C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1813818

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Есин, Панкин, Пономарев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/52

Метки: дендритной, монокристаллов, никельсодержащего, сплава, структурой

...выращивании использовали универсальную высокотемпературную установку для направленной кристаллизации конструкции Института кристаллографии АН СССР, Подбирали условия оыращивания, обеспечивающие стабиллное развитие дендритного ансамбля для монокристаллоо обоих сплавов. Для высоколегирооанного сплава тигель с расплавом выводили из зоны нагрева со скоростью 1,4 мм/мин, для бинарного 10 мм/мин, Диаметр образцов 9,5 мм, длина 80 мм, Асимметричную межфазную поверхность формировали путем асимметричного расположения тигля в концентрическом нагревателе. Наклон межфазной поверхности определяли путем металлографического анализа образцов, полученных в специальных экспериментах с остановкой доижения тигля и быстрым охлаждением после затвердевания...

Номер патента: 1813819

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Иванов, Лобызов

МПК: C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, эпитаксиальных

...В крышке 10 реакционной камеры 2 выполнено центральное отверстие 11, и она установлена с зазором 12 к колпаку 1, при этом зазор 12 соединен со средством сброса 13. Вокруг реакционной камеры 2 размещен нагреватель 14.Устройство работает следующим образом. изводят загрузку подлож арсенида галлия, на вн ость граней подложкодерют реакционную камеру 21. Продувают реакционную камеру 2 инертным газом и водородом, После этого нагревают подложки 4 нагревателем 14 и подают газовую сглесь и водород через трубки 6 и б и кольцевой коллектор 7.В предлагаемом устройстве перфорированная перегородка обеспечивает равномерность поля скоростей не по всему сечению реактора, а лищь непосредственно над перегородкой, между коаксиальным вводом газа и внутренней...

Номер патента: 1526303

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Гальчинецкий, Рыжиков, Старжинский, Файнер

МПК: C30B 29/46, C30B 33/00

Метки: оптических, селенида, термообработки, цинка, элементов

...относится к обработке кристаллов, конкретно селенидд цинка, и позволяет уменьшить их коэффициент оптического поглощения в инфракрасной области, Иэ кристалла селенида цинка резкой, шлифовкой и полировкой получают оптический элемент, Элемент подвергают термообработке в атмосфере насыщенного пара еллура при 1000-1050" С в течение 40-44 ч, Достигают уменьшения коэффициента оптического поглощения по длине волны 10,6 мкм до 3,5 10 см . 1 табл,электропечь сопротивления. Температуру в печи доводят до 1000 С, оыдержиоаот при этой темературе 40 ч, здтел печь выключдют, После остыоднил печи до комнатной температуры ампулу вынимают, разбивают ее, извлекают оптические элементы и измеряют их коэффициенты поглощения, которые оказываотся равными...

Номер патента: 1630334

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Рыжиков, Силин

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллических, основе, селенида, цинка, элементов

...полного удаления воздуха и затем нагревают до 1000 - 1080 С, выдерживают при заданной температуре 3 - 10 ч, после чего температуру снижают со скоростью 200 С/ч, при комнатной температуре отключают проток водорода и извлекают элементы. По известной технологии 30 получения сцинтилляционного материала из легированного селенида цинка с целью создания центров люминесценции элементы ЛпЯе(Те) дополнительно отжигают в насыщенных парах цинка. Для чего данные элементы помещают в кварцевые ампулы вместе с навесками цинка, необходимыми для создания насыщенных паров цинка. Ампулы вакуумируют, запаивают и выдерживают при 1000 С в течение 24 ч, После повторной шлифовки и пол ировки измеряют коэффициенты поглощения и ослабления элементов, которые...

Номер патента: 1558041

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...25 цинка и магния и селенидами примесныхэлементов. Затем температуру в печи снижа)от со скоростью 10-30 в час до температуры плавления хлоридов калия 770 С и печь отключают. В пересыщенном растворе 30 образуется очень много центров кристаллизации и кристаллы растут в виде. пластин-чешуек толщиной примерно 0,1-3 мм в поперечнике. При такой кристаллизации достигается очистка селенида цинка от при мясных элементов как за счет обменныхреакций между хлоридами цинка и магния и сепенидами примесных элементов, так и за счет различных коэффициентов распределения примеси в растворе-расплаве, а размеры ,40 кристаллов не имеют решающего значения.Удельная поверхность монокристаллического селенида цинка снижается; а насыпной удельный вес...

Номер патента: 1816812

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Ананьев, Дроздова, Дунин-Барковский, Кожбахтеев, Коляго, Рез, Шувалов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: висмута, гидротермального, группы, оксида, сложного, элемента

...системы с нитратом висмутом, Процесс синтеза ведут при температуре 50-120 С, помещая в стеклянный или фторопластовый сосуд шихту, залитую дистиллированой водой. Время синтеза 12 - 24 часа.Сущность изобретениячто введение в шихта висмутта, а не оксида, позволяет ованной воде, при атмосфернои при мягкой температуре -Как видно из табл. 1, до 50 С выход вещества очень низок, в интервале 80- 100 С он резко возрастает, далее поднимаясь при 110 - 120 С практически на один уровень. Однако; дальнейшее повышение температуры приводит к необходимости применять дорогостоящую автоклавную аппаратуру, что экономически нецелесообразно,В табл. 2 приведены примеры получения кислородных соединений висмута с элементами Ч группы. Это эвлитин В 49 зОг,...

Номер патента: 1816813

Опубликовано: 23.05.1993

Автор: Головей

МПК: C30B 15/00, C30B 29/34

Метки: калия, монокристаллов, ортосиликата, свинца

...м е р 5, Аналогично и. 2, но вырам 1свинца, При выращивании монокристаллов щивание ведут из состава с избытком,Оиз стехиометрического состава происходит мол,% окиси свинца. Полученные кристаллыобеднение расплава окисью свинца и появ- не содержат блоков трещин, твердофазныхление твердофазных включений. Добиться и газовых включений.устранения твердофазных включений уда П р и м е р 6. Аналогично и. 2, но вырается засчетдобавления небольшого избыт- щивание ведут из состава с избытком 1,2ка (0,2-1,0 мол,) окиси свинца. В этом мол. окиси свинца. Кристалл содержитслучае в течение времени, необходимого твердофазные включения.для вцращя выращивания кристалла изменение соФП р и м е р 7, Аналогично и. 2, но вытя.Пстава расплава...

Номер патента: 1816814

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Ильинская, Минаков, Хахин, Хворостухин

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллографической, монокристаллов, ориентации

...изменения шероховатости в круговую диаграмму изменения относительной микротвердости (фиг. 2) осуществляют по формуле: где Н - относительная микротвердость, ед.;Йа - шероховатость поверхности, мкм.Поскольку полученная круговая диаграмма изменения относительной микро- твердости подобна круговой диаграмме изменения микротвердости, полученной экспериментальным путем по известному способу, то по ней также можно определять кристаллографическую ориентацию иэделия из монокристалла,П р и м е р. Образцы из монокристаллического никелевого сплава имели цилиндрическую форму, причем заранее известно, что ось образцов совпадала с кристаллографической ориентацией 001. Наружная цилиндрическая поверхность образцов была подвергнута чистовой токарной...

Номер патента: 1816815

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Бережкова, Васев, Перстнев

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: кристаллов, оптического, повышения, пропускания, свинца, хлорида

...Уф-части спектра до указанного в формуле изобретения флюенса. После такой обработки пропускание этого образца в Уф-области спектра возрастает на 11-15, Спектр поглощения обработанного световым потоком кристалла показан на фиг, 1, кривая 2, Далее этот образец используют для практических целей в УФ-части спектра,Одним из достоинств предлагаемого способа является то, что толщину кристаллов хлорида свинца не доводят до минимальной величины, при которой механические свойства образцов резко ухудшаются. За счет увеличения пропускания образцов после их обработки по заявляемому способу толщину кристаллов можно увеличивать на 11-157 Э, поэтому механические свойства образцов повышаются. Кристалл становится более устойчивым к внешним механическим...

Номер патента: 1816816

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Буряк, Горский, Дзензерский

МПК: C30B 29/06, C30B 33/06, H01L 21/18 ...

Метки: кремния, основе, полупроводниковых, элементов

...против сил трения. Скорость вращения подвижного кристалла не ограничивается конкретными значениями. Важным является только принцип, согласно которому чем больше скорость вращения, тем быстрее идет процесс сращивания. Когда температура стыка достигает точки плавления коемния ( .1467 С), между. кристаллами образуется прослойка из жидкого кремния. Момент ее образования сопровождается резким уменьшением силы трения между кристаллами, что выражается в резком падении нагрузки на двигатель. В этот момент его останавливают и образовавшийся при кинетическом разогреве жидкий слой кристаллизуется за счет ухода тепла через твердую фазу.Если сращиваются монокристаллы, то в условиях формирования на ориентированных плоскостях как на подложках (при...

Номер патента: 1624925

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Терейковская, Файнер

МПК: C03B 11/02, C30B 29/50

Метки: кристаллов, соединений

...газов избыточное давление в печи 50 устанавливают на уровне 50-100 мм водя- ного столба. Включают электронагреватель и .температуру в печи доводят до 1100 С, которую и выдерживают в течение 20 ч при слабом токе аргона. 55Рекристаллизованный в этих условиях сульфид кадмия имеетудельную поверхность 2,4 м /г и насыпную плотность 2766 г/л,Навеску рекристаллизованного сульфида кадмия в количестве 300 г помещают в графитовый тигель и устанавливают на штоке механизма перемещения компрессионной печи. Печь вакуумируют и заполняют аргоном до давления 60 ат. Повышают температуру до 1500 С и при этом избыточное давление аргона достигает 100 ат, Протягивают тигель со скоростью 30 мм/ч через градиент температур нагревателя для сплавления загрузки...

Номер патента: 1818362

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Авербах, Князьков, Скуратов, Яценко

МПК: C30B 29/50, C30B 7/14

Метки: кадмия, пленок, сульфида

...такие частицы, для которых свдиментация еще очень мала, свойства раствора еще близки к свойствам истинных растворов и условия зарождения, адгезии и роста пленок оптимальны: пересыщения невелики, зародыши малы поразмерам и равномерно распределены вобъеме раствора и по поверхности подложки, что и способствует повышению адгезии и качества пленок. Такие условия создаются как бы самопроизвольно в той части реакционного объема, который находится под подложкой в случае ее горизонтального илинаклонного расположения, т.е, защищен подложкой, Аналогичное воздействие на процесс роста пленок, по мнению заявителя, можно создать путем наложения на реакционный объем центробежного поля с определенной величиной ускорения на начальном этапе процесса...

Номер патента: 1818363

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Балдин, Борисов, Бройтман, Качанова, Коробицын, Подкопаев, Ратников

МПК: C30B 13/28, G05D 27/00

Метки: бестигельной, выращивания, зонной, кристаллов, методом, плавки, процессом

...ил. Устроиство,содержит модуль 1 заданной высоты фронта кристаллизации (переменной при разращивании кристалла), модуль 2 задания диаметра (переменного в момент разращивания кристалла), модуль 3 определения отклонения фактического положения фронта кристаллизации от заданной, модуль 4 определения отклонения фактического диаметра от заданного, модуль 5 преобразования отклонения положения фронта кристаллизации в сигналуправления напряжением на индукторе, модуль 6 преобразования отклонения диаметра кристалла от заданного в сигнал управления двигателем растяжения-сжатия, блок 7 регулятора напряжения, блок 8 регулятора скорости перемещения подплавляемого слитка, индукционная система 9 с переплавляемым слитком, исполнительный двигатель 10,...

Номер патента: 1818364

Опубликовано: 30.05.1993

Автор: Колесников

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кадмия, кристаллов, теллурида

...Из таблицы (строки 1 - 2) видно, что при температурах ниже 930 С значение Т 1 о 6 остается низким. Испольэо- Б вание температур выше 950 С нецелесообразно, т.к. при этом начинается интенсивная сублимация СОТе, происходит термическое стравливание поверхности обрабатываемого кристалла (см, таблицу, строка 8),Снижение продолжительности отжига Сд(менее 60 ч) приводит к получению кристал лов с недостаточно высоким светопропуска- фь нием (см,таблицу, строка 3), а увеличение (свыше 70 ч) нецелесообразно, т,к. не приводит к росту величину Т 1 о б (см, таблицу, строка 4).Известных технических решений, имеющих признаки, сходные с признаками, отличающими заявленное решение от прототипа, не обнаружено. Следовательно заявленное решение...

Номер патента: 1818365

Опубликовано: 30.05.1993

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...последовательно помещали в ячейку, представляющую собой острийный и плоский электроды, помещенные в нагревательное устройство. После выдержки образцов монокристаллов в течение 10 - 15 мин при 580 С, через каждый пропускали ток 5 мА в течение 0,05; 0,1; 0,5; 1,5 мин соответственно подавая на острийный электрод положительный потенциал, Затем образцы охлаждали до комнатной температуры и спектрофотометрически контролировали количество брома в образце. В дальнейшей для удобства из образца выпиливали пластины толщиной 2 мм и подвергали термической обработке 0,3 ч при 773 К, При более высокой температуре бром выходит из кри1818365 Составитель В.ШапуркоТехред М.Моргентал Корректор М,Максимишинец Редактор Заказ 1927 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1819920

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Клубович, Мозжаров, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...прохо. дя через патрубок 5, выходит из отверстий 7 а гидронасадки 6 в виде нисходящего потока, ОО) образованного системой незатопленных струй, падающих на кристалл 3, При этом вся поверхность кристалла покрывается пленкой стекающего, постоянно обновляющегося раствора,П р и м е р 1, Выращивают кристалл С) КДР из водного раствора в предлагаемом устройстве. Емкость кристаллизационного сосуда 5 л. Внутри него на расстоянии от дна 8 см установлена кристаллическая затравка с размерами вдоль осей х и у 2 см (вершина пирамиды направлена вверх). Над кристаллом на расстоянии 4 см установлена гидро- насадка в виде цилиндра диаметром 3 см и высотой 5 см, в нижней торцевой стенке которого выполнена система отверстий диаметром 1,5 мм,.отстоящих...

Номер патента: 1819921

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Васев, Пополитов, Соболенко, Спицына, Толочко

МПК: C30B 29/14, C30B 7/08

Метки: выращивания, группы, дигидрофосфата, калия, кдр, монокристаллов

...кристаллов ДКДР, а такжедля частей призм кристаллов КДР и ДКДР35 (см, фиг,2),Отклонения вектора колебаний затравки от ее оси Е больше 2 вызывало запара- .эичивание кристаллов КДР и ДКДР, врезультате чего большой объем таких кри 40 сталлов непригоден для изготовления оптических элементов. Поэтому колебаниядержателя с затравкой направляют по оси 2затравки.Таким образом, использование данного45 способа по сравнению со способом-прототипом 2 позволяет снизить коэффициентпоглощения в Уф-области кристаллов КДРи ДКДР на 5-24 фД и снизить дефектную область в призатравочной области кристаллов50 до 50% ее объема, получаемого по способупрототипу, что позволяет увеличить выходоптических элементов из этих кристаллов на5-10. ями затравки (кривая 4) с...

Номер патента: 1819922

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Сафаралиев, Таиров, Цветков, Шабанов

МПК: C30B 29/02, C30B 29/36

Метки: материал, полупроводниковый

...Но в отличие от предыдущего случая,процесс проводили при температуре1900 Сдавлении ЗО М 1 а в среде Й 2 в течение 60 мин. Ширина полученного слоя гомовалентного твердого раствора (31 С)1-х(ЕгС)х 40составила 10 мкм.П р и м е р 3. В этом случае кристаллыкарбида кремния и карбида циркония, обра-ботанные так же, как и в примерах 1 и 2,прикладывали друг к другу и подвергали горячему прессованию в засыпке порошка дисперсностью 5 мкм. Процесс проводили притемпературе 1700 С, давлении 20 МПа в среде Мг в течение 60 мин. Ширина слоя гомовалентного твердого раствора (31 С)-х(ЕгС)х 50составила 5-7 мкм. Во всех трех случаяхполучались гомовалентные твердые растворы (31 С)1-х(2 гС) во всем диапазоне изменения состава (0 х 1),...

Номер патента: 1820925

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Гусев, Каргин, Царев, Циглер, Чиркина

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом

...одного материала к другому в ходе одного циклакристаллизации при выращивании многослойного кристалла.Так, в эксперименте установлено, чтопри выращивании сложного кристалла, например лейкосапфир-рубин-лейкосапфира,.с постоянным диаметром при переходе отодного материала к другому расход кислорода, согласно программе автоматическогорегулирования расхода газов, меняется на 4 - 6 от общего расхода. кислорода центральной горелки и соответственно берется тем больший процент измерения расхода,. тем больше диаметр вцращиваемого кристалла.Процесс выращивания кристаллов повышенной оптической однородности диаметром от 10 до 100 мм с использованием вновь разработанных систем нагрева и расположения Фронта кристаллизации эффективно осуществляется при...

Номер патента: 1445277

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Василенко, Кандыбин, Косилов

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, группового, кристаллов, меди, основе, профилированных

...1 подводят эатравочиыекристаллы б, закрепленные в затрав"кодержателе 7.Устройство работает следующимобразом.После заполнения капиллярнвп каналов Формообразователей 1 к их рабочим торцам подводят затравочные 40кристаллы 6 и начинают вытягиваниекристаллов. При высоте сужающейсяверхней части Формообразователя 1равной (2-4) й, где (1 - толщинакристалла, и угле сужения равном30-50 уровень расположения фронтакристаллизации (вблизи середины сужающейся, верхней части формообразователя) соответствует максимальномуградиенту температуры вдоль оси вытягивания. Кроме того, отсутствует50охлаждение периферии столба распла 7 2ва, Эти условия необходимы для получения моиокрнсталлов с максимальной скоростью выращивания. Изобретение...

Номер патента: 1455786

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Ковтун, Полторацкий, Проценко

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, нарушенного, поверхности, слоя, толщины

...слоя. В качестве активного газа исг.альзуют газ из элементан, не нходягпих н состав .кристалла и потока, В процессе травления осушествляю; контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За талпгиФ ну нарушенного слоя принимают толщину удаленного слоя, при каторгам концентрация составляет 107. ат первоначальной. Достигают точности апре- Саделения до 1 О А,Затем н камере откачивают вакуум и проводят травление кристалла патокам ионов аргсна с энергией 0,7 кэВ и плотностью тока 10 А см, В процессе травления осуществляют массспектрометрический контроль концрнрации кислорода нг поверхности кристалла и измеряют толцину удаленнго слоя, При тотнпине удаленного слоя, равной 80 А,...

Номер патента: 847724

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: C30B 31/16

Метки: камеру, окисления, подачи, термического

...газа установлен перед испарителем.2. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю щ е с я тем, что на дополнительном трубопроводе установлен расходомер. аботает следующим обр Устроиство р Э- зом.При подаче сухого газа клапан подачи 6 увлажненного газа закрыт. Клапан 7 подачи сухого газа и клапан 12 открыты. Газ от источника 1 через расходомер 2 по трубопроводам 3 и 5 поступает в камеру смешивания 10 и камеру 14 термического окисления.Часть газового потока по трубопроводу 9 поступает в испаритель 8, откуда газ вместе с водяными парами по трубопроводу 11 через клапан 12 и расходомер 13 выходит в атмосферу, Количество газа, поданного в камеру 14 термического окисления, определяют по попаданиям расходомеров 2 и 13.При подаче увлажненного...

Номер патента: 1380309

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Гордиенко, Грищук, Жариков, Колесников

МПК: C30B 25/08

Метки: камеры, продувки

...10, 25Суммарная плоцадь поперечного се-.чения отверстий 5 в крьппке 4 равнаили меньше площади цоперечцого сечения ныходцого отврс:тпя 3 патрубка 1,Расстояние между оверс.тлями 5 и 30между ццми и степкой камеры 6 це более у г 1 оенцого диаметра отверстия 5,11 а чертеже стрелками показано направленце газовых потоков,Устройство работае. следующим об 35разом.В промежутках между технологическими процессами в камеру 6 вставляютустройство. Через патрубокподаютпоток обеспылелцогс газа под избыточиыи дан 1 енцеи.1 е 1 ез пятрубок 7 и камеру 6 та 1 сже пода,от сбеспелецный газ,Стенки камеры 6 нагревают с помощьюнагревателя 10 Поток газа, ныходящп 1 из отверстий 5, обдувает стенкио45камеры цод углом 35-80 что обеспечивает...

Номер патента: 1828882

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки

...разрешения согласно ГОСТ 17038-079 и ГОСТ17038.7 79. Затем их помещают в ампулы иэоптического кварца вместе с навесками порошка В 20 з квалификации ос,ч, иэ расче.та 3,3-5,3 г на 1 м объема ампулы. Ампулы-3вакуумируют до остаточного давления 10мм рт.ст, запаивают и помещают в электропечь сопротивления. Печь нагревают в режиме 75-200 град/ч, После достижения1000 + 80" С температуру печи стабилизируют. В изотермическом режиме ампулы выдерживают 0,5-1,0 ч, Охлаждение печиосуществляют, как и в прототипе, сначала соскоростью 50-100 град/ч до 930 + 30 С идалее со скоростью 100-200 град/ч. Прикомнатной температуре ампулы извлекаюти вскрывают. Поверхности сцинтилляторовснова полируют, после чего проводят измерения сцинтилляционных...

Номер патента: 1137787

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Арендаренко, Барышев, Иванютин, Лукичев, Макшаков, Овечкин

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы

...с экрана. попадают в растущий слой и снижают качество ео поверхности, выход годных структур,Целью изобретения является повышение выхода годных эпитаксиальных слоев.Указанная цель достигается тем, что устройство для осаждения слоев из газовой фазы, включающее размещенный на основании водоохлаждаемый колпак, дисковый подложкодержатель, установленный под :.:нм с воэможностью вращения и снабженный нагревателем, расположенные над подложкодержателем экран и торовый коллектор для подачи парогазовой смеси, и патрусок для удаления отработанных газов, размещенный в центре основания, снабжено средством ввода инертного газа и дополнительным коллектором, соединенным с этим средством, расположенным у боковой стенки колпака и выполненным с...

Номер патента: 1834920

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Марин, Махина, Юдин

МПК: C30B 29/18, C30B 7/10

Метки: аметиста, синтетического

...примеси, которая полностью блокирует рост кварца,П р и м е р. В автоклав гидротермаль ного синтеза помещали: в нижню 1 о зону - кварц-шихту с добавками гематитэ из расчета 30 г/л раствора ; фторида лития г/л раствора и бифторида калия - 20 г/л раствора; в верхнюю зону подвешивают кварцевую затравку базисного среза, После заливки автоклава раствором добав 1 . 2 Поверхность регенерации, грубый рельеф, Большое количество проколов" .Струйчатость в распределении окраскиЧасть поверхности имеет регенерационный рельеф, другая часть - рельеф типа "булыжной мостовой", Отдельные глубокие "проколы".Поверхность розная, типа "булыжной мостовой". Наросший слой без видимых дефектов. Распределение окраски равномерное. Поверхность ровная, типа...

Номер патента: 1834921

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Колобов, Юдин

МПК: C30B 29/18, C30B 7/10

Метки: кварца, кристаллов, окрашенных

...красно-фиолетовый оттенок, что приближает кристалл по ювелирной ценности к лучшим сортам природного аметиста. Во втором случае одновременно присутствуют два типа центров желтой окраски. Оттенок в обоих случаях можно варьировать, изменял концентрацию галлия в растворе и дозу облучения.Уменьшение концентрации Ге(ЙОз)з менее 0,5 г/л снижает окислительный потенциал раствора, что приводит к образованию вышеуказанной тоуднорастворимой сили 3+катной фазы и Оэ выводится из раствора. Увеличение концентрации азотнокислого железа свыше 1,5 г/л приводит к тому, что насыщение Оа затрудняется из-за интенз+сивного вхождения железа в кристалл. При концентрации Оа(ИОз)з менее 10 мг/л влияние центров желтой окраски становится малозаметным, а при...

Номер патента: 1834922

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Булавин, Залетаева, Колобов, Юдин

МПК: C30B 29/18, C30B 7/10

Метки: кварца, кристаллов, окрашенных

...1 табл. верхности кристалла, Одновременное вхождениев состав кристалла двухвалентных ионов железа и ионов кобальта обеспечивает сине-зеленую окраску кристаллов кварца. Поскольку указаннь(е ионы входят в состав растущего кристалла кварца неструктурно, то обеспечивается возможность варьированияоттенка кристалла путем изменения концентрации раствора и количественного содержания добавок, Добавки окиси кобальта менее 0,02 г/л не дают ощутимого изменения оттенка зеленого цвета, а при концентрации более 2 г/л окись кобальта перестает растворяться в водном растворе карбоната калия с добавкой карбоната натрия.Получение кристаллов кварца сине-зео цвета возможно при концентрации з от 5 до 10%, Ма 2 СОз от 5 до 15 г/п.зо вводили в виде опилок....

Номер патента: 1836187

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Любалин

МПК: B22D 27/04, C30B 13/08

Метки: бестигельной, дисков, кристаллизацией, направленной

...состава, вводят через вакуумный затвор в камеру устройства, герметизируют камеру, вакуумируют ее. С помощью нагревателя 1 готовят расплавленную зону 3 на нижнем конце заготовки, ПривоДят затравку 4 в контакт с расплавом, вращают ее, регулируют температуру основного нагревателя 1 и дополнительного нагревателя 9, Приводят в возвратно-поступательное перемещение по горизонтали затравку 4 и дополнительный нагреватель 9, одновременно перемещая их по вертикали и формируя на затравке сначала вал, а затем, изменяя по заданному закону размах возвратно-поступательных перемещений, - диск заданного профиля. При этом с согла сован ной скоростью заготовка 2 опускается по вертикали вниз с помощью механизма 10,По завершении процесса прекращают подачу...

Номер патента: 1836502

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Рандошкин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: граната, доменсодержащий, магнитооптический, монокристалл, структурой

...что соответствует 3,25ц3,60, При х0,4 резко ухудшается магнитооптическая добротность монокристалла. При х2,3 не удается получить монокристалл достаточно высокого качества. При содержании висмута 0,4х = 2,3 в состав монокристалла необходимо вводить быстрорелаксирующие редкоземельные ионы с 0,7у2,7.Как следует иэ соотношения (1) и фиг, 1 в прототипе ууо, в то время как в заявляемом изобретении у у Быстродействие доменосодержащего монокристалла определяется скоростью насыщения при движении ДСч =(у/2 А/О) (2) где А - обменная константа, 0 - фактор качества, причем А и 0 должны иметь оптимальные значения. Как показывает опыт, для прототипа чБ10 м/с. Как следует из фиг. 2 при использовании заявляемого монокристалла можно получить ч )10...