C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1660407

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Девятова

МПК: C30B 29/30, C30B 33/08

Метки: бария-стронция, ниобата, травитель

...1 Зерен осадка нет,чистая поверхность 1 О 2) Травление. Подготовленную дляобработки ппастнну выкладывают воткрытый торопластовый стакан, заливают слоем травителя толщиной 12 си и при перемешивании выдерживают в течение времени, предварительно определенного по контрольномуобразцу,3) Прекращение травления. По окончании необходимого времени образецвынимают из.травителя, тщательно промывают под струей деиониэованной во"ды с обеих сторон,4) Сушка. Тщательно отицтую пластину сушат либо под струей осушенно-.го воздуха нлп инертного газалибоцентрифугированием,П р и и е р. Пластину монокристаплнческого кремния с сформирован Сным слоем ниобата бария-стронция высушивают до постоянного веса на мик. роаиалитических весах с точностью(510) О" г,...

Номер патента: 1763526

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Нищий

МПК: C30B 23/00, C30B 29/62

Метки: игольчатых, кристаллов

...температуру повышают до 1 200 и полученную воздушно-аэрозольную смесь охлаждают до 14-15 С,Способ осуществляют следующим образом. Для получения аэр новую лодочку заклад лического цинка. Прогрев металла, пр для получения аэрозолей чах СУОЛ - 1/2-25 с автома ровкой температурных ре помещается в титановых л печи размещены кварцевь ненные со специальнымЗаказ 3432 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент, г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 для охлаждения полученных испаренныхаэрозолей металлов;В печи металл расплавляютдо 800 С, досостояния "возгонов" (испарения), затем через реометры подают воздушно-аргоннуюсмесь...

Номер патента: 1765265

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Рандошкин, Слинкин, Чани

МПК: C30B 29/14, C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, оро, раствора-расплава

...шихты, при нагревании шихты, как показал наш опыт, наблюдается "пузырение" расплава и, как следствие, его разбрызгивание, Для уменьшения влияния этого отрицательного эффекта приходится наплавлять тигель малыми порциями(не более 20 О объема), а температуру повышать со скоростью не более 20-50 град/ч, Зто усложняет и удлиняет процедуру приготовления РР. В заявляемом изобретенил смешивали не все компоненты, а только два Т 02 и КР 04, Зту смесь помещали на дно тигля, Сверху в тигель засыпали К 2 СОз, Такой способ заполнения тигля предотвращал неконтролируемое разбрызгивание РР, При скорости .разогрева более 700 град/ч на первом этапе и риходится использовать мал ои нерционную печь, что снижает воспроизводимость кристаллообразующих свойств...

Номер патента: 1767049

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Водолазский, Глыва, Кособуцкий, Хапко

МПК: C30B 23/02, C30B 29/02

Метки: пленок, теллура

...не менее 1 ч. Затем на нее проводят осаждение пленок теллура. Обеспечивается увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленки,пленка; 2 - подложка), наличие которой не- З удовлетворительно сказывается на механи- у ческих свойствах пленок теллура, т.е. имеет место их отслаивание от подложек при тер- С. моударе,Цель изобретения - увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленок к термоудару. -ФйСпособ осуществляют следующим образом, Поверхность подложки подвергают химико-динамической полировке, затем отмывают в деионизированной воде, сушат в потоке сухого азота, производят термоот- к, жиг в вакууме при температуре, при которой + происходит эФфективное испарение анион- сОной составляющей...

Номер патента: 1767050

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Быстрова, Вистинь, Соболев, Федоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: материал, монокристаллический, оптический

...- С, которая удовлетворяет следующему соотношению: С = (127,4 г - 84-127)1 мол.%,где г- ионный радиус редкоземельного элемента по системе Шеннона для координационного числа 8 или средний ионный радиус всех редкоземельных элементов, входящих в твердый раствор, А,Интервал концентраций для редкоземельного элемента, равный й 1 мол.%, был выбран потому, что, как видно из диаграмм состояния, отклонение равновесного коэффициента распределения примеси от единицы в этом интервале не превышает=.0,1%. Это обеспечивает равенство эффектианого коэффициента распределения примеси единице, отсутствие сегрегации и безъячеистый рост практически при любых скоростях кристаллизации.Таким образом, использование установленной экспериментальной...

Номер патента: 1768675

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Варгулевич, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/08, C30B 25/12

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты, под которыми в диске и в основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки, и средства ввода и вывода газов, в нем в сателлитах на стороне, обращенной к диску, выполнены газотранспортные канавки, имеющие форму и угловое расположение газотранспортных канавок в диске и направленные навстречу им.На фиг.1 изображен общий вид устройства; на фиг.2 - сечение А - А на фиг.1; на фиг.3 - сечение Б - Б на фиг.1,Устройство содержит реактор, включающий корпус 1 с крышкой 2 и основанием 3, внутри которого установлены два экрана 4 и 5, средстьо ввода ПГС, выполненное в виде трубки 6 для ввода компонентов 3-ей группы с водородом и трубки 7 для ввода компонентов 5 группы...

Номер патента: 1772222

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Булышев, Парфенов, Серых, Шнейдер

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, высокотемпературного, монокристаллов, сверхпроводника

...С в течение6 . Затем смесь доводят до плавления ичерез 2 ч хлажда ат с печью до комнатнойтемп "а.уры, Приготовленную таким обра:ам ш хту помещают в вертикальную ци"рическую печь, выдержлвают 60 мин.,ри 950 С, затем охлаждаот до 850 С в теп; овом поле с градиентом 40 град/см со скоростью 1 град/ч и далее до комнатнойтемпературы со скоростью 200 град/ч, Изполученного слитка выкалывают пластинчатые монокриста/лы, Максимальные размеры кристаллов дастигаот 2025 х 0,1 мм .Дополнительный отжиг, проводят при 80 Гв,ечсние 4 ч, Выращенные таким. Спосоосммонокристаллы имеот температуру перехода в сверхпроводящее состаян е 87-89 К: перекристаллизацию путем охлаждениярасплава в неоднородном тепловом поле ипоследующий отжиг, процесс охлажденияведут в...

Номер патента: 1772223

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Васев, Спицына

МПК: C30B 33/04

Метки: кристаллов

...ОР со скоростями нагрева От 1 до 8 град/мин, Более низкие и более высокие скорости нагревания кристаллов приводят соответственно к отжигу с уменьшением концентрации палучаемьо; ЦО и к быстрому переходу К-ЦО из одно 1 а типа в другой, поэтому 11 ала вероятность фиксации определенного типа ЦО с их максимальной концентрацией. При достижении максимальной температуры (Т) атжи-а, например 285 С, температуру образцов с 1 вкают до комнатной естественным образам, т,е. Не контролируя скорость их Ох "аждения, При максимальной Т Об;1 аэцы выдерживались не более 2-3 мин, так как более длительная гыдержка Образцов при максимальной Т приводит к преобразовани 1 о К-ЦО и к снижению их концентрации,На фиг. 2 показан процесс преобразования К-ЦО с ПП...

Номер патента: 1773952

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Поезжалов, Трегубченко

МПК: C30B 29/54, C30B 7/00

Метки: монокристаллов

...Разращивание такой затравки происходит бездефектно. Для этого амплитуду колебаний постепенно уменьшают и доводят до вполне определенной постоянной величины. Дальнейший рост монокристалла проводят по общеизвестной методике. Поскьльку при образовании затравки, обладающей сингулярными гранями, ее объем не увеличивается, та выращенный кристалл имеет минимальную зону регенерации, равную объему затравки, и может быть использовано почти полностью, за исключением объема, занятого затравкой, который, как правило, не превышает объема нескольких десятков мм,П р и м е р 1. Затравка п,п-диоксидифенилсульфона помещалась в кристаллизатор с насыщенным при 38 С раствором. Кристаллизатор находится в жидкостном термостате, температуру которого...

Номер патента: 1773953

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Димитрова, Пополитов, Стрелкова, Ярославский

МПК: C30B 29/14, C30B 7/10

Метки: гидротермальным, группы, методом, фосфатов, элементов

...и перехода ее в раствор. При Снз го 450 мас.% скорость растворения 1 а(ОН)з мала, что лимитирует образование насыщенного раствора. При Снз ро 460 мас,% происходит образование побочной фазы, что снижает выход основного продукта. Давление жидкой фазы в системе 1 а(ОН)з - НзРО 4 - НгО точно соответствует "граничному" давлению, при котором образуется только ортофосфат лантана, а не его метафосфат. При давлении ниже 0,8 МПа наряду с ортофосфатом лантана происходит кристаллизацияа(ОН)з, что снижает выход основного продукта.Превышение давления 1,5 МПа ведет к смещению реакции образования ортофосфата лантана в сторону кристаллизации метафосфата лантана. Отношение жидкой и твердой фазы необходимо для полноты протекания реакции взаимодействия...

Номер патента: 1773954

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Блинников, Кириленко, Лаворик, Нечипорук, Новоселецкий, Филоненко

МПК: C30B 13/26, C30B 29/12

Метки: веществ, зонной, плавкой

...вещества осуществляется зонной плавкой, включающей перемещение зоны расплава вдоль исходного материала в запаянной ампуле при воздействии на нее колебаний перпендикулярно направлению движения зоны расплава с величиной амплитуды 1 5,Сущность изобретения состоит в следующем. Очищаемое вещество помещается в кварцевую ампулу, которая откачивается (в случае необходимости - заполняется соответствующей атмосферой) и отпаивается. После этого ампула помещается внутрь кварцевой трубы, вдоль которой перемещается зонный нагреватель. Зонный нагреватель выполняется таких размеров. чтобы кварцевая труба, внутри которой находится ампула с очищаемым веществом, могла совершать небольшие крутильные колебания с частотой в несколько Гц. Частота подбиралась...

Номер патента: 1773955

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Абловацкий, Бузунов, Иванов, Калугин, Куценогий, Муравицкий, Петров, Тупаев

МПК: C30B 15/02, C30B 29/06

Метки: кремния, монокристаллов

...так несколько циклов, при последнем выращивании вытягивают весь расплав.Предложенное решение является усовершенствованием известного способа ивыгодно отличается ат него. Так как отсутствует механизм смены затраваки последующее выращивание производится спомощью того же механизма и на ту жезатравку, то устраня 1 атся факторы, которьемогут привести к сбоя бездислакацианногароста кристалла. Вытягивание за один циклне более 2/3 расплава, содержащегося втигле, позволяет увеличить выход годного,так как при этом, как показала практика, вмонакристалл вытягивается оптимальнаядоля расплава, которая может пойти в годную продукцию, а в тигле остается достаточный остаток расплава, который послесплдвления подпитачных стержней используется повторно для...

Номер патента: 1773956

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Андрианова, Афанасьев, Ветров, Игнатенков, Рыжиков

МПК: C30B 29/12, C30B 29/20, C30B 33/00 ...

Метки: линз, оптических

...при изготовлении иэ них элементов Линзовой оптики. В оптически одноосных кристаллах, однако, существует единственное направление, при распространении вдоль которого луч света не разлагается на вышеуказанные компоненты. Это направление является осью кристалла, а заготовка оптической детали, плоскопараллельнэч пластинка, перпендикулярная этой оси, часто именуемая пластинкой 7.среза. Недостатком таких пластинок является то, что после придания поверхности пластины вогнуто-выпуклой формы лучи будут проходить вдоль направлений, отличных от оптической оси кристалла, что приведет к их разложению на компоненты и образованию двулучепреломления, тем большего, чем больше кривизна изготовляемых поверхностей, т.е, угол между направлением нормали к...

Номер патента: 1775509

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Водолазская, Воронкова, Леонтьева, Петровская, Яновский

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: монодоменных, монокристаллов, сверхпроводниковых, типа

...до температуры 1030 С. При этой температуре расплавы выдерживают в течение часа и охлаждают до температуры 2000 С1775509 Составитель И. ЛеонтьеваТехред М.Моргентал Корректор,Л, Филь Редактор Заказ 4024 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 со скоростью 4 С/час. Кристаллы освобождают из застывшего расплава механическим путем.При наблюдении в поляризованном свете были найдены кристаллы размером до 1 мм, свободные от двойников, а также.кристаллы с крупнодоменной структурой с размерами двойников 0,5-1 мм.П р и м е р 2. Смесь состава 3 мол.% ТагОз, 27 мол.7 ь Ва 0, 3 мол.7...

Номер патента: 1775510

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Гриднев, Попенков, Пушкарев

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, группового, кристаллов

...4, а нэ нем - дополнительный теплоиэолятор, состоящий иэ колпака 5 и керамического, например; алундового, стакана 6. На дно стакана помещен графит 7, имеющий коэф 5 10 15 20 25 30 35 40 50 55 фициент черноты излучения, близкий к единице. Последовательно за нагревателем 1 установлен холодильник 8.Устройство работает следующим образом.Включают нагреватель 1, разогревают блок 2 додостижения температуры на уровне фронта кристаллизации, равной температуре плавления сплава, Эту температуру контролируют с помощью пирометра излучения типа АППИР-С, визируемого на графит, находящийся на дне стакана 6, После приплавления нагреватель 2, теплоизоляторы и электропроводной блок 2 синхронно перемещают вдоль образующих контейнеров с заданной скрростью....

Номер патента: 1603844

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Кривошеин, Пирогов, Салийчук, Федорова

МПК: C30B 11/02, C30B 15/00, C30B 29/32 ...

Метки: висмута, германата, монокристаллов, структурой, эвлитина

...г, оксид германия Ое 021054,2 гдля получения требуемого соотношения, соответствующего Формуле ВцСезО 2 (масса загрузки смеси на одно выращивание для тигля диаметром 100 мм и высотой 100 мм составляет 4200 г).Собирают нижнюю часть кристаллизационного узла в соответствии с чертежом, засыпают в тигель 2 и упло 1 няют полученную гомогенную смесь - первичная загрузка, Затем устанавливают верхнюю часть кристаллизационного узла, включают ростовую установку (" КристалЛ") и нагревают смесь оксидов со скоростью 100 град/мин до 940 С, далее со скоростью 15 град/мин до 1175 С (температуру контролируют по показаниям термопары типа ТПП), Агрегатное состояние смеси, процессе повышения температуры наблюдается через смотровое окно 5 и при получении...

Номер патента: 1605587

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...режим, при котором проводят кристаллизацию шихты при скорости протагивания тигля через температурное поле 30 - 50 мм/ч. Затем, воэвра1605587 40 Таблица 1 тив тигель с помощью механизма перемещения в исходное положение, полученный слиток протягивают через температурное поле со скоростью 3 мм/ч. Коэффициент поглощения выращенного кзоисталла на длине волны 10,6 мкм 5,1 10 см,Выращенный кристалл загружают в кварцевую ампулу, сделанную по типу "песочных часов", засыпают металлическим селеном квалификации ос.чвакуумируют до 10мм рт.ст. и эапаивают, Ампулу помещают в шахтную печь и отжигают при 600 С в течение 120 ч. Селен переливают в свободный обьем ампулы, ампулу с кристаллом охлаждают в режиме 100 С в час.Коэффициент поглощения полученного...

Номер патента: 1603863

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Добровинская, Звягинцева, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Метки: корунда, монокристаллов

...После начала плавления изделия под действием грузов 7 начинают линейно перемещать нагреватель сквозь изделие со скоростью, определяемой весом грузов 7. Благодаря этому происходит пооплавление эоны, содержащей напряжения. При этом нагреватель последовательно занимает позиции А, В и С (фиг. 1 и 3). Одновременно с проплавлением (фиг. 4 поз, 9 - расплав) в зоне 8, в 3 - 5 раэ превышающей толщину нагревателя 5, происходит пластическое течение, После пройлавления и пластического деформирования в зоне с напряжениями резко понижается плотность пор уменьшается протяженность границ блоков. После прохождения этой зоны снижают температуру нагревателя и упрочняемого изделия до комнатной.Сапфировый стоматологический имплантант ИС - 105 (фиг, 2)....

Номер патента: 1778202

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/10, C30B 7/10

Метки: бромистого, выращивания, монокристаллов, свинца

...многочисленные зародыши, скорость образования которых превышает скорость их роста, Одной из характеристик, влияющих на скорость отвода растворяемого вещества от границы шихта-раствор, является скорость конвекционного рвижения раствора, При введении в кварцевый реактор перегоророк, разделяющих зону растворения и роста, с диаметром отверстий от 1 до 4 мм, скорость конвекционного движения раствора при температуре 110-145 С, ДТ 3-6 изменялась от 14 до 18 см/сек.оУказанная величина скорости конвекционного рвижения раствора оказалась оптимальной рля пплучения моно- кристаллов РЬИг заданного выхода. Было найдено, что при14 см/сек (И - скорость конвекционного движе 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 6ния раствора) массоперенос растворенных Форм...

Номер патента: 1580884

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Бобырь, Михайлов, Смирнов, Чиненов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

...температуры. Печь выводят на режим, при котором температура в камере плавления достигает на 100 С выше температуры плавления вещества в ампуле температура йодида натрия 651 С).В дальнейшем процесс осуществляется автоматически, При достижении в камере плавления заданной температуры происходит плавление помещенного в ампулу 11 вещества 12 по асей высоте ампулы. Образующийся расплав за счет различия плотностей расплава и исходного вещества заполняет только нижнюю половину ампулы 11. За счет того, что выделяемая мощность нагревателем 5 нижней секции 2 локализована, ее становится достаточно для поддержания необходимой температуры в нижней части нагревателя 4 верхней секции 1,В результате система регулирования температуры нагревателя...

Номер патента: 1589690

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Зосим, Пузиков, Семенов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/22

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих

...6 высокотемпературной сверхпроводящей керамики УВа 2 Соз 07-х размером частиц 1-5 мкм под1589690 ают со скоростью 50 мкг/мин на испаритель3 вдоль поверхности на расстоянии 1-2 ммперпендикулярно потоку 7 испаряемого вещества, Поток бесконтактно испаренногопорошка в течение 4 мин осаждают на подложку 5, выполненную в виде диска диаметром 15 мм из мо окристалла ЯгТ 10 з,расположенную на расстоянии 3 см от испарителя и нагретую до 300 С. Охлаждение докомнатной температуры подложки с пленкой проводят естественным путем,В результате без дополнительного отжига получают высокотемпературнуюсверхпроводящую пленку УВа 2 Сцз 07-х диаметром 15 мм и толщиной 0,8 мкм. Поверхность пленки является зеркально гладкой ине содержит включений других...

Номер патента: 1589695

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Бобырь, Долгополова, Кравченко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: галогенидов, металлов, монокристаллов, основе, сцинтилляционных, термообработки, щелочных

...поглощения кристалла Се 1(Т 1) 5 10 15 20 после отжига при 650 К представлен на фиг, 25 2 (кривая 3). Оптические и спектрометрические параметры детектора Сз(Т 1) и фосвича йа 1(Т 1) + Сз 1(Т 1) представлены в табл. 1, Ч 1. Как видно из представленных результатов, не все сложные активэторные центры окра ски разрушаются. При этом спектрометрические и оптические параметры детектора Сз(Т) и фосвича Ма 1(Т 1) + Сз 1(Т 1) улучшаются.Чтобы разрушить все сложные актива торные центры окраски, которые еще проявляются в спектрах поглощения и снижают конверсионную эффективность и энергетическое разрешение как детектора Сз 1(Т), так и фосвича йа 1(Т 1) + Сз(Т 1), кристалл 40 Сз 1(Т 1) помещают в печь, нагревают до 750 К со скоростью 0,2...

Номер патента: 1506951

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Андреев, Дубовик, Коршикова, Коток, Лебедев, Салийчук

МПК: C30B 15/00, C30B 29/34

Метки: лангасита, материал, основе, пьезоэлектрический

...затравку методом Чохральского, Выращенные монокристаллы механически разрезают на ориентированные пластинки - пьезоэлементы. Введение в исходную смесь оксида алюминия или диоксида титана улучшает1506951 сыпучие свойства исходных порошков и позволяет проводить смешение не в жидкой фазе(спирт, вода), а насухо, что значительно упрощает и сокращает процесс синтеза шихты.В таблице приведены параметры пьезоэлементов, изготовленных иэ монокристаллов лангасита, модифицированных алюминием и титаном при различном соотношении замещающих ионов, в сравнении 10 с аналогичными параметрами пьезоэлементов, изготовленных из монокристаллов лангасита Все сравниваемые образцы лангасита. Все сравниваемые образцы имеют одинаковые срезы для возбуждения про...

Номер патента: 1515796

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Вострецов, Нагорная, Овечкин, Пирогов

МПК: C30B 29/32, C30B 33/00

Метки: вольфрамата, кадмия, монокристаллов, термообработки

...в вакууме со скоростью 50-100 град/ч до 390-450 С и выдерживают в течение 2 - 5 ч, Затем проводят их термообработку в кислородсодержащей атмосфере, При этом нагрев ведут со скоростью 50-100 град/ч до 640 - 950 С, выдержку осуществляют в течение 10-15 ч, а охлаждение проводят со скоростью 30-50 град/ч. Достигают увеличения светового выхода кристаллов относительно светового выхода кристаллов Св(Т) до 437 ь.1 табл,МэВ) до обработки составляют 32 и 13%, а после обработки 43 и 10,30 соответственно. Достигают увеличения светового выхода кристалла относительно исходной величины на 33%, что значительно превышает результат(5 - 7), получаемый согласно прототипу,В таблице приведены значения светового выхода с отработанных кристаллов относительно...

Номер патента: 1538557

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Любинский, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: активированных, выращивания, монокристаллов, щелочно-галоидных

...до 820 С и бокового - до 850 С. Через 2 ч после расплавления сырья в тигле соприкасают затравку с расплавом, оплавляют ее до удаления поверхностых дефектов и корректируют температуру донного нагревателя до достижения теплового равновесия,Затем соприкасают щуп с поверхностью расплава и включают систему автоматизированного радиального разращивания монокристалла до заданного диаметра (270-320 мм) с подпиткой неактивированной шихтой, После окончания разращивания по диаметру начинают автоматизированный рост по высоте с подпиткой шихтой, в которую вводят активатор концентрацией в шихте С 1, в течение времени 1, затем с концентрацией в шихте С 2 до окончания выращивания.Конкретные примеры различных вариантов режимов двухстадийной...

Номер патента: 1781331

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Гавалешко, Криган, Радевич

МПК: C30B 13/00, C30B 29/08

Метки: германия, зонной, изотопнообогащенного

...возможная длийа этогоучасткастаток обуслбвлен тем, что при "очйстке ма- в каждом конкретном примере реализациилых количеств йещества очень трудноспособа должна быть определена экспериобесйечить малость соотношенйя 1/1,от ко- ментальным йутем из условия, чтобы силыторого зависит эффективность глубокойповерхностного натяжения со стороны расочистки. Поскольку существует предел для 30 плавленной зоны не могли преодолеть силыуменьшения 1, то приходится увеличйвать 1 сцепления неоплавленного участка слитка сза счет уменьшения сеченйя слитка. Зф- поверхностью контейнера. Очевидно, что.фект, обусловленный действием сил"повер- эти силы сцепления зависят от веса неоп.) хностйого натяженйя, не позволяет, лавленного участка, однозначно...

Номер патента: 1783009

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Апинов, Икрами, Кузнецова, Сидоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: выращивания, дифторида, марганца, монокристаллов

...аОЬеге Иеце. ОвнеТтесЬпс пеон, М 7, 1986, р.544.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ДОРОЖНЫХ ПОКРЫТИЙ(57) Использование:,относится к области машин для летнего и зимнего содержания городских территорий, преимущественно типа подметальных машин и скалывателей уплотненного снега. Сущность - содеркит рабочий орган в виде усеченной в радиальной плоскости симметрии отработавшей ресурс автомобильной шины 7, закрепленной на несущем диске 8 под углом к дорожному покрытию 11. Усеченная автомобильная ши на 7 установлена с наклоном оси вращения вперед и вбок с возможностью воздействия на грунтовые наносы и снег внешним периметром 13, снабжена приводным гидромотором 6 и связана с несущим диском 8 посредством внешних и внутренних радиальных пластин 14 и 15,...

Номер патента: 826769

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Вербицкий, Носачев, Рыжиков

МПК: C30B 29/48, G01T 1/202

Метки: материал, полупроводниковый, сцинтилляционный

...изовалентного активатора, помимо соблюдения изложенного выше принципа объемной компенсации, необходимо выполнение также принципа частичной компенсации заряда, Это ДостигаетсЯ при использовании изовалентного активатора, существенно отличаю 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 щегося от замещаемого элемента не только ионным радиусом (что отражено в различии постоянных решетки), но и электроотрицательностью. При выполнении этого условия атом вводимого элемента частично компенсирует заряд образовавшегося точечного дефекта соответствующего знака и образует с ним комплекс (центр излучения), устойчивый до достаточно высоких температур,Авторами данного изобретения экспериментально установлено, что высокоэффективны такие полупроводниковые сцинтилляторы...

Номер патента: 1784668

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Волынкин, Жигунов, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/12, C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...В теле основания 2 и теле диска 3 выполнены соответственно газотранспортные канавки 13 и 14, соединенные со средством ввода 15 транспортного газа(водорода).В диске 3 выполнены соосно сателлитам 4 кольцевые проточки 16 и 17, соединенные с началом газотранспортных канавок 14. Глубина внут 2 оенней проточки 17 составляет (1,3-1,5) 10 наружного диаметра проточки 16, В диске 3 выполнены сбросные канавки 18, соединенные с отверстиями 19 и 20 диска 3, отверстиями 21 и 22 основания 2 и выводным патрубком 11. Каждый сателлит 4 выполнен в виде двух соединенных между собой круглых дисков 23 и 24, при этом диаметр верхнего диска 24 больше диаметра нижнего диска 23, а нижний торец 25 верхнего диска 24 выполнен со скосом кромки,Устройство работает...

Номер патента: 1784669

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки

...сцинтилляцион- сцинтилляционного уровня кристаллов ных характеристик сцинтилляторов, вцре- ВОО. Сурьма, имея меньший атомный радизанных из одного кристалла, характерен ус,являетсяизовалентныманалогом висмубольшой разброс, Так, сцинтилляторы сли та, и поэтому может быть внедрена в нейными размерами 25 х 10 х 3 мм имеют све- подрешетку его оксида. Известно также, что товой выход от 11,2 до 16,3; а многие соединения сурьмы - хорошие люэнергетическое разрешение от 13,7 до минофоры, Пятиоксид сурьмы ЯЬ 205 - сое,5 О/о. динение устойчивое ниже 357 ОС, переходящееПредлагаемый способ принципиально 45 при более высоких температурах через отличается от аналогов составом кислород- ЯЬо 012 в ЯЬ 206 и далее в ЗЬ 20 з. Температусодержащей...