C30B 29/62 — нитевидные кристаллы или иглы

Номер патента: 160829

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 25/00, C30B 29/08, C30B 29/62

Метки: 160829

...Навески исходного германия или кремния и брома помещают в большую часть кварцевой ампулы с перетяжкой. Затем автпулу опускают в жидкий азот, откачивают до давления 1 О 5 мм рт. ст. и отпаивают. Запаяиную ампулу помещают в двухзонную печь так, что часть ампулы снавесками выдерживается при температуре 115 ОС для кремния и 85 О 9 ООС Для германия. Давление паров компот-тента-растворителя при этих температурах составляет 3-4 атм. Другой конец ампулы поддерживается притемпературе 8509 ООС для кремния и 60 ОС для германия.В результате создаваемого перепада температур между частями ампулы в холодном коице ее из паровой фазы выпадает сначала слой поликристалтлического осадка, состоящего из многих тиелких втонокрттстадтлов, а затем на этом...

Номер патента: 342661

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ордена, Павликов, Патг, Тресв

МПК: C30B 29/12, C30B 29/62, C30B 9/12 ...

Метки: монокристаллов, соединений

...с атомным номером, большим трех.Отличием предлагаемого способа является осуществление кристаллизации охлаждением нагретого до температуры 1200 - 1250 С раствора, содержащего 5 - 15 вес. % фтористого магния, со скоростью 300 - 800 С/мин. Это дает возможность получать манокристаллы фтористого магния игольчатой формы.По описываемому способу исходные компоненты смешивают, смесь плавят при температуре 1200 - 1250 С и после гомогенизации расплава охлаждают, Полученный твердый сплав обрабатывают горячей водой до полного растворения хлорида (или хлоридов), после чего осадок промывают и высушивают. Размеры игольчатых монокристаллов регулируют, изменяя скорость кристаллизации в диапазоне 300 - 800 С/мин,П р и м е р, Навески фтористого магния...

Номер патента: 384208

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вейцар, Инастраи, Иностранна, Клод, Швейцари, Якоб

МПК: C30B 29/36, C30B 29/62

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов, нитевидных

...О Применяемый раствор имеет концентрацию 0,01 - 2 г железа на 100 г растворителя; время погружения варьируется от 0,5 до 5 мин, После нанесения раствора подлояки супоат для,вьспаривания растворителя и помещают в 15 реакционный объем.Реакпор состотст из водоохл аждае ма гостального кожуха, футерованното муллитом и графитовыми плитами, напревательньсм элементом является графитовый стержень. Под ложечки располагают по вертикали на расстоянии 5 см друг от друта; на каждую подложку наносят элементарный кремний или ЯОг и уголь. Молярное отношение ЯОг, С составляет от 1:1 до 1:10. Уголь полностью или частич но может быть з,амещен газообразными углеводородами (метан, этан, горопаи), Реактор наполняют водородом или смесью из Нг и аргона и...

Номер патента: 396862

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дата, Опубли, Саи

МПК: C30B 25/00, C30B 29/36, C30B 29/62 ...

Метки: 396862

...количество зависит От того,какова должна быть консистенция наносимого 25 слоя. Целесообразно лак добавлять в такомколичестве, чтобы получилась масса, хорошо наносивая кистью.Эту массу наносят на подложку. Прп нагревании происходит обугливание лака и неорганические частицы заключаются в тонком396862 Предмс Г изобретения Сос Гавитепь В. БезбородоваТсхред А, 1(амышникова Корректор О, Тгорнна Реиктор Ю, Агапова, , аЯД 71 д, о92. Тираж 678 Подписное Ц 11 г 11осударствсв 1 о и козитета Совета МишОров ГССР ИО;С.ае ИапРСтенпй И ОтКРЫтнй москва, )К.зо, 1 аушская наб., д. 4/оОб 1. Тии. Костровского уи,)ав си 151 11 Латедьств, 101 Г 11111 и и капк;:ои т "Г, а угольнох слое. Вследствие этого вцесв 1, содействующие росту кристаллов, при воздейст...

Номер патента: 401042

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 25/00, C30B 29/36, C30B 29/62

Метки: 401042

...или фтор. Газ пропускают со скоростьго 10 - 20 с.гг/.ггин.П р и м е р 1. В реакционную трубку из плотно спеченной окиси алюмиция вводят 4,5 г углерода и 8 г порошксобразиого кремния техцического качества так, что по направлению пропускаиия газа, кремний цаходится иепосредствеиио перед углеродом. Зятем через реакциоииуго труоу пропускают реакциоииый гяз, который состоит из 72",о Не, 20 о Хе и 8",г С 1 е, в то врезя как реактор иагревают до 1480 С.5 Приблизительцо по истечении 8 чаг реакцияокоцчеиа. Реактор охлаждают и открывают, В результате получают кгловидиые моцокристаллы карбида кремиия диаметром от 3 до 5 лгк и длиной в несколько миллиметров.О П р и м е р 2. Опыт проводят яиялогичцопримеру 1. Состав газа 84 оггг, 11 е, 120/, Х и...

Номер патента: 404502

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C01F 7/02, C30B 25/00, C30B 29/20 ...

Метки: а-окиси, кристаллов, нитевидных

...вырастают нитевидные кристаллы окиси алюминия. 15 едмет из ения 1. Сполов а-ок0 тем вдальнейштем, что,сталловпроцесса5 зуют алю2. Спопроцесспаом теричсм0 2200 С. Изобретение относится к способу получеия нитевидных кристаллов а-окиси алюминия, которые могут быть применены для армирования металлических, полимерных и керамических материалов.Известен способ получения нитсвидных кристаллов и-окиси алюминия в атмосфере водорода путем восстановления окиси алюминия с дальсйшим охлаждеисм.Характерной особенностью этого способа является низкая производитсльность.и невысокое качество получаемых кристаллов,С целью повышения качества кристаллов и производительности процесса в качестве восстановителя используют алюминий, Процесс проводят в...

Номер патента: 380344

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Бирюков, Захаров, Москвец, Мухин, Силаев, Федорук

МПК: C30B 25/16, C30B 29/38, C30B 29/62 ...

Метки: кремния, кристаллов, нитевидных, нитрида, процессом, роста

...волорола в газах на входе и вььх- Ле из реакционной зоны автоматически вы числяется количество пропана, необхолимсголля подлеркания требуемой концентрации вэ- Сп лорола в зоне. Эта величина используется сом лля управления расходом пропана в реакци-, крех онную зову. 25 ходоНа чертеже приведена "схема реализацйпот;ссс пРедлагаемогос Снс 1 еоКса - .:-;:. оптсДатчиком 1 измеряесйт конГФйтрайгиФ"войсс- ": нбцТ рола в азоте на вх;оде в реактор ивводится" вре. ее значение в суммируюсцее устройство 2,:ку 30 Лоро ла вволится также текуьцее значение концент. рации волорола в отходящих газах с помощью датчика концентрации . Суммирующее устройство 2 вычисляет текущее значение концентрации водорода в реакционной зоне, когорое...

Номер патента: 429838

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Волова, Гвоздиков, Красникова, Овечкин, Шаа

МПК: C30B 11/12, C30B 29/16, C30B 29/62 ...

Метки: 429838

...чов двуокиси титана путем окисления хлоридов титана, растворенных в распл галоидных солей щелочных металлов, температуре 750 - 950 С с последующим делением полученных кристаллов из рас ва, отличающийся тем, что, с целью вышения прочности кристаллов и уменьше коррозии аппаратуры, окисление ведут в ным паром.2. Способ по пчто водяной паргазом, взятым в ал- суб- аве способу окисторый подают ым в количе 20 25 вы- пла- по- ния уры происхо ьтате взаимо водяным па в хлористого вны, чем эле еи из эвтек- субхлорида 61) Зависимое от авт. сви(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИДВУОКИСИ Изобретение относится к способам получения нитевидных кристаллов, в частности, двуокиси титана и может найти применение в химической промышленности, а также в производстве...

Номер патента: 446145

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Гвичия, Мартиашвили, Сурмава, Тавадзе, Татишвили

МПК: C30B 29/62

Метки: алюминия, кристалловалюминия, нагревании, нитевидных

...прфере арл помещают находятся сыпанные порошком темпераона в е получают ом 1 -Пример. В кварцевуюкерамическую лодочку, в кгранулы алюминия маркипредварительно о 6 езвожеиодида цинка. Процесс ветуре 500 - 600-С в атмсочение 1,5 - 2,5 ч. В резнитевидные кристаллы100 мкм и длиной 5 - 1 О ьтате намет обретени ормул то ных кристачии алюминия тем, что, с кристаллов, цинка и про - 600 С ли водорода. цинка 600 С рода. Изобретение относится к технике получения нитевидных кристаллов, применяемых для получения композиционных материалов.Известен способ получения нитевидных кристаллов алюминия субмикронных размеров, заключающийся в том, что материал в виде проволоки помещают вокруг испарителя-катода, нагревают до температуры 1100 С, при...

Номер патента: 1049577

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Евстюхин, Крапивка

МПК: C30B 29/62

Метки: металлов, монокристаллов, сферической, формы

...газа, сначала не плоской подложке, сплавляя кусочки до полусферической формы, которые зетем 55 размещают в конические лунки подложки и проводят повторное оплевление при скорости кристаллизации не более 2 мм"с,после чего монокристаллы обжигают притемпературе 0,75-0,8 Тпл.Двухстадийность процесса оплавлениянавесок обеспечивает получение шариковс незначительным отклонением от сферичности и исключает контакт расплавленногометалла с подложкой, При этом в ходепервого оплавления получаются полусферыс монокристаллической структурой, таккак кристаллизация расплавленного металла происходит на монокристаллическомслое, контактирующем с водоохлаждаемойподложкой, а скорость кристаллизациименьше 2 мм/с не проводит к появлениюновых центров...

Номер патента: 1638217

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Кремко, Куприянов, Савченков

МПК: C30B 11/00, C30B 29/62

Метки: дисперсных, частиц

...ц = 75 В и Т = 750 А. Диафрагму устанавливают на расстоянии 120 мм, а бункер - на расстоянии 250 мм от горелки, Расход газов: С 1 А = 12 л/мин; ОК -- 10 л/мин.Вакуум поддерживавтся на уровне 10 мм рт.ст. В течение часа получают 8 кг монокристаллов ТЮ. Выгорание материала составляет 20 от исходного количества порошка;Контроль качества получаемых моно- кристаллов производится с помощью ра- . стрового электронного микроскопа Напо 1 аЬ. Размер частиц монокристаллов сферической и нитевидной форм находится в диапазоне от 5 до 0,01 мкм.П, р и м е р 2. Через плазменную горелку (тип НВ) пропускают порошковый материал никелид титана (ПН 55 Т 45) гранулометрическим составом от 40 до 20 мкм. Рабочие параметры установки П70 В и 1 = 700 А....

Номер патента: 1763526

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Нищий

МПК: C30B 23/00, C30B 29/62

Метки: игольчатых, кристаллов

...температуру повышают до 1 200 и полученную воздушно-аэрозольную смесь охлаждают до 14-15 С,Способ осуществляют следующим образом. Для получения аэр новую лодочку заклад лического цинка. Прогрев металла, пр для получения аэрозолей чах СУОЛ - 1/2-25 с автома ровкой температурных ре помещается в титановых л печи размещены кварцевь ненные со специальнымЗаказ 3432 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент, г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 для охлаждения полученных испаренныхаэрозолей металлов;В печи металл расплавляютдо 800 С, досостояния "возгонов" (испарения), затем через реометры подают воздушно-аргоннуюсмесь...

Номер патента: 1776099

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Власов, Голубев, Шредник

МПК: C30B 29/62, C30B 33/04

Метки: микровыступом, микрокристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРОКРИСТАЛЛОВ С МИКРОВЫСТУПОМ из металлов с объемноцентрированной кубической решеткой, включающий нагрев кристалла в виде острия до температуры T0, лежащей в интервале T1 T0<T<sub>пл, где Tпл - температура плавления, а T1 - температура начала поверхностной самодиффузии атомов металла, приложение к кристаллу электрического поля и увеличение его напряженности до появления термополевого микровыступа, наблюдение ионной эмиссии с острия в полевом эмиссионном микроскопе и многоступенчатое снижение напряженности электрического поля с величиной ступени, не превышающей 3% от...

Номер патента: 1565088

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Байцар, Воронин, Красноженов, Мустафин, Островская

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/62 ...

Метки: выращивания, кремния, кристаллов, нитевидных

1. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния для струнных резонаторов в вакуумированной кварцевой ампуле, содержащей исходный легированный бором кремний, добавки золота и оксида бора, путем переноса паров галоидом из "горячего" конца ампулы в "холодный" при постоянной температуре "горячего" конца и снижении температуры "холодного" конца в процессе выращивания, отличающийся тем, что, с целью увеличения механической прочности кристаллов, в качестве исходного кремния берут кремний, легированный бором до номинального удельного сопротивления 20 Ом·см, в ампулу дополнительно вводят медь с концентрацией (2,54-2,64)·10-3...