C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1800858

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Шибанова, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02, C30B 9/12 ...

Метки: yba2cu3o7, высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводящих

...Тс. 90 К,ЬТс Я 0,5 К) без удорожания процесса(т,е. без замены корундовых тиглей на платиновые);Цель достигается тем, что в известном способе получения монокристаллов УВагСцз 07- д включающем расплавление смеси оксида иттрия( П), меди(П) и бария(П) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1-4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и отжиг в атмосфере кислорода, последний проводится при давлении 3-4 атм,Нижний предел давления кислорода при отжиге определяет минимальное давление кислорода, позволяющее насытить монокристалл кислородом до оптимальной концентрации в температурных и временных условиях, укаэанных в прототипе. Верхний предел интервала давлений определяется...

Номер патента: 1213780

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Репий, Рымашевский, Ястребков

МПК: C30B 13/00, C30B 29/52

Метки: металлов, монокристаллических, основе, сплавов, труб, тугоплавких

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТРУБ ИЗ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ НА ИХ ОСНОВЕ бестигельной зонной плавкой, включающий перемещение расплавленной зоны от кольцевой затравки вдоль исходных установленных на затравке прутков, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и получения беспористых труб большой длины, исходные прутки берут диаметром 0,8 1,4 5% от толщины стенки трубы и устанавливают их по окружности с зазором, при котором расплав за счет капиллярных сил удерживается на уровне кромки оплавления прутков или выше ее.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью введения во время процесса легирующей добавки, у зазоров между...

Номер патента: 1061526

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Каретников, Репий, Рымашевский, Ястребков

МПК: C30B 13/00

Метки: металлов, монокристаллов, плоских, тугоплавких

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛОСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ, включающий формирование зоны расплава между исходным прутком и верхним участком кромки горизонтально расположенной цилиндрической затравки, наращивание кристалла слоями путем перемещения зоны по дуге при повороте затравки вокруг ее оси с программным изменением скорости поворота и вертикальным перемещением затравки и прутка, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных монокристаллов при обработке давлением и после прокатки, затравку ориентируют по выбранной кристаллографической оси перпендикулярно или в направлении наращивания, отклоняют затравку на угол 80 - 90o, перемещают зону по дуге качанием относительно выбранного направления или нормали к нему с...

Номер патента: 713018

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Белов, Потапов

МПК: C30B 25/12

Метки: газовой, диэлектриков, полупроводников, эпитаксии

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГАЗОВОЙ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, включающее горизонтальный реактор, подложкодержатель для подложки, установленный на пьедестале внутри реактора, и внешний нагреватель, отличающееся тем, что, с целью уменьшения градиента температуры по поверхности подложек и стабилизации температуры, пьедестал выполнен в виде полого контейнера, а подложкодержатель в виде гранулированного материала, размещенного внутри контейнера слоем, толщина которого превышает величину стрелы прогиба подложки.

Номер патента: 1833659

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Азизов, Белицкий, Гончаренко, Селезнева, Урсуляк, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: висмут-свинец-стронций, кальциевого, купрата, монокристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТ-СВИНЕЦ-СТРОНЦИЙ-КАЛЬЦИЕВОГО КУПРАТА с кристаллической структурой фазы 2:2:1:2, включающий нагрев шихты, содержащей Bi2O3, PbO, SrCO3, CaCO3 и CuO, выдержку для гомогенизации расплава и кристаллизацию при охлаждении, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины перехода в сверхпроводящее состояние T и увеличения плотности критического тока, компоненты шихты берут в следующем соотношении, мол.Bi2O3 19,85 20,62PbO 4,41 4,58SrCO3 31,71 32,24CaCO3 13,56 13,82CuO Остальноекристаллизацию проводят на платиновом...

Номер патента: 1800856

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Нестерова, Пащенко, Шубин

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, подложках, структур, эпитаксиальных

...удельной мощности в такой системе нетпоэтому. целесообразно привести и геометрические характеристики используемой авторами установки. Высота пирамиды-подложкодержателя 220 мм, максимальный размер (диаметр) верхнего торца пирамиды 120 мм, нижнего торца 150 мм, Боковая поверхность пирамиды, как сумма площадей ее восьми граней, составляет 924 см, Наружный диаметр кварцевой трубы2реактора 190 мм. Высота катушки индукто5 10 15 20 30 35 40 45 50 ра-излучателя 250 мм, средний диаметр 220 мм. Диаметр медной трубки, из которой навит индуктор, 12 мм, число витков катушки индуктора-излучателя 11. Этих сведений достаточно для оценки энергетики получаемой плазмы и воспроизведения способа не только,в увстановке описанной конструкции, но ив других...

Номер патента: 1824956

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Косушкин, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, галлия, монокристаллов

...продувают газообразный азот, содержащий 0,5-0,8 об. 7 ь влаги в объеме 0,8 + 1,2 л/кг загруженного арсенида галлия.После продувки трубку для ввода азота удаляют из расплава, в расплав вводят в затравку, проводят затравление и вытягивание монокристалла на затравку,По окончании процесса роста и охлаждения установки монокристалл извлекается из камеры и передается на обработку.П р и м е р. Выращивали монокристаллы полуизолирующего арсенида галлия диа 5 10 15 20 25 30 35 40 45 метром 76-80 мм на установках "Астра". В тигель диаметром 152 мм загружали 3 кг предварительно синтезированного поликристаллического арсенида галлия и флюс - оксид бора (600 г). Флюс предварительно отжигали в вакууме при температуре 1300 С в течение 48 ч, что...

Номер патента: 1264604

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Фигура, Хулугуров

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, основе, фторида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ для лазерных элементов из расплава, содержащего фторид и гидроксид лития, в тигле, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих F+2-центры в кристаллах, процесс проводят в тигле из никеля или стеклографита в атмосфере инертного газа при добавлении в расплав оксида бора в количестве 0,001 0,100 г/см2 поверхности расплава.

Номер патента: 1028100

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Волкова, Исянова, Князев, Лобанов, Максимова, Щепина

МПК: C30B 17/00, H01S 3/16

Метки: лазеров, оптических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ на основе монокристаллов фторида лития, включающий выращивание монокристалла на воздухе из расплава исходного материала на затравку путем его охлаждения с последующим облучением монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения лучевой прочности отптического элемента без снижения концентрации рабочих центров, исходный материал берут в виде мелкодисперсных частиц, которые получают предварительным выращиванием кристаллов фторида лития из расплава в вакууме, измельчением их на воздухе и отмучиванием.

Номер патента: 1759044

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Мурашев, Олейник, Пимштейн, Тришкин

МПК: C30B 7/10

Метки: автоклав

АВТОКЛАВ для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях, содержащий корпус в форме центральной обечайки и многослойной обмотки на ее поверхности, днище, крышку, нагреватель и теплоизоляцию, отличающийся тем, что, с целью снижения габаритов и массы автоклава, обмотка имеет по крайней мере один внутренний слой, выполненный перфорированием.

Номер патента: 1693908

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Бушуева, Захарюгина, Зверева, Петров

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: бария, гексаферрита, материал, монокристаллический, основе

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ГЕКСАФЕРРИТА БАРИЯ, содержащего добавки цинка и марганца, отличающийся тем, что, с целью увеличения температуры Кюри, повышения за счет этого термостабильности рабочей частоты и расширения частотного диапазона при сохранении узкой ширины кривой ферромагнитного резонанса, материал дополнительно содержит никель и имеет соотношение компонентов, соответствующее кристаллохимической формулеBa2 Zn2-x-yNix MnyFe12O22,где x 0,2 0,35;y 0,2 0,3.

Номер патента: 1665732

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Барышев, Большаков, Геркен, Калашникова, Коломина, Куратьев, Михеев, Сильницкая, Шестаков, Янчук

МПК: C30B 15/36, C30B 29/28

Метки: выращивания, гадолиний-скандий, галлиевого, граната, монокристаллов

...точность ориентации торца затравки относительно кристаллг 3 графиескбЙ плОскОсти (112; В дгух взаимно перпендикулярных направленилх по мдкслмуму отражений второго г 1 орядка ,22412 Г)1224 =-) 15 5)4 . %24 ="7" 576)24 == 7 17 . д 224 =.измсренцое измеренноеРазориентдция торца затравки относительна кристаллаграфической плоскости (12 у в двух Взаимна перпендикулярных ндправлецилх составляет 7 и 15, Общая разориентацил торца прямоугольной затравки относительно кристаллогрдфической плоскости находится согласна номограмме и не пОевышает 0 18.о РддарИЕНтацИЮ бОКОВЫХ грИНЕй ПрЛМОугольной затравки относительно кристдллографических плоскостей 1221) и (110няхсд 57 т также В двух Взаимно герпецдикуЛЛРЦЫХ НЯПРДВЛЕНИ 5 Х ПО МДКСИ 14 УМУ ОТГ 3 д 1-...

Номер патента: 1536876

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Баранова, Основина, Петров

МПК: C30B 29/28, C30B 33/10

Метки: монокристаллических, сфер, феррогранатов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СФЕР ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРОГРАНАТОВ, включающий резку монокристаллов на кубические заготовки, придание им сферической формы, шлифовку закрепленным, а полировку свободным сменным абразивным порошком с последовательно уменьшающимся размером, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины кривой ферромагнитного резонанса и повышения выхода годных сфер по этому параметру, полировку 10,0 мкм абразивным порошком ведут с дополнительным введением алмазной пасты, например АСМ 10, а после полировки 3,0 мкм порошком сферы обрабатывают в растворе состава 0,15 H2SO4 0,05 CrO3

Номер патента: 713016

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Иванов, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00, G01T 1/20 ...

Метки: плоских, сцинтилляционных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛОСКИХ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫХ ИЗДЕЛИЙ из монокристаллов иодидов щелочных металлов путем разрезания заготовки, отличающийся тем, что, с целью обеспечения однородности изделий с площадью существенно большей любого сечения исходной заготовки, разрезание осуществляют аксиально боковой поверхности цилиндрической заготовки в один слой или в несколько слоев по спирали с толщиной h, после чего полученный слой или слои подвергают нагреву со скоростью 10 20oС/ч до 350 450oС, выдерживают 3 5 ч при температуре и разворачивают в плоскую пластину с последующим охлаждением до комнатной температуры со скоростью 20 30oС/ч, причем толщина слоя h, радиус изгиба rи степени деформации соответствует...

Номер патента: 1824958

Опубликовано: 10.10.1995

Автор: Худицын

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...внутри кварцевую ловушку 5. На фиг. 2 и 3 дан вариант выполнения ловушки с боковой поверхностью в виде полукольца (вид сбнку и в плане); на 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 фиг. 4 и 5 - другой вариант выполнения ловушки с боковой поверхностью виде двух пересекающихся кварцевую прутков. Дно одного и другого варианта выполнено с отверстиями для стекания расплава при подьеме ловушки. Для упрощения вылавливания частичек кварца в первом варианте(фиг, 2 и 3) полукольцо выполнено усеченным, во втором варианте (фиг. 4 и 5) один из прутков расположен по горизонтали, а другой небольшим углом к горизонтали.Далее загружается тигель, Сначала проводится загрузка остатков кремния в тигле, затем оборотный кремний, После расплавления загрузки тигель с...

Номер патента: 1658676

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Александрова, Баранова, Петров

МПК: C30B 29/28, H01F 1/34

Метки: магнитный, материал, монокристаллический, основе, са-v, феррограната

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ СА-V-ФЕРРОГРАНАТА, содержащий кальций, ванадий, индий, ниобий, железо и кислород для приборов СВЧ, работающих в частотном диапазоне 0,5 2,0 гГц, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности резонансной частоты за счет уменьшения поля анизотропии, он дополнительно содержит германий и имеет состав, соответствующий формуле{Ca3} [Fe2-y-z/nyNbz](Fe3-x-qVxGeq)O12,где x 1,40 1,45; y 0,15 0,20; z 0,04 0,05;15 q 0,02 0,10 и q /(y + z) 0,10 0,40.

Номер патента: 1450409

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Тарасов

МПК: C30B 29/34, C30B 5/00

Метки: монокристаллов, цеолита

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЦЕОЛИТА (NA,LI)F, включающий образование геля из исходных растворов кремнийсодержащего реагента и алюмосиликата натрия с отношением Si Al 1 2 1,5 1, смешивание геля с раствором гидроксида лития в объемном отношении 2 1 1 2 до соотношения Li Na 1 2 1,5 1 в смеси и кристаллизацию при 80 100oС, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров монокристаллов, в качестве кремнийсодержащего реагента используют раствор силиката натрия с содержанием 0,25 0,30 М SiO2, а исходный алюминат натрия берут с содержанием 0,25 - 0,30 MAlO-2, гидроксид лития берут в количестве, обеспечивающем в смеси 2,5 3,5 М (Na, Li) ОН и [SiO2][AlO-2] =...

Номер патента: 828726

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Тарасов

МПК: C30B 7/14

Метки: выращивания, кристаллов, раствора

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА по методу химических реакций, включающее емкости для исходных растворов, кристаллизационную камеру со смесителем на входе, соединенную с емкостями для растворов стационарными трубопроводами, и подвижный резервуар с гибким трубопроводом, для приема отработанного раствора, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и стабильности подачи растворов в течение всего процесса и обеспечения постоянства состава раствора, поступающего в камеру, последняя размещена наклонно и имеет вход в нижней части, на выходе камеры установлен отстойник, соединенный капилляром с подвижным резервуаром, а под ним установлен стационарный резервуар, соединенный с емкостями для исходных растворов...

Номер патента: 1517384

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Александрова, Бушуева, Захарюгина, Петров

МПК: C30B 29/28, H01F 1/10

Метки: магнитный, материал, монокристаллический

МАГНИТНЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ на основе феррограната, содержащий кальций, ванадий, индий и железо, отличающийся тем, что, с целью уменьшения намагниченности насыщения и снижения величины поля магнитной кристаллографической анизотропии в кристалле, он содержит компоненты в соответствии со следующей формулой:{Ca3}[Fe2-y-zInyNbz](Fe3-xVx)O12,где Х 1,36 1,41;Y 0,22 0,25;Z 0,09 0,14,а отношение индия к ниобию равно 2,20 3,02.

Номер патента: 1805706

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Добровинская, Занятнов, Звягинцева, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: залечивания, монокристаллических, образцах, трещин

...перемещения - прямолинейного. Движение нагревателей с обеих сторон трещины обеспечивает создание деформационного усилия для осуществления пластического течения непосредственно в зоне трещины,Скорость перемещения нагревателей определяет величину деформирующих усилий, возникающих в области пластической деформации между нагревателями, при этом нагреватели в материале передвигаются с "натягом", приводящим к деформации материала вокруг нагревателей. При скоро-.сти меньшей 10 мм/ч не обеспечивается пластическое течение между расплавленными зонами, и трещина не залечивается, а при скорости большей 80 мм/ч резко падают прочностные характеристики нагревателей. Нагреватель разрушается, и процесс эалечивания трещины прекращается, а...

Номер патента: 1651602

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Горбунов, Классен, Махонин

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: кристаллов, оптических, щелочногалоидных, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ, включающий механическую обработку исходного образца до формы, близкой к требуемой, и прессование его при повышенной температуре между пуансонами соответствующей формы, чистота поверхности которых соответствует требованиям к чистоте поверхности элемента, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптического качества, увеличения производительности и выхода годных элементов, исходный образец берут в виде монокристалла, после механической обработки проводят снятие механически упрочненного слоя химическим травлением и прессование ведут до степени 1,5-5,0% со скоростью 0,02-0,10 мм/мин.

Номер патента: 1382056

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Децик, Леман, Трубицын

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10

Метки: локального, марганец-цинковых, монокристаллических, пластин, травления, ферритов, химического

СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ, включающий нанесение защитной маски на пластины, нагрев травителя, содержащего ортофосфорную кислоту, и выдержку в нем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения анизотропности травления, нагрев осуществляют до температуры 30 100oС, выдержку проводят в травителе, дополнительно содержащем азотную и уксусную кислоты при следующем соотношении компонентов, мас.ч.Ортофосфорная кислота (уд.в. 1,72 г/см3) 55 70Азотная кислота (уд.в. 1,51 г/см3) 45 50Уксусная кислота (уд.в. 1,05 г/см3) 35 50Дистиллированная вода 100 140

Номер патента: 1535077

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Беляева, Королихин, Котова, Рубаха

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: кристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ - Li 103 , включающий приготовление исходного водного раствора соли Li103 с добавкой кислоты, фильтрацию раствора и рост кристаллов при выпаривании растворителя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества кристаллов, в качестве добавки кислоты берут Н3РО4 или D3РО4 и перед фильтрацией раствор выдерживают не менее 2 ч при температуре toС, определяемой из интервала t1 < t < tкип, где t1 - температура роста кристаллов; tкип - температура кипения раствора.

Номер патента: 850765

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Емельченко, Ушаковский

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку, включающее тигель для расплава с затравкодержателем внутри, выполненный в виде полого закрытого цилиндра, закрепленного в керамической оболочке, которая установлена в нагревательной камере с возможностью поворота, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы, тигель выполнен разъемным в виде двух одинаковых стаканов, состыкованных открытыми краями.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью исключения попадания расплава в разъем для стыковки стаканов, на их краях выполнены цилиндрические проточки, а затравкодержатель установлен на дне стакана с внутренней проточкой.

Номер патента: 1309621

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Рубаха

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: liio3, выращивания, кристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ -LiIO3, основанный на методе испарения, включающий испарение растворителя из исходного раствора LiIO3 и HIO3, приготовленного при температуре t0, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и снижения себестоимости кристаллов, рост кристаллов проводят при температуре t, связанной с кислотностью исходного раствора соотношением 1,5 - 0,007 (t - t0), где

Номер патента: 1732701

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Ершов, Зильберберг, Кацман, Потапенко

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: затравочной, пластины

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАТРАВОЧНОЙ ПЛАСТИНЫ для выращивания кристаллов типа КДР, включающий моносекториальное выращивание кристалла в направлении [101] из водного раствора в стакане, размеры дна которого совпадают с размерами в направлении [010] и и последующее вырезание из кристалла пластины прямоугольного сечения ортогонально направлению [101], отличающийся тем, что, с целью увеличения апертуры затравочной пластины при сохранении оптической стойкости выращиваемых кристаллов, вырезанную пластину помещают в стакан прямоугольного сечения, размеры сторон которого совпадают с размерами пластины в направлениях [101] и ...

Номер патента: 1771214

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Потапенко, Рубаха

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного раствора на размещенную на дне формы затравку, соответствующую ее размерам и вырезанную параллельно естественной грани, отличающийся тем, что, с целью снижения отходов, в качестве затравки используют пластину из дефектного кристалла и в начале процесса визуально контролируют возникновение в растущем кристалле источника центра образования дефектов, который удаляют на всю толщину затравки.

Номер патента: 946266

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Бабашова, Емельченко, Ильин

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку по авт. св. N 850765, отличающееся тем, что, с целью повышения его надежности за счет исключения вытекания расплава из тигля при его переворотах, торец первого стакана с затравкодержателем в месте разъема тигля выполнен с выемкой, имеющей внутреннюю цилиндрическую и внешнюю коническую форму, высота выемки с конической формой меньше высоты выемки с цилиндрической формой, а торец второго стакана выполнен с выступом, имеющим форму, соответствующую выемке первого стакана.

Номер патента: 955741

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Ершов, Кацман

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного водного раствора на размещенную в кристаллизаторе затравку, вырезанную параллельно грани (100) или (101), отличающийся тем, что, с целью повышения скорости роста и оптической однородности кристаллов, используют затравку, соответствующую размерам дна кристаллизатора, и размещают ее на дне так, чтобы ее кристаллографическая ось Z и ось кристаллизатора лежали в плоскости осей затравки XZ или YZ и составляли между собой угол в 45 - 90o, и процесс ведут при переохлаждении раствора более 5oС.

Номер патента: 1464516

Опубликовано: 10.04.1996

Автор: Рубаха

МПК: C30B 29/46, C30B 7/02

Метки: величины, граней, началу, пересыщения, призмы, раствора, роста, соответствующей

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ ПЕРЕСЫЩЕНИЯ РАСТВОРА To, СООТВЕТСТВУЮЩЕЙ НАЧАЛУ РОСТА ГРАНЕЙ ПРИЗМЫ кристаллов с огранкой типа КДР и -LiIO3, включающий погружение микрокристалла в раствор, наблюдение за его ростом, уменьшение пересыщения T и определение To, при котором происходит прекращение роста грани призмы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, рост осуществляют до появления на грани пирамиды одиночных ступеней роста,...