C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1558052

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Головей, Исаенко, Сафонов, Семенов

МПК: C30B 29/22, C30B 33/04

Метки: иодата, лития, монокристаллов

1. СПОСОБ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ, включающий их -облучение, отличающийся тем, что, с целью снижения оптической плотности и повышения прозрачности монокристаллов в длинноволновой области спектра, облучение ведут до дозы поглощения 180 - 720 Гр.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона в коротковолновую область, после -облучения дополнительно проводят облучение монокристаллов ультрафиолетовым светом длиной волны 270 - 300 нм интенсивностью 4 - 5 мВт/см2 в течение 2,5 - 3 ч.

Номер патента: 1131259

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ путем вытягивания кристалла на затравку из расплава, подаваемого через систему капилляров и формообразующий элемент при контроле процесса по толщине слоя расплава с регулировкой мощности нагрева, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества кристаллов, между системой капилляров и формообразующим элементом создают демпферный слой расплава и контроль процесса ведут по его толщине.

Номер патента: 1699176

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Авдеев, Берколайко, Быстревский, Гулиш, Ионов, Корженевская, Рылик, Семененко

МПК: C01B 31/04, C30B 31/04, C30B 31/06 ...

Метки: внедрения, графит, квазимонокристаллов, соединения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАЗИМОНОКРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЯ ВНЕДРЕНИЯ В ГРАФИТ, включающий обработку пирографита интеркалятом-монохлоридом иода или бромом, в газовой фазе, отличающийся тем, что, с целью уменьшения дефектности квазимонокристаллов, увеличения их электропроводности и сокращения времени процесса, после обработки в газовой фазе проводят дополнительную обработку тем же интеркалятом в жидкой фазе.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что дополнительную обработку монохлоридом иода ведут при температуре на 10 - 30 К выше температуры его плавления.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что дополнительную обработку бором ведут при температуре на 40 - 50 К выше температуры его плавления.

Номер патента: 1153588

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Епифанов, Звягинцев, Коневский, Литвинов, Суздаль

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллов, отжига

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТЖИГА КРИСТАЛЛОВ, содержащее датчик предплавильной температуры, подключенный через программно-временной блок к одному из входов сумматора, к другому входу которого подключена термопара, а выход связан через измерительный и регулирующий блоки с исполнительным блоком, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет более точного поддержания температуры отжига, оно дополнительно содержит блок компенсации переколебаний температуры, входы которого соединены с выходом термопары и вторым выходом программно-временного блока, а выход подключен к одному из входов сумматора.

Номер патента: 1752023

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 29/02, C30B 33/02

Метки: восстановления, выращивания, драгоценных, металлов, монокристаллов, тиглей

СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ТИГЛЕЙ ИЗ ДРАГОЦЕННЫХ МЕТАЛЛОВ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающий прокатку тигля и сварку трещин, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы восстановленных тиглей, перед прокаткой тигель отжигают при 1200 - 1400oС и давлении 10-1 - 10-3 Торр в течение 0,5 - 5,0 ч.

Номер патента: 1321136

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Брюхно, Жданов, Огнев, Сафронов

МПК: C30B 25/08

Метки: осаждения, реактор, слоев

РЕАКТОР ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ, включающий корпус с крышкой, подложкодержатель, средства ввода и вывода реагирующих компонентов газовой фазы, завихритель, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности реактора за счет сокращения времени на его очистку от продуктов реакции, упрощения формы реактора и уменьшения его габаритов, завихритель выполнен в виде съемного цилиндра, установленного в крышке соосно с подложкодержателем и имеющего диаметр не более наибольшего поперечного размера подложкодержателя, а средство вывода выполнено из нескольких патрубков с соплами для раздельной подачи реагирующих компонентов, причем оси сопл наклонены вниз и расположены таким образом, что их проекции на плоскость, проходящую через вертикальную ось...

Номер патента: 1723847

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бабийчук, Космына, Некрасов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ на основе сложных оксидов, включающий расплавление исходных компонентов в тигле, выдержку, кристаллизацию путем медленного охлаждения, отделение кристаллов и последующее быстрое охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов, их выхода и удобства извлечения, расплавление и кристаллизацию проводят в двойном тигле, внутренний из которых имеет отверстие в дне, отделение кристаллов ведут путем подъема внутреннего тигля со скоростью не более 3 мм/ч, после чего проводят быстрое охлаждение со скоростью не более 60oС/ч.

Номер патента: 535771

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Воинов, Глущенко, Морохов, Фарбер

МПК: C30B 31/06

Метки: кремния, окисления, пластин, термического

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ, включающее горизонтально установленный кварцевый реактор, снабженный магистралями для подачи кислорода и воды с каплеобразователем, отличающееся тем, что, с целью повышения воспроизводимости процесса окисления, реактор снабжен поперечной перегородкой с окном, отделяющей место расположения пластин от магистралей подачи воды и кислорода, а каплеобразователь - наклонно расположенным в полости реактора патрубком, выходное отверстие которого расположено ниже окна в перегородке.

Номер патента: 1431391

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Матвеев, Нахабцев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, кадмия, монокристаллов, теллурида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ, включающий нагрев поликристаллической загрузки и кадмия, расположенных в разных секциях герметичного контейнера, плавление загрузки, выдержку расплава и его последующее охлаждение с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности дислокаций, исключения двойников в кристаллах и упрощения процесса, при охлаждении в секции с расплавом поддерживают безградиентное температурное поле, а температуру в секции с кадмием 755 - 765oС и охлаждение ведут со скоростью, равной или меньшей 3 град/ч.

Номер патента: 1462857

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Жиляев, Кечек, Куликов, Маркарян

МПК: C30B 25/08, C30B 25/14

Метки: выращивания, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксиальных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР из газовой фазы, содержащее реактор, неподвижно установленный в нем подложкодержатель, источники исходных компонентов, каждый из которых соединен со средством ввода газов, и средство их вывода, отличающееся тем, что, с целью уменьшения толщины переходных слоев, устройство снабжено проточной камерой роста, в которой размещен подложкодержатель, при этом камера роста соединена с одним из источников поворотным коммутатором.

Номер патента: 1591537

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик, Пузиков

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, монокристаллов, профилированных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающее камеру роста, тигель для расплава с установленным в нем формообразователем в виде закрепленной на основании насадки, соединенной с вертикальным капиллярным каналом и имеющей на поверхности канавки, и затравкодержатель с затравкой, отличающееся тем, что, с целью увеличения прочностных и оптических характеристик монокристаллов в виде изделий неправильной геометрической формы с удлиненными выступами, насадка имеет выступы, канавки расположены в каждом из выступов в направлении их наибольшей длины и выполнены несквозными.

Номер патента: 1503355

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравления, корунда, методом, монокристаллов, профилированных, степанова

СПОСОБ ЗАТРАВЛЕНИЯ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА МЕТОДОМ СТЕПАНОВА , включающий нагpев pасплава в тигле с фоpмообpазованием, пpиведение установленной над ним на кpисталлодеpжателе затpавки в контакт с pасплавом на тоpце фоpмообpазователя и последующее выpащивание кpисталлов, отличающийся тем, что, с целью повышения стpуктуpного совеpшенства кpисталлов и снижения тpудозатpат, затpавочный кpисталл беpут в виде плоского элемента, а кpисталлодеpжатель - из того же матеpиала и той же оpиентации, что и затpавка, и пеpед затpавлением пpоводят их соединение путем пpиложения сжимающей осевой нагpузки к кpисталлодеpжателю, контактиpующему с затpавкой, pазмещенной на тоpце фоpмообpазователя, пpи 1500 - 1950oС,...

Номер патента: 1736214

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Квятковский, Коневский, Кривоносов, Литвинов, Шкадаревич

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: активированных, корунда, монокристаллов, них, термообработки

1. СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ АКТИВИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА И ИЗДЕЛИЙ ИЗ НИХ путем отжига пpи темпеpатуpе не менее 1750oС в атмосфеpе кислоpода и водоpода, отличающийся тем, что, с целью повышения лучевой пpочности монокpисталлов и изделий из лейкосапфиpа, pубина и тикоpа, отжигают монокpисталлы с концентpацией активатоpа не более 0,2 вес. % сначала в окислительной атмосфеpе с паpциальным давлением кислоpода 103 - 105 Па, а затем в водоpоде.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг в окислительной сpеде пpоводят в течение вpемени t1 = x2/8D(с), а в водоpоде в течение не менее 5 ч, где X - минимальный pазмеp монокpисталлов (см), D = 2

Номер патента: 1476980

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Захаров, Мананникова, Черпухина

МПК: C30B 29/18, C30B 33/10

Метки: кварца, кристаллов, травления

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА, включающий травление в растворе, содержащем неорганическую кислоту и нетравящие компоненты при нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения степени шероховатости поверхности, перед травлением кристалл обрабатывают в одном нетравящем компоненте или их смеси при нагреве до температуры в пределах 20oC от температуры травления.

Номер патента: 1140492

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Абрикосов, Иванова, Свечникова, Чижевская

МПК: C30B 15/00, C30B 29/46

Метки: монокристаллического

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА на основе твердых растворов халькогенидов сурьмы и висмута для термоэлектрических преобразователей путем выращивания кристалла из расплава на затравку с подпиткой жидкой фазой из плавающего тигля в атмосфере инертного газа, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности материала и увеличения выхода годного, выращивание кристалла ведут со скоростью 0,25 - 0,5 мм/мин, при осевом градиенте температуры в кристалле на фронте кристаллизации 78 - 140 К/см.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что с целью повышения однородности материала остава 96 мол. % Sb1,5 Bi0,5 Te3 + 4 мол. % Bi2 Se3 для p-ветви термоэлектрических...

Номер патента: 778374

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Миллер, Переляев, Швейкин

МПК: C30B 29/22, H01L 45/00

Метки: материал, переключающих, полупроводниковый, элементов

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий монокристаллический диоксид ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения его устойчивости и надежности в работе, материал дополнительно содержит пятиокись ванадия в количестве 0 - 95 мас.% в виде поликристаллической матрицы, в которой размещены монокристаллы диоксида ванадия, ориентированные параллельно друг другу.

Номер патента: 1774673

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Гоголадзе, Долгинов, Малькова, Мильвидский, Пшеничная, Соловьева

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: структуры

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ In0,53Ga0,47 As / InP методом жидкофазной эпитаксии, включающий отжиг подложки InP сначала при 300 10oС, затем при температуре выше или равной температуре эпитаксии под защитной пластиной InP и выращивание слоя In0,53Ga0,47As с концентрацией носителей n < 1 1015 см-3 из раствора-расплава, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности структуры в спектральном диапазоне 1,85 - 2,1 мкм, выращивание слоя ведут при 710 ...

Номер патента: 1610949

Опубликовано: 15.10.1994

Автор: Тарасенко

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Метки: алмазоподобных, пленок

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПЛЕНОК путем распыления мишени из графита импульсным лазером и осаждения паров на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных и бездефектных пленок, стойких к лазерному излучению, распыление ведут с помощью ТЕА СО2-лазера с плотностью мощности излучения 1 107 - 5 108 Вт/см2 при расстоянии от мишени до подложки не менее 7 см и вакууме в камере не менее 10-5 торр.

Номер патента: 1398484

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: карбида, кремния, слоев

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ путем конденсации паров источника на подложку карбида кремния в инертной атмосфере при температуре выше 1800oС и температурном градиенте, перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения морфологического и структурного совершенства слоев, конденсацию паров ведут на подложку с одной или несколькими выступающими квадратными площадками высотой 5 - 200 мкм, площадью 0,01 - 1,0 мм2 при дополнительном радиальном температурном градиенте 10 - 50 град/см, скорости роста не более 100 мкм/ч в течение не менее 10 мин.

Номер патента: 1707999

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Захарюгина, Зверева, Линев, Петров

МПК: C30B 29/12, C30B 9/12

Метки: бариевого, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, основе, шихта

...в качестве растворителя висмутата натрия естествен 1707999ное вхождение в кристалл ионов висмута1+В и натрия йа . что, в свою очередь,приводит к нарушению электронейтральности кристаллической решетки и обраэова 2+нию ионов двухвалентного железа ЕеПоследние относятся к быстрорелаксирующим ионам и существенно ухудшаютмагнитную добротность материала ( Л,Н)наряду с ионами ВР и Ма 1+,Присутствие в шихте углекислого кальция в значительной степени препятствуетэтому за счет снижения содержания висмута и натрия в кристалле в среднем в двараза.Снижению содержания ионов Ее 2+ в 15растущем кристалле способствует и углекислый марганец МпСОз за счет протеканияв раствор-расплаве окислительно-восстановительной реакции ЕеМпз+ - Еез+Мп 20Что касается...

Номер патента: 1503346

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Блистанов, Гераскин, Козлова, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, иодата, кристаллов, лития, модификации

1. СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ, включающий приготовление водного раствора иодата лития и кристаллизацию на затравку Z-среза заданной формы изотермическим испарением раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения объема фантомной области кристалла, затравку берут прямоугольной формы, ограниченной по периметру гранями {1010} и {1120} с соотношением сторон по плоскости {1010} и {1120} не менее 1/ . .2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов в виде пластин, затравку берут с соотношением сторон по плоскости {1010} и { 1120} более 1,5.

Номер патента: 1362088

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Гутан, Шамовский

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: материал, монокристаллический, спектрометрических, сцинтилляторов

1. Монокристаллический материал для спектрометрических сцинтилляторов на основе йодистого цезия, активированного таллием йодистым, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости материала, его параметров по энергетическому и временному разрешению ионизирующих излучений и расширения температурного диапазона использования, он дополнительно содержит легирующую примесь в виде бромистого цезия и имеет состав, соответствующий следующей формуле:(CsI)x(CsBr)y(TlI)[1-(x+y)] ,где 0,947 x 0,948;0,049

Номер патента: 1175186

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Валеев, Глюк, Демина, Мироненко, Михайлов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/34

Метки: берилла, кристаллов, структурой

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СО СТРУКТУРОЙ БЕРИЛЛА на основе бериллиевого индиалита, включающий нагрев шихты, содержащей оксиды Mg, Be, Al и Si в тигле, кристаллизацию и последующее охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов, оксиды берут в соотношении, соответствующем формуле Mg2-x Be1+x Al2 Si6 O18 где x = 0,00 - 0,45, нагрев ведут до 1450 - 1500oС, а кристаллизацию проводят путем опускания тигля со скоростью 2 - 3 мм/ч через зону с температурой 1360 - 1380oС.

Номер патента: 1626741

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Гутан, Шамовский

МПК: C30B 29/12

Метки: материал, монокристаллический, спектрометрических, сцинтилляторов

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИХ СЦИНТИЛЛЯТОРОВ на основе твердого раствора CsIxCsBr1-x, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности регистрации и временного разрешения сцинтилляций и исключения токсичности, раствор имеет состав, соответствующий 0,8 х 0,9.

Номер патента: 1376633

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Диордиева, Кунакин, Майор, Матяш

МПК: C30B 25/08

Метки: выращивания, слоев, эпитаксиального

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ соединений А3В5, включающее вертикальный реактор, размещенные внутри него по оси коаксиальные трубки для ввода газовых реагентов, источник элементов третьей группы, закрепленный на этих трубках, дисковый подложкодержатель с подложками, соединенный со средством вращения, и наружный нагреватель, отличающееся тем, что, с целью улучшения морфологии за счет исключения попадания поликристаллических включений на поверхность слоев, устройство снабжено вертикальным цилиндром, внутри которого размещен источник элементов третьей группы, снизу цилиндр снабжен подставкой, соединенной со средством вращения, а сверху на цилиндре размещен подложкодержатель с выполненными в нем...

Номер патента: 1723853

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Алексеев, Винтайкин, Гриднев, Кузнецов, Сидоров

МПК: C30B 1/06, C30B 29/52, C30B 33/04 ...

Метки: fe-co-cr-mo, магнитов, монокристаллических, основе, постоянных, сплава

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОСТОЯННЫХ МАГНИТОВ НА ОСНОВЕ СПЛАВА FE-CO-CR-MO, включающий отливку поликристаллической заготовки из исходных компонентов с добавлением легирующей примеси, выращивание монокристалла и последующую обработку путем нагрева, закалки от температуры 1250 - 1300oС до комнатной температуры, повторный нагрев и ступенчатое охлаждение в магнитном поле, отличающийся тем, что, с целью повышения магнитных и механических свойств, в качестве легирующей примеси используют германий в количестве 0,1 - 2,0 мас. %, а закалку ведут со скоростью 15 - 30 град/с до 700 - 750oС и далее со скоростью 70 - 100 град/с.

Номер патента: 1776099

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Власов, Голубев, Шредник

МПК: C30B 29/62, C30B 33/04

Метки: микровыступом, микрокристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРОКРИСТАЛЛОВ С МИКРОВЫСТУПОМ из металлов с объемноцентрированной кубической решеткой, включающий нагрев кристалла в виде острия до температуры T0, лежащей в интервале T1 T0<T<sub>пл, где Tпл - температура плавления, а T1 - температура начала поверхностной самодиффузии атомов металла, приложение к кристаллу электрического поля и увеличение его напряженности до появления термополевого микровыступа, наблюдение ионной эмиссии с острия в полевом эмиссионном микроскопе и многоступенчатое снижение напряженности электрического поля с величиной ступени, не превышающей 3% от...

Номер патента: 1306175

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Алексанов, Бондарь, Галченков, Семенов

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкофазной, эпитаксии

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ многослойных полупроводниковых структур, содержащее корпус с крышкой, контейнер с емкостями для исходных расплавов, снабженными поршнями с толкателем, подвижный держатель для размещения подложек, имеющий второй толкатель, камеру роста и каналы для подачи и вывода расплавов из камеры роста, отличающееся тем, что, с целью увеличения производительности, держатель выполнен многосекционным для вертикального попарного размещения подложек рабочими сторонами друг к другу, контейнер установлен под держателем, крышка снабжена выступами для удаления излишков расплава, а оба толкателя жестко соединены между собой.

Номер патента: 1746759

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Куриленко, Саенко

МПК: C30B 11/04, C30B 29/26

Метки: выращивания, марганец-цинкового, монокристаллов, феррита

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВОГО ФЕРРИТА, включающий размещение в тигле затравки и исходного материала, его расплавление и направленную кристаллизацию путем перемещения тигля в менее нагретую часть печи при периодической подпитке расплава гранулами исходного материала, расплавляемыми в питателе, нагретом до температуры выше температуры плавления гранул, отличающийся тем, что, с целью повышения монокристаллов и исключения нарушения процесса выращивания за счет поддержания постоянной требуемой температуры питателя, определяют интервал плавления гранул из соотношения:пл= (0,50-0,75)

Номер патента: 1732706

Опубликовано: 10.03.1995

Авторы: Абаренкова, Иванова, Саенко, Харинская, Эркес

МПК: C30B 11/02, C30B 29/26

Метки: материал, монокристаллический, ферритовый

ФЕРРИТОВЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ на основе феррошпинели, содержащий марганец (II), цинк (II), железо (III) и кобальт (II), отличающийся тем, что, с целью повышения магнитной проницаемости на высоких частотах и удельного электросопротивления, он дополнительно содержит марганец (III) и имеет кристаллохимическую формулуMn2x+ZnyCoaMn3b+FezO4- ,где x = 0,683 - 0,853;y = 0,254 - 0,28;a = 0,003 - 0,018;b = 0,004 - 0,062;l = 1,873 - 2,001;g = 0 - 0,034