C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 416313

Опубликовано: 25.02.1974

МПК: C01F 7/32, C30B 11/10

Метки: 416313

...а-ходифик лучают при осаждении из рВйт и го .библ алюмииия аммиаком с последующим прокаливаиием при температуре в 11 С. Этот способ непригоден для широкого использон- иия н промышленности из-за многоступенчатой техно,чогии и высокой стоимости сьрья.Цель изобретения - получение окиси аломииия гексагоиальиой хо 1 и 1 чикзиии термических разложением а,чооаххоиих цов. Для этого и квасцы добавляют 5 -- 10 вес. а (в р;счеге на конечный продукт) предварительно по,чучеииой окиси алюминия гексагон модификации, получаемой, например, из гидроокиси аломииия.Корректор Л, Орлова Гсдзкгор Т. Фадеева Заказ 51717 Изд. М 532 Тираж 537 Подписное Ц 11 ИИГ 111 Государственного комитета Совета Министров СССР по лелям изобретений и открьпий Москва, 71(-35,...

Номер патента: 418211

Опубликовано: 05.03.1974

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова

МПК: C30B 15/36, C30B 29/06

Метки: выращивания, границами, двойниковыми, кремния, кристаллов, плоскостям

...роста уменьшаются, а ниже плоскостей двойниковаиия растет кристалл с ориентацией 100. ии кристаллов ава ца затраво плоскостям ост кристаллов 10 еющего в попепо площади лографической двойникованиявсегда может 15 выращивание ю затравку с выми границаектора 122 в 20направлению орого она изгозводимо полущие в поперечделенных двой т изобретения ре ащивают вы ральскому на ения разме противопокристаллов кремния с и ио плоскостям (111), сечениях изменяющиес различной кристалСпосоо выращивания войниковыми граница меющих в поперечных я по площади у.астки Изобретение может быть испполучения сложных кристаллдвойниковыми границамиимеюречных сечениях изменяющиесяучастки с различной кристалориентацией.Известно, что при выращиванкремния кристаллизацией...

Номер патента: 319319

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Бобр, Ивановский, Сердюков, Шмелев

МПК: C30B 29/34, C30B 9/12

Метки: 319319

...КСО 3, МдГ 2, МдО, ЯО А 1,0) добавляют один из 15 фторидных .1 Г (0,3 - 1 вес, ч.), ХаГ (0,2 - 0,3 вес. ч.), или одну из фторидных смесей эвтектического состава: МдГ, + .1 Г (0,3 - 10 вес. ч.), МдГ 2+ МаГ (0,2 - 0,3 вес. ч.), 1.1 Г + СаГ 2 (0,3 - 5 вес. ч.) и др. 20Шихту перемешивают и помещают в тигель, который герметизируется и окружается тепло- изоляционной засыпкой, Шнхту плавят при 1180 С и ниже, кристаллизацию осуществляют путем медленного охлаждения до темпе дм ет из об ния синтетнческои ва шихты, о телью увеличеанных и ограацию ведут из сверх стехиоч, фторидов в 750 в 9 С. исталлов из расплачто, с ц ренциров исталлиз ержащей - 10 вес.60 С до получения к а тениолита ийся тем ества дифф исталлов, к щихты, сод ниолита 0,2 от 1000...

Номер патента: 421355

Опубликовано: 30.03.1974

Авторы: Артамонова, Гликин, Николаева

МПК: C30B 29/22, C30B 7/08

Метки: бифталата, выращивания, калия, монокристаллов

...способов, гсмпературы задают пепосле чего ведут кривке. При выращивании снижения температуры а кристалла постепенно Изобретение относится к области выращивания монокристаллов бифталата калия.Известсн способ выращивания монокристаллов бифталата калия методом осаждения вещества, например, снижением температуры из водного раствора с добавками.Известньш способ не позволяет кристаллизовать бифталат калия из его стехиометрического водного раствора при температурах ниже 25 С, так как при этих температурах стехиометрические составы располагаются в пределах поля устойчивости соли КС 8 Н 404 ( М 4 С 8 Н 604 Х 4 НеО.Зто обстоятельство слов при их выращиватем пер атуры.Цель изобретения - расширение температурного диапазона процесса...

Номер патента: 421875

Опубликовано: 30.03.1974

МПК: C30B 29/10, C30B 33/04

Метки: 421875

...с)рыми устаиовлеиы фотоэлектрические л;ггикц стспсищ прозрачности кристалла, соеди ,ссинс с системой автоматического регулир дция цдгрева, а в резонаторе рясположецы ; ЕГЛОИЗОЛП)УоиИС ПРОК,35)ДКР ДЛ 5 РДЗС 3 с(- ия кристалла.Пд серт(О Е ПОКяэяцд ПрЕдЛЯГ;ЕМяя уетяИс)3 Г .0.3 содержит высокочасттцый генератор 7.резонатор 2, В который помецают кристдл,сы 3, окна 4, фотоэлектрические датчики 5, ьк.почеише в схему б автоматического регу,3 ОВДИИ 53, 3 Л )ЗЛРУК)Ц ЦРОКЛДДКИ 7,В исходим положении обрдодтывде)ый . р(сстялл 3 псомещдют в резонатор 2 иа тепло;.033 рт Оиис пр)окл;.ки 7. По,ости)кепи 3 )езопаторе;С 3 сии УО-тс ) гключдют систеятомдтическог регулирования, котрдя ,; (; О Очере. Вкю д ст всочастти ы й ( ,с,Р Р ОР . П ) ц ЭТО;(ОП 3 ОС...

Номер патента: 422449

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Афанасьев, Изобретени, Мащенко, Шварцман

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: бор-бариевомрасплаве, приготовления, раствора

...после наплавления. Преимущественно взвешивание тигля с раствор-расплавом ведут при температуре 1100 - 1300 С. Разработанный способ приготовления раст. вора в бор-бариевом расплаве позволяет выдерживать соотношение между компонентами с точностью не менее 0,1 вес,о/ что обеспечивает его преимущество по сравнению с известным,Пример. Реактивы ВгОз, ВаО, ГегОз, ЪгОз последовательно взвешивают и загружают в платиновый тигель, который помещают в силитовую печь и выдерживают в ней 0,5 - 1 час. После паплавления каждого компонента тигель охлаждают, взвешивают и, если не хватает некоторого количества вещества, убыль восполняют.Порядок загрузки, квалификация реактива, температура аплавления и примерный вес порции порошка для приготовления...

Номер патента: 422450

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Басистое, Голуб, Маркина

МПК: C30B 11/00

Метки: веществ, кристаллизацией, направленной, расплава

...нагревателя над поверхностью твердой фазы очищаемого вещества способствует выравниванию фронта кристаллизации. Однако при этом под нагревателем создаются самые неблагоприятные условия для конвекции расплава, Концентрирование примеси в слое расплава под нагревателем снижает эффективность очистки и вынуждает сильно перегревать расплав во избежание захвата загрязненного расплава твердой фазой.Цель изобретения - устранение захвата расплава твердой фазой.Для этого нагревателю, установленному свободно по вертикали и оказывающему давление на твердую фазу, сообщают движение по горизонтали,Кристаллизация при таких условиях позволяет устранить захват расплава твердой фазой при минимальном перегреве расплава, в результате чего по...

Номер патента: 408509

Опубликовано: 15.04.1974

Авторы: Вервыка, Кузнецов, Левинзон

МПК: C30B 25/02, C30B 29/08

Метки: изобретения(ц)408509, хтги

...эпитаксиального слоя толщиной 0,1 - 1 мкм не по зволяет возвитать бугоркам, запечатывая дефекты подложки, и препятствует образованиео микросплавов, возевикающих до начала эпитаксиального роста при взаимодействии с запрязнениями подложки, газов и применяе мых материалов.Пример 1. Способ испытан на опытно- промышленных установках.При испытаниях наракцивают слои толщиной 150 мкм со скоростью 0,7 мкм/мин на 30 германиевых подложках р-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,75 ом см, ориентированных в направлении 111 Ц, диаметром 28 мм. Окончательная обработка поверхности подложек - алмазная полировка. Перед наращиванием подложками травят газообразным хлористым водородом.Наращивают:слой толщиной 1,0 мкм при 780 С, а затем...

Номер патента: 426691

Опубликовано: 05.05.1974

Авторы: Будник, Гринченко, Игнатьев, Литвинов

МПК: C30B 11/10

Метки: питатель, сыпучих

...представлена схема питателя.Он состоит,из сепарационных камер 1 и2, соединенных между собой трубопроводом 3. В нижней части каждой камеры закреплены пористые перегородки 4 и б, под которыми расположен газораспределительный коллектор б с двухходовым краном 7. Сепарационные камеры соединены с вертикальной питательной трубкой 8 через наклонные отверстия9,в ее боковой поверхности.Питатель работает следующим образом.В сепарационные камеры 1 и 2 подаютшихту разного состава. При,переключениикрана 7 в положение 1 кислород поступаетпод пористую перегородку б. При этом шихта1 в камере 2 переходит в псевдоожиженное состояние. Унесенные частицы поступают в питательную трубу 8 через наклонные отверстия9, а затем - в горелку...

Номер патента: 403226

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Гончаренко, Изобретени, Инский, Смушков

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02

Метки: величиной, малой, монокристаллов, напряжений, остаточных

...отжпга в пзотсрмичсских условиях при температуре близкой к Т плавления.Нсдостатки известного способа состоят в том, что дополнительный отжиг проводят в условиях высоких температур, близких к температуре плавления, что усложняет и удлиняет процесс.С целью устранения указанных недостатков дополнительную термообработку кристаллов с низкотемпературным пределом пластичности и изделий из них проводят при температуре от Тпор до 1"Т,:, - 100 С .Предложенный способ в полтора раза сокращает время проведения процесса, повышает его надежность и упрощает условия проведения отжига.П р и м е р. Чонокристальную булю изнатрия хлористого диаметром 140 мм вы сотой 8 б мм помещают в печь отжига.Температуру повышают со скоростью 10%ас до 450 С. При этой...

Номер патента: 429838

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Волова, Гвоздиков, Красникова, Овечкин, Шаа

МПК: C30B 11/12, C30B 29/16, C30B 29/62 ...

Метки: 429838

...чов двуокиси титана путем окисления хлоридов титана, растворенных в распл галоидных солей щелочных металлов, температуре 750 - 950 С с последующим делением полученных кристаллов из рас ва, отличающийся тем, что, с целью вышения прочности кристаллов и уменьше коррозии аппаратуры, окисление ведут в ным паром.2. Способ по пчто водяной паргазом, взятым в ал- суб- аве способу окисторый подают ым в количе 20 25 вы- пла- по- ния уры происхо ьтате взаимо водяным па в хлористого вны, чем эле еи из эвтек- субхлорида 61) Зависимое от авт. сви(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИДВУОКИСИ Изобретение относится к способам получения нитевидных кристаллов, в частности, двуокиси титана и может найти применение в химической промышленности, а также в производстве...

Номер патента: 430532

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Конрад, Херберт

МПК: C30B 35/00

Метки: корпусов, полупроводникового, трубообразных

...могут быть сняты с трубок 8.При этом, однако, важно, чтобы температура наружной стороны трубок 8 не превышала в последующем 1250 С, так как иначе углеродная основа будет реагировать с полупроводником и полученный корпус не может быть легко снят с углеродной трубки. Такими температурами являются, С:при получении корпуса из кремния 1250 из германия 900 из СаАз 1150 из ЯС 1300 из ЯпБЬ 850 Трубки 8, мостик б и электроды 5 состоят из графита одного сорта, а вводы трубок 8, 9, 11 и вывод трубы 10 - из резистивного металла. Токопроводящие части должны быть при этом изолированы одна от другой соответствующим изоляционньгм слоем.В устройстве, изображенном на фиг. 2, также имеется подовая плита 1 и герметически связанный с ней кварцевый...

Номер патента: 430877

Опубликовано: 05.06.1974

Авторы: Бел, Всесоюзный, Дунин, Зуева, Лисицына, Шапошников

МПК: C30B 29/18, C30B 7/10

Метки: изменения, кварца, кристаллов, непрозрачного, окраски, природного

...мариона по 15 лучают 100 кг цитрина и 117 кг раухтопаза.Экономический эффект по осветлению217 кг мориона равен 45000 руб. (с вычетом1000 руб. на переработку и 4000 руб, на огранку).20 Предмет изобретения Способ изменения окраски кристаллов непрозрачного природного кварца при высоких температурах и давлениях, отличающийся тем, что, с целью улучшения ювелирных качеств и повышения ценности камня, кристаллы кварца нагревают в 0,2 - 2%-ном растворе карбонатов щелочных металлов до температуры 230 - 320 С и давления 150 - 200 атм,Изобретение относится к способам изменения окраски природных минералов, например кварца (дымчатый кварц, морион и др,) в гидротермальных условиях.Известны способы изменения окраски природных минералов при...

Номер патента: 430878

Опубликовано: 05.06.1974

Авторы: Бындин, Новиков, Ратников

МПК: C30B 13/30

Метки: бестигельнойзонной, мощности, плавки

Номер патента: 184103

Опубликовано: 25.10.1974

Автор: Рыжков

МПК: B23P 15/28, C30B 29/20

Метки: 184103

...или фильер и тому подобного инструмента, например из твердого сплава, широко применяемые в машиностроении.Предлагаемые пластинки для режущего инструмента или фильер и тому подобного инструмента отличаются тем, что они выполнены из искусственного, предварительно отожженного, монокристалла корунда, например рубина (сапфира и лейкосапфира), и вырезаны по направлениям, определяемым кристаллической решеткой, для придания им наибольшей твердости. Это позволяет использовать их в режущем инструменте вместо алмазов.Слитки из рубина, сапфира и лейкосапфира разрезают на пластинки по направлениям, определяемым ориентированной кристаллической решеткой, вследствие явления эпизотропии твердости относительно оптической оси кристалла, имеющего место...

Номер патента: 412713

Опубликовано: 15.12.1974

Авторы: Алфименков, Курцман, Суворов

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллизатор, монокристаллов, растворов

...выращивания монокриз растворов, содержащий термостат,емкость с магнитной мешалкой, для создания вращающегося маголя, отличающийся тем, что, исключения загрязнения раствора, я мешалка выполнена плавающей средственного механического контакдыми элементами рабочей емкости. Крист сталлов 5 рабочую средства нитного с целью магнитн 0 без неп та с твеИзобретение касается выращивания моно- кристаллов из растворов и может использоваться в химической и радиоэлектронной промышленностях,Известен кристаллизатор для выращивания монокристаллов из растворов, содержащий термостат, рабочую емкость с магнитной мешалкой, средства для создания вращающегося магнитного поля. Однако магнитная мешалка находится в контакте с твердыми элементами конструкций. Это...

Номер патента: 680227

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Катрич, Пугач

МПК: C30B 13/00

Метки: плавки, электронной

...рентгеновского излучения.На фиг. 1 приведена схема устройства для электронной зонной плавки; иа фиг. 2 - вольт-амперные характерис тики ограничительного диода.Устройство для электронной зонной плавки тугоплавких металлов состоит из плавильной камеры 1, вакуумного блока 2, устройства 3 для закрепления и перемещения переплавляемой заготовки 4 и высоковольтного блока 5 питания. В камере 1 размещен электронный нагреватель б. Непосредственно в полости плавильной камеры 1 размещен линейный катод 7 и цилиндрический анод 8 ограничительного диода 9, че-. рез который электронный нагреватель б соединен с блоком 5 электрического питания.Коаксиально катоду 7 у обоих торцов анода 8 установлены конические экраны 10, находящиеся под потенциалом...

Номер патента: 783374

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Гольцман, Комиссарчик, Кутасов, Смыслов, Соколова, Степанов, Язовцев

МПК: C30B 23/00

Метки: вакууме, пленок

...отверстие б. Надцилиндром 4 в стакане 2,установленакрышка 7 с отверстием по цилиндру8, диаметр которого равен диаметрувыемки. Над крышкой установлена обрабатываемая подложка 9, Для загрузкиисходного материала в цилиндрическойемкости 4 имеется отверстие и шлиф 10.Устройство работает следующим образом.Для получения пленок многокомпонентных разлагающихся соединений стехиометрического состава в выемку 5 перед. испарением помещают материал, по составу смещенный в сторону избытка труднолетучего компонента этих соединений, При испарении такого соединения в первый момент испаряются компоненты соединения в отношении, соответствующем стехиометрическому составу пленок (затем будет испарятся материал, обедненный легколетучими компонентами), Чтобы...

Номер патента: 791260

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Вольфганг, Ханс

МПК: C30B 13/22

Метки: бестигельной, зонной, плавки, полупроводникового, стержней

...конденсаторами 2, также соединенными с выходом высокочастотного генератора полыми трубами 3. Конденсаторы 2 расположены на медных пластинах 4 и 5, в которых имеются каналы 6 и 7 для протекания воды и помещены в герметичную камеру 8, заполненную трансформаторным маслом.Герметичная камера 8 жестко подсоединена к генератору полой трубой 9, Конденсаторы установлены на Ц -образные изогнутые радиаторы 10 из меди.Медные пластины 4 и 5, между которыми находятся конденсаторыскреплены посредством изолированных стержней 11 на плите 12 герметичной камеры 8. Высокочастотные каналы 6 и 7, выполненные в виде змеевиков охлаждения,подводят холодную воду к коаксиальному проходному каналу 13. При этом внутренний проход канала 1 3 соединен винтами с медной...

Номер патента: 793412

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Вольфганг, Конрад, Херберт

МПК: C30B 13/06

Метки: кремния, монокристаллов

...одиовитковой катушки, диаметр которой больше диаметра стержня максимально на Ю мм, и при глубине зоны расплава по краям стержня, равной 1/10 - 1/3 ди.аметра стержня.На фиг, 1 - схематическое изображение процесса эонной плавки; на фиг, 2 - характеристика удельного сопротивления исходного материала, полученного путем облучения. тепло.выми неитронами; на фиг. 3 - характеристи.ка удельного сопротивления после зонной плаа.3 79341Устройство состоит из исходного стержнякремния,одновитковой катушки 2, соединеннойс источником мощности 3. Зонную плавку ведут на глубину от 1/10 до 1/3 диаметра стержня, область Т, Зона расплава 4 с глубиной Т,меньшей чем радиус кремниевого стержня 1,перемещается, как минимум, один раэ вдольслитка с...

Номер патента: 802414

Опубликовано: 07.02.1981

Автор: Гриценко

МПК: C30B 25/08

Метки: газом, подложекфотоактивированным

...9. Концентрично системе зеркал 8 в камере 2расположен подложкодержатель 10 с нодложками 11, установленный нв валу 12,соединенном с приводом вращения (не показан).Ввл 12 закреплен в корпусе 13 плиты 1 и имеет отверстие 14 по центрудля вывода газов. Ввод вала 12 герметизирован уплотнением 15.В корпусе 13 выполнен также патрубок 16 и кольцевой канал для подачи вкамеру 2 реакционного газа. Детали устройства, имеющие контакт с реакционнымгазом, могут быть выполнены из реакционностойких материалов, например изфторопласта, нержавеющей стали, Поверхности зеркал 8 и 9 могут быть защищены, например, пленкой фтороргвническогополимера.Устройство работает следующим образом.Реакционный газ, подведенный к устройству, через зазор между кольцом 6и...

Номер патента: 810085

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Йорма, Туомо

МПК: C30B 23/08

Метки: пленокнеорганических, соединений, составных

...В не может помешать элементу В вернуться в газовую фазу. Эти чередующиеся ступени реакции повторяются до техпор, пока не будет получена необходимаятолщина соединения АВ.На фиг, 1 представлено устройство, поперечный разрез; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг, 1.Устройство включает камеру 1, подложки 2, на которых выращивается пленка, устанавливают на диске 3, вращающемся с помощью вала 4. Под диском 3 помещают источники 5 и 6 паров, которЬе представляют собой изолированные один от другого секторы и каждый из которых рассчитан на необходи.мое давление паров элементарных компонен.тов выращиваемой пленки. При вращении диска 3 подложки 2 попеременно оказы.ваются во взаимодействии с нарами элемента А в источнике 5 и В - в источнике б, вследствие...

Номер патента: 810086

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Герхард, Ульрих

МПК: C30B 25/16

Метки: полупроводниковогоматериала

...плиты 4 имеются две коаксиачьно установленные трубки 9 и 10 для подвода и отвода газов соответственно,В опорной плите 4 выполнено также отверстие, в которое с помощью уплотнения 11 установлен тубус 12 с контрольным окном 13 Под тубусом установлено регулируемое поворотное зеркало 14, которое связано со средством 15 наблюдения или контроля темпера. туры.При известных условиях фланец 5 также может быть упразднен и в соответствии с этим толщина стенки колокола 1 также у своего нижнего края должна совпадать с толщиной стенок в остальных частях коло. кола или даже быть суженной. Колокол 1 в своей верхней части закруглен и образует свод, вследствие чего посредством сжатого газа задана усиленная несущая способность. Сжатый газ находится в...

Номер патента: 815090

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Аксентьев, Барабошкин, Докучаев, Злоказов, Калиев, Кокшаров

МПК: C30B 7/12

Метки: электрода

...Также в перспективе возна миниатюризация, так как одноменно вживлять в монокристалл мож815090 ФорМула изобретения Составитель В. БезбородоваРедактор Г, Кацапа Техред Н.Бабурка Корректор М. Вигула Заказ 972/44 тираж 333 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 11303., оскна, ж-З, Раушская наб. д, 4 ЬФилиал ППП "патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 но от одного до нескольких токовводов.П р и м е р 1, Берут токоподвод, цредставляющий собой платиновую проволоку ф 0,1 мм, защищенную изоляционным материалом, стойким к расплавам, используемым для выращивания монокристаллов.Токоподвод погружают в расплав "вольфрамат натрия - вольфрамовый ан. гидрид" эвтектического состава, где электролизом при 650 С...

Номер патента: 815091

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Плотников, Федоров, Финкель

МПК: C30B 33/00

Метки: двойникующихся, кристаллах, поверх-ностей, ювенильных

...цель достигается тем, что в способе получения ювенильных поверхностей в двойникующихся кристаллах, включающем упругое деформирование образца, сосредоточенную механическую нагрузку прикладывают к двум естественным граням кристалла, являющимся его плоскостями спайности. Ве-. личина нагрузки, необходимой для обоазования полости, равна Р где Р - нагрузка в направлейии двойникования;- угол между нормалью к плоскости спайности и направлением двойникования.П р и м е р, Получают ювенильные поверхности в кристалле исландского шпата. Схема получения поверхностей приведена на чертеже.Берут кристалл 1 исландского шпата размером 10 х 10 х 5 мм, ограненный естественными гранями.К двум противоположным граням 2 размером 10 х 10 мм, являющимся...

Номер патента: 446145

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Гвичия, Мартиашвили, Сурмава, Тавадзе, Татишвили

МПК: C30B 29/62

Метки: алюминия, кристалловалюминия, нагревании, нитевидных

...прфере арл помещают находятся сыпанные порошком темпераона в е получают ом 1 -Пример. В кварцевуюкерамическую лодочку, в кгранулы алюминия маркипредварительно о 6 езвожеиодида цинка. Процесс ветуре 500 - 600-С в атмсочение 1,5 - 2,5 ч. В резнитевидные кристаллы100 мкм и длиной 5 - 1 О ьтате намет обретени ормул то ных кристачии алюминия тем, что, с кристаллов, цинка и про - 600 С ли водорода. цинка 600 С рода. Изобретение относится к технике получения нитевидных кристаллов, применяемых для получения композиционных материалов.Известен способ получения нитевидных кристаллов алюминия субмикронных размеров, заключающийся в том, что материал в виде проволоки помещают вокруг испарителя-катода, нагревают до температуры 1100 С, при...

Номер патента: 823474

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Белобоков, Васильковский, Мурнев, Томашевский

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостнойэпитаксии, полупроводниковыхматериалов, термообработки

...сприводными валами 9 и 11 и расположены в термостатирующей щели 18.Посредством приводов 10 и 12 осуще"ствляется поворот йриводных валов Я9,11.и вместе с ними подвижных частей кассеты. Так осуществляется поочередный .перенос к гнездам основания кассеты эпитаксиальных растворов,находящихся в гнездах подвижных час-" у тей кассеты. После заполнения гнездкассеты осуществляется эпитаксия очередного слоя полупрбводниковой монокристаллической структуры. Тепловаятруба 3 с нагревателем 6 защищенатермоизолирующим устройством 7, герметично соединенным с ее Фланцем.Тепловая труба 1 с нагревателем 5защищена теплоизолирующим устройством 8, герметично соединенным с еефланцем. По периметру соединенияфланцев тепловых труб 1 и 3, образуется...

Номер патента: 823475

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Гиндин, Метолиди

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристалловиодистого, термообработки, цезия

...иодистого цезия, а - более 2 ч приводитк существенному образованию соеди-Янений, содержащих 804 и НОэ , ухудшающих оптические свойства.На Фиг. 1 показана зависимостьпредела текучести от режима охлаждения при сжатии вдоль направления110 и 111 на фиг, 2 - изменение предела текучести в образцах после отжига от 600 С при сжатии вдольнаправлений 110 и 111; иа фиг. 603 - спектры поглощения контрольного(кривая 2) и отожженных после закалки при 100 С в течение 10 мин (кривая 3), 15 мин (кривая 4) и 30 мин 65(кривая 5) монокристаллических образцов иодистого цеэия,П р и м е р . Способ опробованприменительно к обработке монокристал.лов иодистого цезия выращенных.методом Стокбаргера в вакуумных кварцевых ампулах, Иэ полученного монокристального...

Номер патента: 827621

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Иванов, Николайкин, Павлов, Свинцов, Сигалов

МПК: C30B 25/08

Метки: газовой, осаждения, слоевиз, фазы

...экс плуатяции и повьцпение надежности работы аппарата.Это достигается тем, что устройство содержит герметичную камеру со средствами подачи и отвода газа, внутри которой коаксиальцо смонтированы последовательно один в другом водоохлаждасмый индуктор, кВар цсВый КО 1 па к и по;ложкодержатель. Средство для отвода газа выполнено в виде осевого сквозного патрубка, црох)- ,ящсго через кварцевый колпак, внутри водоохлаждясмого индуктора и сообщающегося с рабочей полостью камеры.На чертеже показац общий ид устройстВа д;151 Осяждсция слосв из ГсЗОВОЙ фазы,УстрОЙство содержитсрмстггиую камеру 1, срс;ство струйной подачи 2 и отвода ) газов, полый дср)катель 4 подложек 5, внутренний Болэохлаждасмый д ктор б, От;слсниый От полости 7 камс- )ы 1...

Номер патента: 850766

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Буров, Герасимчук, Смыков, Фролов

МПК: C30B 11/10

Метки: качества, моно-кристаллов, оценки, рубина

...в соответствии с номенклатурой н сопоставлении их с соответст-вующими значениями для сортов этоговида продукции. Повышение сорта кристаллов связано с увеличением их геометрических размеров й уменьшением850766 Из таблицы следует, что повышение сорта кристаллов по предлагае.мому способу полностью соответствует возрастанию их потребительской полезности. Способ осуществлен на вы" борке кристаллов объемом 1800 шт. нз серийно выпускаемой продукции.В табл.2 приведены данные выхода сортной продукции по известному и предлагаемому способам,Таблица 1 Сортностьпо способу ште Единичные показатели кацества крнсталПмм мм мм отй,ппшт. шт., предла" гаемому извест мм ному 1 В,О В,О38,О 250 ОО О О 644 Т П 1 238 й Отход 1127 Щ 1 40 0,.2 4 22,0 10,5...