Способ обработки щелочно-галоидных кристаллов

(51)5 ГОСУДАРСТВЕННЫЙПО ИЗОБРЕТЕНИЯМПРИ ГКНТ СССР МИТЕТОТКРЫТИЯМ ИСАНИ ИЗОБРЕТЕ Е опз 975,ОЧНО-ГАбработке щедля придания ся к обработке щелов (ЩГК) для прических свойств, в их кристаллов как ользуемых в кванью изобретения явдела текучести кри имер 1.Наконтла КС определяют ный 0,5 МПа, преде ти, равный 1000 кмасть величины макс тического эффекта ляется повышесталлов,рольном образце предел текучел электрической В/см. Снимают имального элекот напряженноние кристал сти, ра прочно зависи тропла К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) ВВмогй ЯМ., СЬагаео. Озосат и опссгузтаз. - Абчапсез и Р 6 узсз, 1 ч. 24, р. 203-304.Куличенко А.Н., Смирнов Б.И. Движение дислокаций в кристаллахР под действием электрического поля. - Физика твердого тела, 1986, т. 28, М 9, с. 2796 - 2801,) СПОСОБ ОБРАБОТКИИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ(57) Изобретение относится лочно-галоидных кристалло Изобретение относитлочно-галоидных кристалдания им особых механичастности к обработке тачаС, КС,Е, широко исптовой и обычной оптике. им особых механических своиств и позволяет повысить их предел текучести. На контрольных образцах предварительно определяют предел электрической прочности Епр, скорость перемещения краевых дислокационных диполей Ч под действием постоянного электрического поля напряженностью Е и пороговую величину напряженности электрического поля Епор, как величину Е, при превышении которой зависимость максимального электропластического эффекта Лтм,. от величины напряженности электрического поля начинает отклоняться от линейности, На кристалл воздействуют постоянным электрическим полем напряженностью больше Епор и меньше Епя в течение времени 1, которое определяют из выражения У 2 ПЧ1 10 ч 2 ЬЧ, где Ь - толщина кристалла. Достигают увеличения предела текуче- сти в 3 - 5 раз. 2 табл. сти электрического поля Е. Определяют по ней, что пороговая величина Епор электрического поля, при которой эта зависимость начинает отклоняться от линейности, равна 25 кВ/см. Измеряют по дислокационным ямкам травления скорости перемещения краевых дислокационных диполей Ч при напряженности электрического поля 140 кВ/см и устанавливают, что она равна 1 мм/с. Берут кристалл КС в виде пластины толщиной Ь, равной 2 мм. Определяют для него минимальную 1 мин и максимальную 1 макс длительность воздействия электрическим полем напряженностью 140 КВ/СМ, раВНуЮ СООтВЕтСтВЕННО тмин ==,23 с.Воздействуют на кристалл постоянным электрическим полем напряженностью 140 кВ/см в течение 5 с. Для 5исключения поверхностного пробоя кристалл погружают в полиметилсилоксановуюжидкость, Измеряют предел текучести обработанного кристалла, Устанавливают, чтоон равен 1,5 МПа, т, е, достигнуто увеличение предела текучести в три раз без появления дальнодействующих внутреннихнапряжений,П р и м е р 2, Процесс проводят, как впримере 1, но изменяют напряженность 15электрического поля и длительность воздействия,Результаты измерения пределов текучести кристаллов после обработки электрическим полем в течение 2 с при изменении 20напряженности электрического поля от 0 до140 кВ/см представлены в табл, 1, а послеобработки при напряженности 30 кВ/см втечение 1 - 10 с - в табл. 2.Из примеров видно, что предлагаемый 25способ позволяет в 2 - 3 раза увеличить предел текучести кристалла без появления в нем дальнодействующих внутренних напряжений и без ухудшения его оптического качества,Формула изобретения Способ обработки щелочно-галоидных кристаллов, включающий воздействие на кристалл постоянным электрическим полем, отлича ющийся тем, что,с целью повышения предела текучести кристаллов, предварительно на контрольном образце кристалла определяют предел электрической прочности кристалла Епр, скорость перемещения краевых дислокационных диполей Ч под действием электрического поля напряженностью Е, пороговую величину напряженности электрического поля Епор, как величину Е, при превышении которой зависимость максимального электро- пластического эффекта Лхмакс от величинь 1 напряженности электрического поля начинает отклоняться от линейности, электрическое поле создают напряженностью больше Епор и меньше Ер, а длительность воздействия 1, определяют из выражения 1 ГЯ ЬУс 10 ъ, Ь/, где и - толщина кристалла,