C30B 29/56 — тартраты

Номер патента: 78449

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Поздняков

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: блока, выращивания, косого, кристаллов, сегнетовой, соли, среза

...выращивании кристаллических блоков косого среза, стороны которых составляют углы в 4 Г с осями В и С кристалла (фиг. 1), обычно берут кристаллическую затравку косого среза, которую располагают на дне кристаллизатора между ограничивающими стенками, Однако кристалл растет мутным до тех пор, пока не образуются грани, полностью ограничивающие кристалл сверху (фиг. 2). Такие блоки практически оказываются непригодными из-за того, что мутная дефектная область значи тельна по площади и расположена крайне неблагоприятно,Предлагаемыи способ выращивания блоков косого среза из кристаллов сегнетовой соли с применением кристаллической затравки, вырезанной параллельно грани В кристалла, устраняет указанные недостатки, и весь выращенный блок является...

Номер патента: 101179

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...явлений регенерации для получения однородных кристаллов большого размера пред,.1 агается использовать пластинчатую затравку, помещаемую в щелеобразЛ/450364 в Министерстредств связи ные углубления (карманы) плоского кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней кристалла.Для осу 1 пествленця предлагаемого способа выращивания кристаллов веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом, в частности, кристаллов виннокислого этилецдиамцна, головка кристалла разрезается на пластины рядом плоскостей, параллельных или почти параллельных диагональной плоскости, рассекающей кристалл по длине. Прц этом образуется несколько пластин треугольной...

Номер патента: 101189

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: виннокислого, выращивания, затравок, калия, кристаллов, последних, этих

...образованному пересечением грс 1 и С(00) иииаода с одной 1;.; б:.:с-. - рорастущих граней диэдра.Полученные таким образом затравки при выращивании кристаллов располяга отся на плоском кристал;Оносцс тяк, что оы Грань, Охтядяощая на;большей скоростью роста, была направлена наружу.Сущнос; изобретения поясняется 1 ертежом, изобряжяющ 1 м полю 1 О естественнуо форму кристалла ":инокислого калия.Как показа;и исследования, скорости роста различных граней кристалла виинокислого кал.я сущестгеино различны.ДЛЯ ПООИЗЬОДСТВа ЖЕЛЯТЕЛЬНО иметь кристаллы, имсО 1 цис широкие, хорошо развитые гря;и С. Зто обусловлено тем, что пластины д,.я пье зорезснаторов выреза;отся -араллельно этой грани так, ;то д,-,иня их состазляет угол г 45 с высотой...

Номер патента: 1624062

Опубликовано: 30.01.1991

Автор: Ракин

МПК: C30B 29/56, C30B 5/00

Метки: выращивания, геле, монокристаллов

...геля в обоих сосудах поверх геля заливают дистиллированную воду, Спустя 14 ч из пробирки раствор сливаюти добавляют поверх еля расгвор хлористого кальция концентрацией 10 вес.%, Зародыши образуются спус я сутки на расстоянии 1,3.лм с плотностью 8,8 см, Коэффициенты, рассчитанные на основе этих данных, составляют К 1=. 14,9, К 2 0,12. Прогнозируя плотность ээродышей-кристаллов в основном кристаллизаторс равную 1 см или около 5 кристаллов2в обьеме, рассчитывают время промывки ТК 1/К 2 й - 123 ч, что составляет около 5 сут. В течение всего этого времени в христаплиэаторе промывают гель. Затем ;. з;рх геля заливают раствор хлористо.с кальция концентрацией 10 весь и че, ез 8 сут в геле на расстоянии 4 лм образуются первые зародыши...