C30B 29/28 — с формулой A

Номер патента: 240689

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Михальченков, Урсул

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: монокристаллов

...1 ез Это позволяет расширить границу кальцийванадиевых феррогранатов коротковолновую область приме 10 си. ри. рот росого сталл ос н 0 гс в сд Ъ,з примев ы со- амагместоОнь еня более8 -10 едмет пзобретени альмонокрпсталловго феррограната, например алюзиз раствора в распто, с целью упрощсвойств конечногов тигле пз окиси получе 51дЙ-всзутовоых добавкамсталлизацииссйсл тем, чи улучшенияроцесс ведутэлемента. Способ ццй-вана гированн путем кр отгссчасос процесса дукта, п рующего паве,енияпропегиНастоящее изобретение относится к области радиоэлектроники.Известен способ получения монокрпсталлов кальций - ванадий - висмутового феррограната Вз 2 з Са 2, 1.ез Ч,. О,в, легированных различными добавками, например алюминия, путем кристаллизации...

Номер патента: 293765

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лебедь, Мосель, Титова, Яковлев

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, иттриевого, монокристаллов, основе, ферритовых, феррограната, шихта

...кристаллы состава 1 з оба;с АоОз имеют намагниченность насыщения 300 гс, цри этом изменение намагниченности насыщения в интервале темпсрдтур от минус 150 до плюс 90 С составляют мснсс 5%.Прсдмст изобретенияШихта для выращивания ферритовых моно кристаллов на основе иттриевого феррограна. Изобретение отвыращивания фссостава Уз хЫ.,ГеИзвестна шихтатовых монокристалфсррограната, в кты берут в следуюУзОзГе 20 зРЬОРЬ,материалам для монокристаллов осится к рритовы 5 - АтО 2. для выр лов на о оторой ис щих отно ащивания ферриснове иттриевого ходные компоцсцпециях вес %:8,2816,1030,6844,94 Кристаллы имеют на ма щения 1750 гс, которая мсн температур от минус 100 пределах от 200 до 1400 гс вестный состав имеет боль магцичснности насыщения т...

Номер патента: 391847

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Петров, Титова

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, ферритовых, шихта

...насыщения 51750 гс.Однако для создания ограничителей мощности с малым уровнем ограничения требуются монокристаллы с более высоким, чем уиттрийжелезного граната значением намагниченности насыщения при сохранении узкойлинии ферромагнитного резонанса.Цель изобретения - разработка составадля выращивания монокристаллов с общейформулой аз.е 5,5 с,Ог (при х не более 0,7), 15обладающих повышенной намагниченностьюнасыщения, узкой линией ферромагнитногорезонанса и высоким удельным электросопротивлением,Это достигается тем, что в исходную шихту 20вводят окись скандия при следующем соотчошении компонентов, вес. %: гОз 6,19 - 6,18;ГегОз 13,48 - 13,12; 5 сгОз 0,94 - 1,26; РЬО34,63 - 34,65; РЬГг 44,76 - 44,79.П р и м е р. Шихту, содержащую, г:...

Номер патента: 394315

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Куриленко, Сапожников, Титова

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, граната, иттрий-железного, монокристаллов, шихта

...путем кристаллизаиз раствора компонентов УзОз, 1.-е,Оз, з в распл авс РЬО - РЬГз - ВзОз. Отлилсч тем, что, с целью увеличения коэфепта использования окиси иттрия и поии 51 Выходя крупных кристяллОВ, В шиходят двуокись свшша, а исходные комты берут в следующем соотношешш, %: иттрицииСаСОчаюафицивышету ввПЕНЕ 1вес. УзОз 1 езОз РЬО РЬ) В 20 з РЬОз СаСО 5,4 - 10,811,42 - 17,5530,9 - 34,1833,62 - 37,62,36 - 2,77,25 - 7,650,01 - 0,05 Опубликовано 22.7111.1973. Бю Изобретение относится к области хими 11 еской технологии и касается получения моно- кристаллов магнитных полупроводниковых материалов.Известна шихта для выращивания моно- Б кристаллов иттрий-железного граната (ИКГ) следующего состава (вес. %): 11,03 УзОз15,65 1;"е,Оз39,3 РЬО...

Номер патента: 422449

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Афанасьев, Изобретени, Мащенко, Шварцман

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: бор-бариевомрасплаве, приготовления, раствора

...после наплавления. Преимущественно взвешивание тигля с раствор-расплавом ведут при температуре 1100 - 1300 С. Разработанный способ приготовления раст. вора в бор-бариевом расплаве позволяет выдерживать соотношение между компонентами с точностью не менее 0,1 вес,о/ что обеспечивает его преимущество по сравнению с известным,Пример. Реактивы ВгОз, ВаО, ГегОз, ЪгОз последовательно взвешивают и загружают в платиновый тигель, который помещают в силитовую печь и выдерживают в ней 0,5 - 1 час. После паплавления каждого компонента тигель охлаждают, взвешивают и, если не хватает некоторого количества вещества, убыль восполняют.Порядок загрузки, квалификация реактива, температура аплавления и примерный вес порции порошка для приготовления...

Номер патента: 1597401

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Логинов, Рандошкин

МПК: C30B 19/04, C30B 29/28

Метки: выращивания, пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...этого температуру снижают до значения Т= 865-900 Со расплав помещают подложку из гад ний-галлиевого граната с ориентаци К 1597401(111) диаметром 20 мм, предварительно прогретую до той же температуры, Под- е ложку приводят во вращение со скоростью 120-180 об/мин. Наращивание пленок проводят в течение 1-30 мин, после чего подложку извлекают из раствора-расплава, приводят ее в ускоренное вращение для стряхивания капель раствора-расплава и охлаждают.Параметры пленок скорость движения доменных стенок, коэффициент опти- СР ческого поглощения гленок, выращенных при разных составах раствора-расплава и температуре роста, даны в таблице,1597401 Ф ор м у л а и з о б р е т е и и я СоставСодержание компонентов, мол.7) Вьоа Тт Оа Реоа Сатори т, фС...

Номер патента: 1604871

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Красин, Макарова, Николаев, Николаевский, Ющенко

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: структур, феррогранатовых

...зерна 1 мкм),ляют в ппатиновом девают до 900 С. При э1604871 Составитель А, ЛихолетовТехред Л,Олийнык Корректор И.Эрдейи Редактор А.Шандор Заказ 3435 Тираж 347 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 подложку погружают в раствор-расплав, находящийся в первом тигле, иосуществляют. травление подложки соскоростью 30 мкм/мин, Скорость ВраЩения подложки в растворе"расплаве сос"тавляет 100 об/мин, Через 0,3 минпосле начала травления подложку извлекают из первого раствора-расплаваи погружают в раствор-расплав, находящийся во втором тигле, при температуре 910 С. Выращивание слоя(УЕцТтпСа)...

Номер патента: 1633031

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Грошенко, Недвига, Пронина

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...слоем расплава и происходит растворение остатков основного раствора-расплава.Вследствие этого при дальнейшем перемещении подложки в холодную зону печипредотвращается кристаллизация паразитного переходного слоя.Отсутствие остатков раствора-расплава на поверхности пленки определяют визуально. Отсутствие переходного слоя определяют по характеру кривой намагничивания материала пленки. При наличии переходных слоев на кривой намагничивания пленки наблюдают характерные "ступеньки". При отсутствии переходных слоев, то есть при равномерном химическом составе пленки, кривая гистерезиса имеет гладкий вид.На полученных пленках(УЪВ 1)(ГеСа) О 2 наблюдают отсутствие остатков раствора-расплава как на поверхности, так и в местах крепления к...

Номер патента: 1638221

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Анисимов, Жеков, Кислецов, Мурина, Попов, Федоров

МПК: C30B 29/28, C30B 33/00

Метки: гранатов, монокристаллов

...Проведение отжига с темпера.турой более 400 С нецелесообразно,из-з а сложности высокотемпературныхпечей, Проведение отжига при температуре порядка 1000 С и более приводитк выпаданию фазы УА 10 э и т.д., кдиффузии атомов, что в свою очередьприводит к образованию точечных дефектов типа Г-центров, 0-вакансий ит.д,Длительность импульса лазерногоизлучения, которым проводят обработ -ку, равна 10 -1 О с и определяетсяэкспериментально, 40Уменьшение длительности импульсаприводит к тому, что времени для перехода частицы в новое кристаллическоесостояние становится недостаточно,то есть она находится при высокой 45температуре мало времени.Увеличение длительности, импульса приводит к уменьшению энергии вотдельном "пичке" лазерного импульсаи данной...

Номер патента: 1414015

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Грошенко, Еськов, Крутиков, Островский

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, граната, кальций-ниобий-галлиевого, монокристаллов

...пихту вьппе температуры плавления КНГГ составляющей 1 ч 50 С. Затеи снижают давление над расплавом путем откачивания ростовой камеры до давления не более 0,1 мм рт,ст. на время 3 минь после чего камеру заполняют инертным газом и кислоро дом (Аг + 5 об.7 О ). Выращивание кристалла проводят при 1450 С в цент. ре тигля. Максимальная температура Ф О у стенок тигля составляет 1550 С. Вытягивание.кристалла осуществля;ют со скоростью 3 мм/ч при скорости вращения 30 об/мин,Кристаллы имеют диаметр 30-35 ммпри хорошем оптическом и структурном совершенстве.Дачные о режимах роста и качестве кристаллов сведены в таблицу.Как видно из таблицы, выдержкарасплава перед выращиванием при давлении значительно больше 0,1 юя.рт.ст.не приводит к снижению...

Номер патента: 1675409

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Грошенко, Еськов, Островский, Пронина

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: магнитнооптической, структуры

...свойств полученных магнитооптических структур в сравне нии с известными приведены в таблице.Пример 2. Монокристаллическую булю КНГГ состава, указанного в примере 1, выращивают на ориентированную в направлении 112 монокристаллическую затравку1675409 формула изоб ретекия 15 Образец Известный способ 1 ) 2 5 6 7 Ориентация монокристаллическойбулиОриентация подложкиТемпературароста, СВремя роста,минУдельное Фарадеевское вращение,град мкмКоличество све 1 11 1 12 112 112 112 1 1 г 1 1 г 111 111 111 1 1 О 1 1 О 1 1 О 683 681 684 1 12 112 1 12 112 1 12 11 О 675 673 670 669 669 670 670 681 З 4 3 з з 3 з 3 4 5 17 18 175 2,0 19 2,0 2,0 2,3 1,7 1,5 2,1 тящихся точек на1 см 5 7 8 3 2 2 2 Не измерялось Составитель Е. ЛебедеваРедактор Н. Рогулич Техред...

Номер патента: 1678921

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Рандошкин, Слинкин

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: платинового, тигля

...исходного тигля.П р и м е р 2. После выращивания моно- кристаллических пленок (В 1, т- и)з (Ре, Оа)502 из переохлажденного раствора - расплава на основе В 20 з - РЬО - В 20 з. Последовательность операций и аппарату1678921 Составитель А,ЛихолетовРедактор М,Кузнецова Техред М.Моргентал Корректор М, Максимишинец Заказ 3187 Тираж 245 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 ра аналогичны описанным в примере 1. Травление тигля проводят 60.ной азотной кислотой при 80" С в течение 1 ч. Травление концентриоованной фосфорной кислотой осуществляют при 130 С в течение 0,5 ч, Температура...

Номер патента: 1682417

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Мальцева

МПК: C30B 29/28, C30B 33/08

Метки: граната, железоиттриевого, основе, пленок, травитель, эпитаксиальных

...с выдеуокиси азота, что обуславливает е скорости травления эпитакпленок толщиной 20 мкм до ин, При превышении данной кон- ф азотной кислоты скорость трав- растает еще более, но при этом ухудшаться качество границ вымых элементов,ники, таки нии задер ляется пов обеспечен лективно Для дости витель, со азотную к ту в соотн вен но, Т темп ерату ратуре азо лением дв повышени сиальных 3 - 4 мкм/м центрации ления воз начинает травливае Поставленная цель достига травитель для эпитаксиальных содержащий ортофосфорную полнительно содержит концен азотную кислоту при следующ нии компонентов, мас. ;Азотная кислота (концентрированная)ОртофосфорнаякислотаТравление производится туре около 175 С, близкой к кипения ортофосфорной кисло температуре...

Номер патента: 1453960

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов, Чалый

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...длины кристалла 27 мм. При этой алике форма фронта кристаллизации изменяется ат астравыпуклай к ГГавнавыпуклой. Скорость вращения, вахиная ат длины кристалла 27 мм,604выращивание из расплава коническойчастн кристалла с постоянной скоростью вытягивания и вращения до из"5менения формы фронта кристаллизацииот островыпуклой к плавковыпуклой,уменьшение скорости вращения по заданной зависимости до цилиндрическойчасти кристалла и последующее выращивание цилиндрической части в атмосфере инертного газа, содержащего кислород, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения выхода годных монокристаллов диаметром до110 мм с плотностью дефектов не боФлее 3 см за счет уменьшения длиныконусной части кристалла, затравлива"ние ведут при вращении...

Номер патента: 1220394

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...12203Изобретение относится к технологии получения изолирующих подложечных материалов и может быть использовано в электронной, цветной и химической промышленностях. 5Целью изобретения является увеличение выхода годных монокристаллов путем уменьшения длины конической части кристалла.П р и м е р 1. В тигель загру- Ю шают шнхту - смесь окислов гаплия и гадолиния в соотношении 53,92 мас.3 Сд Оз + 46,08 мас, Е Са С . Шихту плавят. высокочастотным нагревом ири-. диевого тигля. Азот подают к тепло вому узлу перед началом нагрева тиглякислород (2 об,7) добавляют в момент появления расплава. Начиная с момента затравливания, содержание кислорода в процессе роста умень шают. до 0,9 об. М.Затравку вращают со скоростью 25,5 об/мин, и когда она...

Номер патента: 1347513

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...кислород, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью увели чения выхода годных монокристалловдиаметром 105-110 мм с плотностьюдефектов кристаллической структуры7 см-, после изменения формы фронта кристаллизации скорость вытягиваЗ 0 ния уменьшают до получения заданногодиаметра монокристалла по закону-ЛЧ = мм/ч - 0,11 ммЬ мм,где Ь - текущее значение длины конуса, отсчитываемое от момента изменения формы фронта кристаллизации, мм,Скорость вытягивания изменяют через каждые 5 мм длины до выхода кристалла на диаметр 110 мм. При этом Ь 40 мм, а скорость вытягивания 2,6 мм/ч. Цилиндрическую часть кристалла растят с постоянной скоростью вытягивания 2,6 мм/ч. Кристаллы выращивают до массы 9-12 кг с плотностью дефектон 0-7 см скорость...

Номер патента: 1354791

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...режимы позволяют увеличить процент выхода годных монокристаллов гадолинийгаллиевого граната с плотностью дефектов менее 7 смдо 45(см., таблицу, примеры 1-11),В том случае, когда скорость вра"щения при затравливании менее35 об/мин инверсный диаметр увеличивается, количество дефектов в области перехода формы фронта кристаллизации увеличивается, выход годныхкристаллов уменьшается (см. таблицупримеры 12-14, 27),При затравлении со скоростью,превышающей 45 об/мин, фронт кристаллизации на конусе изменяется отостровыпуклого к выпуклому. Такаяформа Фронта кристаллизации ухудшает качество кристалла и снижает выход годных (см. таблицу, примеры15, 16),Уменьшение скоростивытягиванияначальной части конуса менее 2 мм/чприводит к тому, что кристалл...

Номер патента: 1319641

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...до 0,9 об.% в конце процесса.Затравку вращают со скоростью 25 об/мин. При касании затравкой рас 25 плава происходит затравливание, после чего начинают перемещение затравки вверх со скоростью 8 мм/ч. После выращивания конуса длиной 70 мм при достижении диаметра кристалла130 мм скорость вращения затравкиуменьшают до 1 1 об/мин, а скоростьперемещения до 4,0 мм/ч. Выращивание цилиндрической части кристаллаведется с постоянными скоростями 53,92 46,08 25,0 2 53,92 46,08 27,0 3 53,92 46,08 29,0 4 , 53,92 46,08 26,0 5 53,92 46,08 35,0 41 2вращения и перемещецця 1 об/мин и 4,0 мм/ч соответствеццо.Полученные моцокристаллы гадолиний-галлиевого граната имеют диаметр 130 мм, массу 13,5 кг, плотность дефектов 0 - 6 смДанные по примерам 2 - 12...

Номер патента: 284778

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Петров, Титова

МПК: C01G 49/00, C30B 29/28

Метки: висмут-кальций-железо-ванадиевых, выращивания, гранатов, монокристаллов, общей, основе, ферромагнитного, формулы, шихта

...насыщения не превы шает 600 гс, а ширина линии Ферромагнитного резонанса не менее 1 э. Но известный материал обладает низ" ,кой намагниченностью и широкой линией Ферромагнитного резонанса,Для получения монокристаллицеских составов со значением Х, равным 1,38"1,46, увеличения намагниценнос ти и сужения линии Ферромагнитного резонанса, исходные компоненты берут в следующих соотношениях, вес.Ф: В 10 19,43-8,09СаСО 13,07-17,53Ре 0 34, 80-38,61Что з 5,95-8,79РЬО 26,75-26 98П р и м е р. Исходные компоненберут в соотношении, вес.4:В 1. 08,09, СаСО17,53, Рео з 38, 61;8,79, РЬ 0 26,98, Подвергают их випомолу и полученную смесь помещаюпечь для выращивания монокристаллПодъем температуры осуществляют сскоростью 150 С/ч до 1250 С/ч с...

Номер патента: 412748

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Пухова, Сочивко

МПК: C01G 49/00, C30B 29/28

Метки: граната, материал, основе, термостабильный, ферритовый

...с понидени ем температуры иэ-за приблидения к точкам компенсации.1(ель изобретения - сохранить намагниченность на уровне У-ГЙ резко снизить значение Ь Н, сместить точки компенсации в сторону низких температур и повысить термостабиль-; ность при низких температурах.Это достигается тем, что компонен ты шерритового материала берут в сле дуюцих соотношениях, мол.3: 5 О 412748 А 1 Н смешения точки торону низких температермостабильности при урах исходные компонено ующих соотношениях, мол. 4 1 251,25-6,25 58,75-3,75 го состава дает выиг льности Аплод в диг 5 . 100 д С до лю. 150- Н в том же диапазоП р и м е р. Синтез материала ведут по окнсной керамической технологии. В качестве исходных компонентов используют окислы т. Омарки "о",...

Номер патента: 1165095

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/14, C30B 29/28

Метки: монокристаллов, окислов, сложных

...ратура всего тигля и, следовательно, всего обьема расплава в целом. Это влечет за собой уменьшение эффективности его конвективного перемешивания и, как следствие, увеличение толщины диффузионного слоя вблизи фронта кристаллизации, что благоприятствует скопЛению в этом слое примеси скоэффициентом вхождения меньше единицы, Вследствие эффекта концентрационного переохлаждения скопление такой примеси в диффузионном слое ведет к 25ячеистому росту монокристалла, резкоухудшающему его оптическую однородностьНаиболее близким техническим решением является способ выращивания монокристаллов, включающий плавление исходного материала, затравливание на затравку, ее разращивание до заданного диаметра изменением температуры расплава и последующее...

Номер патента: 1793014

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: C30B 29/28

Метки: знака, параметров, пленки, подложки, рассогласования, решетки, эпитаксиальной

...видиподлокки относительно неподвикного раствора-расплава. В случае синтеза монокристаллических материалов в виде твердыхрастворов типа ферритгранатов(ЫВ)з(ГеОа)в 012, где замещение внутрипар ионово-В 1 и Ге-Оа осуществляетсяпрактически неограниченно, имеет местозаметное влияние скорости роста Х на величины приведенных коэффициентов распределения 10К(1 о/В)- (-в 1 ВЬ(ба)ж (Ре 1 тгде в квадратных скобках указаны концентрации компонентов в твердой (т) и жидкой(ж) фазах соответственно,Для величин коэффициентов распрееления всегда выполняются соотношения;К( ц/В ) 1;К(.а/Ге)1,Кроме того, при увеличении скоростироста значения К(1 ц/В) и К(Са/Ре) всегдастремятся к единице.Таким образом., на периферии пленкиконцентрации (Бг и (РеЪ всегда выше...

Номер патента: 1836502

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Рандошкин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: граната, доменсодержащий, магнитооптический, монокристалл, структурой

...что соответствует 3,25ц3,60, При х0,4 резко ухудшается магнитооптическая добротность монокристалла. При х2,3 не удается получить монокристалл достаточно высокого качества. При содержании висмута 0,4х = 2,3 в состав монокристалла необходимо вводить быстрорелаксирующие редкоземельные ионы с 0,7у2,7.Как следует иэ соотношения (1) и фиг, 1 в прототипе ууо, в то время как в заявляемом изобретении у у Быстродействие доменосодержащего монокристалла определяется скоростью насыщения при движении ДСч =(у/2 А/О) (2) где А - обменная константа, 0 - фактор качества, причем А и 0 должны иметь оптимальные значения. Как показывает опыт, для прототипа чБ10 м/с. Как следует из фиг. 2 при использовании заявляемого монокристалла можно получить ч )10...

Номер патента: 609230

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: неорганический, растворитель

...необходима либо выращивать, либо отжигать В атмосфере кислородадля окисления двухвалентнога железа втрехвалентное. Выращивание в атмоСферекислорода 800 - 1300 С) вызывает разрушение платиновых изделий,Перечисленные недостатки существен, но уст ожняют процесс получения монокристаллов из раствора-расплава с использованием растворителя, содержащего окислы свинца. бора и фтористый свинец, Наиболее близким к изобретению по технической 5 сущности и достигаемому эффекту являетсярастворитель для получения монокристаллав из раствора-расплава - феррит натрия.Однако выращивание феррограната вданном растворителе не позволяет пол учить высококачественные манокристаллыиз-за высокой температуры кристаллиза- ЦИИ,Цель изобретения - повышение качества...

Номер патента: 1665732

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Барышев, Большаков, Геркен, Калашникова, Коломина, Куратьев, Михеев, Сильницкая, Шестаков, Янчук

МПК: C30B 15/36, C30B 29/28

Метки: выращивания, гадолиний-скандий, галлиевого, граната, монокристаллов

...точность ориентации торца затравки относительно кристаллг 3 графиескбЙ плОскОсти (112; В дгух взаимно перпендикулярных направленилх по мдкслмуму отражений второго г 1 орядка ,22412 Г)1224 =-) 15 5)4 . %24 ="7" 576)24 == 7 17 . д 224 =.измсренцое измеренноеРазориентдция торца затравки относительна кристаллаграфической плоскости (12 у в двух Взаимна перпендикулярных ндправлецилх составляет 7 и 15, Общая разориентацил торца прямоугольной затравки относительно кристаллогрдфической плоскости находится согласна номограмме и не пОевышает 0 18.о РддарИЕНтацИЮ бОКОВЫХ грИНЕй ПрЛМОугольной затравки относительно кристдллографических плоскостей 1221) и (110няхсд 57 т также В двух Взаимно герпецдикуЛЛРЦЫХ НЯПРДВЛЕНИ 5 Х ПО МДКСИ 14 УМУ ОТГ 3 д 1-...

Номер патента: 1536876

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Баранова, Основина, Петров

МПК: C30B 29/28, C30B 33/10

Метки: монокристаллических, сфер, феррогранатов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СФЕР ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРОГРАНАТОВ, включающий резку монокристаллов на кубические заготовки, придание им сферической формы, шлифовку закрепленным, а полировку свободным сменным абразивным порошком с последовательно уменьшающимся размером, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины кривой ферромагнитного резонанса и повышения выхода годных сфер по этому параметру, полировку 10,0 мкм абразивным порошком ведут с дополнительным введением алмазной пасты, например АСМ 10, а после полировки 3,0 мкм порошком сферы обрабатывают в растворе состава 0,15 H2SO4 0,05 CrO3

Номер патента: 1658676

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Александрова, Баранова, Петров

МПК: C30B 29/28, H01F 1/34

Метки: магнитный, материал, монокристаллический, основе, са-v, феррограната

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ СА-V-ФЕРРОГРАНАТА, содержащий кальций, ванадий, индий, ниобий, железо и кислород для приборов СВЧ, работающих в частотном диапазоне 0,5 2,0 гГц, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности резонансной частоты за счет уменьшения поля анизотропии, он дополнительно содержит германий и имеет состав, соответствующий формуле{Ca3} [Fe2-y-z/nyNbz](Fe3-x-qVxGeq)O12,где x 1,40 1,45; y 0,15 0,20; z 0,04 0,05;15 q 0,02 0,10 и q /(y + z) 0,10 0,40.

Номер патента: 1517384

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Александрова, Бушуева, Захарюгина, Петров

МПК: C30B 29/28, H01F 1/10

Метки: магнитный, материал, монокристаллический

МАГНИТНЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ на основе феррограната, содержащий кальций, ванадий, индий и железо, отличающийся тем, что, с целью уменьшения намагниченности насыщения и снижения величины поля магнитной кристаллографической анизотропии в кристалле, он содержит компоненты в соответствии со следующей формулой:{Ca3}[Fe2-y-zInyNbz](Fe3-xVx)O12,где Х 1,36 1,41;Y 0,22 0,25;Z 0,09 0,14,а отношение индия к ниобию равно 2,20 3,02.

Номер патента: 1345684

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Нейман, Никитин, Ракович, Соколовский, Усоскин, Федорова, Шафаростов

МПК: C30B 29/28, C30B 31/02, C30B 33/00 ...

Метки: лазерный, монокристаллический, стержень

1. Монокристаллический лазерный стержень из сложного окисла с активирующей добавкой, содержащий в поверхностном слое ионы металла, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости стержня к УФ-излучению, в качестве ионов поверхностный слой содержит ионы редкоземельных элементов или индия, или никеля, или кобальта.2. Способ получения монокристаллического лазерного стержня из сложного окисла с активирующей добавкой, включающий нагрев стержня в порошке оксида металла до заданной температуры с последующим охлаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости стержня к УФ-излучению, в качестве оксида металла берут оксид редкоземельного элемента или оксид индия, или оксид никеля, или оксид кобальта с размером зерен 1 20...

Номер патента: 1595023

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Киселева, Крутова, Пензина, Письменный, Попов, Сандуленко

МПК: C30B 11/02, C30B 29/28

Метки: алюминиевого, граната, иттрий, монокристаллов, основе

Способ получения монокристаллов на основе иттрий-алюминиевого граната, включающий выращивание вертикальной направленной кристаллизацией расплава с легирующей добавкой в молибденовом контейнере в атмосфере смеси аргона с водородом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода оптически однородных монокристаллов, пригодных для использования в качестве пассивных лазерных затворов с высокой апертурой, в качестве легирующей добавки берут хром с концентрацией не более 6 1020 см-3 с магнием или кальцием с концентрацией не более 4 ...