C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1271155

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Лобанов, Максимова, Смольская

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: kcl-tl, tlva99+, кристаллах, лазерноактивных, окраски, создания, центров

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНОАКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ Tl Va+ В КРИСТАЛЛАХ KCl-Tl, включающий облучение кристаллов ионизирующим излучателем при комнатной температуре и облучение светом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии создания Tl0 Va+ центров, в качестве ионизирующего излучения используют гамма-излучение, и в качестве источника света кристаллы CsI Tl, которые предварительно приводят в оптический контакт с кристаллами KCl T и одновременно с ними облучают гамма-излучением.

Номер патента: 1050300

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Бабашова, Емельченко, Куриленко, Титова

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ, включающее нагревательную камеру, установленную в ней с возможностью поворота вокруг горизонтальной оси керамическую оболочку, кристаллизатор, расположенный в оболочке и имеющий внутри затравкодержатель и установленный напротив него подпитывающий тигель, снабженный в верхней части перфорированной крышкой, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и уменьшения расхода сырья, нижняя часть подпитывающего тигля выполнена с отверстиями и расположена на расстоянии B от горизонтальной оси кристаллизатора, выбираемом из следующего соотношения:

Номер патента: 1334781

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Даниелян, Евдокимов, Манжа, Патюков, Фишель

МПК: C30B 25/00

Метки: газовой, слоев, фазы

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающее реактор в виде горизонтальной трубы с отверстиями, равномерно расположенными на ее стенках, и установленные коаксиально реактору камеру подачи в него газовой смеси, снабженную патрубком, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью уменьшения дефектности и разброса толщины осаждаемых слоев, реактор снабжен патрубком для дополнительного ввода газовой смеси, а отверстия выполнены в виде продольных прорезей, причем отношение площади прорезей к площади сечения камеры подачи равно 0,05 0,1.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что отношение ширины прорези к расстоянию между краем пластины и внутренней стенкой реактора удовлетворяет выражению0,045

Номер патента: 1591535

Опубликовано: 20.04.1996

Автор: Бредихин

МПК: C30B 7/00

Метки: анизотропных, кристаллов, оптически, прироста, прозрачных

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРИРОСТА ОПТИЧЕСКИ АНИЗОТРОПНЫХ ПРОЗРАЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ при скоростной кристаллизации из растворов, включающий освещение кристалла и прилегающей к нему области раствора коллимированным пучком света в направлении, параллельном растущей грани кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения для кристаллов с поперечным размером более 150 мм, свет используют естественно поляризованным, освещение проводят для оптически отрицательных кристаллов со стороны острого угла между гранью и оптической осью кристалла, а для оптически положительных кристаллов со стороны тупого угла, прошедшее излучение проецируют на экран и по смещению границы тени в изображении на нем определяют величину прироста кристалла.

Номер патента: 1605584

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Блистанов, Гераскин, Ермаков, Козлова, Мосиевский, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, йодата, лития, модификации, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЙОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ по авт. св. N 1503346, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов, размер грани затравки выбирают равной не менее 2d, где d толщина элемента.

Номер патента: 1814332

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Васильев, Волков, Каргин, Скориков, Щенев

МПК: C30B 29/22, C30B 33/06

Метки: монокристаллов, оксидов, сращивания

...предварительно наВ 1 г 4 ВгОз 9, или В 11 оСбз 01 в или т,п,) толщи"ной -0,1 мм. Сверху накладывают вторуюмонокристаллическую пластину и устанавливают их в держателе в печь, Печь нагрева 5 ют до 770 - 780 С, т,е. до температуры на10-15 выше температуры плавления нанесенного поликристаллического слоя. Скорость нагрева 50 - 100 град/ч. После выдержкив течение 10-30 мин при конечной темпера 10 1 уре печь охлаждают со скоростью 50 - 100град/ч. Таким образом, получают необходимые монокристаллические элементы требуемого размера,П р и м е р 1, Берут монокрирталличе 15 ские пластины (ВЯО, В 60 или ВТО) размером 30 х 70 (40 х 80) ммг и толщиной 2 - 5 мм.На боковую сторону одной из пластин предварительно наносят равномерный слой порошка...

Номер патента: 1800854

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Голышев, Гоник

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

...дна контейнера. После определения положения фронта кристаллизации начинается кристаллизация путем вытягивания контейнера вверх и сбрасывания шихты 7 из бункера 8 в количестве, равном количеству закристаллизовавшегося расплава, При необходимости кристаллизация ведется при вращении контейнера вокруг вертикальной оси. В этом случае в приведенной формуле для определения положения фронта кристаллизации вместо А, должно использоваться эффективное значение теплопроводности расплава, В процессе выращивания в зависимости от задачи и исходного распределения температур, обусловленного нагревателем ростовой установки, кристаллизация идет с изменением или без изменения мощности тепловыделения контейнера и нагревателя ростовой установки, По окончании...

Номер патента: 1651594

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Горобец, Куликов

МПК: C30B 13/00, C30B 29/46

Метки: «и—или», висмута, основе, сурьмы, термоэлектрического, халькогенидов

1. Способ получения термоэлектрического материала на основе халькогенидов сурьмы и/или висмута, включающий синтез при нагреве исходных компонентов до плавания в эвакуированной ампуле, охлаждение и вертикальную зонную перекристаллизацию без разгерметизации ампулы, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном улучшении электрических и механических свойств материала путем обеспечения его однофазности, используют ампулу переменного сечения, имеющую часть с меньшим диаметром, синтез ведут при вращении ампулы вокруг ее поперечной оси, а охлаждение проводят закалкой расплава в часть ампулы с меньшим диаметром, затем эту часть отделяют и зонную перекристаллизацию проводят при величине температурного...

Номер патента: 1266248

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Каргин, Кожбахтеев, Марин, Нефедов, Скориков

МПК: C30B 29/32, C30B 7/10

Метки: ge3o4)3, висмута, монокристаллов, ортогерманата

Способ получения монокристаллов ортогерманата висмута Bi4Ge3O12, включающий синтез из исходных оксида висмута (III) и оксида германия (IV), расплавление полученной шихты и выращивание монокристаллов направленной кристаллизацией на ориентированную затравку, отличающийся тем, что, с целью упрощения, интенсификации и удешевления процесса при сохранении сцинтилляционных характеристик монокристаллов, синтез проводят гидротермальным методом в 3 7,5% -ном растворе фтористого аммония при следующем соотношении исходных оксидов, мол.Оксид висмута (III) 30 45Оксид германия (IV) 55 70

Номер патента: 1345684

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Нейман, Никитин, Ракович, Соколовский, Усоскин, Федорова, Шафаростов

МПК: C30B 29/28, C30B 31/02, C30B 33/00 ...

Метки: лазерный, монокристаллический, стержень

1. Монокристаллический лазерный стержень из сложного окисла с активирующей добавкой, содержащий в поверхностном слое ионы металла, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости стержня к УФ-излучению, в качестве ионов поверхностный слой содержит ионы редкоземельных элементов или индия, или никеля, или кобальта.2. Способ получения монокристаллического лазерного стержня из сложного окисла с активирующей добавкой, включающий нагрев стержня в порошке оксида металла до заданной температуры с последующим охлаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости стержня к УФ-излучению, в качестве оксида металла берут оксид редкоземельного элемента или оксид индия, или оксид никеля, или оксид кобальта с размером зерен 1 20...

Номер патента: 1088417

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Даровский, Зурнаджян, Лозовский

МПК: C30B 19/02

Метки: кремния, основе, структур

Способ получения структур на основе кремния методом зонной перекристаллизации градиентом температуры, включающий изготовление линейных углублений на поверхности подложки, заполнение их металлом-растворителем и перемещение линейных жидких зон сквозь подложку под действием градиента температуры, направленного перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик получаемых структур, через подложку пропускают переменный электрический ток, направление которого параллельно линейным зонам.

Номер патента: 1823537

Опубликовано: 27.08.1996

Автор: Трейвус

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: монокристаллов, мочевины

...кристачлизатор ставят в термостат, который имеет температуру ниже температуры насыщения раствора. После снижения температуры раствора ниже температуры насыщения ндчиндется рост кристалла,3. Периодически или непрерывно (с помошью автоматического устройства) снижают температуру термостата.Примеры осуществления способа, 1, Для приготовления раствора использова 1 и однократно перекристаллизованную мочевину марки "да", истертую в ступке и просушенную в течение двух месяцев при 50 С, и стандартный Я-метилформамид.2, Взяли навеску мочевины, приготовленной описанным в п.1 способом, в количестве 47 г, что соответству ет концентрации насыщения раствора в 100 мл Х-метилформамида при 28 С и растворили в указанном количестве Х-метилформамида при 30...

Номер патента: 1824953

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Бородин, Романов, Хаджи, Штеренлихт

МПК: C30B 7/10

Метки: аппарат, выращивания, гидротермального, кристаллов

...тепловой поток по стенке внутреннего сосуда из его нижней части в верхнюю по сравнению с односекционным внутренним сосудом.Другим возможным решением является использование теплоизоляционных проклалок, например, из фторопласта, устанавливаемых между секциями в зоне их соединения,На чертеже представлен аппарат впродольном разрезе.Аппарат содержит внешний сосуд 1 ивнутренний сосуд, выполненный разъемнымв виде двух секций: нижней 2 и верхней 3. 1, Аппарат для гидротермального выращивания кристаллов в агрессивных средах, содержащий внешний стальной сосуд высокого давления и внутренний сосуд цилиндрической формы, выполненный из коррозионно-стойкого материала или футерованный им, и имеющий внутри перфорированную перегородку, разделяющую его...

Номер патента: 1279277

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Колесников, Кулаков, Савченко

МПК: C30B 11/00, C30B 11/14, C30B 29/50 ...

Метки: монокристаллов

1. Способ получения монокристаллов CdS и CdSe путем направленной кристаллизации расплава в контейнере на ориентированную монокристаллическую затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности малоугловых границ и упрощения ориентирования затравки, направленную кристаллизацию ведут на затравку, ориентированную перпендикулярно направлению <0001>.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов в виде пластин, кристаллизацию ведут в контейнере прямоугольного сечения и затравку располагают на широкой стороне контейнера.

Номер патента: 1805700

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Андреев, Ванышев, Голенко, Полянский, Яроцкая

МПК: C30B 11/02, C30B 29/22

Метки: кристаллов, окрашенных, оксидов, тугоплавких

...3-5 мм около стенок и у дна холодного контейнера. Время выдержки зависит от химического состава шихты и объема расплава, При выдержке менее 0,1 ч возможно образование дефектных кристаллов из-за непроплавления шихты, выдержка более 0,3 ч неэффективна.Определение объема переходного слоя расплава производилось опытным путем. Установлено, что оптимальные результаты получаются при кристаллизации 50-90;4 объема расплава, В опытах с кристаллизацией более 90;4 объема расплава в зоне переходной структуры наблюдалось нарушение монокристалльного роста, При кристаллизации менее 50;4 объема расплава уменьшается количество затравочных кристаллов и увеличивается зона переходной окраски.Для получения окрашенных кристаллов тугоплавких оксидов на...

Номер патента: 1266253

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Билалов, Самудов, Сафаралиев

МПК: C30B 19/04

Метки: слоев, эпитаксиальных

1. Способ получения эпитаксиальных слоев SiC, включающий осаждение его на подложку из раствора-расплава, содержащего Yb, отличающийся тем, что, с целью улучшения совершенства структуры и управления процессом, осаждение ведут при температуре раствора-расплава 1100 1400К и воздействии на него постоянного электрического тока.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения растворимости SiC и увеличения за счет этого скорости осаждения, в раствор-расплав добавляют Al или Ga в количестве, равном по массе количеству Yb.

Номер патента: 1297523

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Нурмагомедов, Сафаралиев, Таиров, Цветков

МПК: C30B 23/02

Метки: sic)00100-00x(aln)00x, растворов, слоев, твердых, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)4-x(AlN)х сублимацией источника в атмосфере инертного газа при 1900 2100oС, отличающийся тем, что, с целью получения совершенных слоев заданного состава в интервале 0,35 0,9 и удешевления процесса, процесс ведут в контейнерах из карбида циркония, а в качестве источника используют поликристаллические спеки из SiC и AlN при следующем соотношении компонентов, мас.SiC 20 80AlN Остальное

Номер патента: 1253181

Опубликовано: 27.10.1996

Автор: Губенко

МПК: C30B 15/04, C30B 29/08

Метки: германия, кристаллов

1. Способ получения кристаллов германия из расплава, включающий введение в расплав основной легирующей примеси и дополнительной легирующей примеси с последующим выращиванием кристаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности распределения удельного сопротивления в объеме кристаллов и снижения концентрации точечных дефектов в них, в качестве дополнительной примеси берут элементарные свинец, олово, индий или их смеси.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что олово или свинец вводят в количестве 1018 1020 см-3.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при получении кристаллов германия, содержащих основную легирующую примесь в количестве более 3

Номер патента: 1621562

Опубликовано: 27.10.1996

Автор: Губенко

МПК: C30B 15/04, C30B 29/40

Метки: монокристаллических, полупроводниковых, соединений

...ОаАз легируют 1 п с концентрацией 210 см . В раствор дополнительно19 -3вводят Сд и 1 п в концентрациях соответственно 510 , 10 см и 610 , 510 см18 19 -3 19 20 -3 В таких же условиях выращивают пленки ОаАз из растворов, содержащих Сй - 5 1017 и 1 п - 410 см (запредельная концент 2 -3рация). Соотношения концентрации Сб и 1 п в предыдущем случае 1:12 и 1:15.П р и м е р 4. Выращивают эпитаксиальные пленки баАз из раствора Оа с растворенным баАз (Аз - 5 ат,о/,) и Бе с концентрацией 1,210 см . В раствор до 19 -3полнительно вводят РЬ с концентрациями 610 , 5 а 10 см и и: 910 , 2,510 см (соотношение концентраций РЬ:и = 1:15 и 1:12). Выращивают в идентичных условиях, но с концентрациями дополнительных элементов РЬ и п 10 и 810 см18 20 -3...

Номер патента: 1820638

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Корчунов, Костыгов, Пеллер

МПК: C30B 15/34

Метки: кристаллических, непрерывного, профилированных, расплава

...на вытягивание - в определенный период времени с постоянным отношением упомянутых скоростей.Для повышения стабильности процесса с улучшенным качеством изделий и увеличением выхода годных за счет этого согласноп, 6 формулы изобретения в течение процесса поддерживают постоянной результирующую скорость Чр получения изделия (фиг. 1). При этом в случае выращивания участков изделия с прямолинейным продольным профилем скорости движения столба расплава в горизонтальной плоскости и перемещения затравки также поддерживают постоянными, при получении участков изделия с криволинейным продольным профилем обе указанные скорости изменяют по определенному закону, сохраняя постоянной Чр. Так при получении участка изделия, продольный профиль...

Номер патента: 1461046

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Губенко, Постникова

МПК: C30B 15/04, C30B 29/08

Метки: германия, кристаллов

Способ получения кристаллов германия выращиванием из расплава, содержащего легирующую примесь и две нейтральные примеси, одной из которых является свинец, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности свойств получаемых кристаллов, в качестве второй нейтральной примеси в расплав вводят кремний и каждую из нейтральных примесей вводят в количестве 3 1018 1 1020 см-3.

Номер патента: 882247

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, монокристаллического

Способ выращивания монокристаллического SiC, включающий сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку SiC при 1600 2000oС, отличающийся тем, что, с целью снижения плотности дефектов типа пор, дислокаций и включений второй фазы и увеличения объема кристаллов, сублимацию ведут в присутствии Та, взятого в количестве 1% от веса источника.

Номер патента: 1136501

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: выращивания, газовой, галлия, нитрида, фазы, эпитаксиального

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 1270oС и температуре источника на 10 50oС выше этой температуры.

Номер патента: 913762

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...

Номер патента: 1342056

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Бредихин, Быстров, Ершов, Кацман, Лавров

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных, раствора

1. Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора, содержащее герметичный кристаллизатор с крышкой, установленную внутри него камеру роста с затравочным кристаллом, погружной насос, имеющий выходное сопло, направленное на растущий кристалл, и жестко связанный с приводом, установленным на крышке, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, устройства и качества кристалла, устройство снабжено механизмами перемещения насоса и вертикального перемещения камеры роста, соединенными с индуктивными приводами, размещенными на крышке, датчиком роста кристалла, электрически связанным с приводом перемещения камеры, а выходное отверстие сопла выполнено в виде щели.2. Устройство по п. 1,...

Номер патента: 1466275

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Гончаров, Дудка, Лисовенко, Нероденко, Оболонский, Осадчий, Рейзлин, Решетько

МПК: C30B 15/00, C30B 15/14

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее камеру роста с тиглем и коаксиально установленным тепловым узлом, содержащим тепловую трубу с нагревателем, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов и выхода в годную продукцию за счет создания управляемого изотермического температурного поля вокруг кристалла, тепловой узел снабжен дополнительной тепловой трубой с нагревателем, расположенной над основной, между трубами размещена теплоизоляция, а тепловой узел установлен с возможностью вращения и осевого перемещения.

Номер патента: 1304442

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Бобырь, Иванов, Любинский, Нагорная, Смирнов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, сцинтилляционных, щелочно-галоидных

1. Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов, включающий плавление исходной соли в контейнере, имеющем коническую и цилиндрическую части, введение в расплав соли активатора, выдержку расплава при заданной температуре и выращивание конической и цилиндрической частей кристалла путем опускания контейнера из зоны плавления через водоохлаждаемую диафрагму в зону кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, после выращивания конической части вводят активатор, поднимают контейнер в зону плавления на 3 5 мм, осуществляют выдержку в течение 6 8 ч и проводят выращивание цилиндрической части кристалла.2. Способ по п.1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1256469

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Жвирблянский, Кац-Ванхадло, Шутова

МПК: C30B 15/20

Метки: вытягивания, кристаллов, расплавов

Устройство для вытягивания кристаллов из расплавов, включающее герметичную камеру, внутри которой размещены тигель для расплава, теплоизоляция и нагреватель, соединенный с системой электропитания через токоподводы, жестко установленные в поддоне камеры, размещенном на гидродомкратах, отличающееся тем, что, с целью обеспечения безопасности обслуживания, устройство снабжено поплавковым клапаном, соединенным с гидродомкратом, и емкостями с электропроводящей жидкостью, жестко соединенными с токоподводами, при этом в емкостях установлены пальцы, соединенные с системой электропитания.

Номер патента: 1107589

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Давиденко, Карпов, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации, включающее ампулу и установленный на дне тигель, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности за счет увеличения коэффициента использования тигля, ампула снабжена перегородкой в виде воронки с осевым отверстием, расположенной над тиглем.

Номер патента: 917574

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Жвирблянский, Степанова, Шутова

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов, содержащее герметичную камеру с поддоном, тигель с расплавом, электронагреватель с шинами питания, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, долговечности работы установки и безопасности ее обслуживания, оно снабжено аварийным датчиком, установленным между тиглем и поддоном, ресивером с датчиком давления и реле, установленным на шинах питания, при этом аварийный датчик соединен с ресивером, а датчик давления подключен к реле.