C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1665879

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Духновский, Крысов, Кузнецов

МПК: C30B 33/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термообработки

...0 ь, трубки 6 с общим расходом охлаждающей 0 воды 80 л/мин. Герметичная емкость 10 у представляет собой сильон из полиэтилена и имеет объем 150 см, Нэ держатель 2 загружают кремниевую пластину 3; держатель 2 перемещают в реакционную камеру 1 0 и закрывают ее запорным устройством 12. Через трубки 6 подают охлаждающую воду, а через патрубок 8 подают смесь газов С 02 ( ) и Н 2 до давления 30 ати. Время процесса составляет 100 с, температура 1200 С. В конце процесса температура дистиллированной воды составляет 48 С. Расширение 3000 см воды при нагреве ее на 30 С со 3 ставляет приблизительно 30 см, т. е. мень1 бб 5879 3 ше объема герметичной емкости 10, что позволяет скомпенсировать изменение ее объема при нагреве или откачке внутреннего...

Номер патента: 1172316

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Зубова, Севастьянов, Станишевский, Старостин, Циглер, Чиркин

МПК: C30B 35/00

Метки: выращивания, кристаллов

...камеры повернут на 90 вокруг оси 0-0 относительноосвоего положения, изображенного на фиг. 1) .На фиг.4 - устройство, смонтированное для выращивания кристаллов вертикальными методами, с вертикальным расположением продольной оси 0-0 корпуса камеры, горизонтальным расположением оси 0- 0 фланцев, механизмом вытягивания, установленным на 20 фланце одной из крышек и подсоединением патрубка вакуумно-газовой системы к одному иэ фланцев корпуса камеры (для этого корпус камеры повернут относительно своего положения, изображенного на фиг.1, на 90 вокруг точки пересечения осей 0-0 и 0 -0 в плос 1 4 - кости, определяемой этими осями).Возможны и другие варианты размещения указанных элементов устройства относительно друг друга.. Устройство содержит...

Номер патента: 1666584

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Авхутский, Квашнин, Синев, Сурков, Чернявец

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, группового, кристаллов

...графитовых дисковемным пироуплотнение поверхностным слоем 11 пирографита, полученным за счет поверхностного пироуплотнения. По крайней мере в одном из дисков 9 и 10 выполнены фрезерованием каналы 12, В загрузочном бункере 1 и тиглях 4 условно показан момент перетекания расплава 13. Диски 9 и 10 и тигли 4 могут быть склеены карбонизуемым клеем с добавкой углеродной крупки (смола ФФН) с последующей термообработкой,им обраУстроиство работает следующ зом,В загрузочный бункер 1 помещ ту СаР 2 и нагревают до 1420 С, и образующийся расплав 13 перете отверстие 3 и центральный иэ т каналы 12 и заполняет равномерн ли 4, устанавливаясь на одинаковочто обеспечивает симметричность теплового поля ао время кристаллизации, начинающейся от конусов...

Номер патента: 1668495

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Кузьмина, Лазаревская, Никитенко, Стоюхин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: лазеров, монокристаллов, оксида, цинка

...выращенном в данных условиях, возрастает по сравнению с исходным образцом, полученным без добавления металлического цинка в шихту, в 3 раза.П р и м е р 2. Технология выращивания соответствует режимам примера 1, но шихту вводят 2,3 мас.% металлического цинка, Усиление ЭФЛ составляет около 2.П р и м е р 3. Технология выращивания соответствует режимам примера 1, но в шихту вводят 4 мас,% металлического цинка. Интенсивность ЭФЛ меньше, чем у исходных монокристаллов, выращенных без добавления цинка в шихту.На графике показаны спектры фотолюминесценции при лазерном возбуждении (ЛГИ) и Т=80 К кристаллов ЕпО, полученных гидротермальным методом из необогащенной (кривая 1) и обогащенной ионами цинка среды: кривая 2 - с добавкой 2,3 мас.%...

Номер патента: 1668496

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Адхамов, Дыменко, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: nво, где, монокристаллов

...исходные компоненты ИЬг 05, ЗЬгОз, В 1 гОз, взятые в мольном отношении 1,2:1,4;0,4. В автоклав заливают водные растворы КР кон центрацией 32 мас и НгС 20 а концентрацией 6 мас взятые в объемном соотношении 4,0:1,2, Соотношение объемов жидкой и твердой фазы составляет 4,5:1,3. Заряженный автоклав с размещенной пере городкой герметически закрываю и помещают в печь сопротивления, где его нагревают до 420 С, вследствие чего давление жидкой среды в нем достигает порядка 760 атм. Температурный градиент составля ет 1,5 градсм. При установившемся стационарном режиме происходит синтез монокристаллов твердых растворов (ЗЬ 1-хВ 1 х)ЙЬ 04, выход которых составляет соответственно 90 от веса исходной ших ты, что в среднем в шесть раз превышает...

Номер патента: 1670000

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Болдырева, Нардов, Руссо, Чебанов

МПК: C30B 7/00

Метки: водорастворимых, кристаллов, соединений

...кристаллиэа 30 ции,ДРК в осадке - около 63%,П р и м е р 11, Раствор дигидрата хло.рида бария готовят, как в примере 9. В качестве растворителя используют смесь воды и35 раствора примесей набора М. 1 в количествах 980 мл и 20 мл соответственно (концентрация каждой из примесей лежит винтервал 10 - 10 г/л). Раствор охлаждают до температуры кристаллизации40 ДРК и осадке - около 47%,П р и м е р 12, Раствор дигидрата хлорида барияотовят, как в примере 9, В качестве растворителя используют смесь воды ираствора примесей набора М. 1 в количест 45 вах 800 мл и 200 мл соответственно. Содержание каждой из примесей при этомсоставляет 10 - 10 г/л. Раствор охлажда-зют до комнатой температуры.ДРК в осадке - около 46%.50, П р и м е р 13. Раствор...

Номер патента: 1670001

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Галкин, Жидовинова, Смирнова, Фришберг, Цымбалист

МПК: C30B 23/00, C30B 29/48

Метки: блоков, кадмия, оптических, поликристаллических, халькогенидов, цинка

...селенида цинка, испаряются и уносятся за пределы горячего контейнера, При этом частицы порошка селенида цинка, находящиеся возле стенок контейнера, раньше прогреваются и начинают испаряться, В порошке, состоящем из частиц разного размера, мелкие частицы вследствие большой поверхностной энергии испаряются интенсивнее крупных, Инертный газ подавляет диффузию паров селенида цинка, поэтому пары сепенида цинка диффундируют на небольшие расстояния к более крупным частицам сырья. В результате мелкие частицы испаря 1 огся, а крупные увеличиваются в размерах, Отдельно растущие частицы срастаются друг с другом, образуя сырье с единообразным физическим состоянием, характеризуеглым кубической структурой и кажущейся плотностью 2,5-3,0 г/см. Затем...

Номер патента: 1673650

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Азаров, Клубович, Кондрашов, Сысоев, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...однонаправленное вращение кристаллиэатора с раствором и кристаллодержателя с кристаллом вокруг общей вертикальной оси и периодическое реверсивное изменение направления обтекания кристалла раствором, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения качества кристаллов за счет создания статистически равномерных условий роста и исключения эапараэичивания раствора, изменение направления обтекания кристалла раствором проводят путем периодического повышения и понижения скорости вращения кристаллодержателя относительно скорости вращения кристаллизатора,25 30 35 40 Составитель В, БезбородоваРедактор Л, Пчолинская Техред М,Моргентал КоРРектоР Т, Малец Заказ 2899 Тираж 251 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и...

Номер патента: 1673651

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Комарова, Кузьмина, Лазаревская, Никитенко, Стоюхин, Цур

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, окрашенных, оксида, цинка

...из печи и затем открывают и извлекают из него вкладыш, Вкладыш раскрывают, вынимают выращенный кристалл,промывают его дистиллированной водой от 10следов щелочного раствора, высушивают ивзвешивают,Получают прозрачный кристалл оксидацинка краСно-оранжевого цвета, ограненный двумя моноэдрами, призмой, пирамидой, массой 3,4 г.П р и м е р 2. Основные параметры ростасоответствуют примеру 1. Для окрашиваниякристалла в красно-оранжевый цвет используют оксид марганца в концентрации 200,01 масПолучают прозрачный слабоокрашенный в красноватый цвет монокристалл оксида цинка.П р и м е р 3. Режимы роста соответствуют примеру 1, концентрация оксида марганца в растворе 3 масПолучают непрозрачный темно-красного оттенка монскристалл оксида...

Номер патента: 1673652

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Гресь, Ковалева, Смирнов, Сухостат

МПК: C30B 11/00

Метки: ампула, выращивания, кристаллов, расплава

...стенки 3 - 4 мм. Кольцевые углубления 3 имеют глубину 1,5 - 2 мм и ширину " 0,3 мм (угол смачивания расплавом галогединов щелочных металлов кварцевого стекла 10). Углубление получают путем сварки цилиндрической поверхности ампулы с конусным дном по наружной поверхности с предварительной их установкой на расстоянии, равном заявляемой ширине зазора. Углубление может быть еще получено механической выборкой внутренней по1673652 верхности ампулы в месте соединения цилиндра с конусом с помощью алмазного диска толщиной, равной заявляемой ширине.В таблице приведены данные испытаний при различных значениях глубины и ширин ы кол ьцево го углубления. В 85 случаях из 100 на стадии оплавления происходило быстрое отделение конусного дна и кристаллы...

Номер патента: 1673653

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Исаев, Никулов

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, мос-гидридной, полупроводниковых, соединений, технологии, эпитаксии

...8, калорифер, дросселирующий клапан 10, фильтр 9 и выбросом через предохранительный клапан 15 в атмосферу с поджигом водорода в факеле 14. Парогазовая смесь в трубопроводе сброса, проходя через регулятор 18 давления, калорифер, электромагнитный клапан 16, фильтр 9, откачивается либо насосом б, либо, минуя насос б, при закрытом клапане 7 попадает в атмосферу, проходя через электромагнитный клапан 21 и предохранительный клапан 16. Если процесс эпитаксии в реакторе 2 осуществляют при атмосферном давлении, то парогазовая смесь после реактора 2 обычно проходит через оба калорифера, При этом все электронамагниченные клапаны, кроме клапана 7, и дросселирующий клапан 10 открыты и парогазовая смесь проходит через предохранительный. клапан 16....

Номер патента: 1673654

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Осецкий, Панченко

МПК: C30B 15/04, C30B 29/22

Метки: материал, фотохромный, электрооптический

...коэффициентом реверсивности (возможность стирания информации)0 -- ( - 100 7 ь и относительным контрЛТ,сЬТоастом записи ц - в диапазоне частотТо16000ч15000 см, где То - начальное значение оптического пропускания;Т 1 - пропускание после фотоактивации втечение г; Тф - бегущие значения пропускания в процессе длительной фотоактивации;Тс - значение пропускания после стиранияинформации светом с ч16000 смПолученные зависимости е(ч) и ЬТпредставлены на фиг.1 и 2 соответственно,значенияИО приведены в таблице.Данные фиг.1 свидетельствуют о такихнедостатках кристаллов ВЯО + Мп (кривая 1) и ВЯО+ Сг(кривая 2), как малые скорости окрашивания в спектральном диапазоне 16000ч11000 см считывания ин.1формации (включая наиболее практически значимый...

Номер патента: 1473382

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Александров, Мартинсон

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: веществ, кристаллов, органических

...7 с отнерстием, через которое теплоотводящий элемент 5 соединен непосредственно или с помощью соеди-нения 8 с термостатирующей трубкой 9.П р н м,е р. В сосуд 1 загру- фф жают шихту нэ нафталина и вводят в нее теплоотводящий элемент 5. Через .термостатврующую рубашку 2 и тепло- отводящий элемент пропускают воду,ф /онагретую до 86 С т.е, на 5 С выше1473382 ние 1 О ч получают кристалл дифениласо степенью чистоты 99,999% диаметром 46 мм и длиной 170 мм.Таким образом, способ по изобретеноо позволяет повысить степеньчистоты на порядок и в три раза увеличить производительность процесса.Фо рмула изобретенияСпособ получения кристаллов органических веществ, включающий расплавление шнхты. с введенным в нее тепло-отводящим элементом, его...

Номер патента: 1675408

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Барабошкин, Вакарин, Калиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: бронз, кристаллов, оксидных, электрохимический

...медную проволоку диаметром 0,37 мм, в качестве анода - платиновую проволоку диаметром 0,5 мм. Между электродами пропускают постоянный электрический ток плотностью 3 мА/см. Наблюдают образование на катоде зародыша кристалла и его рост в виде иглы, ограненной по бокам плоскостями 1110), а по вершине 1 ОЯ). Через 2 мин по достижении кристаллом заданной длины 3 мм плотность тока увеличивают в 1000 раз до 3000 мА/см. Наблюдают разращивание кристаллической иглы в боковых направлениях и по истечении 5 мин преобразование ее в бипирамиду, ограненную плоскостями типа 1310). Получают кристалл калий-натрий-вольфрамовый бронзы размером во всех направлениях 2,8 - 3,2 мм.Пример 2. Процесс проводят, как в примере 1, но изменяют плотность тока и...

Номер патента: 1675409

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Грошенко, Еськов, Островский, Пронина

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: магнитнооптической, структуры

...свойств полученных магнитооптических структур в сравне нии с известными приведены в таблице.Пример 2. Монокристаллическую булю КНГГ состава, указанного в примере 1, выращивают на ориентированную в направлении 112 монокристаллическую затравку1675409 формула изоб ретекия 15 Образец Известный способ 1 ) 2 5 6 7 Ориентация монокристаллическойбулиОриентация подложкиТемпературароста, СВремя роста,минУдельное Фарадеевское вращение,град мкмКоличество све 1 11 1 12 112 112 112 1 1 г 1 1 г 111 111 111 1 1 О 1 1 О 1 1 О 683 681 684 1 12 112 1 12 112 1 12 11 О 675 673 670 669 669 670 670 681 З 4 3 з з 3 з 3 4 5 17 18 175 2,0 19 2,0 2,0 2,3 1,7 1,5 2,1 тящихся точек на1 см 5 7 8 3 2 2 2 Не измерялось Составитель Е. ЛебедеваРедактор Н. Рогулич Техред...

Номер патента: 1675410

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Карепов, Крашенинников, Кулаков, Николаев, Рязанов, Сидоров

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

...до комнатной температуры, Температурный интервал перехода об165410 Формула изобретения Способ обработки монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников на основе сложных оксидов путем их выдержки при повышенной температуре в атмосфере, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, выдержку осуществляют при 250 - 380 С в кислородно-озонной смеси, содержащей в 5 об.Я озона, в течение 1 - 2 ч. Таблица 1 оТемпература отжига, С Температуратермообработки,С,(время 1,5 ч) 230 250 280 300 330 350 380 400 Температурный интервал перехода дТ, КУВаСц 3 О,Т КВ. Бг СаСц О 94-93 94-85 94-93 94-93 94-75 94-90 94-92 94-93 80-22 80-75 80-76 80-76 80-77 80-65 80-77 80-77 Т а б л и ц а 2 Время термообработки,...

Номер патента: 1678919

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Бандровская, Батори-Тарци, Корпош, Склянкин, Шаркань, Шершун

МПК: C30B 29/58, C30B 7/12

Метки: бактериородопсина, пленок

...подложки со скоростью большей, чем 720 мм/ч,не приводит косаждению пленки,Путем изменения скорости вытягиванияподложки из раствора и величины создаваемого постоянного электрического поляможно задавать толщину получаемых пленок от 5 мкм до 120 мкм,Степень ориентации молекул бактериородопсина контролируется по величинедихроизма, наводимого линейно-поляризованным светом, получаемым из лазера 8ЛГ - 126 длина волны излучения 0,6328 мкм),после прохождения через поляризационный фильтр ПФ,5 9, Регистрация сигнала осуществляется фотодиодом ФД - К - 15510, через вольтметр универсальный В 7 - 2111,П р и м е р 1, К подвижной электропроводящей подложке 3 подводится положительный потенциал, а к неподвижномуэлектроду -...

Номер патента: 1678920

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Борисов, Демиденко, Дунаев, Миронов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/48

Метки: оптического, элемента

...3 О гз 3.5 48 6/ 68 го 60 56 61 60 68 68 60 62 65 43 з;44 Зв 63 63 Составитель. Е.ЛебедевРедактор М.Кузнецова Техред М,Моргентал Корректор С.Черни Заказ 3187 Тираж 247 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ние при А =0,63; 1,06 и 8-12 мкм составляет 55; 63 и 707 о соответственно. Микротвердость защитного слоя составляет 220-250 кГс/мм. Деталь, изготовленная из такого оптического элемента, удовлетворяет конструкционным требованиям, предъявляемым к оптическим приборам, работающим в жестких условиях эксплуатации. 1 1050 2 1100 3 1080 4 1000 5 1130 6 1080 / 1080 8 1000 9 . 1080...

Номер патента: 1678921

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Рандошкин, Слинкин

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: платинового, тигля

...исходного тигля.П р и м е р 2. После выращивания моно- кристаллических пленок (В 1, т- и)з (Ре, Оа)502 из переохлажденного раствора - расплава на основе В 20 з - РЬО - В 20 з. Последовательность операций и аппарату1678921 Составитель А,ЛихолетовРедактор М,Кузнецова Техред М.Моргентал Корректор М, Максимишинец Заказ 3187 Тираж 245 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 ра аналогичны описанным в примере 1. Травление тигля проводят 60.ной азотной кислотой при 80" С в течение 1 ч. Травление концентриоованной фосфорной кислотой осуществляют при 130 С в течение 0,5 ч, Температура...

Номер патента: 1680643

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 29/58, C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...для более удобного заполнения канала 20 и проточки-секции 13 буферным раствором и удаления пузырьков воздуха, С этой же целью более удобного заполнения проточки-секции 14 солевым раствором и удаления пузырьков воздуха предусмотрены два канала 22, размещенных во взаимно противоположных угловых зонах проточки- секции 14.Устройство работает следующим образом. 5 10 приводят. в исходное положение, при котором под каналом 20 в корпусе 3, ведущим к кристаллизационной камере 4, располагается проточка-секция 13 поршня. Устройст 20 во устанавливают в положение, при котором каналы 21 и 22 располагаются сверху, Через каналы 21 и 22 проточки-секции 13 и 14 заполняются соответственно буферным и солевым растворами, При этом добиваются 25 более...

Номер патента: 1680810

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Абловацкий, Калугин, Куценогий, Петров

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

...шток 16 тигля 8, снабжненный центрирующим элементом 17. Устройство может быть снабжено по меньшей мере двумя нижними частями 2 камеры.Устройство работает следующим образом,Перемещают шток 16 тигля 8 вниз, при этом последний с подставкой 9 устанавливается на опорном кольце 11, С помощью привода 15 перемещают; Е-образные кольца 14, образуя зазоры между частями 1 и 2 камеры и нижней частью 2 камеры с поддоном 3. Нижнюю часть 2 камеры выкатывают на колесах 4 или поворачивают вокруг колонны 7, Производят загрузку тигля 8 исходным материалом, которую могут осуществлять в отдельном чистом помещении. Устанавливают нижнюю часть 2 камеры в первоначальное положение, Приводом 15 перемещают кольца 14, герметизируя камеры роста. Продувают камеры...

Номер патента: 1682413

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Абдрафиков, Бичурин, Новоселов, Пополитов

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: германия, диоксида, модификации, тетрагональной

...Чыс: Чн 2 о 2 =-: 9.0; 1,2.Подготовленный к эксперименту реактор герметически закрывают и гюмещают в печь сопротивления с двумя нагревателями. Реактор нагревают до 150 С, вследствие чего внем создается давление порядка 11,2 атм,Температурный перепад между зонами растворения и роста поддерживают равным4 С, время выдержки в стационарном рекиме 8 сут, Процесс протекает аналогичнопримеру 1, Выход монокристаллов = Ое 0292,4%, их размеры находятся в пределах от1,35 до 1,4 мм.П р и м е р 3, Методика и технологияперекристаллизации диоксида германиятетрагональной мсдификации аналогичнапримерам 1 и 2, Физико-химические параметры ведения процесса следующие: концентрация водного раствора ОС) 1,5 мас. и Н 202 2 мас, , температура 160 С, давление...

Номер патента: 1682414

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Казаков, Нечаев, Фалилеев

МПК: C30B 15/20

Метки: диаметра, монокристалла

...подачи логической единицы или нуля на управляющий вход 14. Импульсы блока синхронизации строк поступают на вычитающий вход второго двоичного счетчика 2 и вычитают из него по единице. Когда счетчик 2 обнулится, на выходе схемы ИЛИ 5 появится логический ноль, который поступает на схему НЕ-И 8. Зтот момент времени соответствует строке на экране телевизионного приемника, где установлен маркер, т.е, требуемой точке измерения. На второй вход схемы НЕ-И 8 поступают импульсь 1 от кварцевого генератора 9, а на первый сигнал - от компаратора55 разование длительности импульса срабатывания. Компараторы Т в частоту, т.е.диаметр пропорционален б = бТ. Таким образом, чем выше дисфетизация по частоте; тем с большей точностью задается диаметр...

Номер патента: 1682415

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Борисова, Гуськов, Харитоненков, Шапкин

МПК: C30B 29/58, C30B 30/08, C30B 5/00 ...

Метки: макромолекул, монокристаллов

...спусвводят в замкнутый контейнер 6 с небольшим избытком. Далее спускник 15 воздуха закрывают с помощью винта 11, при этом происходит удаление Воздуха иэ контейнера 6 и небольшого избытка кристаллизационного раствора, Затем ведут герметизацию при помощи уплотнительной прокладки 13, При этом контейнер 6 изолирован от воздействия окружающей среды подвижным защитным колпачком 7 (положение А).Заправку раствора осадителя производят через спускник 16 воздуха. При этом происходит напитка тампонного материала 2 раствором осадителя, Затем проводят герметизацию кристаллизационной камеры винтом 12 с уплотнительной прокладкой 14, С помощью ручки 9 перемещают подвижный защитный колпачок 7 из положения А в положение Б (показано штрих- пунктиром). При...

Номер патента: 1682416

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Антонов, Блецкан, Елсаков, Искорнев, Окунев

МПК: C30B 29/44, C30B 33/02

Метки: галлия, монокристаллов, термообработки, фосфида

...тигля, непосредственно в зоне расположения монокристаллов у их поверхностей.Кристаллы извлекают из камеры. Сверху и снизу каждого монокристалла отрезают по три пластины для исследования электро- физических свойств монокристаллов, после чего монокристаллы поступают на операцию резки на пластины для последующего изготовления из них подложек для эпитаксиального наращивания, До отжига плотность дислокаций в кристаллах оставляет на верхнем торце(1,2-1,5) 10 см, на нижнем1682416 Формула изобретения Способ термообработки монокристаллов фосфида галлия, включающий их нагрев в атмосфере газа, выдержку и последующее охлаждение, отл и ч а ю щи й с я тем, что, с целью улучшения структурного совершенства кристаллов, нагрев ведут до 750-800 С в...

Номер патента: 1682417

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Мальцева

МПК: C30B 29/28, C30B 33/08

Метки: граната, железоиттриевого, основе, пленок, травитель, эпитаксиальных

...с выдеуокиси азота, что обуславливает е скорости травления эпитакпленок толщиной 20 мкм до ин, При превышении данной кон- ф азотной кислоты скорость трав- растает еще более, но при этом ухудшаться качество границ вымых элементов,ники, таки нии задер ляется пов обеспечен лективно Для дости витель, со азотную к ту в соотн вен но, Т темп ерату ратуре азо лением дв повышени сиальных 3 - 4 мкм/м центрации ления воз начинает травливае Поставленная цель достига травитель для эпитаксиальных содержащий ортофосфорную полнительно содержит концен азотную кислоту при следующ нии компонентов, мас. ;Азотная кислота (концентрированная)ОртофосфорнаякислотаТравление производится туре около 175 С, близкой к кипения ортофосфорной кисло температуре...

Номер патента: 1684357

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Барсукова, Зайцева, Кожоева, Кузнецов, Охрименко, Федоров

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: выращивания, гидрофталата, калия, монокристаллов

...размеров кристаллов при сохранении их однородности, перемешивание раствора ведут путем вращения платформы с затравкой с частотой 40- 60 об/мин. Составитель Е, ЛебедеваРедактор М. Недолуженко Техред М,Моргентал Корректор О, Ципле Заказ 3486 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва,:К. Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 травке при скорости вращения платформы 60 об/мин,Подготовка эксперимента аналогична примеру 1, Перемешивание раствора вращающейся платформой ведется со скоростью 60 об/мин, График снижения температуры: 3 сут - 0,16 С/сут; 1 - 15 С;1 - 0,3 С,1 - 0,8 С;1 - 1,7 С,3 - 4,2 С/сут. В результате...

Номер патента: 1686041

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Балюк, Вахер, Габова, Крыжановский, Середин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/06

Метки: кремниевой, структуры

...р - и-переход большой площади и высоколегированные приповерхностные области, что позволяет создавать в дальнейшем хороший омический контакт.П р и м е р 2. На кремниевые пластины диаметром 76 мм наносят такой же фоторезист с добавкой диффузанта, как в примере 1, толщиной 1 мкм; на пластину-подложку и-типа фоторезист-диффузант, содержащий в качестве легирующего элемента фосфор, а на пластину-источник р-типа фотореэист-диффузант, содержащий бор. Затем формируют композицию пластина-подложка-источник, располагают ее в нагревательное устройство, где при 1000 С торца композиции методом капиллярного втягивания формируют алюминиевую зону толщиной 50 мкм, Для создания такой зоны берут навеску алюминия массой 560 мг, после чего повышают...

Номер патента: 1686042

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Ботнарюк, Горчак, Збигли, Раевский, Симашкевич, Сушкевич

МПК: C30B 23/00, C30B 29/46

Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых, типа

...(фиг.1) помещают 2,99 г теллурида цинка и 0,01 г селенида цинка, Путем испарения и переноса их паров из зоны нагрева, имеюгут быть использованы в приборах оптоэлектроники. Способ позволяет получить твердые растворы заданного состава и повысить их качество. Монокристаллы твердых растворов ЕпТехЯе 1-х выращивали путем испарения исходных раздельно размещенных бинарных соединений ЛпТе и 2 пЯе в трубках различной пропускной способности, расположенных в герметичной ампуле. и переносе паров этих соединений из зоны нагрева в зону роста при наличии между этими зонами градиента температ, р, Приведено соотношение для определения размеров трубок. Полученные монокри сталлы являются сплошными, без раковин и в пределах 900 состава однородных по длине....

Номер патента: 1686043

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Кемарский, Кульчицкий, Надирашвили

МПК: C30B 23/08, C30B 29/40

Метки: методом, многокомпонентных, молекулярно-лучевой, структур, эпитаксии

...атомов и молекул, полностью осаждается криопанелями сверхвы соковакуумной технологической камеры.На чертеже приведены зависимости интенсивности молекулярных пучков от времени, где 1 - зависимость для первичных молекулярных пучков, 2 - зависимость для потока десорбированных атомов и молекул при непрерывном осаждении компо 10 20 25 30 35 40 45 50 55 нентов, 3 - зависимость для потока десорбированных атомов и молекул при импульсном осаждении (по предлагаемомуспособу),Площадь, ограниченная кривыми 2 и 3 иосью времени, отображает число десорбированных атомов или молекул за время 1, При непрерывном осаждении в течение достаточно длительного периода почти всеатомы или молекулы, попадающие на поверхность подложки, оказываются десорбированы...