C30B 31/06 — контактированием с диффузионным материалом в газообразном состоянии

Номер патента: 410357

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: C30B 31/06, G02B 5/22

Метки: 410357

...изобретения Способ изготообработки заготористого лития,с целью смещенрактеристики пршлифовкой произаготовки в присжащих соединен путем о фточто, ой хаперед отжиг содерависимое от авт, свидетельства К аявлепо 07 17.1972 ( 1768939/18-10)присоединением заявкиИ. В. Смушков и М. И, Шахнов Известен способ изпутем изготовленияческого фтористого ли Уфовки ее.Предлагаемый способ отличается тем, что перед шлифовкой производят диффузионный отжиг заготовки в присутствии паров кислородсодержащих соединений при 750 - 830 С. Это позволяет сместить границу спектральной характеристики пропускания светофильтра до 130 нм.На чертеже показана спектральная характеристика пропускания пластинки из кристаллического фтористого лития до отжига (а) и, после...

Номер патента: 669695

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Берлин, Локтаев, Лягущенко, Марквичева, Нисневич, Петрова

МПК: C30B 31/06

Метки: диффузии, донорной, источника, примеси, раствор

...при диффузии,происходит уменьшение поверхностной концентрации фосфора ниже требуемых значений.Тетраэтоксисилан 7 - 19Кроме того, раствор может содержать азотнокислые соли элементов 111 группы главной подгруппы при содержании азотной кислоты 0,2-1,0 мас.7 или элементов 11 группы главной подгруппы при содержании азотной кислоты 1,0-9,0 мас. .При приготовлении раствора в эти-, ловом спирте растворяют сначала азотнокислые соли элементов, затем ортофосфорную кислоту. При этом часто выпадают в осадок фосфаты элементов, которые затем растворяются при введении в раствор азотной кислоты.П р и м е р. Было испытано несколько растворов для получения источника диффузии (составы представлены в табл.1-3), которые наносят на поверхность пластин...

Номер патента: 1633032

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Лаворик, Нечипорук, Новоселецкий, Филоненко, Шахрайчук

МПК: C30B 29/10, C30B 31/06

Метки: гетероструктур, полупроводниковых

...7 ч, затем производятснижение температуры до комнатной эа5 ч.Рентгеновские исследования, приведенные иа дифрактометре ДРОН-З, показывают наличие слоев СдхЕп, хСеР наповерхности обоих монокристалловСс 1 СеР и ЕпСеР, Это значит, что. одновременно получают две гетерострукту 45ры:Сдк 7 п, хбеРг - СЙСеРг ,Сйх Еп, хСеРг - ЕпСеР,причем последнюю гетероструктуру по 50 лучить по известному способу не представляется возможным.Монокристаллы, используемые для получения гетероструктур, получают следующими методами и имеют следующре характеристики: ЕпсеР методом5 Бриджмена, р-тип проводимости, поверхностное сопротивление 1 О Ом.см;СЙСеР методом химических транспортных реакций, и-тип проводимости, поверхностное сопротивление более О Ом.см. Слои...

Номер патента: 1756393

Опубликовано: 23.08.1992

Автор: Зубрицкий

МПК: C30B 29/46, C30B 31/06

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

...плоскопараллельную кювету, в которую заливают дизлектрическуо жидкость, например, этилацетат, К пластине (лучше к ребру, в любой точке) от генератора высоковольтных импульсов подводят игловой электрод, Импульсом напряжения отрицательной полярности амплитудой 3 - 40 кВ возбуждают в полупроводнике приповерхностный стримерный разряд, наблюдающийся в аиде густой ярко- светящейся сетки зеленых нитей, напоминающей ветвь елочки. Диэлектрическая жидкость служит при этом обострителем фронта импульсов (с микро- к наносекундному диапазону длительностей). Маркируют1756393 Составитель В, ЗубрицкийТехред М,Моргентал Корректор М; Тка едак огу аз 3064 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035,...

Номер патента: 716178

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Глущенко

МПК: C30B 29/06, C30B 31/06

Метки: кремниевых, окисления, пластин, термического

...: ,.:, .:,: , З 5 кислорода и воды с каплеобразователем 5,Наиболее близким"по"добФйгвейому ре-" имеющим наклонно размещенный в полозультату и технической СуЩностй является . сти реактора 1 патрубок 6 с коленом 7, расустройство для термического ЬКйсления, со- полоненным внижней части реактора 1 идержащее горизонтально установленныйоканчивающимся выходным отверстием 8., кварцевый реактор, внутрй когорого уста. 8 реакторе 1 установлены кассета 9 с полуновлены кассеты для размеМеййякремнив- проаодниковыми пластинами 10,вых ппастинипоперечная"йврвгородка с . Работаустройствазаключэетсявследуокном, трубопроводы подачи" кислорода и ющем,.воды и кайлеобрэзователь спатрубком. на- Вода по трубопроводу 4 от каплеобраклонно расположенным...

Номер патента: 1699176

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Авдеев, Берколайко, Быстревский, Гулиш, Ионов, Корженевская, Рылик, Семененко

МПК: C01B 31/04, C30B 31/04, C30B 31/06 ...

Метки: внедрения, графит, квазимонокристаллов, соединения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАЗИМОНОКРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЯ ВНЕДРЕНИЯ В ГРАФИТ, включающий обработку пирографита интеркалятом-монохлоридом иода или бромом, в газовой фазе, отличающийся тем, что, с целью уменьшения дефектности квазимонокристаллов, увеличения их электропроводности и сокращения времени процесса, после обработки в газовой фазе проводят дополнительную обработку тем же интеркалятом в жидкой фазе.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что дополнительную обработку монохлоридом иода ведут при температуре на 10 - 30 К выше температуры его плавления.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что дополнительную обработку бором ведут при температуре на 40 - 50 К выше температуры его плавления.

Номер патента: 535771

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Воинов, Глущенко, Морохов, Фарбер

МПК: C30B 31/06

Метки: кремния, окисления, пластин, термического

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ, включающее горизонтально установленный кварцевый реактор, снабженный магистралями для подачи кислорода и воды с каплеобразователем, отличающееся тем, что, с целью повышения воспроизводимости процесса окисления, реактор снабжен поперечной перегородкой с окном, отделяющей место расположения пластин от магистралей подачи воды и кислорода, а каплеобразователь - наклонно расположенным в полости реактора патрубком, выходное отверстие которого расположено ниже окна в перегородке.

Номер патента: 826810

Опубликовано: 27.03.2006

Авторы: Газин, Милько, Промыслов, Скворчевский

МПК: C30B 31/06, C30B 31/20, F28F 13/18 ...

Метки: легирования, теплообменника

1. Способ легирования теплообменника путем нанесения на его поверхность легирующего материала и обработки ее лазерным лучом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества легирования, легирующий материал предварительно переводят в газообразное состояние и наносят его одновременно с обработкой поверхности лазерным лучом путем бомбардирования поверхности образованными газами, при этом дополнительно накладывают на них ускоряющее магнитное поле.2. Устройство для легирования теплообменника, содержащее лазер с блоком питания и фокусирующую систему, отличающееся тем, что, с целью повышения качества легирования, оно дополнительно содержит конусообразный тубус, установленный между...