной

...или фотоаппаратом) процесс направленной кристаллизации. Затем паво ротол 1 кольца 3 изменяют угол Рс требуел 1 ым шагамл многократно повторяот списанные опеоации и исследуют вл.1 яние днизст опии лавер:ностной энергии гран 1- цы оаз. дгд и кинетического коэфф(1 ииентд 15 нд с(дб 1 льнссть и маофологию Чэоантд ,-,;,Г 5 ь; в об= тйрсны ст нулевой От; -т и .,ме. Гдзл .р ндпэдвляОщих ",.епэр- с., з;О(., ссяГ;:,(.;Лет с толщи(10 й 1,"а 1,",1, ОЬ( Н Д И З С Л И й (,Л С 1 ЧХ П Л Д С Т И г 1 ВД Г Р Е В Я .(эль,х эгелдн Гэ; составляет 4 мл 1,Уста(,; стас расс;.е; следус 1,. эбрдс. н ы;: . ( . Гэ.та- с мадан "р 1ы 1 .т.:,"10 "1. 1 ои г.Я = 1 "э 1;С.(.ЭЮТ,-.ССТ-.Рвг.УЛНРНРДСЛ;ЛС:.КЕ- -э.х с 1 метри:;ых 15 сксеые эетэи с:.;-1:.; с (-с э и р-. к - .;...

Номер патента: 1624066

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Беляев, Ларионов, Лизунова, Павлюк

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов

...затравкодержателя, Высота камеры снижена на 50(, 4 ил,женный нагревателем 14, Тигель 13 размещен на штоке 15, который связан с датчиком массы 16, жестко закрепленным на нижней плите 3 Устройство включает пульт управления 17, в который входят блои управления двигателями механизма вращения и вытягивания монокристаллов, уравновешивания весов, формирования задания веса, формирования закона регулирования, автоматического регулирования температуры, регистратор температуры и регистратор веса автокомпенсационный(не показаны).Устройство работает следующим обраПосле загрузки ши устанавливают через лю ская тигель вертикально крышку 10 с механизмом камеру. Включают элек теля 14, плавят шихту в затравливание идалее и проводится в автоматич...

Номер патента: 1624067

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Семенюк, Скобеева

МПК: C30B 19/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, пленок, теллурида, цинка

...С, Эту смесь загружают в ячейку кассеты, в другую помещают подложку из 2 п 5 е, Кассету устанавливают в кварцевый реактор, нагревают до 650 С при непрерывном пропускании водорода и выдерживают при этой температуре в течении времени, достаточного для насыщения раствора-расплава(20 мин), Контакт раствора-расплава с подложкой осуществляют поворотом кассеты на 180 вокруг своей оси, при этом раствор-расплав располагают над подложкой. Для осаждения пленки проводят охлаждение системы до 450 С. При этой температуре проводят отделение раствора-расплава с поверхности выращенной пленки путем возвращения кассеты в исходное положение. После охлаждения печи до температуры эвтектики подложку с осажденной пленкой извлекают иэ ростового реактора, В...

Номер патента: 1627600

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...29, как и кольцевая полость5, после заполнения соответствующимирастворами, герметично затворяются одно 45 типныгли затворами 19 при помощи уплотнительных колец 20, шайб 21 и резьбовыхвтулок 22 (фиг, 4). Затвор 19 представляетсобой втулку 37, закрытую с торцов тонкимиэластичными стенками 38, внутренний обьем которой заполняется буферным раствором (нейтральной жидкосгью).Эластичные стенки 38 закреплены на втулке 37 при полющи ниток 39 (фиг. 5), Зд счет 5 тонких эластичных стенок такой затвор позволяет легко компенсировать изменения давления и обьемон жидкостеи, закл:оченных в камерах и кольцевой полости, д зд счет объема жидкости, заключенной в затворе, 10 предотвращается высыхание жидкостей в камерах и кольцевой полости, 1 ри...

Номер патента: 1627601

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Карпеев, Купрюнин, Мелкумянц, Ракитин, Раков, Федоров

МПК: C30B 29/30, C30B 33/10

Метки: волнах, лития, ниобата, поверхностно-акустических, подготовки, подложек, фильтров

...1 Л ОИНЫ 5(ЛОК ТРДВ,(ЦИ 51Пг)и.)( г) I. 10 пц;ь 1 ожк и ( нио 6;т( .1 ития дидметроч 50 чм и толп(Но 1 мч с о;(ной стороны Илифуюг алманыч дбрдивм ло о 6 р( ц В ( н и 5 н (н (. й ч и к р о н р 0 В н Ост и Гл у нци 20 м кч. 11 оков;1 01 ь ил(еря к)т и; прфи,цгрдф(-профГол( гр н;1 пяти рд - ,изныл отрнкдк. 11 ц.ьо кку 06 рдбдтывдк; н рави (,е и ( У(П/ь нгр Ол,(ц 240 (:,И ци( 1 О чн. 1 ц,л ;1 о Ин( ркнцсь ,м 6 ипци ячцк Гр;н 1 ня,)81;) л(кч, 11 ылцл и)лложек в 0,(нук п 1 нлук(ию тгяц,учния фильтров нд поверкностпо-акусти искик Вцлндк 1(Н)".П(и, р 2 110.1 ожкирис цтдвливдк)т к( к (при л 1 ре. Иц ил 1(Н 5 к)т ВИ.1, и ст( и(.нь лилН(кц) 06 р;160 тки, сос:и( 1 р;Вит(,1 я,ЛПрдтурЛ И .ЬИт.ЬНОТЬ тр;ГкСиня 2104(:1 О(.1 11,11 ОБ)л 11 111 ;(л 1. )л 1...

Номер патента: 839324

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Блецкан, Папков, Перов, Суровиков

МПК: C30B 15/34, C30B 29/16

Метки: выращивания, лент, монокристаллических, окислов, тугоплавких, формообразователь

...в котором пластины с верхними горизонтальными торцами разделены капиллярным зазором. В. этом случае фронт. кристаллизации имеет плоскую форму над торцами пластин и симметрично втянутую в зазор и оканчивающуюм ся гребнем. Центрами кристаллизации являются края ленты, и вершина .гребня в середине ленты. В процессе роста толщина плевки расплава. между фронтом кристаллизации и поверхностью торцов пластин колеблется нз-за вибрации затравки и колебания таких параметров, как температура, скорость вытягивания и т.д.Вследствие малой толщины этой пленки неизбежны соприкосновения локальных участков фронта кристаллизации с поверхностью торцов пластин.Участки ленты, соприкасающиеся с пластинами, примораживаются к ним и, вследствие непрерывного...

Номер патента: 1629246

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Кривошей, Скоробогатов, Углова

МПК: C01C 3/20, C30B 29/10

Метки: полиродана

...(15-25 С).Результаты опытов приведены в табл, 1, Начальная температура в интервале 15- 25 С практически не влияет на выход целевого продукта реакции, Практически полное завершение реакции происходит за время, не превышающее 0,5 ч. Реакционную смесь помещают в экстрактор Сокслета и экстрагируют ацетоном до отрицательной реакции экстракта на роданид-ион и бром. Получают порошок желто-оранжевого цвета, температура разложения которого равна 360 С.Найдено, мась: С 19,99 - 20,23; й 23,85-23,90; Я 54,90 - 55,00.(Я СИ)хВычислено, мас,С 20,69, й 24,13, Я 55,17.ИК-спектр, см: 620, 1140, 1227, 1380, 1520, 1606, 2235.Порошок полиродана помещают в одно из колен О-образной трубки, в другое колено которой помещают 1 - 2 мл хлорной кислоты с...

Номер патента: 1629361

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Гатчин, Козлов, Осипов, Початков

МПК: C30B 15/14

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, тугоплавких

Номер патента: 768052

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Ломов, Мусатов, Папков, Суровиков

МПК: C30B 17/00, C30B 29/20

Метки: выращивания, киропулоса, корунда, методом, монокристаллов

...процесса. По мере ростакристалла расплав постепенно втягивается снизу внутрь обечайки силамиповерхностного натяжения, При определенных условиях уровень расплава между стенкой тигля и обечайкой можетравномерно распределяться по периметру и к моменту завершения процессакристаллизации понижаться до дна тигля, т,е, полностью переходить внутрьобечайки. Наличие расплава вокругобечайки способствует уменьшению температурного градиента на фронте кристаллизации, а равномерный уровеньрасплава благоприятствует выравниваниютеплового поля и уменьшению градиентаскорости кристаллизации по периметру,Тем самым устраняются условия захватакристаллом пузырей. Благодаря капиллярному эффекту малейшие зазоры между стенкой обечайки и поверхностьюрастущего...

Номер патента: 1633030

Опубликовано: 07.03.1991

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: выращивания, диоксидифенилсульфона, монокристаллов

...мешалка. Кристаллизатор помещают в жидкостный термостат, темпетура в котором поддерживаетсятоянной с точностью до 0,1 С.оЗатравочные кристаллы получаютпредварительно испарением из раство"ра, аналогично помещенному в кристаллизатор. Их помещают в перегретыйраствор на дно кристаллизатора наспециальной фторопластовой подложкетак, что направление роста кристалла.1633030 Продолжение таблицы перпендикулярно подложке. После этого медленно снижают температуру кристаллиэатора до тех пор, пока не начнется рост эатравочнаго криоталла, что видно по блеску образующихся граней. ТеМ- пературу во время опыта фиксируют и поддерживают постоянной.Так как крьппка охлаждается проточной водой, то на ней образуется кон ,денсат, который стекает в...

Номер патента: 1633031

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Грошенко, Недвига, Пронина

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...слоем расплава и происходит растворение остатков основного раствора-расплава.Вследствие этого при дальнейшем перемещении подложки в холодную зону печипредотвращается кристаллизация паразитного переходного слоя.Отсутствие остатков раствора-расплава на поверхности пленки определяют визуально. Отсутствие переходного слоя определяют по характеру кривой намагничивания материала пленки. При наличии переходных слоев на кривой намагничивания пленки наблюдают характерные "ступеньки". При отсутствии переходных слоев, то есть при равномерном химическом составе пленки, кривая гистерезиса имеет гладкий вид.На полученных пленках(УЪВ 1)(ГеСа) О 2 наблюдают отсутствие остатков раствора-расплава как на поверхности, так и в местах крепления к...

Номер патента: 1633032

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Лаворик, Нечипорук, Новоселецкий, Филоненко, Шахрайчук

МПК: C30B 29/10, C30B 31/06

Метки: гетероструктур, полупроводниковых

...7 ч, затем производятснижение температуры до комнатной эа5 ч.Рентгеновские исследования, приведенные иа дифрактометре ДРОН-З, показывают наличие слоев СдхЕп, хСеР наповерхности обоих монокристалловСс 1 СеР и ЕпСеР, Это значит, что. одновременно получают две гетерострукту 45ры:Сдк 7 п, хбеРг - СЙСеРг ,Сйх Еп, хСеРг - ЕпСеР,причем последнюю гетероструктуру по 50 лучить по известному способу не представляется возможным.Монокристаллы, используемые для получения гетероструктур, получают следующими методами и имеют следующре характеристики: ЕпсеР методом5 Бриджмена, р-тип проводимости, поверхностное сопротивление 1 О Ом.см;СЙСеР методом химических транспортных реакций, и-тип проводимости, поверхностное сопротивление более О Ом.см. Слои...

Номер патента: 1636485

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Изотов, Мельник, Пуш, Трофименко

МПК: C30B 15/32

Метки: затравкодержатель

...диаметру трубки 4 (5 -10 мм). Затравкодержатель закрепляютна штоке 3. В тигле 1 расплавляют исходный материал, Затем затравкодержатель опускают в расплав 2 до соприкосновения с ним затравки 5 и про.изводят вытягивание монокристалла 7.Некоторое время монокристалл 7 растет внутри трубки 4, представляя собой продолжение затравки 5. Спиралеобразный выступ 6 служит при этом нетолько для крепления затравки 5 и на1636485 Коли- Результат роста честновитков Высота Внутренний диаметр затравкодержателя,МИ спиралеобразного выступа,2,2 2,5 0,5 3,5 4,6 4,8 1 1 1 1 10,5 0,8 10 дежного крепления выращиваемого кристалла 7, но и предотвращает движение дислокаций 8, образовавшихся при затравливании к боковой поверхности кристалла 7.Выращивают...

Номер патента: 1638217

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Кремко, Куприянов, Савченков

МПК: C30B 11/00, C30B 29/62

Метки: дисперсных, частиц

...ц = 75 В и Т = 750 А. Диафрагму устанавливают на расстоянии 120 мм, а бункер - на расстоянии 250 мм от горелки, Расход газов: С 1 А = 12 л/мин; ОК -- 10 л/мин.Вакуум поддерживавтся на уровне 10 мм рт.ст. В течение часа получают 8 кг монокристаллов ТЮ. Выгорание материала составляет 20 от исходного количества порошка;Контроль качества получаемых моно- кристаллов производится с помощью ра- . стрового электронного микроскопа Напо 1 аЬ. Размер частиц монокристаллов сферической и нитевидной форм находится в диапазоне от 5 до 0,01 мкм.П, р и м е р 2. Через плазменную горелку (тип НВ) пропускают порошковый материал никелид титана (ПН 55 Т 45) гранулометрическим составом от 40 до 20 мкм. Рабочие параметры установки П70 В и 1 = 700 А....

Номер патента: 1638218

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Ложкин, Малкин, Тимина

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкофазной, эпитаксии

...подвижной подставки 11, в качестве которой используют, например, винт. Затем загружают емкости 2 исходными растворами-расплавами, Устройство нагревают до температуры гомогенизации расплава и после выдержки охлаждают до температуры начала эпитаксии. При этом поршень 8 при помощи штока 13 поднимают, заполняют раствором-расплавом камеру 6 роста через канал 7, поршень 8 опускают, На поверхности подложки 1 О создаютслой раствора-расплава переменной толщины в соответствии с рельефной поверхностью 9 поршня 8. Производят наращивание пленки.Для получения пленок с различным рельефом и различными электрическими свойствами импользуют поршень 8, имекщий участки с различным типом рельефов (фиг. 2). Например, дополни тельный поршень 8 имеет два...

Номер патента: 1638219

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Барисс, Силамикелис

МПК: C30B 19/06

Метки: многослойных, полупроводниковых, структур

...отработанного расплава. Корснабжен крьппкой 1 со сем. Перемещение контейнвляют штоком 18.Устройство работает сл углубление й 9, совмеи углубле; сатор 8. Наконтейнер 1 щают исход- в-р асппавов, 3. Устройверху размещают поршни1638219 10 1 Э ство закрывают крьппкой 17, помещают в реактор и выдерживают при заданной температуре для получения растворарасппава 11. Затем температуру пош- жают и приступают к выращиванию эпи 5 таксиапьных слоев. Для этого штоком 18 контейнер 1 перемещают, Крышка 17 контактирует с поршнем 3 первой емкости 2. Раствор-расплав 11 через от верстие 10 поступает в камеру 19 роста, размещенную над подложкой 6. Избыток расплава 11 поступает в емкость 16. После выращивания первого слоя контейнер 1 перемещают до...

Номер патента: 1638220

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Войтенко, Заславский, Санфиров

МПК: C30B 23/08

Метки: источник, молекулярных, пучков

...температуры, обусловленной радиапьнымградиентом температур. Седло 4 поджи- ффеф мают к тиглю 1 при помощи упругого фф элемента из нитрида бора, выполненно- (1 го в виде трубы 6 с поперечными про- (ф резями 7. При сборке источника трубу Я 6 сжимают так, что при любых изменениях температуры в пределах рабочегодиапазона она остается в сжатом состоянии. Кроме того, упругое состояние трубы 6 обеспечивается наличием вкорпусе 8 снизу вставки 9, а сверху тигель 1 зафиксирован лапками 10.Источник молекулярных пучков рабо"аю 3 тает следующим образом.В тигель 1 загружают исходное ве- щество и размещают источник в камере роста установки молекулярно-лучевой эпитаксии Тигель 1 нагревают,16 38220 Составитель Н. ДавыдТехред Л Сердюкова рректор Н...

Номер патента: 1638221

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Анисимов, Жеков, Кислецов, Мурина, Попов, Федоров

МПК: C30B 29/28, C30B 33/00

Метки: гранатов, монокристаллов

...Проведение отжига с темпера.турой более 400 С нецелесообразно,из-з а сложности высокотемпературныхпечей, Проведение отжига при температуре порядка 1000 С и более приводитк выпаданию фазы УА 10 э и т.д., кдиффузии атомов, что в свою очередьприводит к образованию точечных дефектов типа Г-центров, 0-вакансий ит.д,Длительность импульса лазерногоизлучения, которым проводят обработ -ку, равна 10 -1 О с и определяетсяэкспериментально, 40Уменьшение длительности импульсаприводит к тому, что времени для перехода частицы в новое кристаллическоесостояние становится недостаточно,то есть она находится при высокой 45температуре мало времени.Увеличение длительности, импульса приводит к уменьшению энергии вотдельном "пичке" лазерного импульсаи данной...

Номер патента: 1638222

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Гольдфарб, Дикарев, Перелыгина, Петраков

МПК: C30B 29/30, C30B 33/12

Метки: лития, ниобата, сухого, травления

...типа на расстоянии 45 мм от потенциального электрода.Диаметр камеры 120 мм, Вакуумы тема обеспечивает уровень предв тельного разрежения в РРК не2,7 Па, Процесс травления 1.1111 ЬО про" водят при давлениях плаэмообразующего газа Р=40, 53, 66 Па и средних эначеИзобретение относится к обл ионики, в частности к методамовления приборов на твердомтеиспользованием ниобата лития.ечиваетсяповьппение скоростиения. Спо соб включает сухоеение в плазме высокочастотногода газообразного гексафторида5 Р при условии Т 700-39 4 Р,- температура ниобата лития, К;авление Баб 9 равное 406 Р 66 Па.гнута скорость травления 0,25 мкм/мин. 1 табл,В таблице приведены рез ы травления образцов 1 ЙЬОз при различных параметрах процесса: Р - д ение,.Па; И - среднее...