C30B 31/22 — ионным внедрением

Номер патента: 1083915

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Джон, Дэвид, Ричард

МПК: C30B 31/22

Метки: алмаза, полупроводникового

...приводящийк аморфности алмаза,Показатель рассеивания, т,е. число атомов, удаляемое с поверхностикристалла при ударе иона, менее единицы, поскольку в противном случаепроисходило бы сжатие кристалла,подвергаемого бомбардировке.Преимуществом предлагаемого способа является то, что поверхность алмаза, подвергаемая бомбардировке,не обязательно должна быть идеальной и может даже быть покрыта поверхностным слоем загрязняющего материала. Поэтому, как правило, нет 15необходимости прибегать к методамтщательной очистки, включающей, например, удаление смазки с последующим окислением для получения идеальной поверхности. На практике ионы20углерода, как правило, имеют единичный заряд и представляют собой изотоп С, однако могут представлятьсобой и иной...

Номер патента: 1606541

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Галстян, Долуханян, Кузьмина, Никитенко, Регель, Скуратов, Стоюхин

МПК: C30B 29/16, C30B 31/22

Метки: монокристаллов, оксида, цинка

...с энергией 110 МэВ и дозой 1,3 10 4 ион/см, Затем образец отжигают на воздухе при 850 ОС в течение 6 ч с последующим охлаждением со скоростью 100 град/ч.Заказ 3529 Тираж 348 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Основные параметры высокоомного слоя соответствуют примеу 1,.П р и м е р 3, Монокристалл оксида цинка, выращенный гидротермальным методом сз концентрацией примеси лития б 10 см,имллантируютионамикислоро. дасэнергиейот 00 кэВдо 110 мэвидоэой 1,3 10 ион/см . Затем образец отиигают на воздухе при 850 С в течение 6 ч с последующим охлаждением со скоростью 100 град/ч....

Номер патента: 849795

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Мустафин, Попов, Серяпин, Смирнов

МПК: C30B 31/22

Метки: полупроводниковых, структур

1. Способ получения полупроводниковых структур, включающий создание на поверхности полупроводниковой пластины аморфного слоя и нанесение примеси на полупроводниковую пластину для регулирования скорости кристаллизации в процессе последующей термообработки, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения качества полупроводниковых структур, примесь наносят на пластину со стороны, противоположной аморфному слою.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что с целью получения структуры требуемой конфигурации, примесь наносят локально.

Номер патента: 1498074

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Никитин, Петровнин, Поташный, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: кремния

Способ обработки кремния путем облучения его поверхности пучком ионов бора при средней плотности ионного тока 2 j < 3 мкА/см2, отличающийся тем, что, с целью формирования сплошного слоя тетраборида кремния, облучение ведут дозой 6,25 1016 - 1,00 1017 см-2.

Номер патента: 1391168

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: бором, кремния, легирования

1. Способ легирования кремния бором, включающий облучение кремниевой подложки пучком ионов бора и последующий отжиг одиночными импульсами лазерного излучения в режиме модулированной добротности на длинах волн в полосе собственного поглощения кремния с образованием линий скольжения в слое, отличающийся тем, что, с целью увеличения проводимости слоя, подвижности дырок в нем и коэффициента использования примеси, облучение ведут дозой 6,25 1015 D < 6,25 1016 см-2...