C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1730222

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...МЭтот способ не требует использования атмосферы галогена, однако не позволяе 1 производить очистку кристалла, Цель изобретения - очистка монокримй сталлов от примесей.Поставленная цель достигается тем, что электролиз монокристалла, подвергаемого очистке, ведут при температуре на 30 - 50" С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 МА и после отключения тока кристалл выдерживают при указанной температуре не менее 30 мин,Заказ 1492 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Как показали опыты, электролиз для введения галогена целесообразно осуществлять...

Номер патента: 1730223

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Васев, Зайцева, Пополитов, Спицына

МПК: C30B 29/14, C30B 33/04

Метки: аналогов, дейтерированных, дигидрофосфата, калия, кристаллов, оптических, элементов

...К на длинах волн светового излучения 200 и 700 нм, 10 - полоса поглощения при 220 нм; на фиг, 4 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла КДР, содержащего полосу поглощения при 280 нм и слабую полосу при 220 нм, от дозы гамма-излучения, где 11 - интенсивность ПП при 280 нм; на фиг, 5 - зависимости изменения величин КЛ-среза пирамиды кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения; на фиг, 6 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения,Наиболее распространенные изделия из кристаллов КДР и ДКДР - удвоители и утроители частоты лазерного излучения. В этих изделиях наиболее полно используются ИК- и УФ-области спектра. Поэтому...

Номер патента: 1733515

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Денисевич, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/02, C30B 29/22

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

...сверхпроводников в системе В 1 Зг-Са-Сц-О с одинаковой температуройперехода в сверхпроводящее состояние.Использование скоростей свыше 5 мм/чухудшает условия гомогениэации расплава.С момента изменения напряжения наиндукторе (т 4) скорость перемещения тигля устанавливают 0,01 - 0,8 мм/ч и поддерживают до полной кристаллизациирасплава, после чего увеличивают скорость.перемещения тигля до 10 мм/ч, реализуетсяотжиг полученного материала (область Ч).Уменьшение скорости перемещениятигля меньше 0,01 мм/ч не улучшаетсвойств полученных монокристаллов повоспроизводимости температуры переходав сверхпроводящее состояние Тс измененной при сопротивлении, близком к нулю, носущественно снижает Тс этих кристаллов.Увеличение скорости перемещения тигля...

Номер патента: 1733516

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Бойков, Грибанова

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02

Метки: пленок, системы

...обогащенной20 висмутом, а также пленка становится неоднократной по толщине. Отклонения составапрослоек между кристаллами от стехиометрического проявляются, таким образом, привыходе времени отжига как за верхнюю, так25 и за нижнюю границы заявляемого диапазона, что влечет за собой снижение критического тока,. Также необходимым признаком предлагаемого способа является величина пар 30 циального давления активных компонентоватмосферы, в которой производится обработка, Парциальные давления кислорода -Ро и паров В 1-Рв должно находится в интервалах 1,5 - 15 и 0,1 - 1,5 Па соответствен-35 но. При величинах Ро1,5 Па происходитобеднение приповерхностного слоя пленкии областей вблизи границ кристаллитов кислородом и вследствие этого падение 1 кр,...

Номер патента: 1733517

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Макаров, Макарова

МПК: C30B 29/20, C30B 33/10

Метки: алюминия, выявления, оксиде, структуры, травитель

...железо.Происходила бурная реакция взаимодействия компонентов, Травление проводили вфарфоровой. емкости, которую нагревали наплитке вместе с травителем при 40 С в течение 1-2 мин. Образец из оксида алюминия в это время травился, после травленияпромывали тщательно от продуктов травле; ния водой, спиртом, Структура изучается наэлектронном микроскопе в зависимости от 50размеров элементов структуры, выявляемых травителем.Приведенные в таблице данные показывают, что по сравнению с аналогом (примеры 1 и 2) предлагаемый способ выявляет 55микроструктуру оксида алюминия, а не ямкитравления в плоскости (ОООЦ и т.д, при 4050 С вместо 680 С,В сравнении с прототипом (пример 3)предлагаемый способ значительно, увеличивает скорость травления (в 15...

Номер патента: 932853

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Меликсетян, Тобелко, Урусов

МПК: C30B 29/14, C30B 9/06

Метки: двухвалентного, европия, фторфосфата

...цель достигается тем, что в спбсббе получения ФторфосФата двухвалентного европия путем м1Редактор О.Филиппова Техред М,Моргентал Корректор И.Эрдейи Заказ 2436 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета но изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Проиэводстненно-издательский комбинат "Патент" г.ужгород, ул. Гагарина, 101 932валентного европия при нагревании,Фторид европия берут в 11-15-кратномизбытке по отношению к ФосФату ев"ропия и нагревание ведут до 13001350 С с последующим охлаждением соскоростью 8-12 С/ц,Способ позволяет получать.монокристаллы в виде гексагональных призмразмером 6-8 мм.Оптимальной температурой, процесса получения монокристаллов ФторФосФата двухвалентного европия...

Номер патента: 1737034

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Леонюк, Меликсетян, Урусов

МПК: C30B 29/32, C30B 9/06

Метки: бария, выращивания, монокристаллов, титаната

...скоростью 20-30 С/ч, выдерживают при этой температуре в течение 8-10 ч, затем охлаждают до температуры 800 С со скоростью 1-3 С/ч.В таблице представлены экспериментально найденные параметры процесса кристаллизацииПри других соотношениях исходных компонентов и температурных режимах и ложительный эффект отсутствует,П р и м е р 1. Смесь ВаТЮз, В 20 з, КГ, взятую в соотношенг и 10,6 и 84 мас.0 ь соотСостав смеси, мас.ВаТОз ВгОз КР 80-65 8 - 10 20-30 1 - 3 Качест, не- сдвойникованные, объемные монокристал- . лы кубической формы толщиной в несколько миллимет ов Составитель Н,МеликсетянТехред М,Моргентал Корректор М.Пожо Редактор М.Петрова Заказ 1871 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР...

Номер патента: 1737035

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Дмитрик, Мизяк, Момот, Патон, Притула, Пузиков, Семенов, Семиноженко

МПК: B23K 10/02, C30B 23/02, C30B 29/04 ...

Метки: покрытие, термостойкое

...гексагональных алмазов,имеющих форму эллипсоидов вращения с30 осями 9 - 10 А и 5 - 6 А. Граничные участкимежду ними представляют собой совокупность одиночных тетраэдров. Причем объемграничных участков в 1,4 - 1.6 раза превышает объем упорядоченной области,35 Кроме того, структура кристаллитов является текстурированной - большие оси эллипсоидов ориентированы в направлении0001. Учитывая, что ориентация выделенных направлений связана, видимо, с на 40 правлением передачи энергии и импульсаиона пленке, ориентация больших осей кристаллов 0001 нормальна поверхностипленки, Структура пленки содержит высокую концентрацию дефектов ввиду того, что45 тетраэдры граничных областей не взаимодействуют друг с другом, и степень заполнения ими...

Номер патента: 1737036

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Гришин, Мезин, Старостюк

МПК: C30B 29/22, C30B 33/10, C30B 9/12 ...

Метки: затвердевшего, извлечения, монокристаллов, раствора-расплава

...травителя приводит к загрязнению поверхности монокристаллов1737036 Режим Концентрацияводного раствора лимон- нОЙ кислоты, о Температуратравления, С Время травления, чРезультаты травления после отмывки водой 25 24 Травления не наблюдается Частичное селективное травление Полное отделение монокристаллов УВа 2 Сцз 07-х То же Травление монокристаллов Образуются нерастворимые кристаллы посторонней азы80 30 10 24 24 14 10 24 40 10 24 36 фазой СиО. Кроме того, существенным не достатком этого травителя является высокая агрессивность и токсичность формамида и ацетонитрила.Цель изобретения - облегчение отделения монокристаллов, обеспечение чистоты их поверхности, уменьшение агрессивности селективного травителя,Поставленная цель достигается...

Номер патента: 1738876

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Карасик, Качарава, Тогонидзе, Цинцадзе

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов

...малую площадь контакта с шихтой, что исключает растрескивание кристаллов за счет разности температурных коэффициентов расширения,Целью изобретения является увеличение размеров, повышение выхода кристаллов и облегчение их извлечения из шихты.Поставленная цель достигается тем, что приготовленную смесь из ВаО, СцО и У 1 ВагСозО-х нагревают в алундовом тигле до 970 - 990 С и выдерживают в течение 24 - 30 ч, после чего тигель перемещают через градиент температуры1,5 С/мм со скоростью 1 - 2 мм/ч, при этом в температурной области 700 - 600 С охлаждение производят со скоростью 15 - 20 С. Весь процесс роста происходит в атмосфере воздуха.На фиг. 1 дача установка зонной плавки; на фиг. 2 - температурный профиль установки.Сущность изобретения...

Номер патента: 1738877

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Безрукавников, Емельченко, Малюк, Масалов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов

...ниже температуры спонтанной кристаллизации, но выше 1050 С, после чего изменяют направление температурного градиента на противоположное и ведут рост монокристаллов в охлаждаемой верхней части раствора-расплава при постоянной температуре.В предлагаемом способе рост монокристаллов происходит за счет массопереноса кристаллообразующих компонентов путем естественной конвекции от питателя к кристаллоносцу(либо затравке) в поле температурного градиента при постоянной температуре на фронте кристаллизации. Питатель формируется в нижней части кристаллизатора в ходе охлаждения расплава со скоростью 10 - 50 град/ч в поле температурного градиента от температуры выше температуры ликвидуса до температуры ниже температуры начала спонтанной...

Номер патента: 1738878

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бунина, Гурьев

МПК: C30B 29/32, C30B 33/10

Метки: германата, монокристаллов, свинца, состав, травления

...комплекса, а также возможно ее выделение в коллоидном состоянии. Не исключено, что все эти процессы протекают одновременно, что определяется соотношением компонентов в растворе и условиями осуществления реакции (температурой, перемешиванием). К тому же многоатомный спирт способен адсорбироваться на поверхности, что влияет на особенности растворения кристалла.Пределы концентрации азотной кислоты определяют опытным путем. При содержании кислоты менее 1 мас,; реакция протекает с малой скоростью, и результат травления получается неудовлетворительный: поверхность становится матовой, доменные границы не видны. При содержании кислоты более 5 мас.ф реакция протекает с очень большой скоростью, поверхность образца получается блестящей,...

Номер патента: 1740504

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Абаджян, Готальская, Егоров, Жуков, Кабанович, Мурадян, Рыжков

МПК: C30B 7/10

Метки: выращивания, кварца, монокристаллов, шихты

...кварца отличается тем, что для обеспечения получения высокопрочных брикетов-кусков, в качестве исходного материала берут аморфный диоксид кремния при влажности 20 - 25%, а обжиг прессованных брикетов осуществляется при 1350-1400 С в шахтных печах в атмосфере водяных пэров в течение 2 ч, после чего брикеты дробят на куски размерами 20 - 35 мм,Установлено, что снижение влажности исходного диоксида кремния способствует уменьшению пористости, а повышение температурыы обжига укорачивает длительность процесса обжига максимум до 4 ч.Предложенный способ подготовки шихты бып испытан в лабораторных и полупромышленных условиях.Способ реализуют следующим образом.Исходный аморфный диоксид кремния с суммарным содержанием микропримесей не более 5...

Номер патента: 1740505

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Безматерных, Васильева, Жгун, Темеров

МПК: C30B 15/00, C30B 9/12

Метки: выращивания, гематита, монокристаллов

...затравочным кристаллом раствора-расплава при температурах, на 510 С выше температуры насыщения, ипоследующее охлаждение раствора-расплава до начальных температур раэращивания в течение 15 - 20 мин позволяетрастворить нарушенный поверхностныйслой затравки и избежать спонтанного зарождения на начальной стадии. С повышением температур и времени охлажденияиз-эа сильного оплавления затравок ухудшается качество наращиваемого слоя,Начальная температура роста Т = Тнас --(5 - 10) С выбирается в середине зоны метастабильности. Процесс роста завершаютпри температурах 800 - 850 С, так как ниже800 С кристаллизуются фазы, содержащиекомпоненты растворителя.При скоростях охлаждения растворарасплава менее 0,7 С/сут не обеспечивается необходимый...

Номер патента: 1740506

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Губарев, Проскочило, Рахманин, Стрелов

МПК: C30B 15/10

Метки: выплавления, оксидов, остатков, расплава, тугоплавких

...р. Тигель из иридия Ф 80 мм с остатками расплава граната ббзба 5012 весом 1500 г, Контейнер для выплавления изготовлен из нержавеющей стали с размерами: Н =ф= 160 мм, На внутренней стенке контейнера на высоте 20 мм от верх-него основания на двух перпендикулярных диаметрах приварены 4 держателя. На держателях собран. тепловой блок с тиглем, расположенным таким образом, что его верхнее основание находится в центре индуктора. Блок выплавления стандартный (Яе 0.025.938 ТК в комплекте Яе 0.025.035(54) СПОСОБ ВЫПЛАВЛЕНИЯ РАСПЛАВА ТУГОПЛАВКИХ ОК (57) Изобретение относится к плавления остатков расплава оксидов и позволяет исключит ние выплавляемых остатков рас риалом контейнера. Дно конте переливанием расплава выклад оксидного материала.КТД). На...

Номер патента: 1533371

Опубликовано: 15.06.1992

Автор: Лубе

МПК: C30B 15/24

Метки: кристаллизации, процесса, расплава

...положение риска по датчику 11, По мере кристаллизации расплава диск 5 перемещается внаправлении движения границы расплавкристалл со скоростью, обеспечивающейпостоянство или иэненение в заданныхпределах крутящего момента. Положение1533311 Составитель В. федоровТехред И,Дидык Корректор О, Кравцова,МР ела к тор Т. Горичева Заказ 2310 Тираж 236 Подпис ноеВНИИ 11 И Го:уларствецного комитета по изобретениям и открыгиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Рэушсквя наб., д. 4/5 роизволственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, О 1рацицы раздл опрелелвтс в по покааццям латников 8 и 11 и цо грвдуирод гной зависимости крутяего моментаог расстояния между диском и границейраглав-кристалл. В лонце процессакгц:таллцзации диск...

Номер патента: 1745779

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Бузовкина, Васильев, Викторов, Волков, Каргин, Петров, Скориков, Тале, Шульгин

МПК: C30B 15/02, C30B 29/32

Метки: висмута, монокристаллов, ортогерманата

...смешивают в стехиометрическом соотношении 2;3, помещают в платиновый тигель и и рокаливают в воздушной атмосфере в течение суток при 850 С. В известном способе не требуется дополнительной выдержки шихты в видерасплава при 1050 С, не предьявляется также дополнительных жестких требований ксохранению стехиометрии исходного состава шихты, отсутствует необходимость в обеспечении контроля шихты непосредстпарения ВгОз, так и вхождения в шихту неконтролируемых примесей из тигля.Наиболее близким к изобретению является способ выращивания кристаллов ортогерманата висмута, содержащий оксид европия, методом 4 охральского. Шихту прокаливают в платиновом тигле медленными шагами до 850 С. Возникающий в процессе нагрева при испарении соединений...

Номер патента: 1745780

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Антонов, Леонов, Рыбинцев, Сатункин

МПК: C30B 15/28, G05D 27/00

Метки: выращивания, жидкостью, защитной, методом, монокристаллов, процессом, чохральского

...запас устойчивости замкнутой системы в обычном способе Чохральского, Повышение степени астатиэма впервую очередь требуется для обеспеченияточного отслеживания нелинейного программного задания в режиме формирова-.ния конусов. Очевидно, что задача синтезауправления для обычного способа Чохральского практически совпадает для способаЧохральского с жидкостной герметизацией, 25если формирование конуса происходит полностью под флюсом. В этом случае уравнение наблюдения (21) упрощается иопределяется в видеУ(1) = У 1(1) = С(1)Х(1) + Ю (1) Й(1). (22) 30В уравнениях (21) и (22) в отличие отобычного способа Чохральского появляетсяизвестный заранее множитель (1 - , ), Прианализе замкнутого состояния вектор входных воздействий 0 (1) необходимо...

Номер патента: 284778

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Петров, Титова

МПК: C01G 49/00, C30B 29/28

Метки: висмут-кальций-железо-ванадиевых, выращивания, гранатов, монокристаллов, общей, основе, ферромагнитного, формулы, шихта

...насыщения не превы шает 600 гс, а ширина линии Ферромагнитного резонанса не менее 1 э. Но известный материал обладает низ" ,кой намагниченностью и широкой линией Ферромагнитного резонанса,Для получения монокристаллицеских составов со значением Х, равным 1,38"1,46, увеличения намагниценнос ти и сужения линии Ферромагнитного резонанса, исходные компоненты берут в следующих соотношениях, вес.Ф: В 10 19,43-8,09СаСО 13,07-17,53Ре 0 34, 80-38,61Что з 5,95-8,79РЬО 26,75-26 98П р и м е р. Исходные компоненберут в соотношении, вес.4:В 1. 08,09, СаСО17,53, Рео з 38, 61;8,79, РЬ 0 26,98, Подвергают их випомолу и полученную смесь помещаюпечь для выращивания монокристаллПодъем температуры осуществляют сскоростью 150 С/ч до 1250 С/ч с...

Номер патента: 412748

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Пухова, Сочивко

МПК: C01G 49/00, C30B 29/28

Метки: граната, материал, основе, термостабильный, ферритовый

...с понидени ем температуры иэ-за приблидения к точкам компенсации.1(ель изобретения - сохранить намагниченность на уровне У-ГЙ резко снизить значение Ь Н, сместить точки компенсации в сторону низких температур и повысить термостабиль-; ность при низких температурах.Это достигается тем, что компонен ты шерритового материала берут в сле дуюцих соотношениях, мол.3: 5 О 412748 А 1 Н смешения точки торону низких температермостабильности при урах исходные компонено ующих соотношениях, мол. 4 1 251,25-6,25 58,75-3,75 го состава дает выиг льности Аплод в диг 5 . 100 д С до лю. 150- Н в том же диапазоП р и м е р. Синтез материала ведут по окнсной керамической технологии. В качестве исходных компонентов используют окислы т. Омарки "о",...

Номер патента: 1354798

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Абаренкова, Иванова, Саенко, Харинская, Шильников

МПК: C30B 29/22, H01F 1/10

Метки: кристаллический, материал, ферритовый

...порошок измельчают в вибромелькице, после чего из него прессугот таблетки диаметром 5,8 мм и высотой 8 мм. Таблетки обжиГают при 1300 С в потоке азота.Выращивание мококристаллов производят модифицированным методом Бриджмека, позволягошим получать крупногабаритные и однородные кристаллы диаметром 50 мм и длиной 100 - 150 мм. Температура выращивания 1620-1640 С,о скорость выращивания 2 мм/ч, температурный градиект в зоне роста -10 град./см, давление кислородао ,1 атм, скорость охлаждения по 50 С/ч до 1200 С и 25 С/ч от 1200 До 300 С. Состав кристалла (лгас.%) определяется микроректгекоспектральным анализом, а содержание оксида железа (111) химическим анализом; 4798 2МпО 16,8ЕпО 12,9РеО 2,3Ре 0 67,8Полученный материал имеет следующие...

Номер патента: 1747544

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, оксида, тантала

...существенны с точки зрения достижения цели изобретения, т,е. до получения максимального выхода монокристаллов оксида тантэ ла, Значение температурного перепадатакже является существенным с точки.зрения достижения цели изобретения. Понижение температурного перепада ( ЛТ20 С) приводит к уменьшению пересыщения, не обходимого для роста кристаллов, а следовательно, к увеличению длительности процесса получения монокристэллов оксида тантала (Ч). Увеличение значения температурного перепада ( ЛТ30 С) 35. способствует интенсивному массопереносуисходной шихты Та 205 в верхнею зону реакционного пространства реактора.Это обстоятельство приводит к сильнойскорости зародышеобразования по сравне нию с ростом криСталлов Та 205 и последниеимеют малые...

Номер патента: 1754806

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Дыменко, Пополитов, Сыч

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: sb(sb, гидротермальный, монокристаллов, растворов, твердых

...скорость образования которых превышает 35 скорость их роста. Результатом этого конкурирующего процесса является незначительный размер монокристаллов.Отношение жидкой и твердой фазы является существенным для поддержания 40 длительного пересыщения в реакционнойзоне образования кристаллов. Если, например, взять количество твердой фазы по объему равной жидкой, то практически получается вязкий раствор, который затруд няет массоперенос и снижает подвижностьрастворенных компонентов шихты. Это об- .стоятельство лимитирует образование и выход монокристаллов твердых растворовЯЬ(ЯЬхй Ь 1.х)0450 . Таким образом, все отличительные признаки способа причинно связаны с целью изобретения и достаточно для его осуществления, Нарушение того или...

Номер патента: 1754807

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Васильев, Дудкина, Каргин, Скориков, Цисарь, Чмырев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/34

Метки: висмута, монокристаллов, силиката

...монокристалла В 123 Ого ведут по методу Чохральского при скорости вытягивания 0,7-1,6 мм/ч и скорости вращения 30 об/мин при программном снижениитемпературы расплава, При соотношениимассовых процентов компонента А к5 В 123 Ойдо в шихте 7,5-50 мас,поглощаетсяфоточувствительность в диапазоне 0,4-0,7мкм видимой части спектра при уменьшении коэффициента оптического поглощенияс сохранением его электрооптических10 свойств. Электрооптический коэффициентдля полученных указанным выше способоммонокристаллов силиката висмута равенЧ 41=(4,4 + 0,2) пм В в видимой части спектра, что говорит о том, что он не ниже, чем у15 нелегированного В 12302 о, у которогоЧа 1=4,2 й 0,2 пм В на длине волны Л=546нм,Электрооптическая эффективность полученных...

Номер патента: 1756392

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Векшина, Нагибин, Пепик, Попков

МПК: C30B 15/00, C30B 29/40

Метки: антимонида, индия, монокристаллов

...эффективного коэФФициейта распределенияпримесей от величинымагнитного поля,воздействующего на расплав, При этом легирование проводят на концентрации носителей заряда (3 - 6)10" см . В работе сиспользованием критериев тепломассопереноса объясняются причины возрастаниякоэффициентов распределения указанныхвыше примесей, 8 данном случае исследования по влиянию магнитного поля на электрофизические параметры получаемогоматериала не проводились,Целью изобретения является увеличениявыхода монокристаллов с подвижностью носителей заряда более 5 10 см /В с ч,э 2Поставленная цель достигается с помощью МГД устройства "поперечйого магнитного поля, позволяющего получать в"центре тигля магнйтное поле с индукциейдо 0,3 Тл.После наложения...

Номер патента: 1756393

Опубликовано: 23.08.1992

Автор: Зубрицкий

МПК: C30B 29/46, C30B 31/06

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

...плоскопараллельную кювету, в которую заливают дизлектрическуо жидкость, например, этилацетат, К пластине (лучше к ребру, в любой точке) от генератора высоковольтных импульсов подводят игловой электрод, Импульсом напряжения отрицательной полярности амплитудой 3 - 40 кВ возбуждают в полупроводнике приповерхностный стримерный разряд, наблюдающийся в аиде густой ярко- светящейся сетки зеленых нитей, напоминающей ветвь елочки. Диэлектрическая жидкость служит при этом обострителем фронта импульсов (с микро- к наносекундному диапазону длительностей). Маркируют1756393 Составитель В, ЗубрицкийТехред М,Моргентал Корректор М; Тка едак огу аз 3064 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035,...

Номер патента: 1466286

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Алешин, Божевольнов, Карелин, Шавер

МПК: C09K 11/61, C30B 29/12

Метки: кальция, кристаллов, основе, термолюминофор, фторида

...скорость 18 мм/ч; нрси 1 синтеза 3 ч. Создание фтор;и;уц,н,ей тмос3 1466286ф(эры осуществляют Продуктами пироли- известных люминофоров с разными акэа тефлона. гиваторами.После охлажденйя кристалл иэвле- Чувствительность к о/ - и р -иэлу кают иэ тигля и разрезают на таблет- чениям определяли при облучении обкй толщиной 1 мм, При необходимости раэцов источниками Рц и г Ка5 гЗ 9 ггф полученный кристалл может быть рас-. соответственно, фединг - сравнением тбрт в порошок с последующим таблети- светосумм после облучения источнированием его для полуения детекто- ком Ка через 0,5 ч и через 1 мес.ггпура Запасенную светосумму регистрироваоПри приготовлении термолюминес- . ли в интервале температур 20-320 СЪ о центного материала в виде...

Номер патента: 1452223

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Андреев, Воеводин, Грибенюков, Зуев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00, G02F 1/35 ...

Метки: излучения, монокристалла, оптического, параметрического, преобразователя, частоты

...сечений моно- кристалла ЕпСеР 1, имеет азимутальный Угол Ч " 0 ипи90 , что экви- валентно у, Оф из-за физической неразличимости направлний х и у в кристалле 2 аСеР (это также следует иэ выражений для эффективной нелинейной восйриимчивости для трехчас"тотного параметрического взаимодействия).Пересечение плоскостей ( ОО) и(010) - на чертеже эти плоскостинредставленм сечениями кристаллаЕпСеР с контурами, обозначенными соответственно точками АВГМ ЕМ,Р и ГМ,СИ 3 - аредставляеФ собой отрезокоптической осн кристалла с, обозначенный отрезком РР, относительно которого проводился отсчет углов синхрониэма О . Разметка эквивалентных направлений синхронизма АА, А, и А и измерение угловых отклонений этих направлений относительно оси роста...

Номер патента: 1761823

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 29/58, C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...только в такую же белковую камеру. Общая полупроницаемая мембрана гарантирует проникновение солевого раствора в камеры белкового раствора только путем диффузии через мембрану. Известно поименение эластичной емкости с нажимным устройством, например, в передвижных уплотнениях, где необходимо соблюдение точно абсолютной герметичности поршневой системы. Однако известное устройство применяется как передвижное уплотнение в отношении агрессивных сред5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 или усиления давления, но не может использоваться для выращивания кристаллов белка.Предлагаемое устройство служит этой цели. Наличие корпуса с полостью с присоединенными двумя эластичными емкостями, каждая из которых имеет сообщение с полостью корпуса через клапан...

Номер патента: 1761824

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Егоров, Копьев, Леденцов, Максимов, Мамутин

МПК: C30B 23/08, C30B 29/22

Метки: выращивания, оксидных, слоев, сложных, соединений

...по толщине слоев, Для калибровки потоков атомов металлов слои металлов напылялись на холодную подложку, часть поверхности подложки маскировалась, После выращивания измерялась толщина слоев в электронном или интерференционном микроскопе, Интенсивности потоков молекул ВаО и ВаР 2 калибровались по толщине эпитаксиальных монокристаллических слоев ВаО и ВаЕ 2, выращенных при температуре подложки 400- 600 С, Интенсивности потоков рассчитывались из измеренной толщины слоев и их плотности.В процессе выращивания интенсивность потоков атомов и молекул контролировалась масс-спектрометром Ва 1 еггОМа 140. Все слои выращивались на подложках ОаАз(100), прошедших химическую очистку, травление и пасси вацию поверхности слоем естественного окисла,...