C30B — Выращивание монокристаллов

Страница 14

Устройство для жидкостной эпитаксии многослойных структур

Загрузка...

Номер патента: 807693

Опубликовано: 07.03.1988

Автор: Заргарьянц

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, многослойных, структур, эпитаксии

...неоднородный растворн в результате ухудшается однородность свойств.Целью данного изобретения является повышение однородности растворарасплава за счет эффекта перемешивания во время его заливки на подложку,Указанная цель достигается тем,что в емкостях размещены подвижныеЬ-образные перегородки, в вертикаль- .ных стенках которых выполнены сквозные отверстия, а на внутренней поверхности каждой емкости, обращеннойк вертикальной стенке перегородки,выполнены пазы и в боковых стенкахкорпуса выполнены, выемки со скосами.Наличие сквозных отверстий в вертикальной стенке перегородки в случае совмещения с пазами в стенке емкости обеспечивает одновременное поступление раствора-расплава к подложке, установленной на подложкодержателе, с разных...

Холодный тигель

Загрузка...

Номер патента: 1384209

Опубликовано: 23.03.1988

Авторы: Вернер, Манфред, Рольф

МПК: C30B 15/12

Метки: тигель, холодный

...5 и 6, позволяющих быстро и просто заменитьтрубки 1 и 3 в случае выхода их изстроя. Распределительное кольцо 2 струбками 1 и 3 соединено с несколькими входными и выходными патрубками7 и 8 для охлаждающей среды, Целесообразно для защиты трубок 1 от коррозии наносить на них защитное покрытие. В случае медных трубок хорошозарекомендовало себя родиевое покрытие .толщиной 6 мкм.Дно 9 тигля состоит из опорногоэлемента 10, выполненного из диэлектрического материала, пластины 11из диэлектрического материала, например кварца, инертного по отношениюк расплаву и кольца-держателя 12, 40также выполненного из диэлектрического материала, например оксида алюминия. Основной элемент 10 можетбыть выполнен из термостойкой синтетической смолы. В нем...

Установка для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов из расплава

Загрузка...

Номер патента: 1397555

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Аврутик, Алексиев, Атларски, Бончев, Бородин, Велков, Георгиев, Караризов, Козин, Курлов, Латев, Медко, Миха, Морев, Осипян, Редькин, Россоленко, Столяров, Татарченко, Топчийски, Трифонов, Шишков, Шопова, Яловец

МПК: C30B 15/00, C30B 15/30

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, расплава, тугоплавких

...37 на вал 38. На валу выполнены шпицевые пазы 39 для скольжения шестерни 40, находящейся в зацеплении с шестерней 41, жестко укрепленной на штоке. Полукольцо 42 соединяет верхние торцы вертикальных перегородок. Герметичная полость 43 непосредственно примыкает к датчику 44, имеющему тягу 45. Уплотнение 46 герметизирует полость весового датчика и штока, Штуцеры 47 и 48 служат для ввода и вывода воды.Установка действует следующим образом.Через индуктор, штоки и систему охлаждения камеры пропускают охлаждающую воду. Подают высокочастотное напряжение на индуктор 12, Увеличивают напряжения до расплавления загрузки н тигле 9. Расцепляют электромагнитную муфту 24 с винтом 18, Включают электродвигатель 29 ускоренного перемещения затравки,...

Способ ориентирования монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1411357

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Битюцкая, Бормонтов, Минасянц, Сыноров

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, ориентирования

...методом направленной кристаллиза ии из расплава, диаметром 1 см и длинойсм раскалывают на несколько частей по лоскостям спайности. Каждый из полученых образцов имеет от одной до трех непааллельных плоскостей скола, на каждой из оторых имеются риски. На отколотых часях монокристаллов сошлифовывают и отолировывают медве площадки, перпендикуярные рискам на сколе. Окончательную поировку шлифов осуществляют пастой АМ ,5/О, Размеры шлифов Зх 5 мм. Затем осуествляют травление шлифов травителем, одержащим 10 мл 69,8%-ной азотной кисоты и 50 мл 45%-ной фтористоводородной ислоты (картина травления изображена на иг. 1) и травителем, содержащим 40 мл 9,8%-ной азотной кислоты и 10 мл 45%-ной тористоводородной кислоты (картина трав- ения...

Холодный тигель

Загрузка...

Номер патента: 1433420

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Дитер, Рольф

МПК: C30B 15/12

Метки: тигель, холодный

...имеет центральное отверстие 16, В данном примере круглое отверстие имеет диаметр8 мм, внутренний диаметр контейнера76 мм, высота цилиндрической стенки20 мм а толщина стенки 2 мм,ФКонус соединен со стенкой контейнера 11 таким образом, что образуется выступающая на 2-3 мм кромка17.Стрелками на фиг, 2 и 3 показанонаправление конвекционных токов врасплаве в зависимости от расположения отверстий в контейнере,Устройство работает следующимобразам.Тигель заполняют исходным порошкомграната, например, ЫСаО . Генераторы, возбуждающие индукционные катушки 8 и 9, включают одновременно,Предпочтительно, чтобы энергия пода"валась сначала в элемент 6 через индукционную катушку 9 и нагревала егодо температуры выше точки плавленияматериала граната...

Устройство для поддержания и регулирования температуры в индукционных ростовых установках

Загрузка...

Номер патента: 1442566

Опубликовано: 07.12.1988

Авторы: Алимпиев, Матросов, Матросова, Старцев

МПК: C30B 15/20

Метки: индукционных, поддержания, ростовых, температуры, установках

...рабочую температуру цилиндра и атмосФеру, в которой проводится процесс выращивания кристаллов молибден, титан, никель и т.д.). Оптимальныеразмеры цилиндра 12: диаметр 20- 40 мм, высота,40-60 им, толщина стенки 0,3-1,0 мм, обеспечивают необходимую для регулирования ЭДС термопары 9.Керамический стакан 10 может бытьвыполнен из Ы Оэ, МБО, БхО и другихматериалов, выдерживающих рабочиетемпературы цилиндра 12. Размеры ста"кана 10 должны быть таковы, чтобы между стенками цилиндра и стакана 10 образовался зазор 5"О мм.В качестве теплоизолирующего порошка 11 может быть использован любойтеплоизолирующий порошок, выдерживающий рабочую температуру цилиндра 12600-1000 С.В качестве термопары может применяться любая термопара, работающаястабильно...

Способ получения криокристаллов и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1458448

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Кальдер, Кильк, Кинк, Лыхмус, Ниэдрайс

МПК: C30B 11/00, C30B 29/02

Метки: криокристаллов

...нижнего тордне криостата выполнены канавки 16,. ца кристалла осуществляется с помо- заполненные металлическим индием. щью средства 1 О охлаждения, через коКриокристаллы получают следующим торое пропускают газообразный или образом. жидкий хладагент из гелиевого сосуВ ампулу 1 впускают через трубку ЗО да (не показан). Для компенсации пе газПроводят охлаждение с помощью реохлаждения проводят нагревателем средства 10 ниже температуры тройной , 11. Контроль температуры для роста точки, что ведет к ожижению газа. Вы- кристалла осуществляется датчиками ращивают криокристалл направленной 14 температур. Наружный кожух криоскристаллизацией путем дальнейшего охтата имеет вывод к каналу вакуумнолаждения. Градиент температуры полу- ультрафиолетового...

Способ получения монокристаллов титаната висмута

Загрузка...

Номер патента: 1468987

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Волков, Захаров, Каргин, Кистенева, Неляпина, Петухов, Скориков

МПК: C30B 15/04, C30B 29/32

Метки: висмута, монокристаллов, титаната

...Значение фоточувствительности монокристалла и оптической однородности прн комнатнойтемпературе дено в таблице.П р и м е р 3. Шихту, содержащую97,6 мас.7 В 1 Оз и 2,3 мас.7 ТО, вколичестве 400 г 360,8 г ВгОз и .9,2 ТО, ) смешивают с ЕпО, взятомв количестве 2,0 г (0,5 мас.7), прикомнатной температуре в агатовойступке и затем помещают в цилиндрическом платиновом тигле в печь для выращивания. Выращивание монокристалла проводят методом Чахральского при скорости вытягивания 2,0 мм/ч и скорости вращения затравки 100 об/мин. Получают монокристаллы бледно-зеленого цвета диаметром 15-20 мм и длиной 60-80 мм, которые затем отжигают в инертной атмосфере азота (М ) прио600 С в течение 6 ч. Данные лакальнога рентгеноспектрального анализа...

Способ выращивания кристаллов с периодической структурой

Загрузка...

Номер патента: 1474184

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Аветисян, Аракелян

МПК: C30B 15/20, C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, периодической, структурой

...с периодической структурой. Способ реализуетсяпутем возбуждения в объеме кристаллизуемого раствора или расплаваультразвуковой волны, волновой вектор которой параллелен направлениюкристаллизации, при этом поверхностирастущего кристалла и источникаультразвука служат стенками резонатора. Условия периодического возникновения стоячей ультразвуковой волныобеспечивают движение поверхностирастущего кристалла, которая является отражателем ультразвукового резонатора. 1 ил. ку выращиваемого кристалла и ультразвуковой излучатель таким образом, что они создают ультразвуковойрезонатор, причем одной из стенокрезонатора служит поверхность растущего кристалла, По мере ростакристалла происходит изменение длины резонатора, что, в свою очередь,приводит...

Устройство для получения пленок многокомпонентных сплавов

Загрузка...

Номер патента: 1474185

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Анисимов, Джамагидзе, Мальцев, Швангирадзе

МПК: C30B 23/06

Метки: многокомпонентных, пленок, сплавов

...синхронно связано со средством перемещения тигля 4, В верхней части испарителя 2 над тиглем 4 уста новлен сепаратор 10, Над испарителем 2 размещена подложка 11. Сепаратор 10 исключает попадание на подложку 11 недоиспарившихся частиц.Устройство работает следующим образом.Порошок исходного материала заданного состава периодически (через 1-3 с) засыпают через окно 3 в горячий тигель 4 для периодической за1474185 20 Содержание компонентов, ат. %, с точностью -2 отн. 7. Концентрацияносителей токаР 10смПодвижность Вид образца Устройстцо носителей р, см/В с БЬ Те В 1. 305 190 10,1 29,6 60,4 2,5 9,3 30,8 61,5 1,7 Пленка Предлагаемое Пленка Известное Исходныйобъемный об 9,9 29,7 60,210 30" 60 2,4 290 разец ф Расчетное содержание компонентов в...

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

Загрузка...

Номер патента: 1031256

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Богдасаров, Елисеев, Емельянов, Ильин, Резников, Старостин, Суходольский, Федоров

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...перемещения в полости нагревателя, токоподводы в верхней части снабжены сухарями и скобами, последовательно охва.тывающими друг друга, образуя гнездо для крепления клина и конца нагревателя, и виполненными в средней части с выемками, в которой установлены сухари между клиньями и концами нагревателя, а нижние полувитки нагревателя расположени в два ряда в шахматном порядке.55 вид нагревателя с токоиодводами ваксонометрии.Устройство содержит камеру, в которой размещены экраны 1, Внутриэкранов неподвижно установлен прутковый нагреватель сопротивления,нитки которого образованы верхними 2 инижними 3 полувитками,причем нижниеполувитки расположены в два ряда вшахматном порядке, а концы 4 нагревателя соединены с токопроводами...

Способ получения пленок n о

Загрузка...

Номер патента: 1490167

Опубликовано: 30.06.1989

Авторы: Коган, Сокол, Шулаев

МПК: C30B 23/02, C30B 29/16

Метки: пленок

...состав и кристаллическую структуру пленки исследуют на электронном микроскопе ЭМВл. Электронно-графическим анализом показывают, что пленка диоксида ниобия монофазна по составу и эпитакспальна по структуре.Термическую устосиальной пленки оце1490167 25 лице. Температураподложкиград, К Давление кислорода, Р,Торр 5 1 О 1 10 1100 1100 5 103 10810 1100 1100 1100 1 10 1000 1 10 1 1 О 1050 1150 1 10 1 10 1200893 ходивших при нагреве непосредственно в колонке электронного микроскопа. Нагреву подвергают двухслойные элементы пленка-подложка толщину коФ5 торых берут соответственно 50 и 10 нм, Такой элемент получают при отделении пленки с помощью желатины от подложки, когда вместе с пленкой отрывается тонкий слой слюды.10При нагреве до температур...

Способ получения ядерно легированного германия

Загрузка...

Номер патента: 1100959

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Беда, Вайнберг, Воробкало, Зарубин

МПК: C30B 31/20, H01L 21/263

Метки: германия, легированного, ядерно

...долю тепловых нейт ,ронов пучка, поглощенную материалом экрана, по формулею- ехр(-Яс), (3) где Я - коэффициент поглощения тепловых нейтронов материалом чехла, д - 25 толщина стенки. Жесткость спектра нейтронов, прошедших через стенку чехла, равна ф Г ф Йф 4 -а. к .ай л т - - --- т Фф фг (Я ) ехр (-1 Й) где ; - .жесткость спектра при облучении без чехла,фр гт ( )ф цПри облучении германия естественного изотопного состава в пучке нейтронов с жесткостью спектра, равной 1",. получается полупроводник р-типа со степенью компенсации, равной 407 лЪ 1 ЙФ+Е )+2 Ра(Ь Фх+Е 31мРр (6 Д+ Е-Рр ) (5)Подставляя в (5) Рр = фт и учитывая, что 45 На фиг. 1 показана зависимость степени компенсации К от жесткости спект" ра нейтронов 3" (кривая 1); на...

Способ получения монокристаллических трубок и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1306173

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Антонов, Никаноров, Носов

МПК: C30B 15/34

Метки: монокристаллических, трубок

...мм,Получение монокристаллов возможно и при других скоростях вращения эатравочного кристалла. При этом изме" нение скорости вращения естественно, может повлечь эа собой изменениерасстояния меяду рабочими участкамиФормообраэователя. Достижение требу"емого эффекта, т,е, периодического изменения состава по высоте кристалла, возможно в очень широком диапазоне скоростей вращения затравки (О, 1200 об/мин). Выращены монокристаллические трубки длиной 80-100. мм. Эти трубки раэрезались по вертикальным образующим на прямоугольные образцы размерами 3 Э 15 мм. Чередующиеся легированные1306173и нелегированные слои имели равную Тд- Тд- е ширину. Суммарная ширина двух слоев ТА равнялась 0,25 мм,что соответствовало подъему затравки при одном ее где...

Устройство автоматического управления процессом выращивания монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1527331

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Башаров, Лебедев

МПК: C30B 15/00, C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов, процессом

...фазового перехода репер- ного материала 5, то сигнал логической единицы на выходе элемента 14 задержки с помощью элемента ИЛИ 12 "замораживается" и при поступлении сигчнала логическои единицы с выхода второго элемента 15 задержки на выходмультиплексора 16 проходит сигнал свыхода сумматора 6, который формируется путем сравнения сигнала с задат.чика 9 эталонного сигнала и сигналадатчика 1 температуры в период Фиксации фазового перехода реперного материала 5. Сигнал с выхода мультиплекстора 16 попадает на его первый аналоговый вход и "замораживается".После окончания фазового переходапоказания датчика 1 температуры вновьначинают изменяться, поэтому сигнал на выходе компаратора 1 О вновь падает до уровня логического нуля. При этом...

Устройство для получения профилированных кристаллов из эвтектических композиций

Загрузка...

Номер патента: 1551749

Опубликовано: 23.03.1990

Автор: Рогальский

МПК: C30B 15/34

Метки: композиций, кристаллов, профилированных, эвтектических

...на токарномстанке, шлифуют на наждачной бумагес зерном 50/40, 40/28, 28/20, а затем полируют алмазными пастая с зерном 14/10, 10/7, 7/5, 5/3, 2/1,1/О мкм,Капиллярные каналы 7 изготовлены 25из платиновой трубки внутренним диаметром 0,9 10 м, а наружным 1,1"10 м, длиной 2,5 10 м и закреплены на боковой поверхности формообразователя 5 с помощью закрепляющих колец, изготовленных иэ материала, невзаимодействующего с расплавом, в данном случае из молибдена.В углубление тигля 1 устанавливают формообразователь 5, вокруг которого размещают кристаллы ИаГ и СаГв соотношении 58 и 42 об.Б, что соответствует соотношению компонентовв точке энтектики. Затем тигель 1устанавливают ца подставку 2 и помещают в нагреватель 3, после чего припомощи...

Устройство для герметизации контейнеров

Загрузка...

Номер патента: 1551750

Опубликовано: 23.03.1990

Автор: Голубков

МПК: C30B 35/00

Метки: герметизации, контейнеров

...и закрывают крышкой из того же материала, Затем устанавливают контейнер в водоохлаждаемыйдержатель 6, Торец контейнера в месте сварного цаава помещают в отверстие 11 снцентрдторд 10 при помощи средства 9 подъема и вращения.5Пл вакуумное уплотнение 3 устанавливают кварцевый стакан 2, вакуумную камеру 1 откачивают. Затем подают напряжение высокой частоты ат ВЧ-индуктора 5 на рабочий контур.10В концентраторе 10 генерируется ток, который вызывает в зоне сварки контейнера 7 вторичный ток.После снятия мощности место расплава затвердевает и образуется непроницаемое соединение между крьццкоп и контейнером. Затем извлекают контейнер 7 из камеры 1, при этом в контейнере сохрдняется вакуум или соответствующая газовая атмосфера в зависимости от...

Устройство для получения монокристаллических слоев

Загрузка...

Номер патента: 1555400

Опубликовано: 07.04.1990

Автор: Жохов

МПК: C30B 23/02

Метки: монокристаллических, слоев

...в нужном направлении. Угловую ориен- тацию дефлекторов 5 осуществляют юстировочными винтами 11, Расстояние 1 в между.дефлектором 5 и подложкой 8 30 мм, от испарителя 3 до центра отражающей поверхности теплового дефлектора 5 60 мм. Расстояние меяду элементами устройства регулируют с . помощью рамки 2.Устройство работает следующим образом.Напыляемое вещество - селен помещают в испаритель 3, Верхняя сдсть испарителя 3 закрыта заслонкой (не показана), Все устройство помещено в вакуумную камеру (не показана), которую откачивают до давления остаточных газов 5 10 -10 мм рт.ст. Одновременно с откачкой производят нагрев испарителя 3 до 250 С для удаления газов, .содержащихся в селене, тепловых дефлекторов 5 до 230-250 С, паропровода 6 и...

Устройство для молекулярно-лучевой эпитаксии

Загрузка...

Номер патента: 1555401

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Ломовой, Марошек, Строцкий

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...включает вакуумную камеру, в которой размещен подложкодержатель.Подложкодержатель соединен со средствами вращения и наклона, Отличия устройства относятся к выполнению средст ва наклона, которое позволяет проводить измерения наращиваемого слоя в процессе роста, позволяет регулироо вать угол наклона в пределах 0-5 1 ил. разом,Упоры 8 и 9 регулируют по в 1 соте,при этом в исходном положении сланец13 взаимодействует с упором 3, а приповороте корпуса 7 фланец 13 взаимодействует с упором 9 и обеспечиваетнаклон подложкодержателя в пределахоПри проведении измерений выраого на подложке 14 слоя, не остандвливая вращение штока 2, с помоцью винта 12 фланец 13 поднимают до взаимодействия с упором 9, при этом штифт 11 перемещается .по пазу 10 сф...

Способ получения монокристаллов твердого раствора германий кремний

Загрузка...

Номер патента: 1555402

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Бармин, Белокурова, Василина, Земсков, Маврин, Шехтман

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/08 ...

Метки: германий, кремний, монокристаллов, раствора, твердого

...С, в холодную, нагретую до350-400 С, при градиенте температурымежду ними 46,4-71,4 С/см, разложениебромидов и рост монокристаллов твердого раствора германия - кремния втечение 10-20 ч в условиях микроуско-,рений не более 10я. По сравнению спрототипом способ позволяет на двапорядка повысить однородность монокристаллов. 1 табл.(горячая зона). Противоположный конецампулы нагревают до 355 С (холоднаязона). Градиент температуры по длинеампулы 49,6 С/см. Прп данных тепловыхусловиях ампулу выдерживают в течение18,2 ч, после чего осуществляют ееестественное охлаждение до комнатнойтемпературы. Затем ампулу извлекаютиз установки, разбивают и извлекаютмонокристаллы твердого раствора германий - кремний. Полученные монокристаллы диаметром 30-500...

Способ получения люминесцирующей кристаллической окиси цинка

Загрузка...

Номер патента: 1560644

Опубликовано: 30.04.1990

Авторы: Данчевская, Ивакин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: кристаллической, люминесцирующей, окиси, цинка

...и заливают 200 см 17.-ного водного раствора 2 пС 1. Концентрация ЕпС 1 равизобретения - повьппение интенсивности люминесценции, Окись цинка обрабатывают в парах воды при 380-450 Си давлении 100-300 атм в,присутствиихлорида цинка в количестве 0,05-5,003от массы окиси цинка. Получена кристаллическая окись цинка с высокой интенсивностью люминесценции в зеленойобласти спектра. 1 ил., 1 табл. на 2 Е от веса 2 пО. Вкладыш помещают в автоклав объемом 1 л, который нагревают до 400 С и выдерживают при данной температуре 24 ч. Затем автоклав охлаждают до комнатной температуры, вскрывают и выгружают продукт. Конечный продукт представляет собой кристаллическую окись цинка с размером зерен .2-8 мкм и габитусом бипирамицы, люминесцирующую в...

Способ выращивания монокристаллов l т о

Загрузка...

Номер патента: 1562363

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов

...фзы к твердой/= 4:1,1. Автоклав герметически закры вют и помещают в двухзонную печь сопротивления. Температура зоны раст" варения равна 430 С, температурный перепад равен 30 С, При данном нагреве давление жидкой Фазы составляет 530 атм. Процесс получения 1,1 ТаО;, протвкает по схеме, описанной в примере 1. Средний размер монокристаллов 1 1 ТдОз от 3 до 4 мм,Предложенный способ эффективен, прост в техническом оформлении, воспроизводим, не требует дорогостоящей футеровки, позволяет получать цистые монокристаллы ЬаТаОз и увеличивать 25 их размеры при пониженных температурНЫх параметрах процесса, цто необходимо для их практического использования в кацестве рабочих элементов в приборах специального назначения.При этом количество получаемых...

Способ выращивания монокристаллов висмута

Загрузка...

Номер патента: 1562364

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/02, C30B 7/10

Метки: висмута, выращивания, монокристаллов

...одновремен ным восстановлением и последующей кристаллизацией монокристаллов висмута. Потенциометрическое исследование остаточных растворов показало, что оптимальный выход монокристаллов висмута достигается при величине окислительно-восстановительного потенциала 0,95 эВ. Выход монокристаллов висмута составляет 97,23 от стехиометрицес кого количества висмута, содержащегося в оксиде висмута, Чистота моно- кристаллов по сумме примесей составляет 10- 10 т .Пример .дицеского действия,156236 Й Формула изобретения Составитель Е, ЛебедеваТехред Л.Сердюкова Корректор Э, Лонцаковат Редактор А. Мотыль Заказ 1038 Тираж 3 А ПодписноеВНИИПИ Государственнос о комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. сс/5...

Способ получения многослойных эпитаксиальных структур g а

Загрузка...

Номер патента: 1573057

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Данильцев, Иванов, Краснов

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: многослойных, структур, эпитаксиальных

...дувают в течение 5 мин Са(СН) При 600 С расход АяН устанавливают 10 (0,113 ммоль/мин) . Затем подают АяН.а на уровне 0,565 ммоль/мин и подъем (0,170 ммоль/мин) и СеН 4. (5 10 ммоль/рекращают и осуществля- /мин) и осуществляют осаждение слоя ю продувку реактора в течереактора,в течение 4 мин р -СаАя при отношении расходов АяНу Д лее в реактор подают Са(СН )с и Са(СН), равном 1,5, после чего пор сходом , ммол м 0,113 моль/мин и СеН с 15 дачу реагентов прекращают и охлажда 110 + ммоль/мин осущест- ют реактор до комнатной температуры. н е слоя и-СаАя отноше-. + +Полученная структура состоит из ние расходов АяНи Са(СН ) равно 5. р -и-р -слоев СаАя толщиной 0,1, По саждения подачу АяН и 0 3 и О Й мкм соответственно. ПротяС Н прекращают и...

Устройство для выращивания монокристаллов из раствора расплава

Загрузка...

Номер патента: 1574696

Опубликовано: 30.06.1990

Автор: Абдуллаев

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава, раствора

...4 так, что ее вертикальные участки размещены в разных температурных зонах.Устройство работает следующим образом.Смесь безводного Сг, Сз, Сд и Яе, взятые в соотношении 1:2:2, загружают в ампулу 1 через загрузочный патрубок 2. В процессе загрузки в ампулу 1 помещают затравки. Затем ампулу 1 откачивают до 50мм рт. ст, и запаивают загрузочный патрубок 2. Ампулу 1 устанавливают в печи 4 патрубками 2 и 3 вверх. Включают Я 111 5746 ре вано в полупроводниковои промышленности, Обеспечивает управление скоростью потока раствора-расплава. Устройство содержит кварцевую ампулу в виде трубчатой рамы. Верхний горизонтальный участок рамы снабжен загрузочным и подпитывающим пагрубками. Патрубки соединены между собой в месте присоединения к ампуле. Ампула...

Устройство для осаждения пленок твердых растворов

Загрузка...

Номер патента: 1574697

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Абдулзаде, Галущак, Заверуха, Сендерская

МПК: C30B 23/02

Метки: осаждения, пленок, растворов, твердых

...в испарителе, а затем в нижней части камеры. При прохождении паров через сопло упругая перегородка деформируется. Пары поступают в верхнюю часть камеры. При этом поддерживается определенное давление над испарителем и обеспечивается стабильность состава осаждаемых паров на подложке, Получают пленки (РЬЬе)(ЯпТе). 1 ил. стройство работает следую После загрузки испарителя 3 компонентами твердого раствора его устанавливают в нижней части камеры 1. Подложку 4 с системой охлаждения 5 и механической заслонкой 6 монтируют в верхней части камеры 1, затем ее вакуумируют. Нагрев камеры 1 до заданной температуры, необходимой для испарения компонентов твердого раствора, осуществляют подачей электроэнергии через электроды 2. Образуемые при...

Устройство для молекулярно-лучевой эпитаксии

Загрузка...

Номер патента: 1574698

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Ангилов, Белоусов, Исаев, Михайлов, Потоков

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...этом на внешней боковой поверхности криопанели 2 находятся в основном соединения группы В(АЯ,Р), а на внутренней поверхности - как соединения группы Аз (ба, 1 п), так и соединения группы Вь(АБ, Р), и соединения АзВь. Из криопанелей 2 при помощи газообразного подогретого до 40 - 100 С азота удаляют жидкий хладагент, В дополнительную криопанель 3 непрерывно заливают жидкий хладагент. Включают нагреватель 6, блок молекулярных источников 5, внешние нагреватели ростовой камеры 1, средства 19 и прогревают камеру роста 1 до 100 - 200 С. Давление в камере 1 поддерживают при помощи средства 19 и путем сорбции на охлажденную поверхность дополнительной криопанели 3 при непрерывной заливке жидкого хлад- агента.Включается при помощи ЭВМ 49 черезблок...

Устройство для контроля параметров поверхности раздела кристалла и жидкой фазы

Загрузка...

Номер патента: 1576598

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Белогуров, Маликов, Стадник

МПК: C30B 17/00

Метки: жидкой, кристалла, параметров, поверхности, раздела, фазы

...и жидкой Фазы Зизмеряют амплитуду колебаний резонансной частоты акустической системыв процессе роста кристалла и сравнивают ее с амплитудой колебаний резонансной частолы системы для кристалла, расходящегося в системе с плоской поверхностью раздела. При этомцем больше поверхность раздела кристалла и жидкой Фазы, тем меньше амплитуда колебаний. 45Для определения длины растущегокристалла измеряют резонансную частоту.акустической системы до и после перемещения поверхности разделатвердой и жидкой Фаз, При этом чем 50меньше резонансная частота системы,тем больше длийа кристалла (нижеуровень поверхности раздела твердойи жидкой фаз).Для определения Формы поверхнос- ути раздела кристалла и жидкой Фазыизмерения, амплитуды колебаний...

Способ получения кремниевой структуры

Загрузка...

Номер патента: 1578238

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Балюк, Полухин, Попов, Середин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/06

Метки: кремниевой, структуры

...на основе алюминия толщиной40 мкм. Перекристаллиэацию пластиныис очника путем перемещения расплавленной роны осуществляют в течение2 ч при температуре 1200 С в поле температурного градиента. Затем полученную структуру охлаждают до комнатнойтемпературы .и сошлифовывают слой толщиной 30 мкм со стороны выхода эоны. Полученная структура и-р состоит из пластины-подложки (и-слой) и перекристаллизованной на ней.пластины- источника (р -слой), Перекристаллизо-. ванный слой однороден по электрофизическим параметрам (разброс удельного сопротивления по площади не превышает 47). Плотность дислокаций в нем-2составляет 8 10 смПредлагаемый способ обеспечивает получение .кремниевых структур,в которых в перекристаллиэованных областяхотсутствуют...

Способ жидкофазной эпитаксии методом испаряющегося растворителя

Загрузка...

Номер патента: 1581786

Опубликовано: 30.07.1990

Автор: Малкин

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208

Метки: жидкофазной, испаряющегося, методом, растворителя, эпитаксии

...параллельные сквозные канавки так, чтобы вершины канавок образовывали систему параллельных щелей с шириной 10 мкм. Затем пластину термически окисляют до образования на ней прочного окисла 80 2, который защищает ее от раэрущения расплавами и галогенидами.На подложке СаЛя марки АГЧТ обычным методом (со снижением температуры) в тигле предварительно выращивают последовательно буферный слой СаЛз, ограничивающий слой А 1 О СаАз толщиной2 мкм и ограничивающии слой А 1,Са Аз (2 10 см )толщиной 1,3 мкм. После этого температуру стабилизируют на уровне 600 С, полупроницаемую перегородку из кремния прижимают к расплаву галлия, насыщенного мышьяком. Подложку СаАз размещают в углублении ползуна, причем толщина подложки 160 мкм при глубине углубления...