C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1686044

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Казаринов, Китаев, Конончук

МПК: C30B 25/08

Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы

...мехаил.дисках 12 осуществляют планетарное враще. ние с помощью зацепов 11 относительно подложкодержателя 2 со скоростью 8 об/мин. После окончания процесса осаждения источник излучения отключают, прекращают 5 подачу газовой смеси, реактор 1 продувают инертным газом, давление повышают до атмосферного, После этого производят разгрузку реактора 1,Используют реактор абьемом Ч 1,5 дм 10з с источником ультрафиолетового излучения в виде полого катода. Наружный диаметр катода 75 мм. Внутренний диаметр кольцевого зазора 32 мм, наружный 40 мм. Расстояние между катодом и анодом 25 мм, 15 расстояние между анодом и подложками 20 - 35 мм, Напряжение пробоя 2 кВ, рабочее напряжение 300 В, ток 0,5 А. Температура поверхности подложек 140 С. Рабочее...

Номер патента: 1686045

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Заславская, Чижов

МПК: C30B 29/20, C30B 31/02, C30B 33/02 ...

Метки: лейкосапфира, окраски

...оксид никеля, для получения синей окраски - оксид кобальта, для получения оранжевой окраски - оксид стронция, 3 з,п,ф-лы,части спектра с координатами цвеХ=0,238; У=0,278. П р и м е р 2. Образец аналогичен образцу предыдущего примера; условия эксперимента и используемое оборудование - те же, но нагрев производят до 1400 С, а выдержку уменьшают до 2 ч. Полученный (окрашенный) образец имеет окраску в пределах голубой части спектра с координатами цвета Х= 0,200; У.=0,241,П р и м е р 3, Образец аналогичен образцам предыдущих примеров, но помещен в порошок окиси кобальта, Нагрев до 1150 С, а выдержка - 8 ч. Окрашенный образец имеет окраску в пределах синей части спектра с координатами цвета Х= =0,201; У= 0,165,П р и м е р 4. Образец...

Номер патента: 1687649

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Кузьмина, Мошкин, Нардов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: кристаллов

...по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 13035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5Производственно-издательский комбинат "Патен", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Те, Пеоатурц В 3 сЗС 3 воре, ОдиНВКОВОИ для Всех о,ьггов являлась "акже методика обрабп ки зксга-,име-п.ащ нцх результатов, котора."; заключалась в следующем. Из ка 3 кдого Опыта отбиралось 30 наиболее ;.) пнь 1 х кристаллов.,Салее с испОльзовднием микроскопа МИН-б с гониометрической гол Овкой, на котОрой закреплялись кристацлц, для каждОГО к)3 исталла В отраженном свете Определялось нличие взаимно О-, кло- НЯЮЩИХСЯ УЧВСТКОВ ПОВ 8 РХНОСТИ, ПРИнслдлеиащим разным блокам, и измерялся размер Оло;ОВ, Затсм подсчитывалось суммарное число моноблоков размером более 1 х 1 х 0,1 мм для Всех...

Номер патента: 799521

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Гребнев, Денисов, Дорджин, Крошков, Кузнецов, Ржанов, Томашевский, Щекочихин

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярнолучевой, эпитаксии

...к выключению установки на 40-50 ч, что также снижает производительность этих установок,Кроме того, такая компановка камер и наличие жесткой связи существенно усложняет ремонт и запуск устройства, .ограничивает возможность перестройки на другую технологию.Цель изобретения - повышение производительности и чистоты процесса.Эта цель достигается тем, что средствадля загрузки и выгрузки подложек размещены в отдельных камерах, снабженных ваку 15 умными затворами, а система дляперемещения подложек выполнена в видетранспортного канала, снабженного самостоятельным средством вакуумирования,кареткой, соединенной с механизмом пере 20 мещения и размещенной внутри канала нанаправляющих, и боковыми фланцами длясоединения с вакуумными затворами...

Номер патента: 1691431

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Квашнин, Синев, Степанов, Сурков, Чернявец

МПК: C30B 11/00, C30B 15/14

Метки: графитовый, нагреватель

...имеет форму полого цилиндра с вертикальными прорезями, выполненными попеременно сверху и снизу. По торцам цилиндра в. прорезях выполнены гнезда, в которых установлены армирующие элементы в форме штырей из электроизоляционного, теплостойкого и прозрачного материала, такого как лейкосапфир, циркон, рубин или гранат. Нагреватель обеспечивает повышение качества продукции на 4,8 о . 1 з.п. ф-лы, 1 ил,Графитовый нагреватель работает следующим образом.При подаче питающего напряжения на несущие элементы 2 происходит разогрев цилиндра 1. При этом штыри 5 и 6 препятствуют деформациям цилиндра 1 как в радиальном, так и в осевом направлениях, д Использование прозрачного материала для О изготовления штырей улучшает условия теплообмена между...

Номер патента: 1691432

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Лавров, Попель, Спиридонов

МПК: C30B 13/24

Метки: монокристаллических, пленок, тонких

...падения луча на поверхность формируется высокосовершенный монокристалл куприта, рассеиваясь на котором, электроны формируют дифракционную картину, состоящую из непрерывных узких полос, свидетельствующих о наличии пакета плоскостей оксида, толщиной до 2,0 нм.На фиг. 1 представлена электронограмма на отражение от поликристаллической поверхности меди; а нафиг.2 - то же, от полученной пленки Сц 20; на фиг. 3 - электронограмма.П р и м е р 2. По методике примера 1 получен монокристалл германия на поверхности германия. Высокое качество кристалла подтверждается не только наличием тонких полос на электронограмме, но и Ки,ИГКРГг гС изводственно-издательский комбинат Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 кучи-линиями, указывающими на ориентацию...

Номер патента: 1691433

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Курлов, Редькин

МПК: C30B 15/34, C30B 29/22, C30B 29/30 ...

Метки: выращивания, кристаллов, оксидов, профилированных, сложных

...Включение материала формообразователя и дефекты,связанные контактом с формообразователем, наблюдаются только на поверхностнойчасти кристалла,Измерить давление в замкнутом объемене представляется возмокным но онолегкорассчитывается из следующих условий;рЧ = сопэт(закон Бойля-Мариотта) и Р -Р.= рцэр,где Р - давление в замкнутом объеме;Р - давление в камере;р - плотность расплава;о - ускорение свободного падения;Ь - высота поднятия расплава в замкнутом обьеме относигельно уровня расплава.Но в данном случае наиболее вахнойхарактеристикой является расстояниеотпластины затравки до места схлопывания(фиг. 4), в зависимости гп Р - давления в 10 15 20 25 30 35 40 45 50 камере. Зто расстояние рассчитывают поформуле Н-Н+ Нф,Ну р цРгде Н -...

Номер патента: 1691434

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Быков, Гельфонд, Жаркова, Игуменов, Малобродская, Морозова, Стабников, Тюкалевская, Царев

МПК: C30B 23/02, C30B 29/12

Метки: покрытий, просветляющих, фторидных

...ведут в испарителе при Тдсп. 190 С:16)1434 3 Составитель 3. БезбородоваТех ред М ЫО ) ге нтал Корректор Ы, Шароши Редактор Ы Петрова Заказ 3 с 09 Тираж ПодписноеБН 41 ЛП 1 ЛОсудс 1 рсс в;.Оноо комлтета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР3035, Ыогва, )-35, Раушская наб., 4/5 11 рсп 1 заодстс 1 еш.; н ,ча)ельсий комбинатПатент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 давление в камере осакдения Р) 760 торр; время процесса(т) 10 мин.П р и м е р 2, Полуфенис) покрытия из гексафторацетилацетоната кальция 11) на лейкосапфире, Навеска 13 мг, Тппдл.500"С, Тисп.: - 160 С, Р =-торр, Х =- 10 МИН,П р и м е р 3. Получение покрытия из ексафторацетилацетона,а с гронция (1) на )ейкосапфире, Навеска 15 мг, Тппдп.550"С, Тисп200 С, Р =- 2 торр,т =- 10...

Номер патента: 1231920

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Денисов, Кузнецов, Ляпин, Никандров

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...на базе магниторазрядного или гелиевого насоса с криогенератором. Вакуумные шиберные затворы 8. имеют злектроприводы 71 для открытия и закрытияуплотнительных клапанов,Технологические вакуумные камеры 4,5 и 6 выполнены по единой схеме и отличаются компановкой и составом технологических и аналитических устройств входящих в них. Каждая камера имеет автономные откачные средства, прецизионные манипуляторы 72 с5 10 15 20 30 35 40 45 50 55 приводами 73 для поворота подложек 62 внутри камеры относительно технологических и аналитических устройств, перемещения и управления захватом при передаче подложек в камеру и обратно. На приводах всей установки снаружи расположены датчики (не показаны), контролирующие перемещение и взаимодействие механизмов...

Номер патента: 1693134

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Гейфман, Круликовский

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: калия, лития, материал, монокристаллический, основе, танталата

...когда подвижность ионов лития (и обусловленная их движением диэлектрическая проницаемость) существенно завис т от температуры,Расширен ге температурного диапазона двулучепреломления при снижении диэлектрических потерь и низком температурном коэффициенте диэлектрической проницамости обеспечивается образованием ниэ осимметричной структуры не за счет эамопаживания при определенной температурп (Т,) ионов, как в случае монокристалла-прототипа, а за счет синтеза нОвого соединения, имеющего низкую симметрию (и, следовательно, аниэотропные физические свойства) при кристаллизации. Элементами структуры здесь являются искаженные октаэдры, пентагочальные и15 ЗО трехшапочные призмы, образованные изионов кислорода, окружающих...

Номер патента: 1693135

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Мамаджанов

МПК: C30B 29/22, C30B 33/04

Метки: изменения, минералов, окраски

...образцы кальцита облучают у -излучением со средней энергиейу -квантов 1,25 МэВ, интегральной дозой(1,1 - 1,3).10 Р. Окраска кальцита слабо-чайвная, а после отжига при 30-40 С в течение15 - 20 мин - чайная,П р и м е р 3, Серые, белые, серовато-белые некондиционные образцы кальцита облучают у -излучением со средней энергиейу -квантов 1,25 МэВ, интегральной дозой(2,1 - 2,3).10 Р. Окраска слабая медово-жел 8тая, а после отжига при 40 - 50 С в течение20 - 25 мин - медово-желтая средней интенсивности,П р и м е р 4. Серые, белые серовато-белые некондиционные образцы кальцита облучают у -излучением со средней энергиейу-квантов 1,25 МэВ, интегральной дозой(2,8 - 3,2),10 Р, Окраска образца - медовожелтая, а после термообработки при 40...

Номер патента: 1693136

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Мамаджанов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: изменения, минералов, окраски

...флюо 60 оита опускают в канал у-источника Со и облучаюту-излучением со средней энергией у-квантов 1,25 МэВ, интегральной дозой 7,8.10 Р, Нет заметно- го изменения в окраске, Термообработка при 40-45 С в течение 25 - 30 мин приводит к образованию светло-салатового цвета,П р и м е р 2. Серые, белые, серовато-белые или слабоокрашенные образцы природного Флюобитв опускают в канал у-источника Со и облучвют у-излучением со средней энергией у -квантов 1,25 МэВ, интегрвльной дозой (1,2-1,8) 10 э Р,Окраска бледно-зеленая и бледно-голубая, а после термообрвботки при 50-600 С в течение 30-35 мин - синевато-зеленая и синевато-голубая.П р и м е р 3. Серые, белые, серовато-белые или слабоокрашенные образцы природного флюо 60 оита опускают в канал у...

Номер патента: 1693137

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Мамаджанов

МПК: C30B 29/34, C30B 33/04

Метки: изменения, минералов, окраски, ювелирных

...ф о р мул а изобретения Способ изменения окраски минералов для ювелирных изделий, включающий их гамма-облучение и последующую термообработку, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью придания турмалину интенсивной красно-малиновой окраски, облучение ведут интегральной дозой (7,8-8,1) 10 Р, а термообработку проводят при 80-90 С в течение 30 - 40 мин,Составитель Ф.МамаджановТехред М. Моргентал Корректор М,Демчик Редактор Н,Яцола Заказ 4056 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 трмалина опускают в канал у-источника в Со и облучают у -излучением со средней...

Номер патента: 1694716

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Мельникова, Сафин, Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02, C30B 33/04 ...

Метки: кристаллов, молекулярных, примесей, щелочно-галоидных

...электрод заменяли на плоский, Замена острийного электрода на плоский осуществлялась для прекращения введения электронных центров и осуществления дальнейших процедур очистки. Температуру в ячейке поднимали до 610 С, а через образец пропускали ток 10 мА (при больших1694716 Формула изобретения Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей путем введения электронных центров окраски, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью повышения степени очистки, центры вводят с помощью острийного электрода, после чего проводят отжиг кристалла при температуре на 10 - 15 С ниже температуры плавления при пропускании электрического тока не более 10 мА и одновременном облучении светом УФ-диапазона до исчезновения полос поглощения...

Номер патента: 1696616

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Буш, Журов, Иванов, Косяченко, Романов, Стефанович

МПК: C30B 13/22, C30B 29/26

Метки: монокристалла, оксида, сложного

...мельнице а течение 1,0 ч, полученную смесь кальцинируют при 900 С 8 ч, Кальцинированный продукт гомогенизируютв шаровой мельнице в течение 2 ч и формуют из него стержни в специальной пресс-форме, Формованные стержни спекают при 1400 С в течение 8 ч. Часть охлажденного стержня(57) Изобретение относится к синтезу моно- кристаллов и может быть использовано в радиоэлектронной технике. Цель изобретения - получение монокристалла ЯГА 204 с высокой кислородно-ионной проводимостью. Способ включает бестигельную зонную плавку с оптическим нагревом поликристаллического вертикального стержня, спеченного из шихты стехиометрического состава, в воздушной атмосфере со скоростью, соответствующей скорости роста монокристалла, равной 3-10 мм/ч. В качестве...

Номер патента: 1700111

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Беляев, Гриднев, Пикунов, Сидоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/52

Метки: магнитов, монокристаллических, постоянных

...скорости охлаждения более 100град/мин структура отливок не получаетсямонокристаллической из-за бокового теплоотвода и образования новых кристаллов отповерхности формы.При термомагнитной обааботке (ТУО)образцов нагрев осуществляют до 1240 -1260 С со скоростью 40 - 200 град,"мин, Принагреве со скоростью менее 40 град/мин вструктуре сплава успевает образоватьсяпроизвольно ориентированная у-фаза,При нагреве со скоростью более 200град/мин в заготовках возникают микротрещины, понижающие механическуюпрочность образцов, Дальнейшая ТМО проводится по следующей схеме: охлаждениена воздухе в магнитном поле 2 мин, изотермическая выдержка прл 800 С 12 мин, двух 1- ступенчатый отпуск ппи 650 О С 5 ч и при 550С 20 ч,В табл. 1 приведены...

Номер патента: 1700112

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Аверьянов, Атаманенко, Дубинин, Евтодий, Кузьминов, Лейбович, Митин, Середа, Сухарев, Талят-Келпш, Федоров

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллов, профилированных, процессом, расплава

...сил, приложенных к затравке растущего кристалла.Кроме того, известный способ автоматического управления технически трудно осуществить в технологических установках, в которых при вытягивании кристалла трос наматывается на барабан лебедки, т,к. в этом случае для измерения сил поипоженных к затравке растущего кристалла, необходимо взвешивать большегрузную лебедку с барабаном.Целью предпа. емого изобретения является улучшение качества регулирования процесса выращивания профилированных кристаллов,Поставленная цель достигается тем, что в способе автоматического управления процессом получения профилированных кристаллов из расплава, включающем регулирование технологических переменных процесса кристаллизации, например, температуры...

Номер патента: 1700113

Опубликовано: 23.12.1991

Автор: Блинов

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...иэкраном 22. Полость кольцевой камеры 16соединена с питателем 23 веществ с помощью трубки 24, снабженной компенсатором 25. На питающей магистрали камера 16- питатель 23 установлен вентиль 26, Камера 16 может быть выполнена иэ отдельныхнезависимых секторов. 15В варианте исполнения (фиг.2) камера1 соединена с питателем 23 через тигель27, окруженный электронагревательнойспиралью 28, закрепленной в изоляторах 29и помещенный в корпус 30. Для конроля 20температуры испаряемого вещества предусмотрена термопара 31,Работа устройства может быть описанана примере использования варианта исполнения с тиглем (фиг.2), 25При нагреве электрической спирали 28происходит испарение вещества в тигле 27.Пары, поступая через трубку 25 в кольцевуюкамеру 16,...

Номер патента: 864847

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Багдасаров, Лубе, Федоров

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

...обеспечение контроля структурного совераенства растущего кристалла и повыщейие за счет этого выхода крупных кристаллов беэ дефектов.Цель достигается тем, что в устройстве для Выращивания монокристаллов 35 из расплава, содержащем держатель затравки, механизм. перемещения кристалла, пьезоэлектрический преобразователь, соединенный с одной стороны сзатравкой, а с другой стороны с блоком преобразования и измерения импульсов, пьезоэлектрический преобразователь соединен с затравкой или держателем затравки через волновод и.снабжен средством для охлаждения, выполненным в виде радиационных экранов . и холодильника,.и кинематицески связанным с механизмом перемещения кристалла,. Иа чертеже изображена схема устройства.Здесь нагреватель 1, расплав 2,...

Номер патента: 1401937

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Лубе

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллизации, положения, фронта

...ф 5 время движения катушки вдоль оси тиг" ля ее индуктивность и/или сопротивление непрерывно измеряются связанным с ней блоком 6 измерения электрических параметров. При пересечения катушкой О фронта 11 кристаллизации ее индуктивность и/или сопротивление меняются скачкообразно из"за различия н электропроводности расплава и кристалла, при этом на выходе блока 6 появляет- ;5, ся сигнал, поступающий на второй вход индикатора 7. Этот сигнал Фиксирует в индикаторе 7 текущее значение ко ордииаты катупКи 11 оступинпее с датчика 3 11 оложе 11 ия катушки н качествекоординаты Фронта кристаллизации. Вэтот момент с выхода индикатора напранл 11 ется сигнал на вход блока 5управления приводом катушки, которыйренерсирует привод и нознращает катушку н...

Номер патента: 1358480

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Златкин, Лубе

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллизации, процесса

...в камеру 3 кристаллизации, включается вращение штока 2 вращения кристалла, реверсируется движение штока 1 перемещения кристалла, при этом начинает расти кристалл 4. Если в процессе выращивания в кристалле возникают структурные дефекты, например скопления дислокаций или трещины, они вызывают в ием акустическую змииссию - меха. нические колебания, которые передаются через затравку 5 пьезоэлектрическому преобразователю б, Сигналы акустической эмиссии, имеющие вид рздиоимпульса, с выхода преобразователя б поступают в предусилитель 7, з оттуда - - нз катушку 8 индуктивности. Преобразователь б, предусилитель 7 н катушка 8 вращаются и перемещаются вместе со штоком 2 возщения кристалла, Сигнал акустической эмиссии, проходящий через...

Номер патента: 1701755

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: ароматического, выращивания, монокристаллов, соединения

...что сильно растягивает время выращивания монокристаллов, а при температурах выше 40 С усиливается разложениевещества, цвет раствора изменяется, Этипримеси входят в кристаллическуа решеткуманокристэллэ, ухудшая его оптическое качество. Температура (35 - 40 С выбрана в достаточной мере условно, зависит от степениочистки исходных веществ и растворителейи является усредненной из большого количества экспериментов,Экспериментально было установлночто монокристалль 1 3-метокси-аксибензальдегида вырастают из смеси бензола иэтилового эфира в соотношении 1:1 в видетонких(да 0,1 мм толщиной) гексагонэльныхпластин. Добавка пропиленкарбоната приводит к разращиванию монокристалла втолщину.В приведенном примере рассматривалось влияние...

Номер патента: 1701756

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Демьянец, Косова

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, нефелина

...автоклава, в верхней его части (высотой 20 мм) наблюдается даже при минимальном ЛТ (10 С) значительное образование спонтанных кристаллов нефелина, вплоть до образования "крыши", толщиной 5 - 7 мм. Границы интервала концентраций также определяются, с одной стороны (ниже 3 мас.%), низкими скоростями роста, с другой (выше 17 мас.) - образованием спонтанных кристаллов гидроканкринита, нефелина или содалита, в зависимости от температуры.При проведении процесса в растворах йаОН (С 1 чаон 3 - 17 мас.) скорость роста кристаллов низка, Урюк0,02 мм/сут, при использовании КОН образуется другая фаза - КА 31 О 4 со структурой кальсилита, При использовании смеи 3 анного раствора йаОН + КОН с объемным соотношением меньше 1:2 при тех же исходных...

Номер патента: 1701757

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Горелик, Гусейн-Курбан, Черных

МПК: C30B 23/02

Метки: кластеров, металлоорганических, соединений

...вакуума 10 мм рт.ст. (тор) включают испарители 9 металла, Участок поверхности матрицы в результате вращения цилиндрической подложки попадает в зону осаждения частиц металла, которые взаимодействуют с матрицей и в зависимости от условий образуют МОС или кластеры, Далее, вращаясь, этот же участок г,опадает а следующую зону осаждения другого металла (металлы могут быть различными), Таким образом, происходит процесс последовательной конденсации частиц металлов (см. фиг. 3). За последней зоной осаждения частиц металла установлен нож 7 для среза матрицы. Срезанные куски матрицы сбрасывают в коллектор 8 для сбора срезанного продукта, где они тают и выводятся из корпуса. Для одновременной конденсации частиц металла испэрители частиц 9 необходимо...

Номер патента: 1701758

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Елсаков, Искорнев, Окунев, Росс

МПК: C30B 27/02, C30B 29/40

Метки: галлия, монокристаллов, фосфида

...чем на 50 С повышается вероятность растрескивания монокри 50 сталла за счет повышения величин термонапряжений из-за сплошного слоя флюса на его поверхности Повышение температуры со скоростью более 7 С/мин приводит к растрескиванию монокристалла из-зэ наличия термоудэроз и повышения на этой основе величин термонапряжений,ния монокристалла. При этом плотностьЗО Я-ямок травления возрастает. Если передПовышение температуры со скоростью менее 0,7 С/мин нецелесообразно иэ-эа резкого увеличения времени процесса без заметного эффекта повышения структурного совершенства монокристаллов. 5Пои скорости последующего охлаждения монокристалла менее чем в 1,5 раза меньшей скорости первоначального охлаждения происходит растрескивание моно- кристалла...

Номер патента: 1701759

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Крылюк, Куликовская, Раренко

МПК: C09G 1/02, C30B 29/10, C30B 33/08 ...

Метки: композиция, кристаллов, поверхности, полировки, полупроводниковых, химико-механической

...1. В качестве твердой фазы использовали ультрадисперсные порошки немодифицированного кремнезема размером 20-38 ОА с поверхностью, содержащей группы 9 ОН, Химически активный компонент - моноэтилендиамин.Гидрофильный характер аминоэтоксиазросила (АЭА) позволяет очень легко вводить его в водные среды и получать стабильные водные дисперсии Е = Я - О - СНг - СНг - ИНг.Продукты, образующиеся при полировке, удаляются с поверхности за счет хорошей абсорбцион ной способности, обусловленной сильноразвитой поверхностью АЭА, а также благодаря комплексообразованию за счет наличия аминогрупп, что позволяет избежать "замазывания" дефек.тов поверхности и обеспечить высокую эфФективность на протяжении всео процесса,При приготовлении полировальных...

Номер патента: 1705424

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Аккуратова, Гаврилов, Тихонов, Цыганова

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: выращивания, монокристаллов, силленита, структурой

...происходит отклонение от стехиометрического состава за счет интенсивного испарения ВцОз, имеющего более высокое парциальное давление паров по сравнению с ЯЮг и бе 02. В соответствии с диаграммой состояния это и приводит к снижению темпеоатуры плавления на поверхности слитка. Из расчетов скорость охлаждения слитков силиката висмута диаметром 65 мм равна 7,1 град/ч, однако проведенные исследования показали, что использование малых скоростей охлаждения целесообразно лишь в зоне аномального возрастания напряжений. Для монокристаллов силиката и германата висмута они лежат в диапазоне 500-700 С,Проведенные эксперименты показали, что скорость охлаждения при температурах51 О 15 20 25 30 35 40 45 50 за пределами указанного диапазона можно...

Номер патента: 1705425

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Зелимханов, Марасина, Пичугин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/40

Метки: галлия, нитрида, слоев, эпитаксиальных

...в заданном градиенте температуры, наложенном нормально к поверхности расплава. Время эпитаксиального осаждения составляет 3 ч и в течение этого времени поддерживают постоянный градиент температуры, равный 2 ОС/см. После эксперимента подложки и раствор-расплав разобщают, подложки со слоем очищают от остатков металлов в горячей царской водке и промывают в дистиллированной воде.Морфологию поверхности слоев исследуют в оптическом и растровом электронном микроскопах при различных увеличениях. Структурные характеристики исследуют электронографическим и рентгендифрактометрическим методами. Толщину слоев и однородность слоев по толщине измеряют интерференционным микроскопом МИИ.Выращенные эпитаксиальные слои нитрида галлия были...

Номер патента: 1705426

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Войтенко, Заславский, Санфиров

МПК: C30B 23/08

Метки: источник, молекулярных, пучков

...охлаждаемого экрана 4 имеется внутренняя полость А, служащая для равномерного распределения хладагента по периметру экрана. Поступая через входной патрубок 6 хладагент поднимается. заполняя весь внутренний объем и дальше через открытые концы трубок 5 вытекает иэ охлаждаемого экрана 4 (направление течения хладагента показано стрелками), Экран 4 выполнен в виде металлических цилиндров 7 и 8, присоединенных с одного торца к цоколю 9. а с другого - соединяются между собой. В пространстве между цилиндрами 7 и 8 размещены трубки 5. С одной стороны трубки 5 соединены с цоколем 9, так, что открытые концы находятся в полости Б, являющейся выходным коллектором, Патрубок 6 для ввода хладагента проходит насквозь через цоколь и оканчивается в и...

Номер патента: 1453960

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Иванов, Чалый

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: гадолиний-галлиевого, граната, монокристаллов

...длины кристалла 27 мм. При этой алике форма фронта кристаллизации изменяется ат астравыпуклай к ГГавнавыпуклой. Скорость вращения, вахиная ат длины кристалла 27 мм,604выращивание из расплава коническойчастн кристалла с постоянной скоростью вытягивания и вращения до из"5менения формы фронта кристаллизацииот островыпуклой к плавковыпуклой,уменьшение скорости вращения по заданной зависимости до цилиндрическойчасти кристалла и последующее выращивание цилиндрической части в атмосфере инертного газа, содержащего кислород, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения выхода годных монокристаллов диаметром до110 мм с плотностью дефектов не боФлее 3 см за счет уменьшения длиныконусной части кристалла, затравлива"ние ведут при вращении...