C30B 29/54 — органические соединения

Номер патента: 121438

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Александров, Спендиаров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: антрацена, монокристаллов

...свойствами.С этой целью дополнительную очистку и выращивание кристаллов производят в одной ампуле,Ампула представляет собой стеклянную трубку, переходящую в капилляр, где образуется монокристаллическая затравка, После загрузки очищенного антрацена в ампулу, последняя вакуумируется и заполняется азотом или аргоном. В процессе очистки примеси оттесняются в сторону отпайки шейки ампулы, после чего ампула переворачивается капилляром вниз, очищенное вещество оседает и начинается процесс выращивания монокристалла в зонной печи.Рост монокристалла происходит на границе центрального и нижне. го нагревателей печи, а загрязненная примесями часть антрацена находится в зоне верхнего нагревателя печи и остается в твердом состоянии.По...

Номер патента: 276017

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Герцберг, Павлов, Розкин, Слезко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/54

Метки: веществ, зонной

...производительности и качестве конечного вещества.Для улучшения качества конечного вещества путем непрерывного регулируемого вывода загрязненного примесями расплава непосредственно из зоны очистки в предлагаемом устройстве центральная трубка оборудована в своей верхней части расширителем, размещенным непосредственно в зоне очистки, а в нижней части - регулирующим вентилем.На чертеже схематически показано описываемое устройство.Оно состоит из герметичной емкости 1 с обогревагощей рубашкой 2, в которой неподвгггно закреплена трубка,3 с крапом 4, снабженная центральнои трубкой 5 с расширителем 6 в верхней части ц регулцровочным вентилем,г в нцжцсй части.5 Устройство работает следующим образом.Расплавленный исходный продукт подаетсччерез...

Номер патента: 415040

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: 415040

...высокой степеньюпрозрачности, обнаруженной в экспериментах5 по прохождению луча рубиновского лазера.Состав простых и смешанных монокрпсталлов ацетилацетонатов переходных металловконтролируют определением у глерода, водорода и содержанием металлов.о Пример 1. Вьргщиваие простогомонокристалла Со (асас)2 1 г без,водного хлороформа. Стаканчик с растворомпомещают в эксикатор над прокаленным СаС 12,Эксикатор опускают в термостат, где поддер 5 живают постоянную темперетуру 20 - -22 СЧерез несколько дней выпадают голубые кристаллы состава СО (асас)" Оторье использ- ют в качестве затравки для выращивания более крупных монокристаллов,0 Кристалл - затравку прикр ненной оси моторчик;:, которь вращение через крышку экси щенном растворе Со(асас)...

Номер патента: 1583476

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: выращивания, метилбензальанилина, монокристаллов, нитро

...полного растворения и-нитрои -метилбензальанилина в кристаллизатор помещают затравочный кристаллэразмером 5 ф 3 "2 мм (получают предварительно путем выпаривания раствора этого ке состава), Затравку закрепляют на фторопластовой подложке и устанавливают на дно кристаллизатора. 1 О После этого медленно снижают температуру кристаллизатора до тех пор, пока не начнется рост затравочного кристалла, Это видно по образующимся граням. Температура начала роста 38 С 15,о На этом уровне ее поддерживают за . время выращивания с точностью 0,050 С.Отбор растворителя осуществляют следующим образом, Подбирают специальные фторопластовые прокладки между 20 кристаллизатором и крышкой и устанавливают зазор. Величину зазора подбирают...

Номер патента: 1633030

Опубликовано: 07.03.1991

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: выращивания, диоксидифенилсульфона, монокристаллов

...мешалка. Кристаллизатор помещают в жидкостный термостат, темпетура в котором поддерживаетсятоянной с точностью до 0,1 С.оЗатравочные кристаллы получаютпредварительно испарением из раство"ра, аналогично помещенному в кристаллизатор. Их помещают в перегретыйраствор на дно кристаллизатора наспециальной фторопластовой подложкетак, что направление роста кристалла.1633030 Продолжение таблицы перпендикулярно подложке. После этого медленно снижают температуру кристаллиэатора до тех пор, пока не начнется рост эатравочнаго криоталла, что видно по блеску образующихся граней. ТеМ- пературу во время опыта фиксируют и поддерживают постоянной.Так как крьппка охлаждается проточной водой, то на ней образуется кон ,денсат, который стекает в...

Номер патента: 1473382

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Александров, Мартинсон

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: веществ, кристаллов, органических

...7 с отнерстием, через которое теплоотводящий элемент 5 соединен непосредственно или с помощью соеди-нения 8 с термостатирующей трубкой 9.П р н м,е р. В сосуд 1 загру- фф жают шихту нэ нафталина и вводят в нее теплоотводящий элемент 5. Через .термостатврующую рубашку 2 и тепло- отводящий элемент пропускают воду,ф /онагретую до 86 С т.е, на 5 С выше1473382 ние 1 О ч получают кристалл дифениласо степенью чистоты 99,999% диаметром 46 мм и длиной 170 мм.Таким образом, способ по изобретеноо позволяет повысить степеньчистоты на порядок и в три раза увеличить производительность процесса.Фо рмула изобретенияСпособ получения кристаллов органических веществ, включающий расплавление шнхты. с введенным в нее тепло-отводящим элементом, его...

Номер патента: 1684357

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Барсукова, Зайцева, Кожоева, Кузнецов, Охрименко, Федоров

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: выращивания, гидрофталата, калия, монокристаллов

...размеров кристаллов при сохранении их однородности, перемешивание раствора ведут путем вращения платформы с затравкой с частотой 40- 60 об/мин. Составитель Е, ЛебедеваРедактор М. Недолуженко Техред М,Моргентал Корректор О, Ципле Заказ 3486 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва,:К. Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 травке при скорости вращения платформы 60 об/мин,Подготовка эксперимента аналогична примеру 1, Перемешивание раствора вращающейся платформой ведется со скоростью 60 об/мин, График снижения температуры: 3 сут - 0,16 С/сут; 1 - 15 С;1 - 0,3 С,1 - 0,8 С;1 - 1,7 С,3 - 4,2 С/сут. В результате...

Номер патента: 1701755

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: ароматического, выращивания, монокристаллов, соединения

...что сильно растягивает время выращивания монокристаллов, а при температурах выше 40 С усиливается разложениевещества, цвет раствора изменяется, Этипримеси входят в кристаллическуа решеткуманокристэллэ, ухудшая его оптическое качество. Температура (35 - 40 С выбрана в достаточной мере условно, зависит от степениочистки исходных веществ и растворителейи является усредненной из большого количества экспериментов,Экспериментально было установлночто монокристалль 1 3-метокси-аксибензальдегида вырастают из смеси бензола иэтилового эфира в соотношении 1:1 в видетонких(да 0,1 мм толщиной) гексагонэльныхпластин. Добавка пропиленкарбоната приводит к разращиванию монокристалла втолщину.В приведенном примере рассматривалось влияние...

Номер патента: 1773952

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Поезжалов, Трегубченко

МПК: C30B 29/54, C30B 7/00

Метки: монокристаллов

...Разращивание такой затравки происходит бездефектно. Для этого амплитуду колебаний постепенно уменьшают и доводят до вполне определенной постоянной величины. Дальнейший рост монокристалла проводят по общеизвестной методике. Поскьльку при образовании затравки, обладающей сингулярными гранями, ее объем не увеличивается, та выращенный кристалл имеет минимальную зону регенерации, равную объему затравки, и может быть использовано почти полностью, за исключением объема, занятого затравкой, который, как правило, не превышает объема нескольких десятков мм,П р и м е р 1. Затравка п,п-диоксидифенилсульфона помещалась в кристаллизатор с насыщенным при 38 С раствором. Кристаллизатор находится в жидкостном термостате, температуру которого...

Номер патента: 1808887

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Барсукова, Кузнецов, Набахтиани, Реснянский, Сулайманкулов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: 6ос, кристаллов

...кристалла, Выращивание кристалла методом сниже . ния температуры позволяет более точно регулировать процесс роста. Регулирование температуры осуществляется контактным термометром. Средняя скоровть снижения температуры 0,2 С/сут. 30Выращивание кристалла нэ точечной затравке, укрепленной на вращающейся платформе, создает благоприятные гидро- динамические условия для роста. Вести и роцесс выращивания при скорости вращения 35 платформы меньше чем 40 об/мин нецелесообразно, так как уменьшаются скорости роста кристалла, Увеличение скорости вра. щения платформы выше 60 об/мин ведет к образованию воронки в растворе, распле скиванию раствора, вследствие чего образуются паразитические кристаллы.П р и м е р 1. Для получения Ч=165 мл раствора взято...

Номер патента: 1813816

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Кашевич, Михневич, Цыбин, Шуть

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора, сегнетоэлектриков

...в пределах впемени раста даменай кристалла,Заявляемым способам можно также выращивать кристаллы с необходимыми параметрами чз кристаллизуемой жидкости с прилес,о, концентрация которой ниже, чем концеТрация примеси в известном способе, так как ее неоднородное распределение создает такую же униполярнасть о кристалле, как о случае однородного распределения, но с большей концентрацией примеси. Ниже приоедены кОРкратные примерыОсуществления заявляемого спОсаба. 10 15 20 25 П р и м е р 1. Проводилось выращивание кристаллов триглицинсульфата (ТГС) из раствора с примесьО 1: а-аланина в качестве добавки для стабилизации спонтанной направленной поляризации данного кристалла. Готовили насыщенный раствор ТГС с примесьо 1=а-алаР 1 ина,...

Номер патента: 1813817

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Александров, Демидов, Юшкевич

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: веществ, кристаллов, органических

...когда закристаллизовано 80-857 ь расплава. После этого останавливают привод возвратно-поступательного движения и термостат, нагнетающий теплоноситель в рубашку 2. Теплоотводящий элемент 15 с кристаллом поднимают над уровнем расплава, Обогащенный примесями расплав стекает на днососуда 1, Разделительную диафрагму 8 поднимают до верхнего уровня расплава и с помощью дополнительной емкости через патрубок 13 вытесняют из нижней части рубашки 2 термостатирующую жидкость, заменяя ее хладоагентом, Уровень хладоагента доводят до диафрагмы 8, В холодильник 12 пропускают охлажденную воду и понижают температуру хладоагента под диафрагмой 8 до температуры несколько ниже температуры кристаллизации расплава. При этом загрязненный расплав...

Номер патента: 1823537

Опубликовано: 27.08.1996

Автор: Трейвус

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: монокристаллов, мочевины

...кристачлизатор ставят в термостат, который имеет температуру ниже температуры насыщения раствора. После снижения температуры раствора ниже температуры насыщения ндчиндется рост кристалла,3. Периодически или непрерывно (с помошью автоматического устройства) снижают температуру термостата.Примеры осуществления способа, 1, Для приготовления раствора использова 1 и однократно перекристаллизованную мочевину марки "да", истертую в ступке и просушенную в течение двух месяцев при 50 С, и стандартный Я-метилформамид.2, Взяли навеску мочевины, приготовленной описанным в п.1 способом, в количестве 47 г, что соответству ет концентрации насыщения раствора в 100 мл Х-метилформамида при 28 С и растворили в указанном количестве Х-метилформамида при 30...

Номер патента: 948171

Опубликовано: 20.05.1998

Авторы: Будаковский, Крайнов, Мнацаканова, Ткаченко

МПК: C30B 11/00, C30B 29/54

Метки: монокристалла, основе, стильбена, сцинтиллятор

1. Сцинтиллятор на основе монокристалла стильбена, отличающийся тем, что, с целью повышения термической и механической прочности и улучшения структурного совершенства, он дополнительно содержит хлоранил в концентрации (0,2 - 1,2) 10-2 мол.%.2. Способ получения сцинтиллятора на основе монокристалла стильбена, включающий направленную кристаллизацию его расплава на ориентированной затравке, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости роста, в расплав дополнительно вводят хлоранил в концентрации 0,05 - 0,3 мол.%.

Номер патента: 1764285

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Белов, Исаенко, Мазур, Овечко, Петренко

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: 3-метил-4-нитропиридин-1, выращивания, монокристаллов, оксида, ром

Способ выращивания монокристаллов 3-метил-4-нитропиридин-1-оксида (РОМ) из его раствора в органическом растворителе путем снижения температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения оптического качества и стойкости к лазерному излучению, в качестве растворителя используют ацетон с добавкой воды в количестве 3 - 15 об.%.

Номер патента: 1764338

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Белов, Исаенко, Косинов, Мазур

МПК: C30B 29/54, C30B 7/00

Метки: затравки, крепления

Способ крепления затравки для выращивания изометрических кристаллов из раствора, включающий ее контакт с иглообразным кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью более надежного крепления затравки из низкоплавного органического кристалла и исключения образования в ней дефектов, перед контактом конец кристаллодержателя нагревают до температуры, превышающей температуру плавления кристалла на 50 - 70oС, затем этот конец вводят внутрь затравки на глубину не менее 0,3 мм, после чего проводят выдержку и охлаждение.