Способ получения эпитаксиальных пленок феррит-гранатов

П р и м е р, Дпя получения пленоксистемы (УЬВ 1)РеСа)Оиспользуютрасплав РЬО-ВО-В 10 с добавкамиКа СО, в котором растворяют гранатообразулцие компоненты УЬО, Рейз,баО, Перед наплавлением шихты надно тигля устанавливают мембрану ввиде платинового диска со щелью. Диаметр мембраны соответствует размерамтигля, Диск снабжен креплениями дляего подъемаПеремешанные порошкообраэные компоненты шихты загружают в платиновыйтигель, нагревают и выдерживают при1000 С 3 ч для гомогенного растворения всех веществ, Затем температуруснижают до температуры выращиванияопленки 800 С, При этом происходитрасслоение раствора-расплава: в нижней части тигля скапливается растворрасплав основного состава, обогащенный гранатообразующими компонентами,в верхней образуется слой расплаващелочных металлов и растворителя. Сни 25жают температуру до получения пересыщенного состояния основного растворарасплава.Факт расслоения раствора-расплаваи пересьшенного состояния в основном растворе устанавливается неполным контрольным погружением подложки, вертикально закрепленной в держателе.При этом отмечают кристаллизацию пленки на части подложки, погруженной в основной пересыщенный раствор-расплав.На верхней части подложки при расслоении наблюдают стравливание поверхности.Граница между описанными участками 40на подложке соответствует границе между слоями в растворе-расплаве, фиксируют границу слоев в растворе-расплаве, исходя из размеров контрольной подложки и глубины ее погружения в ти 45 гель, которая определяется с помощью внешнего указателя по линейке, где начало отсчета соответствует уровню дна тигля, Затем поднимают мембрану и экранируют обедненный слой от основ.50ного раствора-расплава. Погружают рабочую вертикально укрепленную подложку в основной раствор-расплав и производят выращивание пленки. При извлечении подложки со скоростью 2 3 мм/мин по завершении процесса крис 55таплизации поверхность пленки контактирует с обедненным верхним слоем расплава и происходит растворение остатков основного раствора-расплава.Вследствие этого при дальнейшем перемещении подложки в холодную зону печипредотвращается кристаллизация паразитного переходного слоя.Отсутствие остатков раствора-расплава на поверхности пленки определяют визуально. Отсутствие переходного слоя определяют по характеру кривой намагничивания материала пленки. При наличии переходных слоев на кривой намагничивания пленки наблюдают характерные "ступеньки". При отсутствии переходных слоев, то есть при равномерном химическом составе пленки, кривая гистерезиса имеет гладкий вид.На полученных пленках(УЪВ 1)(ГеСа) О 2 наблюдают отсутствие остатков раствора-расплава как на поверхности, так и в местах крепления к держателю. Кривая гистерезиса материала полученной пленки имеет вид гладкой кривой, что свидетельствует об однородности материала и высоком качестве.Предлагаемый способ позволяет выращивать пленки с улучшенными магнитными характеристиками, а именно коэрцитивная сила их на 25 меньше, а величина оптического поглощения на 203 меньше аналогичных по составу пленок, выращенных известными способами,Таким образом, способ позволяет повысить качество получаемых пленок и улучшить их магнитооптические свойства за счет повышения эффективности удаления остатков шихты при выращивании в двухслойном растворе-расплаве, При отсутствии остатков шихты на поюверхности пленки не кристаллизуются переходные слои и возрастает однородность, а следовательно, и качество материала. Кроме того, предлагаемый способ позволяет исключить операцию механического стряхиванияи малоэффективную операцию обработки поверхности пленки в растворах кислот и значительно сократить время процесса получения эпитаксиальных пленок.формула изобретенияСпособ получения эпитаксиальных пленок феррит-гранатов, включающий приготовление раствора-расплава с добавками щелочных металлов, погружение в него вертикально установленной подложки; наращивание пленки, удаление1633031 5 иг,Составитель Е.ЛебедеваТехред Л. Олийнык Корректор Л.Пат Редактор Н.Г о аж 2 Заказ 599 В 11 ИИПИ Го дарственного комитета по 113035, Москва, Жпри ГКНТ СССР Проиэводственно-иэдательский комбинат "Патент", 1.Ужгород, ул. Гагарина, 101 остатков раствора-расплава с ее поверхности, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повьппения качествапленок перед погружением подложки выдерживают раствор-расплав при температуре наращивания до расслоения, а эатем экранируют верхний его слой,наращивание пленки ведут в нижнемслое расплава, удаление остатков ра 5створа-расплава с поверхности пленкипроводят путем их растворения в верхнем слое расплава,Подписно обретениям и открыти Раушская наб., д. 4/