C30B 33/12 — в газовой среде или плазме

Номер патента: 1638222

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Гольдфарб, Дикарев, Перелыгина, Петраков

МПК: C30B 29/30, C30B 33/12

Метки: лития, ниобата, сухого, травления

...типа на расстоянии 45 мм от потенциального электрода.Диаметр камеры 120 мм, Вакуумы тема обеспечивает уровень предв тельного разрежения в РРК не2,7 Па, Процесс травления 1.1111 ЬО про" водят при давлениях плаэмообразующего газа Р=40, 53, 66 Па и средних эначеИзобретение относится к обл ионики, в частности к методамовления приборов на твердомтеиспользованием ниобата лития.ечиваетсяповьппение скоростиения. Спо соб включает сухоеение в плазме высокочастотногода газообразного гексафторида5 Р при условии Т 700-39 4 Р,- температура ниобата лития, К;авление Баб 9 равное 406 Р 66 Па.гнута скорость травления 0,25 мкм/мин. 1 табл,В таблице приведены рез ы травления образцов 1 ЙЬОз при различных параметрах процесса: Р - д ение,.Па; И - среднее...