C30B 15/34 — выращивание из пленки кристаллов с определенными гранями с использованием формоизменяющих матриц или щелей

Номер патента: 149759

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гольцман, Кун

МПК: C30B 15/34, C30B 27/02

Метки: монои, поликристаллов

...напграфитовый поплженный теплоизбой 7.Предлагаемымнаправленныесечения из полуВ 1,Те, и тройной методом были п поликристаллы ква проводникового со сплав В 1 - Те - ЯЬ. олученьдратногодинения На щаяпоясняючертеже представленаредлагаемый способ.поверхности расплава, из кается образец, расположенвок 1, в центре которогощееся кверху отверстие сного сечения, соответствующобразца 2.плав и графитовый поплам, инертным по отношениюый защищает расплав отения и служит одновременндающей среды. Для охлажд схем В качестве флюса примен сплав 40 о/с 1.1 С 1+60% КС 1 исходит взаиморастворени ваемого поликристалла, а ленпя флюса (350 С) н плавления В 1 Тех (585), ность в области кристал большой температурный гр вающий хорошую напр кристаллов. Образцы В 1...

Номер патента: 151299

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: C30B 15/34

Метки: 151299

...от нег ивы. Это позния монокристалла оля корить и епрерыв осуществленииопределяет пос оба выращивания монокристаллов ФОРМ формой кристаллизационноляет выращивать крист тру я которой и рост боковых астей кристалла огранич пересыщенного непрерывн Ы в Йщи вани едут кулир кристалла раств ПОС ОБ ИРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТИШОВИВЯНОГО ПРОФИЛЯ ИЗ РАСТВОРОВ естен способ выращивания монокрис ой камеры, коналл в одном напр н стенками камПо Мере роста кристалл вытягивается из камеры и отнего отрезают блоки нужной величины без прекращения процесса выращивания. ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ Способ выращивания монокристаллов заданного профиля из растворов, растущих в одном направлении,с дальнейпим отрезанием от кристаллов биоков нужной величины, о т л ич а ю щ и й...

Номер патента: 949979

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Брантов, Татарченко, Хлесткин, Эпельбаум

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллических, ориентированных, слоев

...верхнего тигля по капиллярному зазору между пластиной питателя и подложкой-кристаллом проникает в нижний тигель, НедоСтатком устройства является то, что работа его верхней части возможна при использовании предварительно подготовленных подложек, при этом площадь контакта подложки с расплавом вследствие его затекания в щель между питателем и подложкой определяется площадью пластины питателя, вдоль которой протягивается подложка. Значительная величина зоны контакта расплава с подложкой приводит к ухудшению 25 качества выращиваемого слоя вследствие загрязнения расплава примесями.Цель изобретения - снижение загрязнения примесями выращиваемых сло- ЗО ев за счет уменьшения зоны расплава, контактирующего с подложкой, и увеличение...

Номер патента: 687654

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Бевз, Березенко, Гашенко, Данилейко, Епихин, Тимошин, Фалькевич

МПК: C30B 15/34, C30B 29/06

Метки: кремниевых, полых, труб

...область диаметра 0,4-0,9 диаметра тигля в приповерхностных слоях расплава создается восходящим конвективным потоком в центре тигля и подогревом пе 5 10 15 риферийной части расплава непосредственно от нагревателя, Восходящие конвективные потоки создаются в расплаве при отношении удельных тепловыхпотоков, подводимых к боковой и донной частям тигля, равном 0,4-0,6.Кроме того, на столбик расплавав мениске действуют три силы: собственный вес, силаповерхностного натяжения и центробежная сила,Изменяя скорость вращения трубыможно изменять центробежную силуи тем самым регулировать Форму менискаСкорость вращения трубы должна быть оптимальной и рассчитывает 15 5 - 4 с 1ся по формуле иа с 1 где и - скорость вращения трубы,об/мин, Й - наружный...

Номер патента: 1306173

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Антонов, Никаноров, Носов

МПК: C30B 15/34

Метки: монокристаллических, трубок

...мм,Получение монокристаллов возможно и при других скоростях вращения эатравочного кристалла. При этом изме" нение скорости вращения естественно, может повлечь эа собой изменениерасстояния меяду рабочими участкамиФормообраэователя. Достижение требу"емого эффекта, т,е, периодического изменения состава по высоте кристалла, возможно в очень широком диапазоне скоростей вращения затравки (О, 1200 об/мин). Выращены монокристаллические трубки длиной 80-100. мм. Эти трубки раэрезались по вертикальным образующим на прямоугольные образцы размерами 3 Э 15 мм. Чередующиеся легированные1306173и нелегированные слои имели равную Тд- Тд- е ширину. Суммарная ширина двух слоев ТА равнялась 0,25 мм,что соответствовало подъему затравки при одном ее где...

Номер патента: 1551749

Опубликовано: 23.03.1990

Автор: Рогальский

МПК: C30B 15/34

Метки: композиций, кристаллов, профилированных, эвтектических

...на токарномстанке, шлифуют на наждачной бумагес зерном 50/40, 40/28, 28/20, а затем полируют алмазными пастая с зерном 14/10, 10/7, 7/5, 5/3, 2/1,1/О мкм,Капиллярные каналы 7 изготовлены 25из платиновой трубки внутренним диаметром 0,9 10 м, а наружным 1,1"10 м, длиной 2,5 10 м и закреплены на боковой поверхности формообразователя 5 с помощью закрепляющих колец, изготовленных иэ материала, невзаимодействующего с расплавом, в данном случае из молибдена.В углубление тигля 1 устанавливают формообразователь 5, вокруг которого размещают кристаллы ИаГ и СаГв соотношении 58 и 42 об.Б, что соответствует соотношению компонентовв точке энтектики. Затем тигель 1устанавливают ца подставку 2 и помещают в нагреватель 3, после чего припомощи...

Номер патента: 1009117

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Андреев, Каплун, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, монокристаллов, профилированных

...и тепловой оси тигля 1. Так как каждыйиз них коаксиален этим осям, то температура у любых эквивалентных частейформообразователя, расположенных пообе стороны от осей, одинакова.1Устройство работает следующим образом,В тигель 1 через отверстия в крышке 2 загружают сырье, Устройство помещают в установку для выращиваниякристаллов известной конструкции, Вростовой камере создают контролируемую среду и, повышая температуру,расплавляют сырье. Расплав по капиллярам поднимается в зону кристаллизации. Затем к формообразователямподводят затравку плоской 9 (фиг. 3)или цилиндрической 10 (фиг. 4) формы,.Затравочный кристалл 9, 10 может бытькруглого или прямоугольного сечения,перекрывающего каждый формообразователь хотя бы в одной точке. Затравку 9, 10...

Номер патента: 1604869

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Петьков, Редькин, Татарченко

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

...фронта кристаллизации.П р и м е р. Проводят выращивание кристаллов ниобата лития из тигля диаметром 40 мм, высотой 35 мм. Формообразователь имеет среднюю кривизну сопрягающей поверхности 0,1 б К в - 10, причем изменение средней кривизны ЬК по всей поверхности сопряжения не превышает 0,2. Тигель и формообраэователь выполнены из платины.Результаты экспериментов представлены в таблице.Использование изобретения позволя ет осуществлять выращивание монокристаллов в виде стержней, пластин иразличных замкнутых профилей. Формула и з обретенияСпособ выращивания профилированныхкристаллов, включающий затравление сторца формообразователя, зацеплениемениска расплава за рабочую поверхность формообразователя и выращивание при подвижном мениске...

Номер патента: 839324

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Блецкан, Папков, Перов, Суровиков

МПК: C30B 15/34, C30B 29/16

Метки: выращивания, лент, монокристаллических, окислов, тугоплавких, формообразователь

...в котором пластины с верхними горизонтальными торцами разделены капиллярным зазором. В. этом случае фронт. кристаллизации имеет плоскую форму над торцами пластин и симметрично втянутую в зазор и оканчивающуюм ся гребнем. Центрами кристаллизации являются края ленты, и вершина .гребня в середине ленты. В процессе роста толщина плевки расплава. между фронтом кристаллизации и поверхностью торцов пластин колеблется нз-за вибрации затравки и колебания таких параметров, как температура, скорость вытягивания и т.д.Вследствие малой толщины этой пленки неизбежны соприкосновения локальных участков фронта кристаллизации с поверхностью торцов пластин.Участки ленты, соприкасающиеся с пластинами, примораживаются к ним и, вследствие непрерывного...

Номер патента: 1345682

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Алябьев, Артемов, Буланов, Папков, Перов

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: лент, монокристаллических, сапфира

...Выход основной Фракции составляет 52%, а трудоемкость измельчения1 кг исходного материала составляетО, 1 Н/ч.Повторный нагрев отделенной хруп" ной фракции с последующим сбросом ее в воду, измельчением и просеиванием через набор сит увеличивает суммарный выход годного до 80%.После операции измельчения исходный материал загружают в тигель, при этом возможно испольэовать фракцию любого размера, а основную Фракцию загружают в подпиточный бункер. Камеру установки "Спектр с реэистивным нагревом вакуумируют приблизительно до 1 10мм рт.ст. и лоднимавт мощность до расплавления корунда в тигле. Предварительно, при достижении температуры в камере 1200 С в камерунапускают инертный газ Ат до давленияО,О атм. После расплавления корунда производят...

Номер патента: 1213781

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Алябьев, Папков, Перов, Шевченко

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивания, лент, монокристаллических, сапфира

...диаметру графитового нагревателя 5. Этот цилиндр вставляютвнутрь графитового нагревателя 5.Затем собирают устройство из графи"тоного нагревателя 5 с молибдено"ным цилиндром, пьедестала 4 и экранон 7. С помощью резистивиого нагрева графитового нагревателя 5 совставленным в него цилиндром подннмаот темйературу до2000 С и выдерживают в течение 0,5-1 ч. Приэтой температуре происходит интенсивная диффузия углерода в молибденовый цилиндр, взаимодействие егос молибденом с образованием слоя 6,карбида молибдена. При,этом давление паров углерода падает с 10 до.в1 0 " атм , т , е . уменьшается на три порядка .Спой 2 вольфрама на внешнюю поверхность молибденового тигля нано"сят при помощи плазменно-дуговойгорелки при 4 5000 С с использованием 3781...

Номер патента: 1691433

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Курлов, Редькин

МПК: C30B 15/34, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Метки: выращивания, кристаллов, оксидов, профилированных, сложных

...Включение материала формообразователя и дефекты,связанные контактом с формообразователем, наблюдаются только на поверхностнойчасти кристалла,Измерить давление в замкнутом объемене представляется возмокным но онолегкорассчитывается из следующих условий;рЧ = сопэт(закон Бойля-Мариотта) и Р -Р.= рцэр,где Р - давление в замкнутом объеме;Р - давление в камере;р - плотность расплава;о - ускорение свободного падения;Ь - высота поднятия расплава в замкнутом обьеме относигельно уровня расплава.Но в данном случае наиболее вахнойхарактеристикой является расстояниеотпластины затравки до места схлопывания(фиг. 4), в зависимости гп Р - давления в 10 15 20 25 30 35 40 45 50 камере. Зто расстояние рассчитывают поформуле Н-Н+ Нф,Ну р цРгде Н -...

Номер патента: 1712473

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Антонов, Крымов, Овчинникова, Токарев, Юферев

МПК: C30B 15/34

Метки: кристаллов, методом, степанова, трубчатых

...показано, что при Яверт41 будутувеличиваться напряжения на фронте кри 5 сталлизации, а при Я 8 ерт41 будет уменьшаться величина градиента температуры нафронте кристаллизации, что приведет куменьшению скорости вытягивания, т,е.приведенное соотношение является опти 10 мальным и существенным для получения эффекта улучшения структуры кристалла.Существенно также расположение вертикальных экранов на расстоянии от поверхности формообразователя Яор 2 Г,15 При большем расстоянии нарушается локальный режим работы экранов, т,е. на каждую точку экрана попадает излучение не спротиволежащей точки, а с широкой области, и тепловое воздействие на область у20 фронта кристаллизации становится неэффективным, Минимальное расстояние докристалла...

Номер патента: 1382052

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, группового, кристаллов, профилированных

...каждый Формообразовательхотя бы в одной точке Затравку доводят до соприкосновения с основныминаиболее высокими Формообраэователями 4 и оплавляют ее до контакта сдополнительным более низким Формообразователем 5. Образовавшийся расплав стекает по капиллярам в тигель.Затем включают механизм подъема вытягивающего устройства (на чертеже 1не показана) и начинают кристаллизацию При этом одновременно с основными изделиями, Форма которых задается основными формообразователямирастет монокристаллический отражательный экран, Форма которого задается дополнительным Формообраэователем 5, Отражательный экран повышает температуру внутренней стенки изделия, выравнивает ее по сечению иэ"делия, тем самым улучшает качествоиэделия за счет снижения...

Номер патента: 1443488

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Бутинев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 15/36

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

...вытягиваюший ме"ханиэи.Повышают температуру тигля 1 по заданной программе до начала планле ния прокладок 8. По мере оплавления последних поверхность затравки 4, свободно установленной на них, плав-.но и медленно сближают с Формообразователем 7. После полного оплавления прокладок 8 затравка 4 ложится на формообразователь 7 и полки 3, После контакта затравки 4 сполками 3 делают выдержку для стабилизации тепловых условий на Фронте кристаллизации и начинают вытягивание кристалла известным способом. При этомтяги 2 самоцентрируются на затравке4 за счет смещенного центра тяжестии наличия шарниров 5, фиксируя затравку 4 и растущий кристалл в заданном положении.П р и м е р. Выращивание сапфировых (А 10 з) тиглей цилиндрическойформы с наружным...

Номер патента: 845508

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бындин, Литвинов, Носов, Пищик, Шоршин

МПК: C30B 15/34

Метки: кристаллов, профилированных

...окружности гнезда для затравкодержателей, в верхней цасти камера снабжена каналом для размещения затравкодержателей и подачи их на диск,в нижней части камера снабжена приемником полученных кристаллов, асредство подпитки расплава выполнено в виде бункера, установленноговне камеры и соединенного с тиглемтурбопроводомПенал для размещения затравкодержателей снабжен Фиксатором в нижнейчасти, на котором установлен наборзатравкодержателей,незда поворотного диска выполнены в виде тангенциальных газов сцентрирующими выступами, имеющими коническое углубление,На Фиг, показано устройство, продольный разрез, на Фиг,2 - сечениеА-А на Фиг,1, на Фиг,3 - сечение Б-Бна Фиг,2; на Фиг,4 - вид В на Фиг 3;на Фиг. 5 - сечение Г-Г на Фиг.1;на Фиг,б - сецение...

Номер патента: 1801991

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Курлов, Петьков, Редькин

МПК: C30B 15/00, C30B 15/34, C30B 29/32 ...

Метки: выращивания, гадолиния, кристаллов, молибдата, ориентации

...скоростью 20-50 об/мин до достижения толщины кристалла более 15 мм, при вытягивании кристалл вращают со скоростью 90-110 об/мин. Получают кристаллы длиной до 60 мм, шириной 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества, 2 табл. ращивании составляла 40 об/мин. При этом толщина кристалла 25 мм, После разращивания скорость вращения увеличили до 100 об/мин - толщина кристалла осталась прежней. Длина участка разращивания составила 15 мм, Было выращено 12 кристаллов молибдата гадолиния 90 ориентации длиной 50 - 60 мм, шириной до 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества, Из каждого кристалла вырезали 6 элементов шириной 10 мм, толщиной 11 мм, длиной 40 мм,В табл,1 приводятся значения толщин выращиваемых кристаллов в зависимости От толщины кристалла...

Номер патента: 613544

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Добровинская, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: вытягивания, кристаллов, профилированных

...2 - капилляр, поперечное сечение. соте тигля капиллярами, поперечные сечения которых представляют собой фигуры, ограниченные кривыми, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения длины вытягиваемых кристаллов путем увеличения высоты подъема расплава в капиллярах и емкости тигля, поперечные сечения капилляров представляют собой фигуры, ограниченные гипоциклоидами.2.Устройство поп.1,отличаю щеес я тем, что каждый капилляр образован тремя цилиндрическими элементами с одинаковыми диаметрами, контактирующими один с другим по образующим.%Устройство (см. фиг. 1) состоит иэ тигля 1 с крышкой 2, в которой закреплен формообразователь 3, состоящий из цилиндрических элементов 4 одинакового диаметра, Я прижатых один к другому по всей...

Номер патента: 475075

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Гринченко, Добровинская, Литвинов, Пищик, Тучинский

МПК: C30B 15/34

Метки: вытягивания, монокристаллической, нити, расплава

...чертеже изображено предлагаемоеустройство, разрез.Оно состоит из тигля 1 с крышкой 2, вкоторой встроен формообразователь 3, состоящий из капиллярных трубок 4, смачиваемых расплавом. Нижние торцыкапиллярных трубок открываются в придонную область тигля, верхние выведены изкрышки. Трубки расположены так, что верхняя часть формообразователя имеет форму уменьшения времени заобразователь выполненров, верхняя часть котоконуса.2. Устроиствося тем. чточгл иляет 90 - 170.3. Устройство по и. 1с я тем, что крышка тигляцевой канавкой вокруг фоснабженной отверстием. конуса с углом при вершине 90-170, Вокруг формообразователя в крышке выполнена кольцевая канавка 5 с отверстиями 6. Над тиглем установлен кристаллодержатель 7 с затравкой 8...

Номер патента: 1445277

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Василенко, Кандыбин, Косилов

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, группового, кристаллов, меди, основе, профилированных

...1 подводят эатравочиыекристаллы б, закрепленные в затрав"кодержателе 7.Устройство работает следующимобразом.После заполнения капиллярнвп каналов Формообразователей 1 к их рабочим торцам подводят затравочные 40кристаллы 6 и начинают вытягиваниекристаллов. При высоте сужающейсяверхней части Формообразователя 1равной (2-4) й, где (1 - толщинакристалла, и угле сужения равном30-50 уровень расположения фронтакристаллизации (вблизи середины сужающейся, верхней части формообразователя) соответствует максимальномуградиенту температуры вдоль оси вытягивания. Кроме того, отсутствует50охлаждение периферии столба распла 7 2ва, Эти условия необходимы для получения моиокрнсталлов с максимальной скоростью выращивания. Изобретение...

Номер патента: 1313027

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: внутренней, выращивания, кристаллов, полостью, профилированных

...затягивается в кдпиппярный эдзар 11 между перфорираззанныл 111 кольцам 10 и кольцом 7формообразоодтеля 3. Полость 6 оказываетСЯ ИЗОПИЗОВД Н НОЙ ПЗ 1 ПО 1 лГЗЩИ ТаКОГ 0 ЖИД костного затвора, по мере роста изделия давление о ней падает, Перепад наружного и внутреннего давления приводит к изменению формы вплоть до полного здхлспывания полосги 6, после чего кольцо 10 пооорачиодется таким образом. чтобы отверстия 9 совпадали с перфорацией 12, Открыва,отся отверстия 9, при этом жидкостный затвор перестает действовать. и процесс выращивания повторяется П р и м е р. Выращивают монокристаллические пробирки из корунда наружного диаметра 8 мм, внутреннего 5 мм, длиной 40 мм, Для получения изделий используют молибденовый тигель диаметром 80 мм ц...

Номер патента: 1284281

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Бутинев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, корунда, кристаллов, профилированных

...соображенийвысота Ь равна 0,150радиус а плоского сечения сегмента раРк - 2 Ьвен, где Ь - ширина капиллярного2канала;2 + Ь 2радиус шара г равенУстройство работает следующим образом,Тигель 1 нагревают до температуры плавления сырья 2050 С, На затравку выращивают кристалл 6,П р и м е р, Выращивание моноблока изсапфира диаметром 14 мм.В тигель 1, выполненный из молибденадиаметр тигля 80 мм, высота 80 мм), поме щают исходное сырье в виде отходов корунда Вернейлевского производства, На верхний торец пучка капилляров 2 помещают капиллярный формообразователь в сборе, элементы которого изготовлены из 10 молибдена, Диаметр наружной обечайки 3равен 14 мм. Внутренний элемент 4 капиллярного формообразователя выполняется в виде шарового сегмента...

Номер патента: 1048859

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравливания, монокристаллов, профилированных

...АИГ. Данные для. ная ( . 0,5 мм). Поэтому коэффициент расчета шаблонов приведены:в табл.З.уменьшения зазора выбран в данном сЛучае. 20: Расчетные. шаблоны .равным 0,75. Первичные операции выполне- й 1 = 4;41 мм., Ь 2 =. 2,1 мм, Ьз - 1 О 0,51 мм.ны как в примере 1 Данные для расчета. В табл.4 приведены сопоставительныешаблонов приведены в табл,2. данные способов затравливания при выраДалее процесс ведут. аналогично приме- щивании сапфироаых труб диаметром 8,8ру 1. Данйый пример отличается от пред мм,ыдущего величиной коэффициентаДанные табл,4 показьгвают, что предлолинейного расширения затравочного кри-:женный способ обеспечивает упрощениесталла и характером егожбработки; йрбцесса затравливания и повышает выходПоскольку элементы...

Номер патента: 1736209

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Апилат, Литвинов, Литичевский, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: монокристаллов, нитевидных

...крышкой 6, в котором размещеносредство перемещения, Средство перемещения выполнено в виде двух коаксиально.55 расположенных барабанов, На валу 7 консольно укреплен внутренний барабан 8, связанный с приводом 9 вращения и осевогоперемещения, а на валу 10 в винтовой паре11 установлен наружный барабан, выполненный из двух частей 12 и 13, отъемнаячасть которого 13 фиксируется к остальной части 12 стопором 14 и имеет винтовую канавку 15 (фиг.З), шаг которой совпадает с. шагом шарико-винтовой пары 11, и прорезь 16. Внутренний барабан 8 имеет две коль цевые канавки, в которых помещен гибкий элемент - тросы 17, на концах которых укреплен затравкодержатель 18 с затравкой 19 (фиг.З), имеющий форму и размеры, точно совпадающие с прорезью 16 на...

Номер патента: 1131259

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ путем вытягивания кристалла на затравку из расплава, подаваемого через систему капилляров и формообразующий элемент при контроле процесса по толщине слоя расплава с регулировкой мощности нагрева, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества кристаллов, между системой капилляров и формообразующим элементом создают демпферный слой расплава и контроль процесса ведут по его толщине.

Номер патента: 1591537

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик, Пузиков

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, монокристаллов, профилированных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающее камеру роста, тигель для расплава с установленным в нем формообразователем в виде закрепленной на основании насадки, соединенной с вертикальным капиллярным каналом и имеющей на поверхности канавки, и затравкодержатель с затравкой, отличающееся тем, что, с целью увеличения прочностных и оптических характеристик монокристаллов в виде изделий неправильной геометрической формы с удлиненными выступами, насадка имеет выступы, канавки расположены в каждом из выступов в направлении их наибольшей длины и выполнены несквозными.

Номер патента: 1503355

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравления, корунда, методом, монокристаллов, профилированных, степанова

СПОСОБ ЗАТРАВЛЕНИЯ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА МЕТОДОМ СТЕПАНОВА , включающий нагpев pасплава в тигле с фоpмообpазованием, пpиведение установленной над ним на кpисталлодеpжателе затpавки в контакт с pасплавом на тоpце фоpмообpазователя и последующее выpащивание кpисталлов, отличающийся тем, что, с целью повышения стpуктуpного совеpшенства кpисталлов и снижения тpудозатpат, затpавочный кpисталл беpут в виде плоского элемента, а кpисталлодеpжатель - из того же матеpиала и той же оpиентации, что и затpавка, и пеpед затpавлением пpоводят их соединение путем пpиложения сжимающей осевой нагpузки к кpисталлодеpжателю, контактиpующему с затpавкой, pазмещенной на тоpце фоpмообpазователя, пpи 1500 - 1950oС,...

Номер патента: 1820638

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Корчунов, Костыгов, Пеллер

МПК: C30B 15/34

Метки: кристаллических, непрерывного, профилированных, расплава

...на вытягивание - в определенный период времени с постоянным отношением упомянутых скоростей.Для повышения стабильности процесса с улучшенным качеством изделий и увеличением выхода годных за счет этого согласноп, 6 формулы изобретения в течение процесса поддерживают постоянной результирующую скорость Чр получения изделия (фиг. 1). При этом в случае выращивания участков изделия с прямолинейным продольным профилем скорости движения столба расплава в горизонтальной плоскости и перемещения затравки также поддерживают постоянными, при получении участков изделия с криволинейным продольным профилем обе указанные скорости изменяют по определенному закону, сохраняя постоянной Чр. Так при получении участка изделия, продольный профиль...

Номер патента: 1215378

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Журавлев

МПК: C30B 15/34

Метки: волокон, выращивания, группового, монокристаллических

Устройство для группового выращивания монокристаллических волокон из расплава, включающее лодочку для расплава, снабженную формообразователем, содержащим вертикальные пластины, установленные в лодочке параллельно друг другу и образующие капилляр, и токоподводы, присоединенные к торцам лодочки, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока использования лодочки и формообразователя и повышения надежности процесса, формообразователь снабжен формообразующим элементом, выполненным в виде расположенной над лодочкой горизонтальной пластины, имеющей наружные выступы со сквозными отверстиями, расположенными вдоль капилляра между вертикальными пластинами, в верхней части которых выполнены...

Номер патента: 650273

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Черников

МПК: C30B 15/10, C30B 15/34

Метки: волокон, вытягивания, монокристаллических, нескольких, одновременного, расплава

Устройство для одновременного вытягивания из расплава нескольких монокристаллических волокон, включающее тигель и установленный в его полости блок линейно расположенных формообразователей с вертикальными капиллярными каналами, выполненными из электропроводного материала, и источник тока, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности процесса и прочности получаемых волокон, тигель имеет форму лодочки, торцовые стенки которой присоединены к источнику тока при помощи токоподводов, и блок выполнен из двух пластин, установленных вдоль лодочки параллельно одна другой, причем боковые торцы пластин прикреплены к торцовым стенкам лодочки и на их верхних торцах между капиллярными...