C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 184812

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Курдюмов, Минцковский, Молочко

МПК: C30B 13/28

Метки: аппарат, жидкостей, зонной, методом, низкотемпературной, плавки

...на равных расстояниях друг от друга сделаны прорези для размещения корпусов нагревателей, а для сохранения содержимого ампулы в твердом состоянии до и после процесса очистки в корпусе аппарата непосредственно под отверстием-шахтой смонтирован резервуар с хладагентом. На щтеже изображен описываемый апт 2Внутри вертикального корпуса 1 аппарата установлен блок очистки, тщательно изолированный с помощью шайб 2, изготовленных из теплоизоляционного материала. Блок представляет собой металлический цилиндр 3, снабженный емкостью 4 для хладагента и сквозным вертикальным отверстием-шахтой б, по которой передвигается ампула 6 с очищенной жидкостью. В теле цилиндра выполнены прорези 7, где размещены кольцевые нагреватели 8. Таким образом, основной...

Номер патента: 185087

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Баранов, Горюнова, Прочухан

МПК: C30B 29/40, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, фосфидабора

...с частотой 50 гтрк.Кристаллы выращиваются в специальносконструированной печи, питаемой от сети с двойной стабилизацией тока. Печь помещается в термостатированный шкаф. Колебания температуры в течение суток составляют + 4=С. Печь имеет дополнительную обмотку, состоящую из пяти секций, позволяющих установить заданный температурный градиент.Конструкция печи допускает установку ее в горизонтальном и в вертикальном положении.На первом этапе работы печь располагается горизонтально (большая поверхность рас плава способствовала ускорению растворенияпорошка ВР) и во всех точках ампулы устанавливается температура 1180 С, Через 50 час при интенсивной вибрации система прибли.кается к равновесному состоянию (весь поро.20 шок растворяется). После...

Номер патента: 185492

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Васильев, Петров

МПК: C30B 15/10

Метки: ульянова

...установленного вти индуктирующегок которого имеет форнабжен отверстиямиытягивацця кристалла ивания роводчто, свойств, верти- витка, му лодля за 1 игель-цндуктор из расплава моно цых материалов, целью повышения он выполнен в в кальной плоскос нижний полувито дочки, а верхний с грузки шихты и в Известный тигель-индуктор для плавки полупроводниковых материалов в гарниссаже и вытягивания кристаллов выполнен в виде двух коаксиально расположенных цилиндров с общим дном. 5Отличием описываемого тигля-индуктора является то, что он выполнен в виде установленного в вертикальной плоскости индуктирующего витка, нижний полувиток которого имеет форму лодочки, а верхний снабжен отверстия ми для загрузки шихты и вытягивания кристалла, Это повышает...

Номер патента: 189391

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Губенко, Капустин, Соколов

МПК: C30B 15/30

Метки: кристаллизаторе, перемещения, тигля

...возможность осевого перемещения.На чертеже схематично изображена описываемая установка. Она состоит из бака 1, сливного бака 2, поплавка 8, к которому жестко прикреплены вал 4 со штоком б и груз б, снабженный дозирующими каналами 7, сообщающимися гибкими шлангами 8 со сливным баком, механизма 9 подъема штока, насоса 10 и шланга 11. Баки 1 и 2 герметизированы и сообщаются друг с другом. Раоотает установка следующим образом.жидкость заливают в сливной бак, откудаее насосом перекачивают в бак 1, пока поплавок не займет крайнего верхнего положения. Механизмом подъема перемещают штокс державкой в верхней его части в крайнееверхнее положение. При этом верхний конецдержавки должен выйти из центрального отверстия печи. На державку...

Номер патента: 177844

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Конвисар, Райский, Сысоев

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: выращивания, группа, монокристаллов, полупроводниковых, селенидов, сульфидов

...подготовленный стехиометрический порошок сульфида кадмия загружают в графитовый контейнер, помещаемый внутрь трубчатого графитового нагревателя, расположенного в автоклаве. После герметизации внутреннего объема его вакуумируют с подогревом для удаления из автоклава влаги и газообразных примесей. В вакуумированный объем автоклава вводят заданное количество сероуглерода, после чего в автоклав из баллона подается аргон до давления 30 - 40 ат. Последующие операции включают плавление порошка сульфида кадмия, некоторый перегрев расплава и затем программное снижение температуры расплава таким образом, чтобы в коническом дне контейнера возникла монокристаллическая затравка, которая разращивается последовательно снизу вверх по объему...

Номер патента: 180562

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Петров

МПК: C30B 23/00, C30B 29/12

Метки: фторидов

...дсодержа щокой упругоды, и потоконечномококачсствпмецим дляг которых1 ессй (в чаединений эт с соед стью и му оста счете к енцых отличае стц ости цх же э Предмет изобретен 15 Способ очпст%Г., отлчп(оНИ 51 ВЫСОКОПСдля выращцгаЛОВ, ВОЗГОЦ 51 ЮТ20 при ВысОки.; тфторцстого вод Зависимое от авт. свидетельствааявлецо 20.111,1965 (М 948218/26-25) Известен способ очистки фторидов, заключающийся в том, что порошкообразные фторцды для удаления гидротированной и адсорбированной влаги выдерживаются в течение длительного времени в потоке сухого фтористого водорода при высокой температуре.Предлагаемый способ очистки дает возмоткность получить более чистые фториды, а следовательно, и более однородные монокристаллы...

Номер патента: 190574

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Каневский

МПК: C22B 58/00, C22B 9/02, C30B 13/00 ...

Метки: веществ, легкоплавких

...0 ного в ванне холодильника 5 или нагревателя б,способы очи лизацией, в здается фоку емом слитке а перемешива тся вращаюи аемым отдель описываемог плавленную з кусированных ем перемеще еством в жи льтразвуковы стки галлия которых распл сированием на тепловых и ние расплава нимся магнитн ным устройств о способа яв ону создают з ультразвуков ия контейнера дкой среде в х колебаний, Способ очистки легкоплавких веществ, на пример галлия, зонной перекристаллизациейв горизонтально установленном контейнере, от,гичаюигийся тем, что, с целью упрощения аппаратурного оформления процесса, контейнер с перекристаллизируемым веществом пе ремещают в жидкой среде в фокусе источника ультразвуковых колебаний. зможность упростить а ение процесса в...

Номер патента: 190580

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Айзенштейн, Иванов, Казакевич, Лисовский

МПК: C30B 25/16

Метки: jh-•, газоп, мй1ой, оцмедgt, фазы, чистых

...является то, что в течение процесса непрерывно оп ределяют скорость убывания омического сопротивления наращиваемого материала, в зависимости от которой производят поиск и поддержание оптимальных значений входных переменных параметров, соответствующих мак симальному значению критерия производительности. Это дает возможность устранить влияние различных внешних и внутренних факторов на установленный ход процесса, в результате чего повышается его производи тельность.По описываемому способу измеряемая непрерывно в ходе процесса величина, обратная омическому сопротивлению наращиваемого материала, и сигнал отклонения температуры 25 от задания подаются в вычислительное устройство, с помощью которого в течение фиксированного промежутка времени...

Номер патента: 190864

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Абаев, Еремеев, Мильвидский, Митюхин, Офицеров, Петров

МПК: C30B 15/30

Метки: mohokf«h«4t«jlob-•, выращивания

...затравки. В начале процесс 11 штОк затравки сцимяетс 51 с фиксаторов с помоп 1 ью электромагнитного привода перемещения и вращения затравки.Электромагнитный механизм вращения и перемещения затравки и тигля (фиг, 2) состоит из стационарного электромагнита, представляющего собой обмотку пз ьодоохлаждаемых медных трусок 15, являющихся одно временно токоподводящей системой и холодильником. Трубки размещены в корпусе маг нитопровода из магпитовоспрпимчпвого материала. Вращение затравки и тигля осу 1 цеств. ляется с помощью полосных наконечников 16 (концентраторов магнитных силовых линий), вращающихся от специального механического привода 17. Электромагниты имеют систему плавного регулирования магнитного поля изменением силы тока в...

Номер патента: 191981

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Векшина, Еланска, Кроль

МПК: C30B 29/40, C30B 33/10

Метки: выявления, неоднородностей

...конобьния неоднородностеи и расесей в монокристаллах поутем аиодного травления изплотов е че предложенного сп травление осущес стоящем из иасыще ием раствора одног иой соляной кисло в течение 8 - 10 лин- 220 а/сме, Это дае неоднородности в р кристаллах антимоеи мет 10 Способ выявления неодиородн пределении примесей в моиокрис проводников путем анодного тр личающийся тем, что, с целью неоднородностей в кристаллах 15 галлия, образцы антимонида гал гают травлению в насыщенном хл моиием растворе одного объема рованной соляной кислоты в тр воды в течение 8 - 10 лин при п20 ка 180 - 220 ла/сле. особу травлению поды антимонида галлия, и поверхностями, или окисью алюминия. Испластинку из тантала, гружали в электролит,По описываемому сп вер...

Номер патента: 193438

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: C30B 11/06, C30B 29/12

Метки: 193438

...кристаллизации к основному реактиву добавляют 0,005 - 0,01 вес. % стабилизирующей примеси НдСе, после чего процесс кристаллизации ведут согласно известной технологии.Способ заключается в следующем.Перед началом кристаллизации в ампулу к основному реактиву (АдС 1) добавляют небольшое количество 0,005 - 0,01 вес. % хлористой ртути (НдС 1 е) квалификации х. ч., которая является стабилизирующей примесью. После этого ампулу с веществом запаивают. Процесс выращивания кристаллов проводят по существующей в промышленности технологии. 2На фиг, 1 показаны кривые спектра пропускания: 1 - чистого незасвеченного хлористого серебра и 2 - стабилизированного 0,005%НдС 1 в после его трехмесячной непрерывной5 засветки солнечным и искусственным...

Номер патента: 193439

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: C30B 31/00

Метки: 193439

...стиллирова каливают в перемешиельного меупарнвают, - 4 раза диб 0" С и пров 500 С. Пр зооретен чнческнхвведенн- отличаютической кристал х метал- который сталлов ПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ П ПОРОШКОВ НЕОРГАНИЧ Известный способ легирования поликристаллических порошков неорганических соединений состоит в том что в шихту поликристаллов вводят фториды редкоземельных металлов. Однако этот способ не позволяет получать монокристаллы с высокой оптической и кристаллической однородностью.С целью устранения указанных недостатков, предлагается в качестве солей редкоземельных металлов использовать раствор хлоридов, который вводят в процессе получения поликристаллов неорганического соединения.П р и м е р. Углекислый кальций квалификации ЧДА пропитывают...

Номер патента: 196711

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Алемайкин, Ковалевский, Рез

МПК: C30B 7/02, G01N 25/50

Метки: величины, пересыщенияраствора

...неоольшую камеру емкостью в несколько миллилитров со стенками из вещества низкой теплопроводности, например из стекла, Внутри камеры размещают электронагрсва 1 ель и датчик для регистрации темпсрагуры в нец, головку ртутного термометра, тсрмопару, термометр сопротивления и т. п, Внутреннее про 2странство камеры сообщается с реактором.Это обеспечивает наполнение камеры рабочим раствором той же концентрации, что и в остальном объеме реактора. В конструкции 5 камеры предусмотрена возможность замератемпературы па,ыщения находчщегося в ней раствора каким-либо известным способом, например прецизионным методом огределения температуры насыщения прозрачных раство- О ров.Замер величины пересыщения рабочего раствора в реакторе производится...

Номер патента: 197505

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Бирман

МПК: C30B 7/00

Метки: вращающийся, кристаллизатор

...сосуда растворения к 1 зисталлов, что не обеспечивает необходимои равномерной концентрации растьора.Предложе 1 иы кристаллизатор, благодаря конструктивному объединению в одном аппара 1 е камеры для раствор: ння крнсталлоз и самого крксталлизатора путем последовательной установки за обоймои с кристаллодержателями кольцевой перегоьлдки, дисковой перегородки и фигурньх кольцевых диафрагм, позволяет интенсифицировать процесс роста кристаллов за счет омывания их рас твором равномерной концентрации,На чертеже изображен предложенный кристаллизатор. Он содеркит термостатирован. ный вращающийся корпус 1, по центру которого проходит ось 2 с обоймой 3. 11 а обойме закреплены крнсталлодсржа 1 елн 4. За обоймой последовательно установлены дисковая...

Номер патента: 197525

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гольдштейн, Карпенко, Тресв

МПК: C30B 11/02, C30B 29/16

Метки: выращивания, кристаллов, магния, окиси

...от известных тем, что в качестве исходного сырья ис. пользуют магнезию, содержащую не менее 90 вес. % активной окиси магния, в которю в процессе гидратации вводят не менее 6 мол.% избыточной воды. При расплавлении шихты наплавляют блок расплава объемом це менее 0,2 л 1 з, с отношением высоты к диаметру от 1:2 до 1:1 и перегревают расплав на 20 - 100=С выше температуры плавления окиси магния,Проведение процесса выращивания кристаллов при указанных условиях дает возможность получать друзы оптически прозрачных металлов 50 лтл длиной и 25 - 30 млт диаметром в количестве 25 - 30 вес. % закристаллизованного блока, Кристаллы могут использоваться в полупроводниковой технике, и в радиоэлектронике и расчетной технике. Прп увеличении...

Номер патента: 203639

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гул, Литвинов

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, монокристаллов

...в виде двух керамических полуцилиндров 1 и металлического корпуса, также состоящего из двух полуцилиндров 2. Части муфеля соединены с частями корпуса, шарнирно установленными на вертикальной штанге д аппарата с помощью перекрестных рычагов 4, которые через ролики б связаны с эксцентриками б приводного вала 7. Части корпуса прижаты друг к другу пружинами 8, степень сжатия которых регулируют с помощью гаек 9. На валу 7 может быть расположено несколько пар эксцентриков, количество которых соответствует числу аппаратов ростового блока,5 11 одготовленное к работе устройство закрывают, поворачивая приводной вал. 11 ри этом эксцентрики взаимодействуют с роликами рычагов, и керамические части муфеля соединяются. Части корпуса установлены...

Номер патента: 204444

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: C30B 25/00

Метки: 204444

...для по. лучения энитаксиальных слоев докуда оч азертывается на резьбе), либо отдельно. Выходной канал соединяется с помощью фторопластового шланга с печью для диффузии пли др гим устройством.При необходимости образованнчмых потоков различных наро-газовы.направленных в одну реакционнуюнесколько испзрителей собирают в о На чертеже схематически изображен испаритель для получения паро-газовых смесей.Испаритель представляет собой цилиндрический корпус, например, из фторопласта, имеющий центральный канал с камерой разбавления 1 для смешения потока газа, насыщенного парами соединения в камере насыщения 2, с потоком чистого газа в строго определенной пропорции заданной парс-газовой смеси. Соотношение, потоков регулируется, например, с...

Номер патента: 205820

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: C30B 11/10, G05D 7/00

Метки: 205820

...форма и объем которого соответствуют заданной программе, и элемент 9 с одинаковой по высоте площадью поперечного сечения. Оба элемента соединены с приводами перемещения их относительно уровня жидкости в емкости,Устройство работает следующим образом. Программный элемент 8 вводят с помощью привода в жидкость, находящуюся в емкости б, Вытесненная жидкость переливается через трубку 7 в емкость 5, укрепленную на мембране. Количество перелитой жидкости определяет величину опускания емкости и, соответственно, величину изменения плошади проходного сечения клапана в процессе выращивания; программу расхода можно изменять, опуская вместе с программным элементом дополнительный элемент 9.Изменение расхода кислорода осуществляют при разращивании...

Номер патента: 209412

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Вольп, Воронов, Забелышенский, Каморин, Лагутин, Макеев, Миттельштейн, Чистов, Щипунов

МПК: C30B 13/30

Метки: диаметра, кристалла

...линейный масштаб.5 Преобразованное изображение проецируется на полупрозрачный проекционный экран 10, за плоскостью которого установлен фогоприемник 11, снабженный приводом 2, вращения его в горизонтальной плоскости, в,на правлении,продольной оси проецируемогоизображения. Скорость вращения фотоприемника должна быть больше скорости вращения кристалла с тем, чтобы изменение скорости вращения кристалла не влияло на точность 15 измерения диаметра.Фотоприемник 11 вырабатывает имгпульсыпрямоугольной формы, длительность которых зависит от изменений размера изображения диаметра расплавленной зоны, соответствую щего заданному диаметру кристалла. Импульсы поступают в преобразователь 13 с время-импульсной схемой измерения, вырабатывающий эталонный...

Номер патента: 209417

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Булах, Ёт, Зад

МПК: C30B 23/00, C30B 29/50

Метки: выращивания, монокристаллов

...нагретого лав рный поверх паров и усл распо и инте я комп ности перевиях оженсив- енсаИзвестен способлов соединений спри температуре пфида кадмия, переровую фазу в герммой из зоны нагрепротивления, с верградиентом.Особенностью пляется то, что зонумощи ванны расплтого у поверхноституры, чем температрекристаллизуемоговыращивания, Этобильные и благопрзации, следовательнращивания.Сущность изобре Ампулу 1 с ют полностью греваемое печ создают верт диент с темпер ниже темпера кристаллизуем выращивания, ние ванны с р ность перемеш 8.Ч.1969, Бюллетень18 ции тепловой асимметрии системы ампулу вращают вокруг оси.В расплаве ампула находится в течениевремени, необходимого для спекания и уплот нения загрузки. Затем ее начинают вытягиватьвверх со...

Номер патента: 210105

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Банков, Головин, Государственный, Ивлева, Каневский, Малков, Проектный

МПК: C30B 13/26

Метки: магнитного, создания

Номер патента: 210844

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Бындин, Всесоюзный

МПК: C30B 13/30

Метки: бестигельной, диаметра, зонной, плавки, процессе, регулироваииу, стержня

...света, снабженного щелевой диафрагмой 8, щель которой расположена под щелью диафрагмы 5.Отклоняющая система 9 телевизионнойтрубки установлена таким образом, чтобы 10 строчная развертка осуществлялась вдоль образующей перекристаллизуемого стержня и перпендикулярно щелям диафрагм, Питание отклоняющая система получает от генератора 10 строчной развертки и генератора 11 раз вертки кадров, работа которых синхронизируется синхрогенератором 12. Сигнал с види- кона поступает на видеоусилитель 1 т и в схему разделения сигнала, содержащую киппреле 14, линию задержки 15 и кипп-реле 1 б;20 освещенность эталонного изображения, создаваемого источником света, выбирается в два раза больше максимальной освещенности изображения расплавленной зоны, в...

Номер патента: 212235

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Андрианов, Бронштейн, Жвирбл, Кагановский, Максимов, Прокофьев, Сиваков, Синчук, Шендерович, Шубский

МПК: C30B 15/20

...количеству ступеней прог,раммы.Это позволяет получать монокристаллы более правильной геометрической формы.На фиг, 1 изображена печь вытягивания с задающим и программирующим устройствами; на фиг. 2 - задающее устройство; на фиг, 3 - программирующее устройство.Задающее устройство состоит из фиксированных на направляющей 1 колонны 2 печи 3 кулачков 4, число которых соответствует количеству ступеней программы, и подвижного по вертикали переключателя о, устано акаретке 6 привода перемещения шравки 8.После расплавления металла в тигле 9 и затравления переключатель подводят к нижнемукулачку при помощи винта 10; при срабатывании переключателя шаговый искатель 11 программирующего устройства включает первуюступень программного изменения...

Номер патента: 212237

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Деларова, Дукельска, Смирный

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейлю, веществ, выращивания, монокристаллов, приготовления, шихты

...тем, я шихты,мк смеиготов ристал обжи ссифи устр а;рупно порош ичеств верхно астираСпособ пр вания монок включающи чснием и кла что, с целью 1фракцию с шивают с взятой в кол вания на по ного слоя, р кислоты, я образо- лекуляр- ссифици 0 с присоединением заявкиОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВИзвестные способы приготовления шихты для выращивания монокристаллов по Вернейлю включают в качестве заключительных операций обжиг, измельчение и классификацию, Подготовленная таким образом шихта при транспортировании по магистралям питателя комкуется и налипает на стенки питателя и горелки, чем нарушается равномерность ее подачи на растущую поверхность. Отличием описываемого способа является смешение фракции с крупностью частиц до 60 мк с...

Номер патента: 220951

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гул, Либин, Литвинов, Скоробогатов

МПК: C30B 11/10

Метки: блока, кристаллизационных

...зав На фиг. 1 изображен предлагаемый суппорв положении, соответствующем началу кри сталлизации; на фиг. 2 - то же, в положе Изобрет ленного п сталлов, п рундов. Извести ционных а мышленно рунда. Каждьп ких блоко п том.ние относится к области промышоизводства тугоплавких монокрпреимущественно синтетических ко конструкции блоков кристаллнза ппаратов, применяемых для про о производства синтетического ко кий институт монокристаллов,обо чистых химических веществ нии, когда готовые кристаллы выведенымуфелей. Суппорт состоит из траверсы с рабочими5 столиками, направляющих и привода. От привода 1 движение передается, например, через червячные пары 2, связанные с трансмиссионным валом 3, винтом 4, который 10 закреплен на общей траверсе 5,...

Номер патента: 220959

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Никитин, Штернберг

МПК: C30B 7/10

Метки: выращивания, кристаллов

...камеры растворения в камеру роста, ось автоклава будет смещаться относительно горизонтали. Скорость роста кристалла, соответствующую скорости переноса вещества в автоклаве, можно определить, подвешивая к соответствующей отсчетной точке груз, необходимый для установления прикрепленной к коромыслу стрелки в нулевое положение, при котором ось автоклава горизонтальна.Наблюдение за перемещением стрелки осуществляется через отсчетный микроскоп 13. ываемая устафиг, 2 - то же,оклав 1, помещенционированным наорого регулируютасположен в полоцевой подставки 5, а жестко прикрепосей б ножевых на расположена в На фиг. 1 изображена о новка, поперечный разрез; продольный разрез.Установка включает авт ный в полость печи 2 с сек гревателем 3, секции 4...

Номер патента: 220961

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Белогуров, Радкевич

МПК: C30B 17/00

Метки: диаметра, кристалла

...темвыращ-нимаютысоту и ии после Известный способ контроля диаметра сталла, находящегося в тигле, в процессе ращивания его из расплава заключается сравнении величины поглощения радиоак ного излучения выращиваемым кристалло эталоном.Особенностью описываемого способа явл ся то, что выращиваемый кристалл пери чески поднимают относительно тигля на данную высоту и измеряют уровни расплав тигле до и после подъема. Это позволяет ределить диаметр кристалла в процессе вь щивания без использования сложного об дования. Расплав исходного матери тигле, представляющем собой ческой формы. В процессе ро периодически поднимают отн на небольшую высоту поряд расплава в тигле при подъе. нижается на величину, соот соте подь ем а и ди а м етру кр что...

Номер патента: 222336

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Василенко, Литвинов

МПК: C30B 11/10

Метки: аппарат, кристаллизационный, подачи, порошкового

...7, прикрепленньш к стенкам бункера. Течка 8 бункера входиг в верхнюю полость дозатора 9, разделенного перегородкой 10 из пористого материала на О верхнюю и нижнюю полости. В перегородке 10по периферии, на равном расстоянии от оси бункера, имеются отверстия, через которые в верхнюю полость введены трубки 11, соеди.ненные с линиями 12 отвода газа. Линия 3 5 подачи газа встроена в полость дозатора подперегородкой. Над трубками 11 установлены игольчатые вентили 14, с помощью которых трубки могут быть перекрыты полностью или частично.О Устройство работает следующим образом,) , фирсова Новикова В. Афанас Составительева Техред Р. едактор М Корректоры: Е. Ласточкинаи А. Абрамова аказ 3717/8 Тираж 480НИИПИ Комитета по делам изобретений и...

Номер патента: 231821

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Государственный, Иванова, Макешин, Проектный, Прозоров, Редкометаллической, Эткин

МПК: C30B 15/02

Метки: полунепрерывной

...работы холодильника основан на понижении температуры воздуха или газа прои его адиабатическом расширении. Сжатый воздух (Рмакс=12 атм) подводится через форитовый шланг, надетый,на штуцер 27, уплотняемый прокладкой, к трубке 28. На хвостовике этой трубки закреплен шарикоподшипник. На верхний конец штока навертывается корпус 29 с отверстиями для выхода воздуха, В гнездо корпуса вставляется шарикоподшипник. Снизу на трубку 28 навинчивается микрохолодильник, центрируемый специальной гайкой внутри корпуса затравкодержателя 30. Последний уплотняется на вакуум с помощью резиновых вакуумных прокладок накидными гайками 31. Трубка 28 и микро- холодильник неподвижны, а шток с затравкодержателем обкатывается вокруг них,5 10 15 20 25 30 Д 5 40...

Номер патента: 256879

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Калиневич, Ход, Эпельман

МПК: C30B 15/32

Метки: библногека, гехничс, патгиг-о

...производства полупроводниковых материалов, например, типаКристалл,Известное устройство для фиксации слиткапредставляет собой два вертикально расположенных цилиндрических штока, нижний из которых имеет конусную верхнюю часть, на которую надевается через графитовую втулкуцанговый зажим. Конусная графитовая втулка, установленная между штоком и цанговымзажимом, предназначена для проскальзывания цангового зажима при подмораживаниизоны, предотвращая этим поломку затравки.Цанговый зажим, будучи надет на шток,значительно превышает его диаметр, что недает возможности полностью использоватьпроизводительность установки, так как патроны упираются в днище вакуумной камеры, непозволяя штокам перемещаться на полнуюдлину рабочего хода. Кроме того, узел...