C30B 33/10 — в растворах или расплавах

Номер патента: 191981

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Векшина, Еланска, Кроль

МПК: C30B 29/40, C30B 33/10

Метки: выявления, неоднородностей

...конобьния неоднородностеи и расесей в монокристаллах поутем аиодного травления изплотов е че предложенного сп травление осущес стоящем из иасыще ием раствора одног иой соляной кисло в течение 8 - 10 лин- 220 а/сме, Это дае неоднородности в р кристаллах антимоеи мет 10 Способ выявления неодиородн пределении примесей в моиокрис проводников путем анодного тр личающийся тем, что, с целью неоднородностей в кристаллах 15 галлия, образцы антимонида гал гают травлению в насыщенном хл моиием растворе одного объема рованной соляной кислоты в тр воды в течение 8 - 10 лин при п20 ка 180 - 220 ла/сле. особу травлению поды антимонида галлия, и поверхностями, или окисью алюминия. Испластинку из тантала, гружали в электролит,По описываемому сп вер...

Номер патента: 358287

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Золотухин, Кукуй, Скропышев, Ставровский

МПК: C30B 33/10

Метки: 358287

...соляенин криуглекис. скорости выделяю- раствореы, примее поверх- атывается я срав- способчто зари пла 10 е про ти под раствоьцием,дмет етени Сп го ш той, ния особ полирования крист пата путем обработки и отличающийся тем, что, качества полирования ие проводят в гермет ти под давлением, соз раствором соляной ки кальцием, помещенным ти,аллов исландскох соляной кислос целью повыше- кристаллов, поли- ически закрытой даваемым, наприслоты с углекисв сосуде внутри ом, что закрыислоты 2кальци.внутри тся емко мер, лым емко за ьИзобретение относится к обработке кристаллических материалов.Известен способ полирования криисландского шпата путем обработкиной кислотой.Недостатком такого способа являетснительно невысокая отражательнаяность...

Номер патента: 358871

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Вестерн, Иностранна, Иностранцы, Легранд, Соединенные, Шобха

МПК: C30B 29/30, C30B 33/10

Метки: 358871

...Из более тяжелых ионов удовлетворительным является 1.+; более крупные ионы (Р 1+, А - , Лп-, Га-, Т 1+ и др,) могут быть использованы также, хотя меньшие скорости миграции вынуждают увеличить время электролиза,Удовлетворительным является градиент напряженности в интервале от 100 до 2000 всл. Ниже минимальной величины время обработки чрезмерно возрастает; при превышении верхнего предела возможны дуговой разряд и сильный Джоулев нагрев, желательным является уровень от 150 до 500 висл. В большИнстве случае целесоооразно использовать номинальную напряженность 200 в/сл. Используемые вещества прибли;кенно имеют промежуточное строение, характеризуемое пространственно-точечной группой Р 4 Ьт (Сг ) Рассматриваемые вещества, в основном, при...

Номер патента: 1627601

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Карпеев, Купрюнин, Мелкумянц, Ракитин, Раков, Федоров

МПК: C30B 29/30, C30B 33/10

Метки: волнах, лития, ниобата, поверхностно-акустических, подготовки, подложек, фильтров

...1 Л ОИНЫ 5(ЛОК ТРДВ,(ЦИ 51Пг)и.)( г) I. 10 пц;ь 1 ожк и ( нио 6;т( .1 ития дидметроч 50 чм и толп(Но 1 мч с о;(ной стороны Илифуюг алманыч дбрдивм ло о 6 р( ц В ( н и 5 н (н (. й ч и к р о н р 0 В н Ост и Гл у нци 20 м кч. 11 оков;1 01 ь ил(еря к)т и; прфи,цгрдф(-профГол( гр н;1 пяти рд - ,изныл отрнкдк. 11 ц.ьо кку 06 рдбдтывдк; н рави (,е и ( У(П/ь нгр Ол,(ц 240 (:,И ци( 1 О чн. 1 ц,л ;1 о Ин( ркнцсь ,м 6 ипци ячцк Гр;н 1 ня,)81;) л(кч, 11 ылцл и)лложек в 0,(нук п 1 нлук(ию тгяц,учния фильтров нд поверкностпо-акусти искик Вцлндк 1(Н)".П(и, р 2 110.1 ожкирис цтдвливдк)т к( к (при л 1 ре. Иц ил 1(Н 5 к)т ВИ.1, и ст( и(.нь лилН(кц) 06 р;160 тки, сос:и( 1 р;Вит(,1 я,ЛПрдтурЛ И .ЬИт.ЬНОТЬ тр;ГкСиня 2104(:1 О(.1 11,11 ОБ)л 11 111 ;(л 1. )л 1...

Номер патента: 1710605

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Воронов, Ганина, Зейналов

МПК: C30B 29/08, C30B 33/10

Метки: выявления, германия, дефектов, монокристаллах, структуры

...диаметром 100 мм,Полировку проводят при перемешивании раствора до получения зеркальной поверхности. По окончании полировки образец промывают водой и оставляют в емкости с водой.Готовят селективный травитель, го берут 225 мл НЕ (ОСЧ 48%) (4, приливают к ней 225 мл НМОз (О (4,5 об,ч.) и 200 мл СНзСООН (ОСЧ (4 об,ч.), В полученный раствор за-г П едложенный способ Известный способП е ложенный способ Известный способСоставитель И.ВороновТехред М,Моргентал Корректор О.Кундрик Редактор В.Данко Заказ 313 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 2,6 г порошка КВг (ТУ 6-09-476-76)...

Номер патента: 1733517

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Макаров, Макарова

МПК: C30B 29/20, C30B 33/10

Метки: алюминия, выявления, оксиде, структуры, травитель

...железо.Происходила бурная реакция взаимодействия компонентов, Травление проводили вфарфоровой. емкости, которую нагревали наплитке вместе с травителем при 40 С в течение 1-2 мин. Образец из оксида алюминия в это время травился, после травленияпромывали тщательно от продуктов травле; ния водой, спиртом, Структура изучается наэлектронном микроскопе в зависимости от 50размеров элементов структуры, выявляемых травителем.Приведенные в таблице данные показывают, что по сравнению с аналогом (примеры 1 и 2) предлагаемый способ выявляет 55микроструктуру оксида алюминия, а не ямкитравления в плоскости (ОООЦ и т.д, при 4050 С вместо 680 С,В сравнении с прототипом (пример 3)предлагаемый способ значительно, увеличивает скорость травления (в 15...

Номер патента: 1737036

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Гришин, Мезин, Старостюк

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10, C30B 9/12 ...

Метки: затвердевшего, извлечения, монокристаллов, раствора-расплава

...травителя приводит к загрязнению поверхности монокристаллов1737036 Режим Концентрацияводного раствора лимон- нОЙ кислоты, о Температуратравления, С Время травления, чРезультаты травления после отмывки водой 25 24 Травления не наблюдается Частичное селективное травление Полное отделение монокристаллов УВа 2 Сцз 07-х То же Травление монокристаллов Образуются нерастворимые кристаллы посторонней азы80 30 10 24 24 14 10 24 40 10 24 36 фазой СиО. Кроме того, существенным не достатком этого травителя является высокая агрессивность и токсичность формамида и ацетонитрила.Цель изобретения - облегчение отделения монокристаллов, обеспечение чистоты их поверхности, уменьшение агрессивности селективного травителя,Поставленная цель достигается...

Номер патента: 1738878

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бунина, Гурьев

МПК: C30B 29/32, C30B 33/10

Метки: германата, монокристаллов, свинца, состав, травления

...комплекса, а также возможно ее выделение в коллоидном состоянии. Не исключено, что все эти процессы протекают одновременно, что определяется соотношением компонентов в растворе и условиями осуществления реакции (температурой, перемешиванием). К тому же многоатомный спирт способен адсорбироваться на поверхности, что влияет на особенности растворения кристалла.Пределы концентрации азотной кислоты определяют опытным путем. При содержании кислоты менее 1 мас,; реакция протекает с малой скоростью, и результат травления получается неудовлетворительный: поверхность становится матовой, доменные границы не видны. При содержании кислоты более 5 мас.ф реакция протекает с очень большой скоростью, поверхность образца получается блестящей,...

Номер патента: 1801993

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Коновалова, Цветков

МПК: C30B 29/14, C30B 33/10

Метки: калия, кристаллов, кт, оро, титания, травления, фосфата, химического

...фиг,1). На обоих рисунках (см. фиг.2 и фиг.З) область 11 относится к сектору роста грани (110), о чем говорит расположение ростовых полос, параллельных этой грани. Таким же образом определяется, что область 1 - сектор роста грани (10). Помимо этого, поверхности делятся на два участка, между которыми обозначивается довольно четкая граница (А и Б). Один из них (Б) покрыт частыми и тонкими полосками(штриховкой). На другом (А) ростовые полосы шире и расположены с большими промежутками либо совсем отсутствуют. Поверхность 11,Б кроме того имеет ямки и борозды травления (фиг,4). Бороздки и направление, трассируемое ямками, параллельны полосам. Приурочен- ность борозд и ямок травления к ростовым полосам свидетельствует, что они являются...

Номер патента: 1476980

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Захаров, Мананникова, Черпухина

МПК: C30B 29/18, C30B 33/10

Метки: кварца, кристаллов, травления

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА, включающий травление в растворе, содержащем неорганическую кислоту и нетравящие компоненты при нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения степени шероховатости поверхности, перед травлением кристалл обрабатывают в одном нетравящем компоненте или их смеси при нагреве до температуры в пределах 20oC от температуры травления.

Номер патента: 1536876

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Баранова, Основина, Петров

МПК: C30B 29/28, C30B 33/10

Метки: монокристаллических, сфер, феррогранатов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СФЕР ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРОГРАНАТОВ, включающий резку монокристаллов на кубические заготовки, придание им сферической формы, шлифовку закрепленным, а полировку свободным сменным абразивным порошком с последовательно уменьшающимся размером, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины кривой ферромагнитного резонанса и повышения выхода годных сфер по этому параметру, полировку 10,0 мкм абразивным порошком ведут с дополнительным введением алмазной пасты, например АСМ 10, а после полировки 3,0 мкм порошком сферы обрабатывают в растворе состава 0,15 H2SO4 0,05 CrO3

Номер патента: 1382056

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Децик, Леман, Трубицын

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10

Метки: локального, марганец-цинковых, монокристаллических, пластин, травления, ферритов, химического

СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛАСТИН МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВЫХ ФЕРРИТОВ, включающий нанесение защитной маски на пластины, нагрев травителя, содержащего ортофосфорную кислоту, и выдержку в нем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения анизотропности травления, нагрев осуществляют до температуры 30 100oС, выдержку проводят в травителе, дополнительно содержащем азотную и уксусную кислоты при следующем соотношении компонентов, мас.ч.Ортофосфорная кислота (уд.в. 1,72 г/см3) 55 70Азотная кислота (уд.в. 1,51 г/см3) 45 50Уксусная кислота (уд.в. 1,05 г/см3) 35 50Дистиллированная вода 100 140

Номер патента: 1577405

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Копылов, Кравченко, Куча, Некрасов, Чернушич

МПК: C30B 29/32, C30B 33/10

Метки: композиция, монокристаллов, силленитов

1. Композиция для обработки монокристаллов силленитов, содержащая полирующий порошок, травитель и воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения стойкости полированной поверхности монокристаллов к мощному лазерному излучению, композиция дополнительно содержит комплексообразователь, например трилон Б, и вещество, предотвращающее гидролиз травителя, например хлорид аммония, а в качестве травителя используют хлорид цинка при следующем соотношении компонентов, мас.%:Полирующий порошок - 0,1 - 5,0Трилон Б - 0,5 - 5,0Хлорид аммония - 1,0 - 15Хлорид цинка - 1,0 - 50Вода - Остальное2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит...

Номер патента: 1445280

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Геталов, Сербуленко, Яковлева

МПК: C30B 29/16, C30B 33/10

Метки: граней, кристаллов, парателлурита, селективный, травитель

Селективный травитель для граней {110} кристаллов парателлурита, содержащий углекислую соль щелочного металла и воду, отличающийся тем, что, с целью упрощения и сокращения времени травления, в качестве соли травитель содержит углекислый натрий и дополнительно гидроокись калия при следующем соотношении компонентов, мас.%:Углекислый натрий - 2-5Гидроокись калия - 10-20Вода - Остальное

Номер патента: 1345685

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Геталов, Сербуленко, Яковлева

МПК: C30B 29/16, C30B 33/10

Метки: граней, кристаллов, парателлурита, селективного, травления

Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита с удаленным нарушенным поверхностным слоем в водном растворе соединения щелочного металла при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения точности ориентации граней {110} методом световых фигур, травление осуществляют в 20-50%-ном водном растворе углекислого калия в течение 30-60 мин.