C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 358287

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Золотухин, Кукуй, Скропышев, Ставровский

МПК: C30B 33/10

Метки: 358287

...соляенин криуглекис. скорости выделяю- раствореы, примее поверх- атывается я срав- способчто зари пла 10 е про ти под раствоьцием,дмет етени Сп го ш той, ния особ полирования крист пата путем обработки и отличающийся тем, что, качества полирования ие проводят в гермет ти под давлением, соз раствором соляной ки кальцием, помещенным ти,аллов исландскох соляной кислос целью повыше- кристаллов, поли- ически закрытой даваемым, наприслоты с углекисв сосуде внутри ом, что закрыислоты 2кальци.внутри тся емко мер, лым емко за ьИзобретение относится к обработке кристаллических материалов.Известен способ полирования криисландского шпата путем обработкиной кислотой.Недостатком такого способа являетснительно невысокая отражательнаяность...

Номер патента: 358871

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Вестерн, Иностранна, Иностранцы, Легранд, Соединенные, Шобха

МПК: C30B 29/30, C30B 33/10

Метки: 358871

...Из более тяжелых ионов удовлетворительным является 1.+; более крупные ионы (Р 1+, А - , Лп-, Га-, Т 1+ и др,) могут быть использованы также, хотя меньшие скорости миграции вынуждают увеличить время электролиза,Удовлетворительным является градиент напряженности в интервале от 100 до 2000 всл. Ниже минимальной величины время обработки чрезмерно возрастает; при превышении верхнего предела возможны дуговой разряд и сильный Джоулев нагрев, желательным является уровень от 150 до 500 висл. В большИнстве случае целесоооразно использовать номинальную напряженность 200 в/сл. Используемые вещества прибли;кенно имеют промежуточное строение, характеризуемое пространственно-точечной группой Р 4 Ьт (Сг ) Рассматриваемые вещества, в основном, при...

Номер патента: 384208

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вейцар, Инастраи, Иностранна, Клод, Швейцари, Якоб

МПК: C30B 29/36, C30B 29/62

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов, нитевидных

...О Применяемый раствор имеет концентрацию 0,01 - 2 г железа на 100 г растворителя; время погружения варьируется от 0,5 до 5 мин, После нанесения раствора подлояки супоат для,вьспаривания растворителя и помещают в 15 реакционный объем.Реакпор состотст из водоохл аждае ма гостального кожуха, футерованното муллитом и графитовыми плитами, напревательньсм элементом является графитовый стержень. Под ложечки располагают по вертикали на расстоянии 5 см друг от друта; на каждую подложку наносят элементарный кремний или ЯОг и уголь. Молярное отношение ЯОг, С составляет от 1:1 до 1:10. Уголь полностью или частич но может быть з,амещен газообразными углеводородами (метан, этан, горопаи), Реактор наполняют водородом или смесью из Нг и аргона и...

Номер патента: 388779

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, исследования, кинетики, кристаллов, роста

...9 снабжензатворной крышкой 18 для предотвращения 10 выплескивания жидкой фазы из стакана приего вращении.Кристаллизационный стакан устанавливается на теплоизолирующей прокладке 14 на опоре 15 с ребристыми направляющими 1 б, 15 вращающейся на оси привода 17 со скоростью, достаточной для того, чтобы под действием центробежной силы жидкий расплав образовал вогнутую поверхность параболоида вращения требуемой кривизны.20 Устройство работает следующим образом.Трубчатый кристаллизатор с циркулирующим в нем хладагентом заданного расхода и температуры погружается в исследуемый расплавив. При этом выступы вилочки 7 на кор пупе кристаллизатора 2 входят в шлицы замка 8 корпуса кристаллизационного стакана, соединяя их в единый узел и одновременно...

Номер патента: 388780

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Папков, Попов

МПК: C30B 13/02, C30B 19/02

Метки: гсьсоюзная

...роста слоев при температуре 1050 - 1100 С составляет 0,9 - 1,2 мм/час. Полученные слои имеют высокую 5 однородность распределения алюминия и монокристалличность структуры. падая счезае ры доого или относи- ико Во Го бретения редме О Способ зонной плавки ратуры, отличающийся устранения нестабильнос кой з,оны, плавку ведут в температурь, изменяюще5 расстоянии, не больше фронта кристаллизации. прадиентом темпетем, что, с целью ти движения жид условиях градиента го направление надлины зоны о" Известен способ зоннои плавтом температуры (ЗПГТ), подл ине зоны.При этом в процессе движения зона изменяет свою форму, распадается на отдельныечасти и движется нестабильно,С целью устранения нестабильности движения жидкой зоны по предлагаемому...

Номер патента: 391847

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Петров, Титова

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, ферритовых, шихта

...насыщения 51750 гс.Однако для создания ограничителей мощности с малым уровнем ограничения требуются монокристаллы с более высоким, чем уиттрийжелезного граната значением намагниченности насыщения при сохранении узкойлинии ферромагнитного резонанса.Цель изобретения - разработка составадля выращивания монокристаллов с общейформулой аз.е 5,5 с,Ог (при х не более 0,7), 15обладающих повышенной намагниченностьюнасыщения, узкой линией ферромагнитногорезонанса и высоким удельным электросопротивлением,Это достигается тем, что в исходную шихту 20вводят окись скандия при следующем соотчошении компонентов, вес. %: гОз 6,19 - 6,18;ГегОз 13,48 - 13,12; 5 сгОз 0,94 - 1,26; РЬО34,63 - 34,65; РЬГг 44,76 - 44,79.П р и м е р. Шихту, содержащую, г:...

Номер патента: 392971

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Ордена

МПК: C30B 29/10, C30B 9/04

Метки: 392971

...в воде. ЭФфект улучшения свойств порошка ФторамфиболовоЦ го асбеста достигается эа счет дис-,пергирования поликристаллическогослитка в каком-либо растворителе,например в воде. П р и м е р. Исходные компоненты, например фториды натрия, лития и магния, карбонаты натрия и лития, окись магния и окись кремния и т.п., в качестве которых используют как химические реактивы, так и технические продукты, сушат или прокаливают.Шихту предлагаемого состава перемешивают, а затем плавят в высокотемпературных печах в графитовых тиглях. Расплав охлаждаю со скоростью 10- 20 С/мин. Поликристаллические слитки, содержащие 70-90 основного продукта - синтетического амфибола типафторрихтерита (Й а Мць 51 В Оф ) или литиевого протоамфибола (1.1 Ид 51Г) и...

Номер патента: 394094

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Куриленко, Люкшин

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, магний-марганцевых, монокристаллов, ферритов, шихта

...магта: 21,5 МдО, 34,9выращенного по меменьшей из нескольквов шириной линиинанса (Л Н), равной9470 Мгц при комнат и ширину линии фмр, измеренную при комнатнон температуре на частотах 4850 и 9100 Мгт 1 в кристаллографическом направлении (100), меньшую или равную 3 эрстедам, 5 П р и м е р. Сернокислые соли магния имарганца (да) и железоаммонийные квасцы (ОЧ), взятые в указанном соотношении перемешивают и подвергают термическому разложению при температуре 900 С. Затем 10 вновь перемешивают и обжигают при 1250 Св течение 3 час. После обжига шихту размельчают и просеивают через сито 10000 отв/смг. Монокристаллы выращивают на аппарате с использованием двухканальной ки 1 з слородно-водородной горелки и кристаллизатора с внутренним диаметром 30 -...

Номер патента: 394315

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Куриленко, Сапожников, Титова

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, граната, иттрий-железного, монокристаллов, шихта

...путем кристаллизаиз раствора компонентов УзОз, 1.-е,Оз, з в распл авс РЬО - РЬГз - ВзОз. Отлилсч тем, что, с целью увеличения коэфепта использования окиси иттрия и поии 51 Выходя крупных кристяллОВ, В шиходят двуокись свшша, а исходные комты берут в следующем соотношешш, %: иттрицииСаСОчаюафицивышету ввПЕНЕ 1вес. УзОз 1 езОз РЬО РЬ) В 20 з РЬОз СаСО 5,4 - 10,811,42 - 17,5530,9 - 34,1833,62 - 37,62,36 - 2,77,25 - 7,650,01 - 0,05 Опубликовано 22.7111.1973. Бю Изобретение относится к области хими 11 еской технологии и касается получения моно- кристаллов магнитных полупроводниковых материалов.Известна шихта для выращивания моно- Б кристаллов иттрий-железного граната (ИКГ) следующего состава (вес. %): 11,03 УзОз15,65 1;"е,Оз39,3 РЬО...

Номер патента: 394317

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лебедь, Мосель, Муха, Титова, Яковлен

МПК: C01G 49/00, C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов, ферромагнитных, шихта

...расплавекристаллов с общей формулой з .Еео. А 1 1 п. Опь обладающих нченностью насыщения 4 зтМ, не болееузкой линией ферромагнитного рез(ф. м. р.) не более 1 э и полем анизо- не оолее 1 О э. Это достигается тК 1тИв известную шпхту на основе 1 еОз,ГезОз, А 1(ОН)РЬО, РЬР 2 вводят окдия, и разработанный состав шихтыследующее соотношение компонентов: Синтезированные монокрпсталлы имеют15 состав 1 е,з ттс 1 о,о А 1 ю,о 1 п о,зз Рез,75 Оснамагниченностью насыщения 4 тМ 400 гс,К,9 э, шир;ной линии ф.м.р. (измеренияИпроводятся на частоте 500 Мгтт), равной для20 лиска 0,7 э, лля сферы 1 э.П р и и е р. Исходные компоненты шихтыуказанного состава перемешивают путем виброомола, загружают в платпновьп тигельемкостью 250 слтз, закрывают платиновой25...

Номер патента: 394457

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 29/02, C30B 33/02

Метки: 394457

...достигается тем, что цагревание, выдержку и охлаждение повторяют периодически более двух раз при давлешш 10 - 10" аг, причем нагрев ведут до температуры 0,8 - 0,9 Т пл 1 кристалла, д охлаждение- до тсопсратмры 0,4 - 0,7 Т пл К кр псталл д. Где СС - рд 3 цоце 1 с КОН- с",ццтряцИИ 3 СИСИ и КрпстЛЛС Ирп тс Мпердурах нагрев 1=0,8 - 0,9 ТилК и То=-0,4 - 0,7 Т пл К соответственно, 1. расстояние МСЖДМ ВДКДИСПОИПЫ)И ПСТОЦПКДМИ И СТОК 1. ми), возникающей ири тсраОцшлиро 3 и 3 и, ПО СраВПсцИЮ с терМОдпнМНЧЕСКОй СИЛОЙ Прп : зотероическс)1 От)киге 1 - 1 пг Где с. . РВПОВЕСИДЯ СОНЦЕЦтРДЦИЯ ВаКацсий около дефект при ,), д также избирдтельной рботой цдкднсионпых источников и стоков ц услоциях термоциклирования ири 13 ЫСОКО) ДДЦССИИИ -- ПРСИММЩССТВЕ 13...

Номер патента: 396124

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Березенко, Блецкан, Мисюра

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: бездислокационных, кремния, монокристаллов

...криста,пов к 30 цд по Т 1 охрял моцокрцстд,пд Зд здт 3 В)и, н Т 51 ГИ ВД;)п 51 П,1 О ОТ.22 П22222202 нных моноЦЗ Р 1 СПЛЯем учдсткд цм дцямстроиссе выа 1)цзяццбеспечен;я капп нцех НВДП меныВ Пкрис ЛЯО кому с выряц 1)метром,ПОДДЕРЖДЦИЕ кого фронт т; о. с цеЦель изоб условий, обе бездислокаци в цаправлени создание теплоых х устойчивый рост кристаллов кремния 30СТЕНИ 51печивающнных мот11101. м,:т 1 Зобретгцие Относится к метяллургцц .10ПР О ВОДИ и КС и.Известны способы получецицпоццых моцокристаллов повытягввяц;ем из расплава,пов которых после затравливНиучасток мо:окрцсталла с диамедиасегрд затравки, ц поддержфЭОЦТ КРНСТЯЛ;1 ИЗДЦ)М 1. Д,51 ЗОГО Ц 15 П) ВЬРЩ 16 ВЦИЦ ОЕЗД 1 Ь,ОКЦЦОЦ)ЫХ МЬОХРСТ 1,1,1 ОВ У 1 ЯЗЯЦНОЙ ОРНЕПТ 3 ЦИЦ Ве,тцчпну...

Номер патента: 396862

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дата, Опубли, Саи

МПК: C30B 25/00, C30B 29/36, C30B 29/62 ...

Метки: 396862

...количество зависит От того,какова должна быть консистенция наносимого 25 слоя. Целесообразно лак добавлять в такомколичестве, чтобы получилась масса, хорошо наносивая кистью.Эту массу наносят на подложку. Прп нагревании происходит обугливание лака и неорганические частицы заключаются в тонком396862 Предмс Г изобретения Сос Гавитепь В. БезбородоваТсхред А, 1(амышникова Корректор О, Тгорнна Реиктор Ю, Агапова, , аЯД 71 д, о92. Тираж 678 Подписное Ц 11 г 11осударствсв 1 о и козитета Совета МишОров ГССР ИО;С.ае ИапРСтенпй И ОтКРЫтнй москва, )К.зо, 1 аушская наб., д. 4/оОб 1. Тии. Костровского уи,)ав си 151 11 Латедьств, 101 Г 11111 и и капк;:ои т "Г, а угольнох слое. Вследствие этого вцесв 1, содействующие росту кристаллов, при воздейст...

Номер патента: 397477

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Винник, Громзин, Зверева, Филиппов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: baamgafeioozs, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, шихта

...%):Окись железа 30,9 - 31,0 Ъглскислый барий 58,0 - 58,2 Окись магния 2,5 - 2,6 Окись бора 8,3 - 8,5 8,5 мешают в печьИзооретение относится к получению ВагМдг 1 е 1 гОгг ферромагнитных гексагональцых монокристаллических материалов, применяемых в различных сверхвысокочастотных устройствах миллиметрового диапазона длин волн.Известна шихта для выращивания моцокристаллов гексаферрита ВагМдгГе,гОгг ца основе окиси железа, углекислого бария, окиси магния и соединения, образующего раствори- тель. При этом отмечается малая магнитная добротность монокристаллов, Для получения монокристаллов с высокой магнитной добротностью (ЛН (30 э) предлагается в качестве соединения, образующего растворитель использовать окись бора, а исходные компоненты...

Номер патента: 401042

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 25/00, C30B 29/36, C30B 29/62 ...

Метки: 401042

...или фтор. Газ пропускают со скоростьго 10 - 20 с.гг/.ггин.П р и м е р 1. В реакционную трубку из плотно спеченной окиси алюмиция вводят 4,5 г углерода и 8 г порошксобразиого кремния техцического качества так, что по направлению пропускаиия газа, кремний цаходится иепосредствеиио перед углеродом. Зятем через реакциоииуго труоу пропускают реакциоииый гяз, который состоит из 72",о Не, 20 о Хе и 8",г С 1 е, в то врезя как реактор иагревают до 1480 С.5 Приблизительцо по истечении 8 чаг реакцияокоцчеиа. Реактор охлаждают и открывают, В результате получают кгловидиые моцокристаллы карбида кремиия диаметром от 3 до 5 лгк и длиной в несколько миллиметров.О П р и м е р 2. Опыт проводят яиялогичцопримеру 1. Состав газа 84 оггг, 11 е, 120/, Х и...

Номер патента: 402506

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: 402506

...ведут при концентрации водного раствора фтористого калия 10 - 40 вес.% и фтористого натрия концентрацией 2 - 10 вес.%,П р и м е р 1. 50 г порошкообразного ЯЬеО загружают на дно реактора, куда заливают 400/О-ный водный раствор КР и 10 ф,-ный водный раствор ХаР.Реактор герметизируют, ставят в печь и нагревают до температуры 540 С, вследствие чего в нем создается давление в 1765 атм. Температурный перепад по высоте реактора составляет 30 С. Время выдержки в режиме 8 суток, В результате в верхней зоне реактора кристаллизуются кристаллы окиси сурьмы модификации сепармонтита, причем выход монокристаллов 40 г.Пример 2. Шихту состава ЯьОт в количестве 50 г загружают в реактор, куда заливают смешанныи водный раствор КГ (Скг= =30 вес.",о) и а...

Номер патента: 403431

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 25/14

Метки: 403431

...подвода газа и отвода получаемой парогазовой смеси, отличающееся тем, что, с целью обеспечения однородности парогазовой смеси, испаритель выполнен в виде эжектора, соединенного с трубопроводами патрубкамп.2. Устроцство по и. 1, отличающееся тем, что патрубок, соединяющий эжектор с трубопроводом для отвода парогазовой смеси, расположен тангенцпальпо по отношению к трубопроводу. присоединением заявки М Изобретение относится к устроиствам, предназначенным для испарения и получения парогазовых смесей различных летучих соединений, и может найти применение в технологии полупроводниковых материалов. 5Известно устройство для получения парогазовой смеси, например, полупроводниковых материалов, содержащее испаритель и обогреваемые трубопроводы...

Номер патента: 404502

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C01F 7/02, C30B 25/00, C30B 29/20 ...

Метки: а-окиси, кристаллов, нитевидных

...вырастают нитевидные кристаллы окиси алюминия. 15 едмет из ения 1. Сполов а-ок0 тем вдальнейштем, что,сталловпроцесса5 зуют алю2. Спопроцесспаом теричсм0 2200 С. Изобретение относится к способу получеия нитевидных кристаллов а-окиси алюминия, которые могут быть применены для армирования металлических, полимерных и керамических материалов.Известен способ получения нитсвидных кристаллов и-окиси алюминия в атмосфере водорода путем восстановления окиси алюминия с дальсйшим охлаждеисм.Характерной особенностью этого способа является низкая производитсльность.и невысокое качество получаемых кристаллов,С целью повышения качества кристаллов и производительности процесса в качестве восстановителя используют алюминий, Процесс проводят в...

Номер патента: 407575

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Сычева, Тимашев

МПК: C30B 29/22, C30B 7/14

Метки: эттрингита

...продуктов р мината и суолученпя эттрингпта трехсульфатгидросульфоаломнната кальция раствора алюмнната и сульфата тличающийся тем, что, с цения эттрннгнта в виде монокриоцесс ведут встречной диффузией астворения трехкальцпевого алольфата кальция. Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов из водных растворов и может быть использовано для расширения возможностей излучения составляющих цементного камня.Известен способ получения эттрингита трехсульфатной формы гидросульфоалюмината кальция путем сливання раствора сульфата кальция и раствора, образовавшегося над трехкальциевым алюминатом, По известному способу образуются кристаллы игольчатой формы длиной 15 - 20 мкм, которые непригодны для структурных и физико-химических...

Номер патента: 365161

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Соловьев

МПК: C30B 13/26

Метки: длины, перемешивания

...Изобретение относится к оолэлектропроводных материалов зкой.В известном устройстве для контроля длины и перемешиваиия расплавленной зоны измерительные катушки установлены в зазоре между магнитопроводом статора и контейнером, в связи с чем между контейнером и магитопроводом имеется значительный воздушиьЙ пролеРкуток сниокаю 1 ций эффективность церсмешивация н величину выходного сигнала, соответствующего длине зоны.Отличием предлагаемого устройства яв,151 ется в 11 полиецне мягпитоп 1 РОВОдя статоря из двух пакетов, в пазах которых помещены измерительные катушки. Это дает возможность уменыпить воздушный зазор между контейнером и маги итопроводом статора и повысить в связи с этим велпчшу выходного сигнала ц напряженность вращающегося...

Номер патента: 369748

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Иностранец

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: выращивания, металлов, монокристаллов, ниобатов, танталатов, щелочных

...на установке Чохральского с нагревом тигля при помощи нагревателя сопротивления. Исходный материал в виде порошка помещают в платиновый тигель и расплавляют в проточной атмосфере, представляющей собой влажный кислород или влажную смесь кислорода с инертными газами. Для создания требуемой степени влажности поток газа пропускают перед входомэкамеру через наполненныи водои сосуд при температуре 22 - 28 С. Скорость протекания газа должна обеспечивать его насыщение водяным паром при данной температуре и выбирается 5 в пределах 0,3 - 3,0 л/час, предпочтительно0,5 - 1 л/час.В процессе вытягивания между затравкойи расплавом создают короткое замыканиедля стекания поляризационных зарядов, возникаю щих при переходе в...

Номер патента: 371963

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Геи, Институт

МПК: C30B 29/46, C30B 7/14

Метки: пленок, свинца, сульфида

...помещается в водный раствор, содержащий растворимую соль свинца (нитрат или ацетат свинца) 0,001 - 0,05 моль/л, щелочь (едкое кали или 25 едкий натр) 0,05 - 0,5 моль/л, серусодержащий осадитель: И-фенилтиомочевину 0,001 - 0,02 моль/л или М,И-дифенилтиомочевину 0,0003 - 0,001 моль/л, Г 1 роцесс ведут при температуре 5 - 30 С до осаждения на подложке Зо красно-коричневой пленки достаточной толщины, Затем подложку с,полученной пленкой извлекают из рабочего раствора, промывают дистиллированной водой и подвергают термообработке при температуре 400 в 7 С до полного исчезновения окраски пленки.П р и м е р, Обезжиренную и промытую в хромовой смеси подложку из стекла погружают,для сенсибилизации в солянокислый раствор хлористого олова...

Номер патента: 380344

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Бирюков, Захаров, Москвец, Мухин, Силаев, Федорук

МПК: C30B 25/16, C30B 29/38, C30B 29/62 ...

Метки: кремния, кристаллов, нитевидных, нитрида, процессом, роста

...волорола в газах на входе и вььх- Ле из реакционной зоны автоматически вы числяется количество пропана, необхолимсголля подлеркания требуемой концентрации вэ- Сп лорола в зоне. Эта величина используется сом лля управления расходом пропана в реакци-, крех онную зову. 25 ходоНа чертеже приведена "схема реализацйпот;ссс пРедлагаемогос Снс 1 еоКса - .:-;:. оптсДатчиком 1 измеряесйт конГФйтрайгиФ"войсс- ": нбцТ рола в азоте на вх;оде в реактор ивводится" вре. ее значение в суммируюсцее устройство 2,:ку 30 Лоро ла вволится также текуьцее значение концент. рации волорола в отходящих газах с помощью датчика концентрации . Суммирующее устройство 2 вычисляет текущее значение концентрации водорода в реакционной зоне, когорое...

Номер патента: 409962

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: 409962

...от растворителя.Целью изобретения - упрощение процесса выращивания монокристаллов калийиттриевото,молибдата. 20,Поставленная цель достигается тем, что в качестве исходной шихты используют смесь окислов иттрия (ЪгОг), окиси молибдена (МоОз) и углекислого калия (КгСОг) в соотношении, отвечающем составу 90 - 95% 25 Кт (Мо 04)г и 5 - 10 вес. % КгМо 01 о, которую подвергают последующей выдержке при температуре 1020 в 10 С в течение 2 - 5 час.П р и м ер. В платиновый тигель емкостью 140 см (ф 50 мм) помещают тщательно пере- ЗО 2мешанную смесь окислов, состоящую из 4516 г тгОг, 129,93 г МоО, и 32,37 г К,СО,. Вещества МоОз и КгСОз взяты в таком количестве, что избыток их против стехиометрии соединения Кт(Мо 04)г соответствует около 9 вес, %...

Номер патента: 410357

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: C30B 31/06, G02B 5/22

Метки: 410357

...изобретения Способ изготообработки заготористого лития,с целью смещенрактеристики пршлифовкой произаготовки в присжащих соединен путем о фточто, ой хаперед отжиг содерависимое от авт, свидетельства К аявлепо 07 17.1972 ( 1768939/18-10)присоединением заявкиИ. В. Смушков и М. И, Шахнов Известен способ изпутем изготовленияческого фтористого ли Уфовки ее.Предлагаемый способ отличается тем, что перед шлифовкой производят диффузионный отжиг заготовки в присутствии паров кислородсодержащих соединений при 750 - 830 С. Это позволяет сместить границу спектральной характеристики пропускания светофильтра до 130 нм.На чертеже показана спектральная характеристика пропускания пластинки из кристаллического фтористого лития до отжига (а) и, после...

Номер патента: 412904

Опубликовано: 30.01.1974

МПК: B01D 9/00, C30B 13/00

Метки: 412904

...секции которого образованы аксиальными винтовыми змеевиками, а нагреватель размещен по оси навивки змеевиков,На фиг. 1 показано предлагаемое устройство, продольный разрез; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1.10 Устройство состоит из секций 1 и 2, соединенных питателем 3 и имеющих выходные штуцеры 4 и 5 очищенного и загрязненного продукта соответственно, и нагревателя 6.Секции 1 и 2 выполнены в виде неподвижных 15 аксиальных винтовых змеевиков, навитых впротивоположных направлениях, а нагреватель 6 вращается по оси их навивки. Устройство работает следующим образом.20 Секции 1 и 2 заполняют через питатель 3расплавом очищенного вещества и охлаждают до затвердевания расплава. При этом в обогреваемых питателе 3 и штуцерах 4 и 5...

Номер патента: 413985

Опубликовано: 05.02.1974

Авторы: Акулов, Гусев, Дубовицкий, Изобретени

МПК: C30B 11/10

Метки: подачи, порошкообразного

...я стакана, ц коническое дно бункера выполненос отверстиями.Наружный стакан снабжен патрубком длязагруз,ц ъатерала.На чертеже изображено предлягас:,ое усг- ,3 ройство.Устройство включает наружный стакац 1 сотверстием 2 в его основании для выпуска материала и кислородный канал газовой горелки кристаллзатора. Стакан закрыт герметпч но крышкой 3 п имеет загрузочное отверстне-, герметично закрываемое фланцем 6. В стакане установлен бункер 6 с коническим дном и подводящей трубкой 7, герметично закрытой глянцеЯ, через которую вводят порошкооо- Б цгзцы 1 -,ят 11-л Коцц еское дпо буцкепа 6имев ",: "стя 9. Вдоль осц бункера 6 размецец цо.-гкжцы: в вертикальном направлении шток 10 с сет пятым конусом 11 па нижнем конце.Вв Сверку штока установлен...

Номер патента: 415040

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: 415040

...высокой степеньюпрозрачности, обнаруженной в экспериментах5 по прохождению луча рубиновского лазера.Состав простых и смешанных монокрпсталлов ацетилацетонатов переходных металловконтролируют определением у глерода, водорода и содержанием металлов.о Пример 1. Вьргщиваие простогомонокристалла Со (асас)2 1 г без,водного хлороформа. Стаканчик с растворомпомещают в эксикатор над прокаленным СаС 12,Эксикатор опускают в термостат, где поддер 5 живают постоянную темперетуру 20 - -22 СЧерез несколько дней выпадают голубые кристаллы состава СО (асас)" Оторье использ- ют в качестве затравки для выращивания более крупных монокристаллов,0 Кристалл - затравку прикр ненной оси моторчик;:, которь вращение через крышку экси щенном растворе Со(асас)...

Номер патента: 400137

Опубликовано: 25.02.1974

Авторы: Вахндопа, Вители, Лобачсв, Мельников, Триедина

МПК: C30B 29/22, C30B 31/20

Метки: кристаллов, фотохромного

...юв 1,8 0" и/с.,е сск. В тсчси;е 23 члс при 40 С исхОдцып 1:.рпс.1,1 л Окр 11 пп влетел до плотпости .0=2. р е д м с Г 11 3 0 бе т с 1 и;1 1. Способ полного солллп-л,с целПо обсспсПИЯ КРИСТЛ,ЛОВпроцесса, Образта облучлются2. Спосоо почто в кт 1 ествспользуют екесткИ 15 .3. Способ почто в качествепользуют быстр кристаллов фотохром члющцйсл тем, что Озмогкиости возбу 5 кде ., 001 с.;с и процтсци 5 стлллпчсского смилли лмОпим излучец 1 юм.Т Л И Ч: 1 О ИИ 1 С 51 ТС М эующсго излучения ис ктромлгиитие излуче 1 СЦИЛОТЛ и 1 СП 1; В во все Ц) КР 1 цоцизп и. 1, о оппзи ие эле кристалл гидросо 11 зли. а мм помеш,ают в полИзобретение отцоситсл к способам получсция кристаллов фотохромиого содалитл, которые могут использоваться в виде поликриста 1...

Номер патента: 400139

Опубликовано: 25.02.1974

Авторы: Власов, Дистлер, Лобачев, Мельников, Триедина

МПК: C30B 23/00, C30B 7/10

Метки: вноертш, фонд

...ти, хам якро- травках е через СОКОй С частцос чеством ыс ца за рсдмет цзобретец 1 лИзобретение может использоваться прц выращивации моцокристаллов любыми способами, осцовяццыми ца примецециц моцокрцсталлических затравок.Известны способы выращивания моцокристаллов ца затравках, которые це устраняют дефектности используемых моцокристалличе- СКИХ ЗЯ 11 РЯОК.Для получения бездефектцых моцокристяллов с повышенной степенью совершенства рсальцой структуры предлагается затравки предварительно покрывать гряци ппми слоями из материалов, отличных от маеридлов затравок. Для более эффективного теплоотВодя В по ялс роста и испол ьзОВ я и и 51 макси мальцой толщины граничных слоев, обладающих ицформяциоццыми свойствами, в качестве материалов для...