C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1220394

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...12203Изобретение относится к технологии получения изолирующих подложечных материалов и может быть использовано в электронной, цветной и химической промышленностях. 5Целью изобретения является увеличение выхода годных монокристаллов путем уменьшения длины конической части кристалла.П р и м е р 1. В тигель загру- Ю шают шнхту - смесь окислов гаплия и гадолиния в соотношении 53,92 мас.3 Сд Оз + 46,08 мас, Е Са С . Шихту плавят. высокочастотным нагревом ири-. диевого тигля. Азот подают к тепло вому узлу перед началом нагрева тиглякислород (2 об,7) добавляют в момент появления расплава. Начиная с момента затравливания, содержание кислорода в процессе роста умень шают. до 0,9 об. М.Затравку вращают со скоростью 25,5 об/мин, и когда она...

Номер патента: 1347513

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...кислород, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, что, с целью увели чения выхода годных монокристалловдиаметром 105-110 мм с плотностьюдефектов кристаллической структуры7 см-, после изменения формы фронта кристаллизации скорость вытягиваЗ 0 ния уменьшают до получения заданногодиаметра монокристалла по закону-ЛЧ = мм/ч - 0,11 ммЬ мм,где Ь - текущее значение длины конуса, отсчитываемое от момента изменения формы фронта кристаллизации, мм,Скорость вытягивания изменяют через каждые 5 мм длины до выхода кристалла на диаметр 110 мм. При этом Ь 40 мм, а скорость вытягивания 2,6 мм/ч. Цилиндрическую часть кристалла растят с постоянной скоростью вытягивания 2,6 мм/ч. Кристаллы выращивают до массы 9-12 кг с плотностью дефектон 0-7 см скорость...

Номер патента: 1354791

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...режимы позволяют увеличить процент выхода годных монокристаллов гадолинийгаллиевого граната с плотностью дефектов менее 7 смдо 45(см., таблицу, примеры 1-11),В том случае, когда скорость вра"щения при затравливании менее35 об/мин инверсный диаметр увеличивается, количество дефектов в области перехода формы фронта кристаллизации увеличивается, выход годныхкристаллов уменьшается (см. таблицупримеры 12-14, 27),При затравлении со скоростью,превышающей 45 об/мин, фронт кристаллизации на конусе изменяется отостровыпуклого к выпуклому. Такаяформа Фронта кристаллизации ухудшает качество кристалла и снижает выход годных (см. таблицу, примеры15, 16),Уменьшение скоростивытягиванияначальной части конуса менее 2 мм/чприводит к тому, что кристалл...

Номер патента: 1074161

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Арендаренко, Барил, Минаждинов, Мягков, Овечкин, Слепнев, Федоров

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, полупроводниковых, соединений, эпитаксии

...подложкодержателем соосно с нимпо высоте (0,1-0,15)Вд и выполненв виде тора диаметром (11-1,2)Ппс отверстиями на внутренней его поверхности, гдеи диаметр подложкодержателя. Кроме того, экран расположен от подложкодержателя на высоте (О 3 0,4) 0 п,На чертеже показано устройстводля газовой эпитаксии полупроводниковых соединений.Устройство вклюцает реакционнуюкамеру, состоящую из крышки 1 и основания 2, внутри которой расположены подложкодержатель 3 в видедиска с отверстием 4 в центре длявывода ПГС, газораспределитель 5,выполненный в виде тора с отверстиями на внутренней его поверхностидля ввода ПГС, установленный надподложкодержателем 3 соосно с ним,и экран 6, расположенный над газораспределителем 5. Подложкодержатель 3 может быть...

Номер патента: 1707088

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Мироненко, Непомнящих

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: детекторов, лилия, монокристаллических, основе, фтористого

...кристаллизация фтористсго лития с указанными концентрациями фтористого лагния и Окиси титана в присутии фсрмообразсвателя на затрэвочный кристалл псзвс яет гсл.чи-ь ориентированные однородные пс чувствительности мснокристэллические стержни, заданного фсрлссбразсвателем профиля благ даря ток у, что кристаллизация расплэза в отвр- тиЯХ фсрглссбразсвэтелд гсз оля,сни, ть долю переноса примеси з. счетс ге.ць, и приводит лишь к дффузиснпрпцгссз л рэс пседе 1 сния псил;и, а с= г сди тсс"-,е",лэГд- к х кон. ,-. .,"Эциочог;к -Ервокг а.,: ниЮ, ". другой стороны ограч. чивает процессы риффуэисннси агрегэции в кристалле, что способствует получению однородных по у вствительности мс;.Окристэллических стержнеи и детекторов из них, не...

Номер патента: 1707089

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Васильев, Лифшиц, Севастьянов, Семенков, Станишевский, Чиркин

МПК: C30B 15/24, C30B 15/30

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

...преобрэзоеэте,.ь 8 регу 1 руемого электроприесдэ Заданная скоппс ь тягиьания кристалла о,еспечиеа-; ся при помощи преобразователя 10 котос. й сравнивает два сигнала - сигнач задания и сигнал тахогенерэтора 9,,с;э овленного нэ еэлу злектподеигателя 8"1 рл нэл чии рассогласпьания скоростьэчектродеи этеля 8 аетс.этическ 11 коррек суется Погрешность поддержэ я скоро:ти вытягивания при этсм не превышает0,5.Для поддержания постоянства диаметра еыращиеаемого кристалла екчючаетсядатчик 5 массы тиля 4 с блоком 15 регулирования мощности нагревателя 3 (при схемеработы устройства с контролел массы растущего кристалла включается датчик 17 массы кристалла), При появлении сигналарэссоласоеания датчиков 5 или 17 массы5101520 25 КР 1 С аЛЛЭ ИЛИ ГИГгЯ С...

Номер патента: 1707090

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Гусейнов, Раджабли, Эминов

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкофазной, эпитаксии

...многократного использования устройства, так как для извлечения подложки вместе с выра ценным слоем из ампулы последнюю необходимо либо разбить, либо разрезать в области расположения пробки, приваренной к ампуле.Цель изобретения - исключение попадания на подложку частиц нерастворенного вещества и окисной пленки и многократное использование устройства.Укаэанная цель достигается тем, что е Устройстве для жидкофазной эпитаксии, со:.,: дщем из кварцевой ампулы. пробки, емкое и с раствором-расплавом и держателя подложки, держатель подложки выполнен в аиде воронки и прижима е форме перевернутого стакана, охватывающего воронку, причем узкое основание воронки выполнено зубчатым. а между держателем подложки и пробкой ампулы установлен...

Номер патента: 1708946

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Горошенков, Заболотнов, Козлов, Комоликов, Лебедев, Пейчев, Плинер, Поротников, Прокопьев, Пургин, Романенко, Ямов

МПК: C30B 29/22

Метки: материал, монокристаллический

...(К 1 с) проводили на 3-4 параллельных образцах, выпиленных из монокристаллов, размером 3,04,045 мм. Измерения К 1", проводились методом пропила.(57) Изобретение относится к монокристаллам на основе диоксида циркония (2 г 02) и может быть использовано при изготовлении инструмента для обработки металлов (волок, плавающих оправок и др,). Цель изобретения - повышение ударной вязкости. Монокристаллический материал представляет собой кристалл кубической сингонии с мелкодисперсными выделениями тетрагональной фазы и содержит компоненты в следующем соотношении, мол.: диоксид циркония 95,2-97,3; диоксид церия 0,8-.3,5; оксид иттрия 1,3-1,9, Монокристаллы получают плавлением в "холодном" тигле. Ударная вязкость (Кс) таких образцов изменяется от...

Номер патента: 1710602

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Дыменко, Пополитов, Сыч

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, ортотанталата, основе, растворов, сурьмы, твердых

...отношение жидкой и твердой фаз являетсясущественным для поддержания длитель-.ного пересыщения в зоне синтеза, Если,например, взять количество твердой фазы45 по объему равной жидкой, то практическиполучается вязкий раствор, который затрудняет массоперенос и снижает подвижность растворенных компонентов, Этообстоятельство лимитирует синтез и вы 50 ход монокристаллов твердых растворов(ЯЬ 1-, Вх) Та 04,Таким образом, все отличительныепризнаки способа причинно связаны сцелью изобретения и достаточны для его55 осуществления. Нарушение того или иногопараметра приводит к невоспроизводимости предложенного способа. Разработанный способ позволяет синтезироватьмонокристаллы (ЯЬ 1-, Вх) Та 04 с выходом80 - 93 мас.от исходной шихты с содержанием 0,1...

Номер патента: 1710603

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: йодида, монокристаллов, свинца

...скорости конвективного движения раствора оказалась оптимальной для получения монокристаллов РЫ 2 заданного вы хода. Было найдено, что при В/ 14 см/с(Я - скорость конвективного движения раствора) массоперенос растворенных форм иодида свинца от границы шихта -40 45 50 55 раствор недостаточен, что лимитирует выход РЫ 2.смПри И/ 17 выход монокристалловсРЫ 2, как показали эксперименты, практически не зависит от этого параметра. Такимобразом, интервал 14 И/ 17 - являетсмсся оптимальнымдля получения монокристаллов иодида свинца с заданнымвыходом. Концентрация водного раствораСНзСООН составляет 16-20 мас,%, что всочетании с другими параметрами процессавполне достаточно для растворения шихтыРЫ 2 и образования насыщенного...

Номер патента: 1710604

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Баранов, Белов, Дмитриев, Кондратьева, Челноков, Шаталов, Эрлих

МПК: C30B 25/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, кубического, монокристаллических, слоев, эпитаксиального

...процесса выращивания - отсутствие буферного слоя, и позволяет использовать стандартное технологическое оборудование для получе ния эпитаксиальных слоев кремния, так как дает возможность выращивать монокристаллические слои ВС той же толщины, что и известный способ на Ю-подложке при более низких температурах. Температура рос та является одним из основных параметров, который оказывает влияние на качество выращенного слоя, Возможность сохранения монокристалличности эпитаксиальных сло-ев РС при снижении температуры роста до10 15 20 25 30 35 40 Ф 45 50 55 ков, Хотя выращивание монокристаллических слоев ЯС на Я 1-подложке известно, однако для выращивания монокристаллического 9 С на Я-подложках трихлорэтилен не использовался. При этом не было...

Номер патента: 1710605

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Воронов, Ганина, Зейналов

МПК: C30B 29/08, C30B 33/10

Метки: выявления, германия, дефектов, монокристаллах, структуры

...диаметром 100 мм,Полировку проводят при перемешивании раствора до получения зеркальной поверхности. По окончании полировки образец промывают водой и оставляют в емкости с водой.Готовят селективный травитель, го берут 225 мл НЕ (ОСЧ 48%) (4, приливают к ней 225 мл НМОз (О (4,5 об,ч.) и 200 мл СНзСООН (ОСЧ (4 об,ч.), В полученный раствор за-г П едложенный способ Известный способП е ложенный способ Известный способСоставитель И.ВороновТехред М,Моргентал Корректор О.Кундрик Редактор В.Данко Заказ 313 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 2,6 г порошка КВг (ТУ 6-09-476-76)...

Номер патента: 1712472

Опубликовано: 15.02.1992

Автор: Федоров

МПК: C30B 13/00

Метки: полупроводниковых

...по шагу.,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯПРОВОДНИКОВЫХ МАТ(57) Изобретение относиполупроводниковых мате Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для их высокопроизводительной промышленной очистки.Наиболее близким к изобретению является. устройство, содержащее несколько фоновых нагревателей, каждый из которых снабжен и зонными,нагревателями, закрепленными на общей каретке.Недостаток известного устройства заключается в том, что в начале и в конце каждой-операции изонных нагревателя работают вхолостую.Цел ь изобретения - повы шенив; произвОдительности за счет исключения холосто-, го хода зонных нагревателей,Поставленная цель достигается...

Номер патента: 1712473

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Антонов, Крымов, Овчинникова, Токарев, Юферев

МПК: C30B 15/34

Метки: кристаллов, методом, степанова, трубчатых

...показано, что при Яверт41 будутувеличиваться напряжения на фронте кри 5 сталлизации, а при Я 8 ерт41 будет уменьшаться величина градиента температуры нафронте кристаллизации, что приведет куменьшению скорости вытягивания, т,е.приведенное соотношение является опти 10 мальным и существенным для получения эффекта улучшения структуры кристалла.Существенно также расположение вертикальных экранов на расстоянии от поверхности формообразователя Яор 2 Г,15 При большем расстоянии нарушается локальный режим работы экранов, т,е. на каждую точку экрана попадает излучение не спротиволежащей точки, а с широкой области, и тепловое воздействие на область у20 фронта кристаллизации становится неэффективным, Минимальное расстояние докристалла...

Номер патента: 1712474

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Атаев, Камилов

МПК: C30B 23/02

Метки: пленок, сверхчистых

...границе, Моноэнергетические ионы с массой Мо после отклонения в поле продолжают двигаться в виде параллельного пучка, Если пучок на выходе из магнитного поля пропустить через продольные каналы коллектора 10, образованные тонкими металлическими перегородками, то на подложку попадут только ионы с массой Мо. Ионы с отличными от Мо массами из-за движения по свертывающимся М 1 Мс) и развертывающимся (МоМ 2) спиралям не пройдут через узкие каналы, Разрешающая способность такой системы определяется соотношением ширины одиночного канала к его длине, Известно, что подобные устройства позволяют создать анализаторы большой светосилы, что важно для обеспечения практически приемлемых скоростей осаждения пленок. Заметим также, что в установке...

Номер патента: 1319641

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...до 0,9 об.% в конце процесса.Затравку вращают со скоростью 25 об/мин. При касании затравкой рас 25 плава происходит затравливание, после чего начинают перемещение затравки вверх со скоростью 8 мм/ч. После выращивания конуса длиной 70 мм при достижении диаметра кристалла130 мм скорость вращения затравкиуменьшают до 1 1 об/мин, а скоростьперемещения до 4,0 мм/ч. Выращивание цилиндрической части кристаллаведется с постоянными скоростями 53,92 46,08 25,0 2 53,92 46,08 27,0 3 53,92 46,08 29,0 4 , 53,92 46,08 26,0 5 53,92 46,08 35,0 41 2вращения и перемещецця 1 об/мин и 4,0 мм/ч соответствеццо.Полученные моцокристаллы гадолиний-галлиевого граната имеют диаметр 130 мм, массу 13,5 кг, плотность дефектов 0 - 6 смДанные по примерам 2 - 12...

Номер патента: 1713995

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Башмаков, Викторов, Матвеев, Новиков

МПК: C30B 15/10, C30B 29/16

Метки: оксидов, плавления, тигель

...не возникает отрицательных обратных связей: случайное перекрытие участка пористой поверхности жидкостью не вызывает нарастания под ней давления, а приводит лишь к перераспределению потока газа в соседние участки поверхности,Заявляемое техническое решение основывается на явлении устойчивости жидкости над газовой прослойкой, образованной электрохимическим переносом газа.Отличие заявляемого тигля от известного состоит в том, что заявляемый тигель,выполнен с дополнительным внутренним покрытием из электродного материала.В известном тигле расплав. выполняет одновременно роль внутреннего электрода, поэтому контакт между расплавом и стенками тигля необходим, т.е, образование сплошной газовой прослойки между ними невозможно; Реализовать...

Номер патента: 1717677

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Миронова, Назарова, Остащенко

МПК: C30B 33/02, C30B 33/04

Метки: облагораживания, пренита

...10-20 мин при 170-190 С.П р и и е р.1. Кристалл пренита облучают потоком электронов дозой 5 10 эл/см, после чего он приобретает коричневато-розовый цвет, затем помещают в му1717677 Таблица 1 Таблица 2 фельную печь и выдерживают при 150 С в течение 10 мин, Кристалл приобретает телесный цвет, ювелирной прозрачности добиться не удается, При увеличении времени термообработки происходит обесцвечивание образцов.П р и м е р 2. Кристалл пренита облучают потоком электронов дозой 10 эл/см,16 2 после чего он приобретает коричневато- желтый цвет, затем помещают в муфельную печьи в течение 15 мин выдерживают при 170 С, Кристалл приобретает красивый лимонный цвет, При увеличении времени термообработки происходит посветление окраски и полное...

Номер патента: 1723211

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: висмута, монокристаллов, оксида

...висмута, Значение температурного перепада также является существенным с точки зрения достижения цели изобретения. Понижение температурного перепада (ЬТ 20 С) приводит к уменьшению пересыщения, необходимого для роста кристаллов, а следовательно, к увеличению длительности процесса получения монокристаллов оксида висмута. Увеличение же значения температурного перепада ( ЬТ30 С) способствует интенсивному массопереносу исходной шихты(В 20 з) в верхнюю зону реакционного пространства автоклава. Это обстоятельство приводит к высокой скорости зародыше- образования по сравнению с ростом кристаллов ВгОз, которые имеют малые размеры, Так, например, при ЬТ = 32 С и при прочих равных параметрах размер монокристалловоксида висмута составляет не...

Номер патента: 1724744

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Лиманов, Молоствов, Пашкуденко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/06, H01L 21/20 ...

Метки: боковой, кремнии, кремния, методом, окисленном, ориентированных, пленок, эпитаксии

...глубину. В случае использования в окрестности затравочных окон пленок кремния толщиной более 0,8 мкм плавление подложки практически не имеет места. Если ширина участка с повышенной толщиной пленки кремния меньше 10 мкм (по 3 мкм с двух сторон затравочного окна и 4 мкм ширина окна), теплоотвод от затравочного окна осуществляется недостаточно эффективно. Увеличение ширины затравочного окна также приводит к снижению эффективности способа, Толщина пленки на этих участках выбирается исходя из того, что, если она превышает толщину пленки на рабочих участках менее, чем в 1,5 раза, не удается избежать локального плавления подложки. Максимальное значение отношения толщин пленки кремния используется для пленок толщиной около 0,2 мкм и...

Номер патента: 1726570

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, свинца, хлорида

...многочислен ные зародыши, скорость образования которых превышает скорость их роста. Одной из характеристик, влияющих на скорость отвода растворяемого вещества от границы шихта-раствор, является скоро сть конвекционного движения раствора, При введении в кварцевый реактор перегородок, разделяющих зону растворения и роста, с диаметром отверстий 1-5 мм скорость конвективного движения раствора 15 при температуре 100-145 С, ЬТ 4-7 С изменялась от 12 до 16 см/с. Указанная величина скорости конвекционного движения раствора оказалась оптимальной для получения монокристаллов РЬС 2 заданного выхода. Было найдено, что при ЧЧ 12 см/с ЧЧ - скорость конвекционного движения раствора) массоперенос растворенных форм хлорида свинца от границы...

Номер патента: 1726571

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Дмитриев, Рендакова, Челноков

МПК: C30B 19/00, C30B 29/36, H01L 21/208 ...

Метки: выращивания, карбидкремниевых, политипа, р-п-структур

...они, по-видимому, иг- давления 3 10 мм рт.ст. последовательнорают роль фактора, увеличивающего 25 ротационным и цеолитовым насосами, авероятность образования ЗС-ЮС, Другой затем втечение 15 мин продували очищенс ественный недостаток метода - невоз- ным водородом. Величину расхода водоможность получать эпитаксиальные слои, рода устанавливали 2 д /ущз,содержащие акцепторную примесь с необ- Осуществляли нагрев тигля с навесками доходимой концентрацией. Это связано стем, .30 500 С, затем в течение 1 ч осуществлялиочто используемый в качестве растворителя отжиг при 500 С,для жижидкостной эпитаксии Оа входит в расо -зПосле отжига увеличивали нагревотущий материал на уровне 10 см и его тигля до 1200 С и в течение 0,5 ч выдерсодержание не...

Номер патента: 1726572

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Старостин, Турецкий, Чебаненко, Чемересюк

МПК: C30B 25/08, C30B 29/46

Метки: пленок

...10 установлена регулирующая шторка 12 для сужения канала прохождения пара. Путь прохождения газа-носителя в объеме реактора 1 и парогазовой смеси в объеме кассеты 6 на фиг, 1 обозначен стрелками. Кювета 13 с испаряемым соединением установлена на плоскости перегородки 9 у открытого в сторону фланца 3 торца кассеты 6. Подложка 14 расположена над перегородкой 9 в области щели 10. Для дополнительного подогрева подложки 14 до температуры реакции осаждения пленки кассета 6 снабжена нагревателем.15, Подложка 14установлена в обойме 16, связанной через шток 17 с механизмом возвратно-поступательного перемещения. Механизм возвратно-поступательного перемещения (фиг. 2) содержит электрический двигатель 18 с редуктором, Двигатель 18 укреплен на стойке...

Номер патента: 1726573

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Береснев, Карлов, Мелентьев, Надгорный, Осипян, Пересада, Понятовский, Прохоров, Сисакян, Трушин

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, упрочнения, щелочно-галоидных

...к пределу упругости исходного кристалла при испытании на сжатие; Р - максимальное давление обжатия образцов.Кристаллы подвергают при комнатной температуре воздействию гидростатического давления до величины, при которой кристалл претерпевает фазовый переход первого рода, т.е, до величины, при которой исходная гранецентрированная решетка кристалла перестраивается в объемноцентрированная решетку. После достижения фазового превращения давление в камере сбрасывают до атмосферного. В процессе сбрасывания давления кристаллическая решетка упрочняемого материала перестраивается в исходную, т,е. происходит1726573 Формула изобретения Составитель В. БезбородоваТехред М.Моргентал Корректор О.Ципле Редактор А.Огар Заказ 1252 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1730216

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Бондарь, Забелина

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46

Метки: растворов, твердых

...быстро (в течение 2 ч) 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 повышаютдо значений, превышающих температуру ликвидуса соответствующего твердого раствора на 20 К (фиг. 2). После установления температуры в горячей зоне включают вибрацию и повышают температуру в холодной зоне до 650 - 670 К и выдерживают в таких условиях 3 ч, Затем температуру холодной зоны повышают до 900 - 920 К (с вибрацией ампулы) с повторной выдержкой в течение 2 ч. По окончании указанного времени выдержки расплав охлаждают со скоростью 100 К/ч без выключения вибрации до комнатной температуры. Для гомогенизации полученных сплавов проводят отжиг при 1170 К в течение 500 ч.Полученные после отжига слитки представляют собой гомогенные сплавы, однородные по всей длине, что...

Номер патента: 1730217

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Алешин, Антонов, Булеков, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, выращивания, галлия, малодислокационных, монокристаллов

...со скоростью 0,5 - 2 атм/ч, скорость извлечения кристалла из-под флюса составляет 10 - 20 мм/ч и скоростьохлаждения кристалла до комнатной температуры - 25 - 50 С/ч.П р и м е р 1, В тепловую системукамеры установки Астра устанавливают тигель из высокочистого пиролитического нитрида бора диаметром 100 мм, в которыйзагружают 1500 г высокочистого поликристаллического арсенида галлия, 0,45 г оксида ванадия (Ч 205) и 400 г обезвоженногоборного ангидрида (флюса). Тигель помещают в повторяющую его форму графитовуюподставку, установленную через переходник на нижнем штоке камеры установки. На 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 верхнем штоке укрепляют держатель с монокристаллической затравкой ориентации /100/ размером 4 х 4 х 50 мм....

Номер патента: 1730218

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Конников, Улин, Шайович

МПК: C30B 23/08, C30B 25/02, C30B 29/08 ...

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...превышения (сфалерит- вюртцит) а = а р/3, где р - наблюдаемая линейная плотность дефектов упаковки относительно кубической фазы, в обратных нм,Вторым необходимым условием реализации предлагаемого способа является выбор подложки, ее ориентации, Этот выбор должен обеспечить на поверхности кристалла - подложки высокую плотность центров адсорбции с максимальной глубиной потенциальной ямы для адатомов (адмолекул) кристаллизируемого вещества, и, главное, - отсутствие к нее подобия по потенциальному рисунку плоским сеткам кубического кристалла. Это обуславливает необходимость использования в качестве подложки монокристалла гексагональной симметрии со структурным типом вюртцита, а выбор ориентации подложки в соответствии с приведенными выше...

Номер патента: 1730219

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Гогоци, Сафаралиев, Таиров, Цветков, Шабанов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: материал, полупроводниковый

...карбида кремния и карбида ниобия, обработанные так же, как и в примерах 1 и 2, прикладывали друг к другу и подвергали горячему прессованию в засыпке порошка дисперсностью .5 мкм, Процесс проводили при 1700 С, давлении 20 МПа в среде ч 2 в течении 60 мин. Ширина слоя гетеровалентного твердого раствора (ЯС)1-х(ИЬС)х 5 - 7 мкм,Во всех трех случаях получали гетеровалентные твердые растворы (ЯС)1- х(МЬС)х во всем диапазоне изменения состава (О х 1). Исследования концентрационного распределения КЬ и Я проводились на Оже-микроанализаторе "3 ЕО Я". На фиг, 1 дана обычная электронная микрофотография, Области с элементами различной тяжести отличаются. Более тяжелые элементы светлее.На фиг. 2 изображены концентрационные профили ниобия и...

Номер патента: 1730220

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 31/08

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...течение 12 ч. Избыток цезия в образце после введения составил 0,005 мол Образец с избытком цезия прогревали в атмосфере аммиака (давление 2 атм) при 500 С в течение 6 ч, Прогрев, как показали опыты, можно осуществлять при иной температуре, в течение периода времени, достаточного для обесцвечивания образца. Определение гидрид-ионов осуществляли спектрофотометрическим способом на спектрофотометре Яресогб - М 40 по полосе поглощения с максимумом 246 нм, Результаты определения представлены в таблице.П р и м е р 2, Проводили получение монокристалла КВг, легированных гидридионами. Для этого взят промышленный монокристалл КВг; выращенный в Ленинградском оптико-механическом объединении (ЛОМО). Введение сверхстехиометрического количества калия...

Номер патента: 1730221

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...ч обработки концентрация брома в кристалле составила 10 см з. этот способ не позволяет получать монокристаллы бромидов с избытком брома.Цель изобретения - получение моно- кристаллов бромидов с избытком брома,Поставленная цель достигается тем, что бром вводят в монокристалл бромида электролизом самого монокристалла, используя плоский и острийный электроды, при подаче положительного потенциала на острийный электрод при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА.Как показали опыты, электролиз для введения брома целесообразно осуществлять при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления, При более низких температурах может возникать неравномерность распределения брома в образцах.П р и...